KR101997808B1 - 유기 재료를 위한 증발 소스 - Google Patents

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Abstract

기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이가 제공된다. 증발 소스 어레이는, 2개 또는 그 초과의 증발 도가니(evaporation crucible)들 ― 2개 또는 그 초과의 증발 도가니들은 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증발시키도록 구성됨 ― ; 2개 또는 그 초과의 분배 파이프(distribution pipe)들 ― 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들은, 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들의 길이를 따라 제공되는 배출구(outlet)들을 갖고, 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들 중의 제 1 분배 파이프는 2개 또는 그 초과의 증발 도가니들 중의 제 1 증발 도가니와 유체 소통(fluid communication)함 ― ; 제 1 분배 파이프를 둘러싸는 2개 또는 그 초과의 열 차폐물(heat shield)들; 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들의 적어도 하나의 측(side)에 제공되는 냉각 차폐 배열체(cooling shield arrangement) ― 적어도 하나의 측은, 배출구들이 제공되는 측임 ― ; 및 냉각 차폐 배열체의 활성 냉각(active cooling)을 위해 냉각 차폐 배열체에 또는 냉각 차폐 배열체 내에 제공되는 냉각 엘리먼트를 포함한다.

Description

유기 재료를 위한 증발 소스{EVAPORATION SOURCE FOR ORGANIC MATERIAL}
[0001] 본 발명의 실시예들은 유기 재료의 증착, 재료들, 예를 들어 유기 재료들을 증착하기 위한 시스템, 유기 재료를 위한 소스, 및 유기 재료를 위한 증착 장치들에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 실시예들은, 예를 들어, 디바이스들, 특히 유기 재료들을 내부에 포함하는 디바이스들을 제조하기 위한, 제조 시스템들 및/또는 증발(evaporation) 장치들을 위한, 유기 재료를 위한 증발 소스(evaporation source)들, 및 예를 들어, 디바이스들, 특히 유기 재료들을 내부에 포함하는 디바이스들을 제조하기 위한, 제조 시스템들 및/또는 증발 장치들을 위한, 유기 재료를 위한 증발 소스 어레이(evaporation source array)들, 및 증발 소스 어레이들에 관한 것이다.
[0002] 유기 증발기(organic evaporator)들은, 유기 발광 다이오드(organic light-emitting diode, OLED)들을 생산하기 위한 툴이다. OLED들은, 발광 층이 특정 유기 화합물들의 박막을 포함하는 특별한 타입의 발광 다이오드들이다. 유기 발광 다이오드(OLED)들은, 정보를 디스플레이하기 위한, 텔레비전 스크린들, 컴퓨터 모니터들, 휴대폰들, 다른 핸드-헬드(hand-held) 디바이스들 등의 제조에 사용된다. OLED들은 또한, 일반적인 공간 조명(space illumination)을 위해 사용될 수 있다. OLED 디스플레이들에 의해 가능한 시야각, 휘도, 및 컬러들의 범위는, 전형적인 LCD 디스플레이들의 것과 비교하여 더 큰데, 왜냐하면 OLED 픽셀들이 광을 직접적으로 방출하며 역광(back light)을 필요로 하지 않기 때문이다. 따라서, OLED 디스플레이들의 에너지 소비는, 전형적인 LCD 디스플레이들의 에너지 소비보다 상당히 더 적다. 또한, OLED들이 가요성 기판(flexible substrate)들 상에 제조될 수 있다는 사실은 추가의 애플리케이션들을 발생시킨다. 예를 들어, 전형적인 OLED 디스플레이는, 2개의 전극들 사이에 위치되는 유기 재료의 층들을 포함할 수 있으며, 이들 모두는, 개별적으로 에너자이징가능한(energizable) 픽셀들을 갖는 매트릭스 디스플레이 패널(matrix display panel)을 형성하는 방식으로 기판 상에 증착된다. OLED는 일반적으로, 2개의 유리 패널들 사이에 배치되며, 유리 패널들의 에지들은 그 내에 OLED를 캡슐화(encapsulate)하기 위해 밀봉된다(sealed).
[0003] 이러한 디스플레이 디바이스들의 제조시에 직면하게 되는 많은 난제(challenge)들이 있다. 하나의 예에서, 디바이스의 가능한 오염을 막기 위해 2개의 유리 패널들 사이에 OLED를 캡슐화하기 위해서는 많은 노동 집약적인 단계들이 필요하다. 다른 예에서, 디스플레이 스크린들 및 그에 따라 유리 패널들의 상이한 크기들은, 디스플레이 디바이스들을 형성하는 데에 사용되는 프로세스 및 프로세스 하드웨어의 상당한 재구성(reconfiguration)을 요구할 수 있다. 일반적으로, 대면적 기판들 상에 OLED 디바이스들을 제조할 것이 요구된다.
[0004] 다양한 난제들을 야기하는, 대규모(large scale) OLED 디스플레이들의 제조에 있어서의 하나의 단계는, 예를 들어, 패터닝된(patterned) 층들의 증착을 위한, 기판의 마스킹이다. 또한, 알려진 시스템들은 전형적으로, 작은(예를 들어 < 50%) 전체적 재료 활용을 갖는다.
[0005] OLED 디스플레이들 또는 OLED 조명(lighting) 애플리케이션들은, 예를 들어 진공에서 증발되는(evaporated) 몇 개의 유기 재료들의 스택을 포함한다. 유기 재료들은 섀도우 마스크(shadow mask)들을 통해 순차적(subsequent) 방식으로 증착된다. 고 효율을 갖는 OLED 스택들을 제조하기 위해서는, 혼합된/도핑된(mixed/doped) 층들이 되게 하는, 2개 또는 그 초과의 재료들, 예를 들어 호스트(host) 및 도펀트의 동시 증착(co-deposition) 또는 동시 증발(co-evaporation)이 요구된다. 또한, 매우 민감한 유기 재료들의 증발을 위한 요건들이 있음을 고려해야 한다.
[0006] 예를 들어, OLED 디스플레이들의 생산을 위해, 섀도우 마스크를 통해 유기 재료를 증착함으로써, 디스플레이들의 픽셀화(pixelation)가 달성된다. 증발 소스의 열 부하를 통해 유도되는, 마스크의 열 팽창에 의해 야기되는, 픽셀들의 오정렬(misalignment)을 피하기 위해, 유기 소스(organic source)의 차폐(shielding) 및/또는 냉각(cooling)이 요구된다.
[0007] 따라서, OLED 디스플레이 디바이스들과 같은 디바이스들을 형성하기 위한, 새롭고 개선된 시스템들, 장치들 및 방법들에 대한 계속적인 필요성이 있다.
[0008] 상기 내용을 고려하여, 독립 청구항 제 1 항에 따른 증발 소스 어레이가 제공된다. 추가의 장점들, 특징들, 양상들 및 세부사항들이 종속 청구항들, 상세한 설명 및 도면들로부터 명백하다.
[0009] 일 실시예에 따르면, 기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이가 제공된다. 증발 소스 어레이는, 2개 또는 그 초과의 증발 도가니(evaporation crucible)들 ― 2개 또는 그 초과의 증발 도가니들은 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증발시키도록 구성됨 ― ; 2개 또는 그 초과의 분배 파이프(distribution pipe)들 ― 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들은, 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들의 길이를 따라 제공되는 배출구(outlet)들을 갖고, 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들 중의 제 1 분배 파이프는 2개 또는 그 초과의 증발 도가니들 중의 제 1 증발 도가니와 유체 소통(fluid communication)함 ― ; 제 1 분배 파이프를 둘러싸는 2개 또는 그 초과의 열 차폐물(heat shield)들; 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들의 적어도 하나의 측(side)에 제공되는 냉각 차폐 배열체(cooling shield arrangement) ― 적어도 하나의 측은, 배출구들이 제공되는 측임 ― ; 및 냉각 차폐 배열체의 활성 냉각(active cooling)을 위해 냉각 차폐 배열체에 또는 냉각 차폐 배열체 내에 제공되는 냉각 엘리먼트를 포함한다.
[0010] 본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 발명의 실시예들에 관한 것이고, 하기에서 설명된다.
도 1은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 2a 및 도 2b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스의 부분들의 개략도들을 도시한다.
도 2c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 다른 증발 소스의 개략도를 도시한다.
도 3a 내지 도 3c는 각각, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 증발 소스 또는 증발 파이프(evaporation pipe)의 부분들의 개략적인 단면도들을 도시한다.
도 4는, 각각, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 증발 소스 또는 증발 파이프의 부분의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 5a는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 파이프의 부분의 개략도를 도시한다.
도 5b 및 도 5c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 차폐물들에서의 개구들의 어레이의 부분들의 개략도들을 도시한다.
도 6은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스의 부분의 개략도를 도시한다.
도 7a 및 도 7b는, 각각, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 증발 소스 또는 증발 파이프의 부분들의 개략적인 단면도들을 도시한다.
도 8a는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 다른 증발 소스의 개략도를 도시한다.
도 8b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 또 다른 증발 소스의 개략도를 도시한다.
도 9a 및 도 9b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치, 및 진공 챔버에서의 다른 증착 포지션(position)들에서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 유기 재료를 증발시키기 위한 증발 소스들의 개략도들을 도시한다.
도 10은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 클러스터 시스템 부분, 진공 스윙(swing) 모듈, 이송 챔버, 추가의 이송 챔버, 추가의 진공 스윙 모듈 및 추가의 클러스터 시스템 부분을 갖는 제조 시스템을 도시한다.
[0011] 이제, 본 발명의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이고, 다양한 실시예들 중 하나 또는 그 초과의 예들이 도면들에서 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 발명의 설명으로 제공되고, 본 발명의 제한으로서 의도되지 않는다. 추가로, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 또는 설명되는 피처(feature)들은, 또 다른 추가의 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명은 그러한 변형들 및 변화들을 포함하도록 의도된다.
[0012] 도 1은 진공 챔버(110) 내의 포지션에 있는 증발 소스(100)를 도시한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스는 축을 중심으로 하는 회전 및 병진 이동(translational movement)을 위해 구성된다. 증발 소스(100)는 하나 또는 그 초과의 증발 도가니들(104) 및 하나 또는 그 초과의 분배 파이프들(106)을 갖는다. 2개의 증발 도가니들 및 2개의 분배 파이프들이 도 1에 도시된다. 분배 파이프들(106)은 지지부(support)(102)에 의해 지지된다. 또한, 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 도가니들(104) 또한, 지지부(102)에 의해 지지될 수 있다. 2개의 기판들(121)이 진공 챔버(110) 내에 제공된다. 전형적으로, 기판 상의 층 증착의 마스킹을 위한 마스크(132)가 증발 소스(100)와 기판 사이에 제공될 수 있다. 유기 재료가 분배 파이프들(106)로부터 증발된다.
[0013] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판들은, 본질적으로 수직 포지션에서 유기 재료로 코팅된다. 즉, 도 1에 도시된 도면은 증발 소스(100)를 포함하는 장치의 평면도이다. 전형적으로, 분배 파이프는 증기 분배 샤워헤드, 특히 선형(linear) 증기 분배 샤워헤드이다. 이에 의해, 분배 파이프는, 본질적으로 수직으로 연장하는 라인 소스(line source)를 제공한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, "본질적으로 수직으로(essentially vertically)"는, 특히 기판 방위(substrate orientation)를 언급할 때, 수직 방향으로부터의 20°또는 그 미만, 예를 들어 10°또는 그 미만의 편차를 감안하기 위한 것으로 이해된다. 이러한 편차는, 예를 들어, 수직 방위로부터 약간의 편차를 갖는 기판 지지부가 보다 안정적인 기판 포지션을 가져올 수도 있기 때문에 제공될 수 있다. 하지만, 유기 재료의 증착 동안의 기판의 방위는, 수평의 기판 방위와 상이한 것으로 고려되는, 본질적으로 수직인 것으로 고려된다. 이에 의해, 기판의 표면은, 하나의 기판 디멘션(dimension)에 해당하는 하나의 방향으로 연장하는 라인 소스, 및 다른 기판 디멘션에 해당하는 다른 방향을 따르는 병진 이동에 의해 코팅된다.
[0014] 도 1은 진공 챔버(110)에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치(200)의 실시예를 예시한다. 증발 소스(100)는, 진공 챔버(110) 내에서, 트랙, 예를 들어 (도 9a에 도시된 바와 같은) 루프 트랙(looped track) 또는 선형 가이드(linear guide)(220) 상에 제공된다. 트랙 또는 선형 가이드(220)는 증발 소스(100)의 병진 이동을 위해 구성된다. 이에 의해, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 병진 이동을 위한 드라이브(drive)가, 증발 소스(100) 내에, 트랙 또는 선형 가이드(220)에, 진공 챔버(110) 내에, 또는 이들의 조합에 제공될 수 있다. 도 1은 밸브(205), 예를 들어 게이트 밸브를 도시한다. 밸브(205)는 인접하는 진공 챔버(도 1에는 미도시)에 대한 진공 밀봉(vacuum seal)을 가능하게 한다. 밸브는, 진공 챔버(110) 내로의 또는 진공 챔버(110)로부터의, 기판(121) 또는 마스크(132)의 운반을 위해 개방될 수 있다.
[0015] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 추가의 진공 챔버, 이를 테면 유지보수 진공 챔버(maintenance vacuum chamber)(210)가 진공 챔버(110) 근처에 제공된다. 이에 의해, 진공 챔버(110) 및 유지보수 진공 챔버(210)는 밸브(207)에 의해 연결된다. 밸브(207)는, 진공 챔버(110)와 유지보수 진공 챔버(210) 간의 진공 밀봉을 개폐시키도록 구성된다. 밸브(207)가 개방 상태에 있는 동안, 증발 소스(100)는 유지보수 진공 챔버(210)로 이송될 수 있다. 이후, 진공 챔버(110)와 유지보수 진공 챔버(210) 간에 진공 밀봉을 제공하기 위해, 밸브가 폐쇄될 수 있다. 밸브(207)가 폐쇄되는 경우, 유지보수 진공 챔버(210)는 배기될(vented) 수 있으며, 진공 챔버(110)에서의 진공을 깨뜨리지 않으면서 증발 소스(100)의 유지보수를 위해 개방될 수 있다.
[0016] 2개의 기판들(121)은 진공 챔버(110) 내의 각각의 운반 트랙(transportation track)들 상에 지지된다. 또한, 상부에 마스크들(132)을 제공하기 위한 2개의 트랙들이 제공된다. 이에 의해, 기판들(121)의 코팅은 각각의 마스크들(132)에 의해 마스킹될 수 있다. 전형적인 실시예들에 따르면, 마스크들(132), 즉, 제 1 기판(121)에 해당하는 제 1 마스크(132), 및 제 2 기판(121)에 해당하는 제 2 마스크(132)가 마스크 프레임(mask frame)(131)에 제공되어, 마스크(132)를 미리 결정된 포지션에 유지(hold)한다.
[0017] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판(121)은, 정렬 유닛(alignment unit)(112)에 연결되는 기판 지지부(126)에 의해 지지될 수 있다. 정렬 유닛(112)은 마스크(132)에 대하여 기판(121)의 포지션을 조정할 수 있다. 도 1은, 기판 지지부(126)가 정렬 유닛(112)에 연결되는 실시예를 예시한다. 따라서, 유기 재료의 증착 동안 마스크와 기판 간의 적절한 정렬을 제공하기 위해, 기판이 마스크(132)에 대해 이동된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 추가의 실시예에 따르면, 대안적으로 또는 부가적으로, 마스크(132) 및/또는 마스크(132)를 유지하는 마스크 프레임(131)은 정렬 유닛(112)에 연결될 수 있다. 이에 의해, 마스크가 기판(121)에 대해 포지셔닝될(positioned) 수 있거나, 또는 마스크(132) 및 기판(121) 모두가 서로에 대해 포지셔닝될 수 있다. 기판(121)과 마스크(132) 간의 포지션을 서로에 대해 조정하도록 구성되는 정렬 유닛들(112)은, 증착 프로세스 동안 마스킹의 적절한 정렬을 가능하게 하는 바, 이는 고 품질의 LED 디스플레이 제조를 위해 유익하다.
[0018] 마스크와 기판의 서로에 대한 정렬의 예들은, 마스크의 평면 및 기판의 평면에 대해 본질적으로 평행한 평면을 정의하는 적어도 2개의 방향들에서의 상대적 정렬(relative alignment)을 가능하게 하는 정렬 유닛들을 포함한다. 예를 들어, 정렬은 적어도, x-방향 및 y-방향으로, 즉, 상기-설명된 평행한 평면을 정의하는 2개의 데카르트 방향(Cartesian direction)들로 행해질 수 있다. 전형적으로, 마스크 및 기판은 서로에 대해 본질적으로 평행할 수 있다. 구체적으로, 정렬은 또한, 마스크의 평면 및 기판의 평면에 대해 본질적으로 수직인 방향으로 행해질 수 있다. 따라서, 정렬 유닛은 적어도, 마스크 및 기판의 서로에 대한 X-Y-정렬을 위해, 구체적으로는 X-Y-Z-정렬을 위해 구성된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 하나의 특정 예는, 진공 챔버(110) 내에 정지된 채로 유지될 수 있는 마스크에 대해 기판을 x-방향, y-방향 및 z-방향으로 정렬시키는 것이다.
[0019] 도 1에 도시된 바와 같이, 선형 가이드(220)는 증발 소스(100)의 병진 이동의 방향을 제공한다. 증발 소스(100)의 양쪽 측(side)들에, 마스크(132)가 제공된다. 이에 의해, 마스크들(132)은 병진 이동의 방향에 대해 본질적으로 평행하게 연장할 수 있다. 추가로, 증발 소스(100)의 반대 측들에 있는 기판들(121) 또한, 병진 이동의 방향에 대해 본질적으로 평행하게 연장할 수 있다. 전형적인 실시예들에 따르면, 기판(121)은 밸브(205)를 통해 진공 챔버(110) 내로 그리고 진공 챔버(110)로부터 이동될 수 있다. 이에 의해, 증착 장치(200)는 기판들(121) 각각의 운반을 위한 각각의 운반 트랙을 포함할 수 있다. 예를 들어, 운반 트랙은 도 1에 도시된 기판 포지션에 대해 평행하게 그리고 진공 챔버(110) 내외로 연장할 수 있다.
[0020] 전형적으로, 마스크 프레임들(131) 및 그에 의해 마스크들(132)을 지지하기 위한 추가의 트랙들이 제공된다. 따라서, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들은, 진공 챔버(110) 내에 4개의 트랙들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 마스크들(132) 중 하나를 (예를 들어, 마스크의 세정을 위해) 챔버 외부로 이동시키기 위해, 마스크 프레임(131) 및 이에 의해 마스크는, 기판(121)의 운반 트랙 상으로 이동될 수 있다. 그런 다음, 각각의 마스크 프레임은 기판을 위한 운반 트랙 상에서 진공 챔버(110)를 빠져나가거나 진공 챔버(110)에 들어갈 수 있다. 비록 마스크 프레임들(131)에 대해 진공 챔버(110) 내외로 개별적인 운반 트랙을 제공하는 것이 가능할 것이기는 하지만, 단지 2개의 트랙들, 즉, 기판에 대한 운반 트랙들이 진공 챔버(110) 내외로 연장되고, 또한, 마스크 프레임들(131)이, 적절한 액추에이터 또는 로봇에 의해, 기판에 대한 운반 트랙들 중 각각의 운반 트랙 상으로 이동될 수 있는 경우, 증착 장치(200)의 소유 비용이 감소될 수 있다.
[0021] 도 1은 증발 소스(100)의 예시적인 실시예를 예시한다. 증발 소스(100)는 지지부(102)를 포함한다. 지지부(102)는 선형 가이드(220)를 따르는 병진 이동을 위해 구성된다. 지지부(102)는 2개의 증발 도가니들(104) 및 증발 도가니(104) 위에 제공되는 2개의 분배 파이프들(106)을 지지한다. 이에 의해, 증발 도가니에서 발생되는 증기는, 위쪽으로 그리고 분배 파이프의 하나 또는 그 초과의 배출구들 외부로 이동할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 분배 파이프(106)는 또한, 증기 분배 샤워헤드, 예를 들어 선형 증기 분배 샤워헤드인 것으로 고려될 수 있다.
[0022] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 증발 소스는 하나 또는 그 초과의 증발 도가니들 및 하나 또는 그 초과의 분배 파이프들을 포함하며, 하나 또는 그 초과의 분배 파이프들 중의 각각의 분배 파이프는 하나 또는 그 초과의 증발 도가니들 중의 각각의 증발 도가니와 유체 소통할 수 있다. OLED 디바이스 제조를 위한 다양한 애플리케이션들은 프로세싱 단계(step)들을 포함하며, 여기에서는, 2개 또는 그 초과의 유기 재료들이 동시에 증발된다. 따라서, 예를 들어 도 1에 도시된 바와 같이, 2개의 분배 파이프들 및 해당하는 증발 도가니들은 서로의 바로 옆에 제공될 수 있다. 따라서, 증발 소스(100)는 또한, 증발 소스 어레이로서 지칭될 수 있으며, 여기에서는, 예를 들어, 한 종류보다 더 많은 유기 재료가 동시에 증발된다. 본원에서 설명되는 바와 같이, 증발 소스 어레이 그 자체는, 2개 또는 그 초과의 유기 재료들에 대한 증발 소스로서 지칭될 수 있다.
[0023] 분배 파이프의 하나 또는 그 초과의 배출구들은, 예를 들어, 샤워헤드 또는 다른 증기 분배 시스템에서 제공될 수 있는, 하나 또는 그 초과의 개구들 또는 하나 또는 그 초과의 노즐들일 수 있다. 증발 소스는 증기 분배 샤워헤드, 예를 들어, 복수의 노즐들 또는 개구들을 갖는 선형 증기 분배 샤워헤드를 포함할 수 있다. 샤워헤드는 본원에서, 샤워헤드 내의 압력이 샤워헤드 바깥쪽의 압력보다, 예를 들어 적어도 10 배 만큼 더 높도록, 개구들을 갖는 엔클로저(enclosure)를 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
[0024] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 적어도 분배 파이프가 상부에 장착되는 증발기 제어 하우징(evaporator control housing)의 회전에 의해, 분배 파이프의 회전이 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 루프 트랙의 곡선 부분을 따라 증발 소스를 이동시킴으로써(예를 들어, 도 9a 참조), 분배 파이프의 회전이 제공될 수 있다. 전형적으로, 증발 도가니 또한, 증발기 제어 하우징 상에 장착된다. 따라서, 증발 소스들은 분배 파이프 및 증발 도가니를 포함하며, 이들 양자 모두는, 즉 함께, 회전가능하게 장착될 수 있다.
[0025] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 유기 재료들을 위한 증발 소스들 또는 증발 소스 어레이들은, 각각, 서로 독립적으로 또는 조합하여 제공될 수 있는 적어도 2개의 요구들과 관련하여 개선될 수 있다. 첫 번째로, 하나 또는 그 초과의 유기 재료들을 증발시키는 증발 소스들은, 기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착할 때, 유기 재료들의 불충분한 혼합을 겪을 수 있다. 따라서, 예를 들어, 기판 상에 하나의 유기 층을 제공하기 위해 2개의 상이한 유기 재료들이 증착되는 애플리케이션들에 대해 유기 재료들의 혼합을 개선하는 것이 바람직하다. 해당 애플리케이션은, 예를 들어, 도핑된(doped) 층의 증착일 수 있으며, 여기에서는, 호스트 및 하나 또는 그 초과의 도펀트들이 제공된다. 두 번째로, 도 1과 관련하여 예시적으로 설명된 바와 같이, 많은 애플리케이션들은 유기 재료의 증착 동안 기판의 마스킹을 요구한다. 마스킹 단계가 전형적으로, 높은 정밀도(precision)를 요구한다는 사실을 고려하여, 마스크의 열 팽창이 감소될 필요가 있다. 본원에서 설명되는 실시예들은, 증발 소스에 의해 발생될 수 있는, 마스크의 포지션에서의 감소된 열 부하 및/또는 마스크의 개선된 온도 안정성을 가능하게 한다.
[0026] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스는 분배 파이프(예를 들어, 증발 튜브(evaporation tube))를 포함한다. 분배 파이프는 복수의 개구들, 이를 테면 구현된(implemented) 노즐 어레이를 가질 수 있다. 또한, 증발 소스는, 증발 재료를 담고 있는 도가니를 포함한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 분배 파이프 또는 증발 튜브는 삼각형(triangular) 형상으로 설계될 수 있으며, 따라서, 개구들 또는 노즐 어레이들을 서로에 대해 가능한 가깝게 되도록 하는 것이 가능하다. 이는, 예를 들어, 2개, 3개 또는 훨씬 더 많은 상이한 유기 재료들의 동시 증발의 경우에 대해, 상이한 유기 재료들의 개선된 혼합을 달성하는 것을 가능하게 한다.
[0027] 부가적으로 또는 대안적으로 구현될 수 있는, 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 증발 소스들은 예를 들어, 5 켈빈(Kelvin) 미만, 또는 심지어 1 K 미만일 수 있는, 마스크의 포지션에서의 온도 변동(temperature variation)을 감안한다. 증발 소스로부터 마스크로의 열 전달의 감소는, 개선된 냉각에 의해 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 증발 소스의 삼각형 형상을 고려하면, 마스크 쪽으로 방출(radiate)하는 영역(area)이 감소된다. 또한, 금속 플레이트들, 예를 들어 최대 10개의 금속 플레이트들의 스택이, 증발 소스로부터 마스크로의 열 전달을 감소시키기 위해 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 배출구 또는 노즐들에 대한 오리피스(orifice)들을 갖는 열 차폐물들 또는 금속 플레이트들이 제공될 수 있으며, 그리고 소스의 적어도 전방 측(front side), 즉 기판을 대면하는 측에 부착될 수 있다.
[0028] 도 2a 내지 도 2c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스의 부분들을 도시한다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 증발 소스는 분배 파이프(106) 및 증발 도가니(104)를 포함할 수 있다. 이에 의해, 예를 들어, 분배 파이프는 가열 유닛(715)을 갖는 세장형 큐브(elongated cube)일 수 있다. 증발 도가니는, 가열 유닛(725)에 의해 증발될 유기 재료에 대한 저장소(reservoir)일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 분배 파이프(106)는 라인 소스를 제공한다. 예를 들어, 복수의 개구들 및/또는 배출구들, 이를 테면 노즐들이, 적어도 하나의 라인을 따라 배열된다. 대안적인 실시예에 따르면, 적어도 하나의 라인을 따라 연장하는 하나의 세장형 개구가 제공될 수 있다. 예를 들어, 세장형 개구는 슬릿(slit)일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 라인은 본질적으로 수직으로 연장한다. 예를 들어, 분배 파이프(106)의 길이는, 적어도, 증착 장치에서 증착될 기판의 높이에 해당한다. 많은 경우들에서, 분배 파이프(106)의 길이는, 증착될 기판의 높이보다, 적어도 10% 또는 심지어 20% 만큼 더 길 것이다. 이에 의해, 기판의 상부 단부 및/또는 기판의 하부 단부에서의 균일한 증착이 제공될 수 있다.
[0029] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 분배 파이프의 길이는 1.3 m 또는 그 초과, 예를 들어 2.5 m 또는 그 초과일 수 있다. 하나의 구성에 따르면, 도 2a에 도시된 바와 같이, 증발 도가니(104)는 분배 파이프(106)의 하부 단부에 제공된다. 유기 재료가 증발 도가니(104)에서 증발된다. 유기 재료의 증기는 분배 파이프의 바닥에서 분배 파이프(106)에 들어가며, 예를 들어, 본질적으로 수직인 기판 쪽으로, 분배 파이프 내의 복수의 개구들을 통해 본질적으로 옆으로(sideways) 가이딩된다(guided).
[0030] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 배출구들(예를 들어, 노즐들)은, +- 20°수평(horizontal +- 20°)의 메인(main) 증발 방향을 갖도록 배열된다. 몇몇 특정 실시예들에 따르면, 증발 방향은 약간 위쪽으로, 예를 들어, 수평면(horizontal) 내지 15°범위에서 위쪽으로, 이를 테면 3°내지 7°위쪽으로 지향될(oriented) 수 있다. 이에 상응하게, 기판이, 증발 방향에 대해 실질적으로 수직이도록 약간 기울어질 수 있다. 이에 의해, 원치않는 입자 발생이 감소될 수 있다. 예시적인 목적들을 위해, 증발 도가니(104) 및 분배 파이프(106)는 도 2a에서 열 차폐물들 없이 도시되어 있다. 이에 의해, 도 2a에 도시된 개략적인 사시도에서 가열 유닛(715) 및 가열 유닛(725)을 볼 수 있다.
[0031] 도 2b는 증발 소스의 부분의 확대된 개략도를 도시하며, 여기서, 분배 파이프(106)는 증발 도가니(104)에 연결된다. 증발 도가니(104)와 분배 파이프(106) 간의 연결을 제공하도록 구성되는 플랜지 유닛(flange unit)(703)이 제공된다. 예를 들어, 증발 도가니 및 분배 파이프는 개별적인 유닛들로서 제공되며, 이들은 분리될 수 있으며, 그리고 예를 들어, 증발 소스의 동작을 위해, 플랜지 유닛에서 연결 또는 조립될 수 있다.
[0032] 분배 파이프(106)는 내측 중공형 공간(inner hollow space)(710)을 갖는다. 가열 유닛(715)이 분배 파이프를 가열하기 위해 제공된다. 따라서, 분배 파이프(106)는, 증발 도가니(104)에 의해 제공되는 유기 재료의 증기가 분배 파이프(106)의 벽의 내측 부분에서 응결(condense)되지 않도록 하는 온도로 가열될 수 있다. 2개 또는 그 초과의 열 차폐물들(717)이 분배 파이프(106)의 튜브 둘레에 제공된다. 열 차폐물들은, 가열 유닛(715)에 의해 제공되는 열 에너지를 다시 중공형 공간(710) 쪽으로 반사시키도록 구성된다. 이에 의해, 분배 파이프를 가열하기 위해 요구되는 에너지, 즉, 가열 유닛(715)에 제공되는 에너지가 감소될 수 있는데, 왜냐하면 열 차폐물들(717)이 열 손실들을 감소시키기 때문이다. 또한, 다른 분배 파이프들로의 그리고/또는 마스크 또는 기판으로의 열 전달이 감소될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 열 차폐물들(717)은 2개 또는 그 초과의 열 차폐 층들, 예를 들어, 5개 또는 그 초과의 열 차폐 층들, 이를 테면 10개의 열 차폐 층들을 포함할 수 있다.
[0033] 전형적으로, 도 2b에 도시된 바와 같이, 열 차폐물들(717)은 분배 파이프(106) 내의 개구 또는 배출구(712)의 포지션들에서 개구들을 포함한다. 도 2b에 도시된 증발 소스의 확대도는 4개의 개구들 또는 배출구(712)를 도시한다. 개구들 또는 배출구들(712)은, 분배 파이프(106)의 축에 대해 본질적으로 평행한 하나 또는 그 초과의 라인들을 따라 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같이, 분배 파이프(106)는, 예를 들어, 복수의 개구들이 내부에 배치되는 선형 분배 샤워헤드로서 제공될 수 있다. 이에 의해, 본원에서 이해되는 바와 같은 샤워헤드는 엔클로저, 중공형 공간, 또는 파이프를 가지며, 여기서, 재료는, 예를 들어 증발 도가니로부터 제공되거나 가이딩될 수 있다. 샤워헤드는, 샤워헤드 내의 압력이 샤워헤드 바깥쪽보다 더 높도록 복수의 개구들(또는 세장형 슬릿)을 가질 수 있다. 예를 들어, 샤워헤드 내의 압력은 샤워헤드 바깥쪽의 압력보다 적어도 10배 더 높을 수 있다.
[0034] 동작 동안, 분배 파이프(106)는 플랜지 유닛(703)에서 증발 도가니(104)에 연결된다. 증발 도가니(104)는 증발될 유기 재료를 수용(receive)하고 유기 재료를 증발시키도록 구성된다. 도 2b는 증발 도가니(104)의 하우징을 통한 단면을 도시한다. 리필 개구(refill opening)가, 예를 들어, 증발 도가니의 상부 부분에 제공되는 바, 이는 증발 도가니(104)의 엔클로저를 폐쇄시키기 위한, 플러그(722), 리드(lid), 커버 등을 사용하여 폐쇄될 수 있다.
[0035] 외측 가열 유닛(725)이 증발 도가니(104)의 엔클로저 내에 제공된다. 외측 가열 엘리먼트는, 적어도, 증발 도가니(104)의 벽의 일부를 따라서 연장할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 중앙(central) 가열 엘리먼트들(726)이 부가적으로 또는 대안적으로 제공될 수 있다. 도 2b는 2개의 중앙 가열 엘리먼트들(726)을 도시한다. 중앙 가열 엘리먼트들(726)은 중앙 가열 엘리먼트들에 전력을 제공하기 위한 컨덕터들(729)을 포함할 수 있다. 몇몇 구현예들에 따르면, 증발 도가니(104)는 차폐물(727)을 더 포함할 수 있다. 차폐물(727)은, 외측 가열 유닛(725) 및, 존재하는 경우, 중앙 가열 엘리먼트들(726)에 의해 제공되는 열 에너지를 다시 증발 도가니(104)의 엔클로저 내로 반사시키도록 구성될 수 있다. 이에 의해, 증발 도가니(104) 내에서의 유기 재료의 효율적인 가열이 제공될 수 있다.
[0036] 본원에서 설명된 몇몇 실시예들에 따르면, 열 차폐물들, 이를 테면 차폐물(717) 및 차폐물(727)은 증발 소스를 위해 제공될 수 있다. 열 차폐물들은 증발 소스로부터의 에너지 손실을 감소시킬 수 있다. 이에 의해, 에너지 소비가 감소될 수 있다. 하지만, 추가의 양상으로서, 특히, 유기 재료들의 증착에 대해, 증발 소스로부터 비롯되는 열 방출(heat radiation), 특히, 증착 동안 마스크 및 기판 쪽으로의 열 방출이 감소될 수 있다. 특히, 마스킹된 기판들 상으로의 유기 재료들의 증착을 위해서는, 그리고 디스플레이 제조를 위해서는 더욱 더, 기판 및 마스크의 온도가 정확하게 제어될 필요가 있다. 따라서, 증발 소스로부터 비롯되는 열 방출이 감소되거나 회피될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들은, 열 차폐물들, 이를 테면 차폐물(717) 및 차폐물(727)을 포함한다.
[0037] 이러한 차폐물들은 증발 소스 바깥쪽으로의 열 방출을 감소시키기 위한 몇 개의 차폐 층(shielding layer)들을 포함할 수 있다. 추가의 옵션으로서, 열 차폐물들은 차폐 층들을 포함할 수 있으며, 이들은 유체, 이를 테면 공기, 질소, 물 또는 다른 적절한 냉각 유체들에 의해 능동적으로(actively) 냉각된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 증발 소스에 대해 제공되는 하나 또는 그 초과의 열 차폐물들은 증발 소스들의 각각의 부분들, 이를 테면 분배 파이프(106) 및/또는 증발 도가니(104)를 둘러싸는 시트 금속(sheet metal)들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 시트 금속들은, 0.1 mm 내지 3 mm의 두께를 가질 수 있고, 철 금속(ferrous metal)들(SS) 및 비-철 금속들(Cu, Ti, Al)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료로부터 선택될 수 있고, 그리고/또는 예를 들어, 0.1 mm 또는 그 초과의 갭 만큼 서로에 대해 이격될 수 있다.
[0038] 몇몇 실시예들에 따르면, 도 2a 내지 도 2b와 관련하여 예시적으로 도시된 바와 같이, 증발 도가니(104)는 분배 파이프(106)의 하부측에 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 증기 도관(vapor conduit)(732)이, 분배 파이프의 중앙 부분에서, 또는 분배 파이프의 하부 단부와 분배 파이프의 상부 단부 사이의 다른 포지션에서, 분배 파이프(106)에 대해 제공될 수 있다. 도 2c는 분배 파이프(106) 및 분배 파이프의 중앙 부분에 제공되는 증기 도관(732)을 갖는 증발 소스의 예를 예시한다. 유기 재료의 증기가 증발 도가니(104)에서 발생되며, 증기 도관(732)을 통해 분배 파이프들(106)의 중앙 부분으로 가이딩된다. 증기는 복수의 개구들 또는 배출구들(712)을 통해 분배 파이프(106)를 빠져나간다. 분배 파이프(106)는, 본원에서 설명되는 다른 실시예들에 관해 설명된 바와 같이, 지지부(102)에 의해 지지된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 2개 또는 그 초과의 증기 도관들(732)이 분배 파이프(106)의 길이를 따라서 상이한 포지션들에 제공될 수 있다. 이에 의해, 증기 도관들(732)은 하나의 증발 도가니(104) 또는 몇 개의 증발 도가니들(104)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 각각의 증기 도관(732)은 대응하는 증발 도가니(104)를 가질 수 있다. 대안적으로, 증발 도가니(104)는, 분배 파이프(106)에 연결되는 2개 또는 그 초과의 증기 도관들(732)과 유체 소통할 수 있다.
[0039] 본원에서 설명되는 바와 같이, 분배 파이프는 중공형 실린더(hollow cylinder)일 수 있다. 이에 의해, "실린더"라는 용어는, 원형의 바닥 형상, 원형의 상부 형상, 및 상부 원과 약간 더 아랫쪽의 원(little lower circle)을 연결하는 곡선 표면 영역(curved surface area) 또는 쉘(shell)을 갖는 것으로서 일반적으로 용인되는 것으로 이해될 수 있다. 이에 의해, 본원에서 설명되는 실시예들은, 열 차폐물들 및 냉각 차폐 배열체들에 의해 마스크로의 감소된 열 전달을 제공한다. 예를 들어, 증발 소스로부터 마스크로의 열 전달은, 열 차폐물들 및 냉각 차폐 배열체들을 통해 관통하는(penetrating) 노즐들을 구비함으로써 감소될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 추가의 부가적인 또는 대안적인 실시예들에 따르면, "실린더"라는 용어는 또한, 임의의 바닥 형상, 동일한 상부 형상, 및 상부 형상과 하부 형상을 연결하는 곡선 표면 영역 또는 쉘을 갖는 것으로서, 수학적 의미로 이해될 수 있다. 따라서, 실린더가 반드시 원형 단면을 가질 필요가 있는 것은 아니다. 대신에, 베이스(base) 표면 및 상부 표면은 원과 상이한 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 단면은, 도 3a 내지 도 4 및 도 6 내지 도 8b와 관련하여 더 상세히 설명될 바와 같은 형상을 가질 수 있다.
[0040] 도 3a는 분배 파이프(106)의 단면을 도시한다. 분배 파이프(106)는, 내측 중공형 공간(710)을 둘러싸는 벽들(322, 326, 및 324)을 갖는다. 벽(322)은 증발 도가니의 배출구 측에 제공되며, 벽(322)에는, 배출구들(712)이 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 배출구(712)는 노즐(312)에 의해 제공될 수 있다. 분배 파이프의 단면은, 본질적으로 삼각형인 것으로서 설명될 수 있는 바, 즉, 분배 파이프의 메인 섹션은 삼각형의 부분에 해당하며 그리고/또는 분배 파이프의 단면은 둥근(rounded) 코너들 및/또는 컷오프된(cut-off) 코너들을 갖는 삼각형일 수 있다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 배출구 측에 있는 삼각형의 코너는 컷오프된다.
[0041] 분배 파이프의 배출구 측의 폭, 예를 들어, 도 3a에 도시된 단면에서 벽(322)의 치수는 화살표(352)에 의해 표시된다. 또한, 분배 파이프(106)의 단면의 다른 치수들은 화살표들(354 및 355)에 의해 표시된다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 분배 파이프의 배출구 측의 폭은, 단면의 최대 치수의 30% 또는 그 미만, 예를 들어, 화살표들(354 및 355)에 의해 표시되는 치수들 중 더 큰 치수의 30% 이다. 이를 고려하면, 이웃하는 분배 파이프들(106)의 배출구(712)는 더 작은 거리(distance)로 제공될 수 있다. 더 작은 거리는, 서로 바로 옆에서 증발되는 유기 재료들의 혼합을 개선한다. 이는, 도 3c, 도 7a, 도 7b, 도 8a 및 도 8b를 참조할 때에 더 잘 이해될 수 있다. 또한 추가로, 부가적으로 또는 대안적으로, 그리고 유기 재료들의 개선된 혼합과 별도로, 본질적으로 평행한 방식으로, 각각, 증착 영역 또는 기판을 대면하는 벽의 폭이 감소될 수 있다. 이에 상응하게, 본질적으로 평행한 방식으로, 각각, 증착 영역 또는 기판을 대면하는 벽, 예를 들어 벽(322)의 표면 영역이 감소될 수 있다. 이는, 증착 영역 또는 증착 영역 약간 앞에 지지되는, 마스크 또는 기판에 대해 제공되는 열 부하를 감소시킨다.
[0042] 도 3b는 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따른 분배 파이프(106)의 추가의 세부사항들을 예시한다. 내측 중공형 공간(710)을 둘러싸는 벽들에 하나 또는 그 초과의 가열 엘리먼트들(380)이 제공된다. 가열 디바이스들은, 분배 파이프의 벽들에 장착되는 전기 가열기(electrical heater)들일 수 있다. 예를 들어, 가열 디바이스들은, 분배 파이프(106)에 클램핑되거나 또는 다른 방식으로 고정되는 가열 와이어들, 예를 들어 코팅된 가열 와이어들에 의해 제공될 수 있다.
[0043] 2개 또는 그 초과의 열 차폐물들(372)이 하나 또는 그 초과의 가열 엘리먼트들(380) 둘레에 제공된다. 예를 들어, 열 차폐물들(372)은 서로로부터 떨어져 이격될 수 있다. 열 차폐물들 중 하나의 열 차폐물 상의 스폿(spot)들로서 제공될 수 있는 돌출부(protrusion)들(373)이 열 차폐물들을 서로에 대해 분리시킨다. 따라서, 열 차폐물들(372)의 스택이 제공된다. 예를 들어, 2개 또는 그 초과의 열 차폐물들, 이를 테면 5개 또는 그 초과의 열 차폐물들 또는 심지어 10개의 열 차폐물들이 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 이러한 스택은, 프로세스 동안 소스의 열 팽창을 보상하고, 그에 따라 노즐들이 결코 차단되지(blocked) 않도록 하는 방식으로, 설계된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 가장 바깥쪽 차폐물은 수냉각될(water-cooled) 수 있다.
[0044] 도 3b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 도 3b에 도시된 단면에서 도시되어 있는 배출구(712)에는 노즐(312)이 제공된다. 노즐(312)은 열 차폐물들(372)을 통해 연장한다. 이는 열 차폐물들에서의 유기 재료의 응결(condensation)을 감소시킬 수 있는데, 왜냐하면 노즐이 열 차폐물들의 이러한 스택을 통해 유기 재료를 가이딩하기 때문이다. 노즐은, 분배 파이프(106) 내부의 온도와 유사한 온도로 가열될 수 있다. 노즐(312)의 가열을 개선하기 위해, 예를 들어 도 4에 도시된 바와 같이, 분배 파이프의 가열된 벽들과 접촉하는 노즐 지지부(nozzle support portion)(412)가 제공될 수 있다.
[0045] 도 3c는 2개의 분배 파이프들이 서로의 바로 옆에 제공되는 실시예를 도시한다. 따라서, 도 3c에 도시된 바와 같은 분배 파이프 배열을 갖는 증발 소스는 서로의 바로 옆에서 2개의 유기 재료들을 증발시킬 수 있다. 따라서, 그러한 증발 소스는 증발 소스 어레이라고도 또한 지칭될 수 있다. 도 3c에 도시된 바와 같이, 분배 파이프들(106)의 단면의 형상은 이웃하는 분배 파이프들의 배출구들 또는 노즐들을 서로에 대해 가깝게 배치하는 것을 허용한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 제 1 분배 파이프의 제 1 배출구 또는 노즐과 제 2 분배 파이프의 제 2 배출구 또는 노즐은, 25 mm 또는 그 미만, 이를 테면 5 mm 내지 25 mm의 거리(distance)를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 제 2 배출구 또는 노즐에 대한 제 1 배출구 또는 노즐의 거리는 10 mm 또는 그 미만일 수 있다.
[0046] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 노즐들(312)의 튜브 연장선(tube extension)들이 제공될 수 있다. 분배 파이프들 간의 작은 거리를 고려하면, 그러한 튜브 연장선들은 그 내에서의 막힘(clogging) 또는 응결을 회피하도록 충분히 작을 수 있다. 튜브 연장선들은, 2개 또는 심지어 3개의 소스들의 노즐들이 서로의 위쪽에 하나의 라인으로, 즉, 수직 연장선(vertical extension)일 수 있는, 분배 파이프의 연장선을 따라서 하나의 라인으로 제공될 수 있도록 설계될 수 있다. 이러한 특별한 설계에 의해, 2개 또는 3개의 소스들의 노즐들을 작은 튜브 연장선들에 걸쳐서 하나의 라인으로 배열하는 것이 심지어 가능하게 되며, 그에 따라, 완벽한 혼합이 달성된다.
[0047] 도 3c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 감소된 열 부하를 추가로 예시한다. 증착 영역(311)이 도 3c에 도시되어 있다. 전형적으로, 기판이, 기판 상으로의 유기 재료의 증착을 위해 증착 영역에 제공될 수 있다. 증착 영역(311)과 측벽(326) 간의 각도(angle)(395)가 도 3c에 표시되어 있다. 알 수 있는 바와 같이, 측벽(326)은, 열 차폐물들 및 냉각 엘리먼트들에도 불구하고 일어날 수도 있는 열 방출이 증착 영역 쪽으로 직접적으로 방출되지 않도록 동등하게 큰 각도(comparably large angle) 만큼 기울어져 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 각도(395)는 15°또는 그 초과일 수 있다. 따라서, 화살표(392)에 의해 표시되는 치수 또는 면적(area)은, 화살표(394)에 의해 표시되는, 치수 또는 면적과 비교하여, 상당히 더 작다. 이에 의해, 화살표(392)에 의해 표시되는 치수는, 증착 영역을 대면하는 표면이 본질적으로 평행하거나 또는 30°또는 그 미만 또는 심지어 15°또는 그 미만의 각도를 갖는, 분배 파이프들(106)의 단면의 치수에 해당한다. 해당 영역, 즉, 기판에 대해 직접적인 열 부하를 제공하는 영역은, 분배 파이프들의 길이와 도 3c에 도시된 치수를 곱한 것이다. 화살표(394)에 의해 표시되는 치수는 각각의 단면에서 전체 증발 소스의 증착 영역(311) 상으로의 투사 영역(projection)이다. 해당 영역, 즉, 증착 영역의 표면 상으로의 투사의 영역은, 분배 파이프들의 길이와 도 3c에 도시된 치수(화살표(394))를 곱한 것이다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 화살표(392)에 의해 표시되는 영역은, 화살표(394)에 의해 표시되는 영역과 비교하여, 30% 또는 그 미만일 수 있다. 상기 내용을 고려하여, 분배 파이프들(106)의 형상은 증착 영역 쪽으로 방출되는 직접적인 열 부하를 감소시킨다. 따라서, 기판 및 기판의 앞쪽에 제공되는 마스크의 온도 안정성이 개선될 수 있다.
[0048] 도 4는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스들의 또 다른 추가의 선택적인 변경들을 예시한다. 도 4는 분배 파이프(106)의 단면을 도시한다. 분배 파이프(106)의 벽들은 내측 중공형 공간(710)을 둘러싼다. 증기가 노즐(312)을 통해 중공형 공간을 빠져나갈 수 있다. 노즐(312)의 가열을 개선하기 위해, 분배 파이프(106)의 가열된 벽들과 접촉하는 노즐 지지부(412)가 제공된다. 분배 파이프(106)를 둘러싸는 외측 차폐물(402)은 열 부하를 추가로 감소시키기 위한 냉각형 차폐물(cooled shield)이다. 또한, 각각, 증착 영역 또는 기판 쪽으로 가해지는 열 부하를 부가적으로 감소시키기 위해, 냉각형 차폐물(404)이 제공된다.
[0049] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 냉각형 차폐물들은 금속 플레이트들로서 제공될 수 있으며, 냉각 유체(cooling fluid), 이를 테면 물을 위한 도관들이 금속 플레이트들에 부착되거나 또는 금속 플레이트들 내에 제공된다. 부가적으로 또는 대안적으로, 열전 냉각 수단(thermoelectric cooling means) 또는 다른 냉각 수단이 냉각형 차폐물들을 냉각시키기 위해 제공될 수 있다. 전형적으로, 외측 차폐물들, 즉, 분배 파이프의 내측 중공형 공간을 둘러싸는 가장 바깥쪽 차폐물들이 냉각될 수 있다.
[0050] 도 4는 몇몇 실시예들에 따라 제공될 수 있는 추가의 양상을 예시한다. 셰이퍼 차폐물(shaper shield)들(405)이 도 4에 도시되어 있다. 셰이퍼 차폐물들은 전형적으로, 증발 소스의 부분으로부터 기판 또는 증착 영역 쪽으로 연장한다. 따라서, 배출구들을 통해 분배 파이프 또는 파이프들을 빠져나가는 증기의 방향이 제어될 수 있는 바, 즉, 증기 방출(vapor emission)의 각도가 감소될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 배출구들 또는 노즐들을 통해 증발되는 유기 재료의 적어도 일부는 셰이퍼 차폐물에 의해 차단된다. 이에 의해, 방출 각도의 폭이 제어될 수 있다. 몇몇 구현예들에 따르면, 셰이퍼 차폐물들(405)은, 증착 영역 쪽으로 방출되는 열 방출을 추가로 감소시키기 위해 냉각형 차폐물들(402 및 404)과 유사하게 냉각될 수 있다.
[0051] 도 5a는 증발 소스의 일부를 도시한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스 또는 증발 소스 어레이는 수직의 선형 소스이다. 따라서, 3개의 배출구들(712)은 수직 배출구 어레이의 일부이다. 도 5a는 열 차폐물들(572)의 스택을 예시하는 바, 이들은 고정 엘리먼트(fixation element)(573), 예를 들어 스크류 등에 의해 분배 파이프에 부착될 수 있다. 또한, 외측 차폐물(404)은 냉각형 차폐물로서, 그 내에는 추가의 개구들이 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 외측 차폐물의 설계는 증발 소스의 컴포넌트들의 열적 확장(thermal extension)을 감안하도록 구성될 수 있으며, 여기서, 개구들은, 동작에 온도에 도달할 때 분배 파이프의 노즐들과 정렬되거나(reach alignment), 또는 분배 파이프의 노즐들과의 정렬을 유지한다. 도 5b는 냉각형 외측 차폐물(404)의 측면도를 도시한다. 냉각형 외측 차폐물은 본질적으로, 분배 파이프의 길이를 따라서 연장할 수 있다. 대안적으로, 2개 또는 3개의 냉각형 외측 차폐물들이, 분배 파이프의 길이를 따라 연장하도록 서로의 바로 옆에 제공될 수 있다. 냉각형 외측 차폐물은 고정 엘리먼트(502), 예를 들어 스크류에 의해 증발 소스에 부착되며, 고정 엘리먼트는 본질적으로, 길이 연장선을 따라서 분배 파이프의 중앙(±10 % 또는 ±20 %)에 제공된다. 분배 파이프가 열 팽창이 되면, 열적 확장(thermal extension)을 받는, 외측 차폐물(404)의 일부의 길이가 감소된다. 외측 차폐물(404) 내의 개구들(531)은, 고정 엘리먼트(502) 가까이에서는 원형일 수 있으며, 그리고 고정 엘리먼트에 대해 더 큰 거리(larger distance)에서는 타원형 형상을 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 파이프의 세로축(longitudinal axis)에 대해 평행한 방향에서의 개구들(531)의 길이는, 고정 엘리먼트로부터의 거리가 더 클 수록 증가될 수 있다. 전형적으로, 증발 파이프의 세로축에 대해 수직인 방향에서의 개구들(531)의 폭은 일정할 수 있다. 상기 내용을 고려하여, 외측 차폐물(404)은, 열 팽창시, 특히 증발 파이프의 세로축을 따라서 연장할 수 있으며, 증발 파이프의 세로축에 대해 평행한 증가된 치수는 열 팽창을 보상하거나 또는 적어도 부분적으로 보상할 수 있다. 따라서, 증발 소스는, 외측 차폐물(404) 내의 개구들이 노즐들을 차단하지 않으면서, 넓은 온도 범위에서 동작될 수 있다.
[0052] 도 5c는 본원에서 설명되는 실시예들의 추가의 선택적인 피처를 예시하는 바, 이는 본원에서 설명되는 다른 실시예들에 대해 또한 마찬가지로 제공될 수 있다. 도 5c는 벽(322)(도 3a 참조)의 측(side)으로부터의 측면도를 도시하며, 차폐물(572)이 벽(322)에 제공된다. 또한, 도 5c에는 측벽(326)이 도시되어 있다. 도 5c에서 볼 수 있는 바와 같이, 차폐물들의 스택 내의 차폐물들 또는 차폐물(572)은 증발 파이프의 길이를 따라 세그먼팅된다(segmented). 이에 의해, 차폐물 부분의 길이는 200 mm 또는 그 미만, 예를 들어 120 mm 또는 그 미만, 이를 테면 60 mm 내지 100 mm 일 수 있다. 따라서, 차폐물 부분들, 예를 들어 차폐물들의 스택의 길이가, 그 열 팽창을 감소시키기 위해, 감소된다. 따라서, 차폐물 내의 개구들(이러한 개구들을 통해 노즐들이 연장할 수 있으며, 이러한 개구들은 배출구들(712)에 대응한다)의 정렬이 덜 중요하다.
[0053] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 2개 또는 그 초과의 열 차폐물들(372)은, 분배 파이프(106)의 가열된 부분 및 내측 중공형 공간(710) 둘레에 제공된다. 따라서, 분배 파이프(106)의 가열된 부분으로부터, 기판, 마스크, 또는 증착 장치의 다른 부분 쪽으로의 열 방출이 감소될 수 있다. 하나의 예에 따르면, 도 5에 도시된 바와 같이, 열 차폐물들(572)의 더 많은 층들이, 개구들 또는 배출구들이 제공되는 측에 제공될 수 있다. 열 차폐물들의 스택이 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 열 차폐물들(372 및/또는 572)은 서로로부터 떨어져서, 예를 들어 0.1 mm 내지 3 mm 만큼 이격된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 열 차폐물들의 스택은, 프로세스 동안 소스의 열 팽창을 보상하고, 그에 따라 노즐들이 결코 차단되지 않도록, 도 5a 내지 도 5c와 관련하여 설명된 바와 같이 설계된다. 또한, 가장 바깥쪽 차폐물은 냉각될 수 있는 바, 예를 들어 수냉각될 수 있다. 따라서, 몇몇 실시예들에 따르면, 특히, 개구들이 제공되는 측에 있는 외측 차폐물(404)은, 예를 들어 원뿔 형상 개구(cone shaped opening)들이 내부에 제공되는 냉각형 차폐물일 수 있다. 따라서, 그러한 배열은, 노즐이 약 400℃의 온도를 갖는다고 하더라도, 1℃의 ΔT의 편차를 갖는 온도 안정성을 가능하게 한다.
[0054] 도 6은 증발 소스(100)의 추가의 도면을 도시한다. 유기 재료를 증발시키기 위한 증발 도가니(104)가 제공된다. 증발 도가니(104)를 가열하기 위한 가열 엘리먼트(도 6에는 미도시)가 제공된다. 분배 파이프(106)는 증발 도가니와 유체 소통하며, 그에 따라, 증발 도가니에서 증발된 유기 재료는 분배 파이프(106)에 분배될 수 있다. 증발된 유기 재료는, 개구들(도 6에는 미도시)을 통해 분배 파이프(106)를 빠져나간다. 분배 파이프(106)는 측벽들(326), 배출구 측에 있는 벽 반대편의 벽(324) 및 상단 벽(325)을 갖는다. 벽들은, 벽들에 장착되거나 부착되는 가열 엘리먼트(380)에 의해 가열된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스 및/또는 하나 또는 그 초과의 벽들은, 각각, 석영 또는 티타늄으로 제조될 수 있다. 구체적으로, 증발 소스 및/또는 하나 또는 그 초과의 벽들은 티타늄으로 제조될 수 있다. 양쪽 섹션들, 즉 증발 도가니(104) 및 분배 파이프(106)는 서로로부터 독립적으로 가열될 수 있다.
[0055] 증착 영역 쪽으로의 열 방출을 더 감소시키는 차폐물(404)은 냉각 엘리먼트(680)에 의해 냉각된다. 예를 들어, 내부에 냉각 유체가 제공되는 도관들이 차폐물(404)에 장착될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 부가적으로, 셰이퍼 차폐물들(405)이 냉각 차폐물(404)에 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 셰이퍼 차폐물 또한 냉각될 수 있는 바, 예를 들어 수냉각될 수 있다. 예를 들어, 셰이퍼 차폐물은 냉각 차폐물 또는 냉각 차폐 배열체에 부착될 수 있다. 증착되는 유기 재료 막의 두께 균일성은, 하나 또는 그 초과의 배출구들 또는 노즐들 옆에 배치될 수 있는 부가적인 셰이퍼 차폐물들 및 노즐 어레이를 통해 튜닝될(tuned) 수 있다. 소스의 컴팩트한 설계는 증착 장치의 진공 챔버에서 구동 메커니즘에 의해 소스를 이동시키는 것을 가능하게 한다. 이러한 경우, 모든 제어기들, 전력 공급부들 및 부가적인 지지 기능(support function)들은, 소스에 부착되는 대기 박스(atmospheric box)에서 구현될 수 있다.
[0056] 도 7a 및 도 7b는 분배 파이프들(106)의 단면을 포함하는 추가의 평면도들을 도시한다. 도 7a는, 증발기 제어 하우징(702)에 걸쳐서 제공되는 3개의 분배 파이프들(106)을 갖는 실시예를 도시한다. 증발기 제어 하우징은 그 내에서 대기압을 유지하도록 구성되며, 그리고 스위치, 밸브, 제어기, 냉각 유닛, 냉각 제어 유닛, 가열 제어 유닛, 전력 공급부, 및 측정 디바이스로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 엘리먼트를 하우징하도록 구성된다. 따라서, 증발 소스 어레이에 대한 증발 소스를 동작시키기 위한 컴포넌트가, 대기압 하에서 증발 도가니 및 분배 파이프 가까이에 제공될 수 있으며, 그리고 증발 소스와 함께 증착 장치를 통해 이동될 수 있다.
[0057] 도 7a에 도시된 분배 파이프들(106)은 가열 엘리먼트(380)에 의해 가열된다. 분배 파이프들(106)을 둘러싸는 냉각형 차폐물(402)이 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 하나의 냉각형 차폐물이 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들(106)을 둘러쌀 수 있다. 증발 도가니에서 증발되는 유기 재료들은, 분배 파이프들(106) 중의 각각의 분배 파이프에서 분배되며, 그리고 배출구들(712)을 통해 분배 파이프를 빠져나갈 수 있다. 전형적으로, 분배 파이프(106)의 길이를 따라서 복수의 배출구들이 분배된다. 도 7b는 도 7a와 유사한 실시예를 도시하는 바, 여기에서는 2개의 분배 파이프들이 제공된다. 배출구들은 노즐들(312)에 의해 제공된다. 각각의 분배 파이프는 증발 도가니(도 7a 및 도 7b에는 미도시)와 유체 소통하며, 그리고 분배 형상은, 비-원형(non-circular)이며, 하나 또는 그 초과의 배출구들이 제공되는 배출구 측을 포함하는, 분배 파이프의 길이에 대해 수직인 단면을 가지며, 단면의 배출구 측의 폭은 단면의 최대 치수의 30% 또는 그 미만이다.
[0058] 도 8a는 본원에서 설명되는 또 다른 추가의 실시예들을 예시한다. 3개의 분배 파이프들(106)이 제공된다. 증발기 제어 하우징(702)이 분배 파이프들 근처에 제공되며, 열 절연기(thermal insulator)(879)에 의해 분배 파이프들에 연결된다. 상기 설명된 바와 같이, 내부에서 대기압을 유지하도록 구성되는 증발기 제어 하우징은, 스위치, 밸브, 제어기, 냉각 유닛, 냉각 제어 유닛, 가열 제어 유닛, 전력 공급부, 및 측정 디바이스로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 엘리먼트를 하우징하도록 구성된다. 냉각형 차폐물(402)에 부가하여, 측벽들(804)을 갖는 냉각형 차폐물(404)이 제공된다. 냉각형 차폐물(404) 및 측벽들(804)은, 증착 영역, 즉 기판 및/또는 마스크 쪽으로의 열 방출을 감소시키기 위해, U-형상의 냉각형 열 차폐물을 제공한다. 화살표들(811, 812, 및 813)들은, 각각, 분배 파이프들(106)을 빠져나가는 증발된 유기 재료를 예시한다. 분배 파이프들의 본질적으로 삼각형 형상으로 인해, 3개의 분배 파이프들로부터 비롯되는 증발 원뿔(evaporation cone)들은 서로에 대해 매우 근접하게 되며, 이에 따라, 상이한 분배 파이프들로부터의 유기 재료들의 혼합이 개선될 수 있다.
[0059] 도 8a에 추가로 도시된 바와 같이, 셰이퍼 차폐물들(405)이 제공되는 바, 이는 예를 들어, 냉각형 차폐물(404)에 부착되거나 또는 냉각형 차폐물(404)의 일부로서 제공된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 셰이퍼 차폐물들(405)은 또한, 증착 영역 쪽으로 방출되는 열 부하를 더 감소시키기 위해 냉각될 수 있다. 셰이퍼 차폐물들은 기판들 쪽으로 분배되는 유기 재료들의 분배 원뿔의 범위를 정하는(delimit) 바, 즉, 셰이퍼 차폐물들은 유기 재료들의 적어도 일부를 차단하도록 구성된다.
[0060] 도 8b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 또 다른 증발 소스의 단면도를 도시한다. 3개의 분배 파이프들이 도시되며, 각각의 분배 파이프들은 가열 엘리먼트들(도 8b에는 미도시)에 의해 가열된다. 증발 도가니들(미도시)에서 발생되는 증기는 각각 노즐들(312 및 512)을 통해 분배 파이프를 빠져나간다. 노즐들의 배출구들(712)이 서로 더 가까워지도록 하기 위해, 외측 노즐들(512)은 튜브 연장선들을 포함하며, 이러한 튜브 연장선들은 중앙 분배 파이프의 노즐 튜브들 쪽으로 연장하는 짧은 튜브(short tube)들을 포함한다. 이에 의해, 몇몇 실시예들에 따르면, 튜브 연장선들(512)은 벤드(bend), 이를 테면 60°내지 120°벤드, 예를 들어 90°벤드를 가질 수 있다. 복수의 차폐물들(572)이 증발 소스의 배출구 측벽에 제공된다. 예를 들어, 적어도 5개 또는 심지어 적어도 7개의 차폐물들(572)이 증발 튜브의 배출구 측에 제공된다. 차폐물(402)이 하나 또는 그 초과의 분배 파이프 둘레에 제공되며, 냉각 엘리먼트들(822)이 제공된다. 분배 파이프와 차폐물(402) 사이에, 복수의 차폐물들(372)이 제공된다. 예를 들어, 적어도 2개 또는 심지어 적어도 5개의 차폐물들(372)이 분배 파이프와 차폐물(402) 사이에 제공된다. 복수의 차폐물들(572) 및 복수의 차폐물들(372)은 차폐물들의 스택들로서 제공되며, 예를 들어, 차폐물들은 서로로부터 0.1 mm 내지 3 mm 만큼 떨어져있다.
[0061] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 추가의 차폐물(812)이 분배 파이프들 사이에 제공될 수 있다. 예를 들어, 추가의 차폐물(812)은 냉각형 차폐물 또는 냉각형 러그(cooled lug)일 수 있다. 이에 의해, 분배 파이프들의 온도가 서로로부터 독립적으로 제어될 수 있다. 예를 들어, 이웃하는 분배 파이프들로부터 상이한 재료들(이를 테면, 호스트 및 도펀트)이 증발되는 경우, 이러한 재료들은 상이한 온도들에서 증발될 필요가 있을 수 있다. 따라서, 추가의 차폐물(812), 예를 들어 냉각형 차폐물은, 증발 소스 또는 증발 소스 어레이 내의 분배 파이프들 간의 크로스토크(cross-talk)를 감소시킬 수 있다.
[0062] 본원에서 설명되는 실시예들은 주로, 기판이 본질적으로 수직으로 방위되는(oriented) 동안 기판 상에 유기 재료를 증착하기 위한 증발 소스들 및 증발 장치들에 관한 것이다. 본질적으로 수직인 기판 방위는 증착 장치들, 및 구체적으로는, 기판 상에 유기 재료의 몇 개의 층들을 코팅하기 위한 몇 개의 증착 장치들을 포함하는 증착 시스템들의 작은 풋프린트(footprint)를 가능하게 한다. 이에 의해, 본원에서 설명되는 장치들은, 대면적(large area) 캐리어들에서의 복수의 기판들의 프로세싱 또는 대면적 기판 프로세싱을 위해 구성되는 것으로 고려될 수 있다. 수직 방위는 추가로, 현재 및 미래의 기판 크기 세대들, 즉 현재 및 미래의 유리 크기들에 대한 우수한 확장성(scalability)을 가능하게 한다. 하지만, 냉각 엘리먼트들 및 열 차폐물들의 개념 및 개선된 단면 형상을 갖는 증발 소스들은 또한, 수평 기판들 상에서의 재료 증착을 위해 제공될 수 있다.
[0063] 도 9a 및 도 9b는 증착 장치(500)의 또 다른 추가의 실시예를 도시한다. 도 9a는 증착 장치(500)의 개략적인 평면도를 도시한다. 도 9b는 증착 장치(500)의 개략적인 측 단면도를 도시한다. 증착 장치(500)는 진공 챔버(110)를 포함한다. 밸브(205), 예를 들어 게이트 밸브는, 인접하는 진공 챔버에 대한 진공 밀봉을 가능하게 한다. 밸브는, 진공 챔버(110) 내로의 또는 진공 챔버(110) 외부로의 기판(121) 또는 마스크(132)의 운반을 위해 개방될 수 있다. 2개 또는 그 초과의 증발 소스들(100)이 진공 챔버(110)에 제공된다. 도 9a에 도시된 예는 7개의 증발 소스들을 도시한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 2개의 증발 소스들, 3개의 증발 소스들, 또는 4개의 증발 소스들이 유익하게 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따라 또한 제공될 수 있는, 더 많은 수의 증발 소스들과 비교하여, 제한된 수(예를 들어, 2개 내지 4개)의 증발 소스들의 유지보수(maintenance)의 로지스틱스(logistics)가 더 용이할 것이다. 따라서, 이러한 시스템들에 대한 소유 비용이 더 좋을 것이다.
[0064] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 그리고 예를 들어 도 9a에 도시된 바와 같이, 루프 트랙(530)이 제공될 수 있다. 루프 트랙(530)은 일직선(straight) 부분들(534) 및 곡선(curved) 부분들(533)을 포함할 수 있다. 루프 트랙(530)은 증발 소스들의 회전 및 증발 소스들의 병진 이동을 제공한다. 상기 설명된 바와 같이, 증발 소스들은 전형적으로 라인 소스들, 예를 들어 선형의 증기 분배 샤워헤드들일 수 있다.
[0065] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 루프 트랙은, 하나 또는 그 초과의 증발 소스들을 루프 트랙을 따라 이동시키기 위해, 레일(rail) 또는 레일 배열체(rail arrangement), 롤러 배열체(roller arrangement) 또는 자기 가이드(magnetic guide)를 포함한다.
[0066] 루프 트랙(530)에 기초하여, 일련의 소스들은, 전형적으로 마스크(132)에 의해 마스킹되는 기판(121)을 따라서 병진 이동에 의해 이동할 수 있다. 루프 트랙(530)의 곡선 부분(533)은 증발 소스(100)의 회전을 제공한다. 또한, 곡선 부분(533)은 제 2 기판(121)의 앞쪽에 증발 소스를 포지셔닝하는 것을 제공할 수 있다. 루프 트랙(530)의 추가의 일직선 부분(534)은 추가의 기판(121)을 따르는 추가의 병진 이동을 제공한다. 이에 의해, 상기 언급된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판들(121) 및 마스크들(132)은 증착 동안 본질적으로 정지된 채로 유지된다. 라인 소스들, 예를 들어, 본질적으로 수직인 라인 방위를 갖는 라인 소스들을 제공하는 증발 소스들은 정지된 기판들을 따라서 이동된다.
[0067] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 챔버(110) 내에 도시된 기판(121)은, 롤러들(403 및 424)을 갖는 기판 지지부 및 또한, 정지된 증착 포지션에서는, 정렬 유닛들(112)에 연결되는 기판 지지부(126)에 의해 지지될 수 있다. 정렬 유닛(112)은 마스크(132)에 대하여 기판(121)의 포지션을 조정할 수 있다. 따라서, 유기 재료의 증착 동안 마스크와 기판 간의 적절한 정렬을 제공하기 위해, 기판은 마스크(132)에 대하여 이동될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 추가의 실시예에 따르면, 대안적으로 또는 부가적으로, 마스크(132) 및/또는 마스크(132)를 유지하는 마스크 프레임(131)이 정렬 유닛(112)에 연결될 수 있다. 이에 의해, 마스크가 기판(121)에 대하여 포지셔닝될 수 있거나, 또는 마스크(132) 및 기판(121) 모두가 서로에 대하여 포지셔닝될 수 있다.
[0068] 도 9a 및 도 9b에 도시된 실시예는 진공 챔버(110) 내에 제공되는 2개의 기판들(121)을 도시한다. 하지만, 특히, 진공 챔버 내에 일련의 증발 소스들(100)을 포함하는 실시예들에 대해, 적어도 3개의 기판들 또는 적어도 4개의 기판들이 제공될 수 있다. 이에 의해, 더 많은 수의 증발 소스들 및 그에 따라, 더 높은 처리량(throughput)을 갖는 증착 장치(500)에 대해서 조차도, 기판의 교환, 즉, 진공 챔버 내로의 새로운 기판의 운반 및 프로세싱된 기판의 진공 챔버 외부로의 운반을 위한 충분한 시간이 제공될 수 있다.
[0069] 도 9a 및 도 9b는, 제 1 기판(121)을 위한 제 1 운반 트랙 및 제 2 기판(121)을 위한 제 2 운반 트랙을 도시한다. 제 1 롤러 어셈블리가 진공 챔버(110)의 일 측에 도시된다. 제 1 롤러 어셈블리는 롤러들(424)을 포함한다. 또한, 운반 시스템(transportation system)은 자기 가이딩 엘리먼트(magnetic guiding element)(524)를 포함한다. 유사하게, 롤러들 및 자기 가이딩 엘리먼트를 갖는 제 2 운반 시스템이 진공 챔버의 반대 측에 제공된다. 캐리어들(421)의 상부 부분들은 자기 가이딩 엘리먼트들(524)에 의해 가이딩된다. 유사하게, 몇몇 실시예들에 따르면, 마스크 프레임들(131)은 롤러들(403) 및 자기 가이딩 엘리먼트들(503)에 의해 지지될 수 있다.
[0070] 도 9b는 루프 트랙(530)의 각각의 일직선 부분(534) 상에 제공되는 2개의 지지부들(102)을 예시적으로 도시한다. 증발 도가니들(104) 및 분배 파이프들(106)은 각각의 지지부들(102)에 의해 지지된다. 이에 의해, 도 9b는 지지부(102)에 의해 지지되는 2개의 분배 파이프들(106)을 예시한다. 지지부들(102)은 루프 트랙의 일직선 부분들(534) 상에서 가이딩되는 것으로서 도시된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 지지부(102)를 루프 트랙을 따라서, 즉 루프 트랙의 일직선 부분들(534)을 따라서 그리고 루프 트랙의 곡선 부분(533)(도 9a 참조)을 따라서 이동시키기 위해, 액추에이터, 드라이브, 모터, 드라이브 벨트, 및/또는 드라이브 체인이 제공될 수 있다.
[0071] 본원에서 설명되는 증착 장치들의 실시예들에 따르면, 라인 소스(예를 들어, 선형의 증기 분배 샤워헤드)의 병진 이동과 라인 소스(예를 들어, 선형의 증기 분배 샤워헤드)의 회전의 결합은, 기판의 마스킹의 높은 정밀도가 요구되는 OLED 디스플레이 제조를 위한 높은 재료 활용 및 높은 증발 소스 효율을 가능하게 한다. 소스의 병진 이동은 높은 마스킹 정밀도를 가능하게 하는데, 왜냐하면 기판 및 마스크가 정지된 채로 유지될 수 있기 때문이다. 회전 이동은, 하나의 기판의 기판 교환 동안, 다른 기판이 유기 재료로 코팅되는 것을 가능하게 한다. 이는 재료 활용을 상당히 개선하는데, 왜냐하면 아이들 타임(idle time), 즉, 기판을 코팅하지 않으면서 증발 소스가 유기 재료를 증발시키는 시간이 상당히 감소되기 때문이다.
[0072] 본원에서 설명되는 실시예들은 특히, 예를 들어 OLED 디스플레이 제조를 위해 그리고 대면적 기판들 상에, 유기 재료들을 증착하는 것에 관한 것이다. 몇몇 실시예들에 따르면, 대면적(large area) 기판들, 또는 하나 또는 그 초과의 기판들을 지지하는 캐리어들, 즉 대면적 캐리어들은 적어도 0.174 ㎡의 크기를 가질 수 있다. 전형적으로, 캐리어의 크기는 약 1.4 ㎡ 내지 약 8 ㎡, 보다 전형적으로는 약 2 ㎡ 내지 약 9 ㎡, 또는 심지어 12 ㎡ 까지일 수 있다. 전형적으로, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 방법들, 장치들, 및 유지 배열체(holding arrangement)들이 제공되는, 기판들이 지지되는 직사각형 영역(rectangular area)은, 본원에서 설명되는 바와 같은 대면적 기판들을 대한 크기들을 갖는 캐리어들이다. 예를 들어, 단일의 대면적 기판의 면적에 상응하게 될 대면적 캐리어는, 약 1.4 ㎡ 기판들(1.1 m x 1.3 m)에 상응하는 GEN 5, 약 4.29 ㎡ 기판들(1.95 m x 2.2 m)에 상응하는 GEN 7.5, 약 5.7 ㎡ 기판들(2.2 m x 2.5 m)에 상응하는 GEN 8.5, 또는 심지어 약 8.7 ㎡ 기판들(2.85 m x 3.05 m)에 상응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 훨씬 더 큰 세대(generation)들 및 상응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 기판 두께는 0.1 내지 1.8 mm 일 수 있으며, 그리고 유지 배열체, 특히 유지 디바이스(holding device)들은 그러한 기판 두께들에 대해 적합하게 될 수 있다. 하지만, 특히, 기판 두께는 약 0.9 mm 또는 그 미만, 이를 테면 0.5 mm 또는 0.3 mm 일 수 있으며, 그리고 유지 배열체, 특히 유지 디바이스들은 그러한 기판 두께들에 대해 적합하게 된다. 전형적으로, 기판은 재료 증착에 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예를 들어, 기판은, 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는, 유리(예를 들어, 소다-라임 유리(soda-lime glass), 보로실리케이트 유리 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들, 또는 임의의 다른 재료, 또는 재료들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료로 제조될 수 있다.
[0073] 우수한 신뢰성 및 수율(yield rates)을 달성하기 위해, 본원에서 설명되는 실시예들은 유기 재료의 증착 동안 마스크 및 기판을 정지된 채로 유지한다. 대면적 기판의 균일한 코팅을 위한 이동가능한(movable) 선형 소스가 제공된다. 각각의 증착 이후, 마스크 및 기판의 서로에 대한 새로운 정렬 단계를 포함하여, 기판이 교환될 필요가 있는 동작과 비교하여, 아이들 타임이 감소된다. 아이들 타임 동안, 소스는 재료를 낭비한다. 따라서, 마스크에 대해 쉽게 정렬되며 증착 포지션에 있는 제 2 기판을 갖게 되면, 아이들 타임을 감소시키고 재료 활용을 증가시킨다.
[0074] 본원에서 설명되는 실시예들은, 마스크가, 5℃ 또는 그 미만의 온도 범위 내의, 또는 심지어 1℃ 또는 그 미만의 온도 범위 내의 본질적으로 일정한 온도로 유지될 수 있도록, 증착 영역, 즉, 기판 및/또는 마스크 쪽으로의 감소된 열 방출을 갖는 증발 소스들(또는 증발 소스 어레이들)을 더 제공한다. 또한 추가로, 배출구 측에서 작은 폭을 갖는 분배 파이프 또는 분배 파이프들의 형상은 마스크에 대한 열 부하를 감소시키며 그리고 상이한 유기 재료들의 혼합을 더 개선시키는데, 왜냐하면 이웃하는 분배 파이프들의 배출구들이 매우 근접하게, 예를 들어 25 mm 또는 그 미만의 거리에 제공될 수 있기 때문이다.
[0075] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 증발 소스는 적어도 하나의 증발 도가니, 및 적어도 하나의 분배 파이프, 예를 들어 적어도 하나의 선형 증기 분배 샤워헤드를 포함한다. 하지만, 증발 소스는 2개 또는 3개, 결국에는 심지어 4개 또는 5개의 증발 도가니들 및해당하는 분배 파이프들을 포함할 수 있다. 이에 의해, 상이한 유기 재료들이 몇 개의 도가니들 중 적어도 2개의 도가니들에서 증발될 수 있으며, 그에 따라, 상이한 유기 재료들은 기판 상에 하나의 유기 층을 형성한다. 부가적으로 또는 대안적으로, 유사한 유기 재료들이 몇 개의 도가니들 중 적어도 2개의 도가니들에서 증발될 수 있으며, 그에 따라, 증착 레이트가 증가될 수 있다. 이는, 유기 재료들이 종종, 비교적 작은 온도 범위(예를 들어, 20℃ 또는 심지어 그 미만)에서만 증발될 수 있고, 그에 따라, 도가니 내의 온도를 증가시킴으로써 증발 레이트가 크게 증가될 수 없을 때에, 특히 그러하다(true).
[0076] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 증발 소스들, 증착 장치들, 증발 소스들 및/또는 증착 장치들을 동작시키는 방법들, 및 증발 소스들 및/또는 증착 장치들을 제조하는 방법들은 수직 증착을 위해 구성되는 바, 즉, 기판은 층 증착 동안, 본질적으로 수직 방위(예를 들어, +- 10°수직(vertical +-10°))로 지지된다. 또한, 라인 소스, 증발 방향의 병진 이동 및 회전, 특히, 예를 들어, 라인 소스의 라인-연장선(line-extension)의 방향 및/또는 기판 방위에 대해 평행한, 본질적으로 수직인 축을 중심으로 하는 회전의 결합은, 약 80% 또는 그 초과의 높은 재료 활용을 가능하게 한다. 이는 다른 시스템들과 비교하여 적어도 30%의 개선이다.
[0077] 프로세스 챔버, 즉, 내부에서 층 증착을 하기 위한 진공 챔버 내의 이동가능하고 회전가능한(turnable) 증발 소스는, 높은 재료 활용을 갖는 연속적인 또는 거의 연속적인 코팅을 가능하게 한다. 일반적으로, 본원에서 설명되는 실시예들은, 교번하는(alternating) 2개의 기판들을 코팅하기 위해 180°회전 메커니즘(turning mechanism)에 의한 스캐닝 소스 접근법(scanning source approach)을 사용함으로써, 높은(>85%) 증발 소스 효율 및 높은(적어도 50% 또는 그 초과) 재료 활용을 가능하게 한다. 이에 의해, 소스 효율은, 코팅될 기판의 전체 영역의 균일한 코팅을 가능하게 하기 위해, 증기 빔(vapor beam)들이 대면적 기판들의 크기에 걸쳐서 연장한다는 사실로 인해 발생하는 재료 손실들을 고려한다. 재료 활용은 부가적으로, 증발 소스의 아이들 타임들, 즉 증발 소스가, 증발된 재료를 기판 상에 증착할 수 없는 시간들 동안 일어나는 손실들을 고려한다.
[0078] 또한 추가로, 본원에서 설명되며 그리고 수직 기판 방위와 관련된 실시예들은, 증착 장치들, 및 구체적으로는, 기판 상에 유기 재료의 몇 개의 층들을 코팅하기 위한 몇 개의 증착 장치들을 포함하는 증착 시스템들의 작은 풋프린트를 가능하게 한다. 이에 의해, 본원에서 설명되는 장치들은, 대면적(large area) 캐리어들에서의 복수의 기판들의 프로세싱 또는 대면적 기판 프로세싱을 위해 구성되는 것으로 고려될 수 있다. 수직 방위는 추가로, 현재 및 미래의 기판 크기 세대들, 즉 현재 및 미래의 유리 크기들에 대한 우수한 확장성을 가능하게 한다.
[0079] 도 10은 디바이스들, 특히, 유기 재료들을 내부에 포함하는 디바이스들을 제조하기 위한 시스템(1000)을 도시한다. 예를 들어, 디바이스들은 전자 디바이스들 또는 반도체 디바이스들, 이를 테면 광전자 디바이스(optoelectronic device)들, 특히 디스플레이들일 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같은 증발 소스들은 유익하게는, 도 10과 관련하여 설명되는 바와 같은 시스템에서 활용될 수 있다. 대량 생산 시스템의 개선된 캐리어 핸들링 및/또는 마스크 핸들링이 시스템(1000)에 의해 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 이러한 개선들은 유익하게는, OLED 디바이스 제조를 위해 활용될 수 있으며, 그에 따라, 도 1 내지 도 9b와 관련하여 설명된 바와 같은, 증발 소스들, 증착 장치들, 그 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들은 특히, 예를 들어, 디스플레이 제조를 위한 그리고 대면적 기판들 상에서의, 재료들의 증착에 관한 것이다. 몇몇 실시예들에 따르면, 대면적 기판들, 또는 하나 또는 그 초과의 기판들을 지지하는 캐리어들, 즉 대면적 캐리어들은 적어도 0.174 ㎡의 크기를 가질 수 있다. 전형적으로, 캐리어의 크기는 약 1.4 ㎡ 내지 약 8 ㎡, 보다 전형적으로는 약 2 ㎡ 내지 약 9 ㎡, 또는 심지어 12 ㎡ 까지일 수 있다. 전형적으로, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 방법들, 장치들, 및 유지 배열체들이 제공되는, 기판들이 지지되는 직사각형 영역은, 본원에서 설명되는 바와 같은 대면적 기판들을 대한 크기들을 갖는 캐리어들이다. 예를 들어, 단일의 대면적 기판의 면적에 상응하게 될 대면적 캐리어는, 약 1.4 ㎡ 기판들(1.1 m x 1.3 m)에 상응하는 GEN 5, 약 4.29 ㎡ 기판들(1.95 m x 2.2 m)에 상응하는 GEN 7.5, 약 5.7 ㎡ 기판들(2.2 m x 2.5 m)에 상응하는 GEN 8.5, 또는 심지어 약 8.7 ㎡ 기판들(2.85 m x 3.05 m)에 상응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 훨씬 더 큰 세대들 및 상응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 기판 두께는 0.1 내지 1.8 mm 일 수 있으며, 그리고 유지 배열체, 특히 유지 디바이스들은 그러한 기판 두께들에 대해 적합하게 될 수 있다. 하지만, 특히, 기판 두께는 약 0.9 mm 또는 그 미만, 이를 테면 0.5 mm 또는 0.3 mm 일 수 있으며, 그리고 유지 배열체, 특히 유지 디바이스는 그러한 기판 두께들에 대해 적합하게 된다. 전형적으로, 기판은 재료 증착에 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예를 들어, 기판은, 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는, 유리(예를 들어, 소다-라임 유리, 보로실리케이트 유리 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들, 또는 임의의 다른 재료, 또는 재료들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료로 제조될 수 있다.
[0080] 몇몇 실시예들에 따르면, 예를 들어 OLED 대량 생산을 위한, 코터(coater) 또는 증착 시스템 개념들은 수직 클러스터 접근법을 제공하며, 그에 따라, 예를 들어, 모든 챔버에 대한 "랜덤(random)" 액세스가 제공될 수 있다. 따라서, 이러한 개념들은, 요구되는 희망 개수의 모듈들을 부가할 때에 유연성을 제공함으로써, CF(color filter) 증착시 화이트(White) 및 RGB 모두에 대해 효율적이다. 이러한 유연성은 또한, 리던던시를 생성하는 데에 사용될 수 있다. 일반적으로, OLED 디스플레이 제조를 위해, 2개의 개념들이 제공될 수 있다. 한편, 적색 광, 녹색 광 및 청색 광의 방출을 갖는 RGB(red-green-blue) 디스플레이들이 제조된다. 다른 한편, CF 디스플레이들 상의 화이트(White)가 제조되며, 백색 광이 방출되고, 컬러 필터에 의해 컬러들이 발생된다. 비록 CF 디스플레이들 상의 화이트(White)가 그러한 디바이스를 제조하기 위해 감소된 개수의 챔버들을 요구하기는 하지만, 양 개념들은 실행중에 있으며 이들의 장단점을 갖는다.
[0081] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, OLED 디바이스 제조는 전형적으로, 증착을 위해 기판들을 마스킹하는 것을 포함한다. 또한, 대면적 기판들은 전형적으로, 그 프로세싱 동안 캐리어에 의해 지지된다. 마스크 핸들링과 캐리어 핸들링 모두는, 온도 안정성, 마스크 및 캐리어의 청결(cleanliness) 등과 관련하여, 특히 OLED 디바이스들에 대해 중요할 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들은, 진공 조건(vacuum condition)들 하에서의 또는 정의된 가스 분위기(gas atmosphere), 예를 들어 보호 가스 하에서의 캐리어 복귀(return) 경로, 및 캐리어들 및 마스크들에 대한 개선된 세정 옵션들을 제공한다.
[0082] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 예를 들어 선택적인 플라즈마 세정에 의해, 인시츄(in-situ)로 마스크 세정이 제공될 수 있거나, 또는 제조 시스템의 이송 챔버들 또는 프로세싱 챔버들을 배기(vent)시키지 않으면서 외부 마스크 세정을 가능하게 하기 위해 마스크 교환 인터페이스를 제공함으로써, 마스크 세정이 제공될 수 있다.
[0083] 도 10에 도시된 제조 시스템(1000)은 로드 락 챔버(1120)를 포함하며, 로드 락 챔버(1120)는 수평의 기판 핸들링 챔버(1100)에 연결된다. 기판은 기판 핸들링 챔버(유리 핸들링 챔버)(1100)로부터 진공 스윙 모듈(vacuum swing module)(1160)로 이송될 수 있으며, 여기에서, 기판은 캐리어 상의 수평 포지션에 로딩된다. 캐리어 상의 수평 포지션에 기판을 로딩한 후, 진공 스윙 모듈(1160)은 기판이 상부에 제공된 캐리어를 수직의 또는 본질적으로 수직의 방위로 회전시킨다. 기판이 상부에 제공된 캐리어는 이후, 수직 방위를 갖는, 제 1 이송 챔버(610) 및 적어도 하나의 추가의 이송 챔버(611-615)를 통해 이송된다. 하나 또는 그 초과의 증착 장치들(200)이 이송 챔버들에 연결될 수 있다. 또한, 다른 기판 프로세싱 챔버들 또는 다른 진공 챔버들이, 이송 챔버들 중의 하나 또는 그 초과의 이송 챔버들에 연결될 수 있다. 기판을 프로세싱한 후, 상부에 기판을 갖는 캐리어는 이송 챔버(615)로부터, 수직 방위의 추가의 진공 스윙 모듈(1161)로 이송된다. 추가의 진공 스윙 모듈(1161)은 기판을 상부에 갖는 캐리어를 수직 방위로부터 수평 방위로 회전시킨다. 이후, 기판은 추가의 수평의 유리 핸들링 챔버(1101) 내로 언로딩될 수 있다. 프로세싱된 기판은, 예를 들어, 제조된 디바이스가 박막 캡슐화 챔버(thin-film encapsulation chamber)들(1140 또는 1141) 중 하나에서 캡슐화된 후, 로드 락 챔버(1121)를 통해 프로세싱 시스템(1000)으로부터 언로딩될 수 있다.
[0084] 도 10에서, 제 1 이송 챔버(610), 제 2 이송 챔버(611), 제 3 이송 챔버(612), 제 4 이송 챔버(613), 제 5 이송 챔버(614), 및 제 6 이송 챔버(615)가 제공된다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 적어도 2개의 이송 챔버들이 제조 시스템에 포함되는 바, 전형적으로, 2개 내지 8개의 이송 챔버들이 제조 시스템에 포함될 수 있다. 몇 개의 증착 장치들, 예를 들어, 도 10에는 9개의 증착 장치들(200)이 제공되며, 이러한 증착 장치들 각각은 진공 챔버(110)를 가지며, 그리고 이러한 증착 장치들 각각은 이송 챔버들 중 하나의 이송 챔버에 예시적으로 연결된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 증착 장치들의 진공 챔버들 중 하나 또는 그 초과의 진공 챔버들은 게이트 밸브들(205)을 통해 이송 챔버들에 연결된다.
[0085] 정렬 유닛들(112)이 진공 챔버들(110)에 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 유지보수 진공 챔버들(210)이, 예를 들어 게이트 밸브(207)에 의해, 진공 챔버들(110)에 연결될 수 있다. 유지보수 진공 챔버들(210)은 제조 시스템(1000) 내의 증착 소스들의 유지보수를 가능하게 한다.
[0086] 몇몇 실시예들에 따르면, 그리고 도 10에 도시된 바와 같이, 하나 또는 그 초과의 이송 챔버들(610-615)은 인-라인(in-line) 운반 시스템 부분을 제공하기 위해 라인을 따라 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는, 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 듀얼 트랙(dual track) 운반 배열체가 제공되는 바, 여기에서, 이송 챔버들은 제 1 트랙(1111) 및 제 2 트랙(1112)을 포함하여, 캐리어들, 즉 기판들을 지지하는 캐리어들을 제 1 트랙과 제 2 트랙 중 적어도 하나를 따라 이송한다. 이송 챔버들 내의 제 1 트랙들(1111) 및 제 2 트랙들(1112)은 제조 시스템(1000) 내에 듀얼 트랙 운반 배열체를 제공한다.
[0087] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 이송 챔버들(610-615) 중 하나 또는 그 초과의 이송 챔버들은 진공 회전 모듈로서 제공된다. 제 1 트랙(1111) 및 제 2 트랙(1112)은 적어도 90°만큼, 예를 들어 90°, 180°또는 360°만큼 회전될 수 있다. 트랙들 상의 캐리어들은, 증착 장치(200)의 진공 챔버들 중 하나 또는 하기 설명되는 다른 진공 챔버들 중 하나에서의 이송될 포지션으로 회전된다. 이송 챔버들은, 수직으로 방위된 캐리어들 및/또는 기판들을 회전시키도록 구성되며, 여기에서는, 예를 들어, 이송 챔버들 내의 트랙들은 수직 회전 축을 중심으로 회전된다. 이는 도 10에서 화살표들에 의해 표시된다.
[0088] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 이송 챔버들은, 10 mbar 미만의 압력 하에서의 회전 기판을 위한 진공 회전 모듈들이다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 2개 또는 그 초과의 이송 챔버들(610-615) 내에 추가의 트랙이 제공되며, 여기에서는, 캐리어 복귀 트랙이 제공된다. 전형적인 실시예들에 따르면, 캐리어 복귀 트랙(1125)이 제 1 트랙(1111)과 제 2 트랙(1112) 사이에 제공될 수 있다. 캐리어 복귀 트랙(1125)은, 진공 조건들 하에서 추가의 진공 스윙 모듈(1161)로부터 진공 스윙 모듈(1160)로 빈(empty) 캐리어들을 복귀시키는 것을 가능하게 한다. 진공 조건들 하에서 그리고 선택적으로는, 제어된 비활성 분위기(예를 들어, Ar, N2, 또는 이들의 조합들) 하에서 캐리어들을 복귀시키게 되면, 주변 공기에 대한 캐리어들의 노출을 감소시킨다. 수분에 대한 접촉이 감소되거나 회피될 수 있다. 따라서, 제조 시스템(1000)에서 디바이스들을 제조하는 동안 캐리어들의 아웃개싱(outgassing)이 감소될 수 있다. 이는 제조되는 디바이스들의 품질을 개선할 수 있으며 그리고/또는 캐리어들은, 연장된 시간 동안, 세정되지 않으면서 동작 상태에 있을 수 있다.
[0089] 도 10은 제 1 선처리 챔버(pretreatment chamber)(1130) 및 제 2 선처리 챔버(1131)를 더 도시한다. 로봇(미도시) 또는 다른 핸들링 시스템이 기판 핸들링 챔버(1100)에 제공될 수 있다. 로봇 또는 다른 핸들링 시스템은 기판 핸들링 챔버(1100)에서 로드 락 챔버(1120)로부터 기판을 로딩하고, 선처리 챔버들(1130, 1131) 중 하나 또는 그 초과의 선처리 챔버에 기판을 이송할 수 있다. 예를 들어, 선처리 챔버들은, 기판의 플라즈마 선처리, 기판의 세정, 기판의 UV 및/또는 오존 처리, 기판의 이온 소스 처리, 기판의 RF 또는 마이크로파 플라즈마 처리, 및 이들의 조합들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 선처리 툴을 포함할 수 있다. 기판들의 선처리 이후, 로봇 또는 다른 핸들링 시스템은 기판을 선처리 챔버로부터 기판 핸들링 챔버를 통해 진공 스윙 모듈(1160)로 이송한다. 대기 조건들 하에서 기판 핸들링 챔버(1100)에서의 기판의 핸들링을 위해 그리고/또는 기판의 로딩을 위해 로드 락 챔버(1120)를 배기시키는 것을 가능하게 하기 위해, 게이트 밸브(205)가 기판 핸들링 챔버(1100)와 진공 스윙 모듈(1160) 사이에 제공된다. 따라서, 기판 핸들링 챔버(1100), 및 요구되는 경우, 로드 락 챔버(1120), 제 1 선처리 챔버(1130) 및 제 2 선처리 챔버(1131) 중 하나 또는 그 초과가, 게이트 밸브(205)가 개방되고 기판이 진공 스윙 모듈(1160) 내로 이송되기 전에, 진공배기될(evacuated) 수 있다. 따라서, 기판이 진공 스윙 모듈(1160) 내로 로딩되기 전에, 기판들의 로딩, 처리 및 프로세싱이 대기 조건들 하에서 행해질 수 있다.
[0090] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판이 진공 스윙 모듈(1160) 내로 로딩되기 전에 행해질 수 있는, 기판들의 로딩, 처리 및 프로세싱은, 기판이 수평으로 방위되거나 또는 본질적으로 수평으로 방위되는 동안 행해진다. 도 10에 도시된 바와 같은 그리고 본원에서 설명되는 또 다른 추가의 실시예들에 따른 제조 시스템(1000)은, 수평 방위에서의 기판 핸들링, 수직 방위에서의 기판의 회전, 수직 방위에서의 기판 상으로의 재료 증착, 재료 증착 이후 수평 방위에서의 기판의 회전, 및 수평 방위에서의 기판의 언로딩을 결합한다.
[0091] 도 10에 도시된 제조 시스템(1000) 뿐만 아니라, 본원에서 설명되는 다른 제조 시스템들은, 적어도 하나의 박막 캡슐화 챔버를 포함한다. 도 10은 제 1 박막 캡슐화 챔버(1140) 및 제 2 박막 캡슐화 챔버(1141)를 도시한다. 하나 또는 그 초과의 박막 캡슐화 챔버들은 캡슐화 장치를 포함하며, 증착된 그리고/또는 프로세싱된 층들, 특히 OLED 재료는, 프로세싱된 기판과 추가의 기판 사이에 캡슐화되어(즉, 이들 사이에 샌드위칭되어(sandwiched)), 이러한 증착된 그리고/또는 프로세싱된 재료가 주변 공기 및/또는 대기 조건들에 노출되는 것으로부터 보호한다. 전형적으로, 박막 캡슐화는, 2개의 기판들, 예를 들어 유리 기판들 사이에 재료를 샌드위칭함으로써 제공될 수 있다. 하지만, 유리, 폴리머 또는 금속 시트들에 의한 라미네이션(lamination), 또는 커버 유리의 레이저 퓨징(laser fusing)과 같은 다른 캡슐화 방법들이, 대안적으로, 박막 캡슐화 챔버들 중 하나에 제공되는 캡슐화 장치에 의해 적용될 수 있다. 특히, OLED 재료 층들은 주변 공기 및/또는 산소 및 수분에 대한 노출을 겪을 수 있다. 따라서, 예를 들어 도 10에 도시된 바와 같은 제조 시스템(1000)은, 프로세싱된 기판을 로드 락 챔버(1121)를 통해 언로딩하기 전에, 박막들을 캡슐화할 수 있다.
[0092] 도 10에 도시된 제조 시스템(1000) 뿐만 아니라, 본원에서 설명되는 다른 제조 시스템들은, 층 검사 챔버(1150)를 더 포함할 수 있다. 층 검사 툴, 이를 테면 전자 및/또는 이온 층 검사 툴이 층 검사 챔버(1150)에 제공될 수 있다. 제조 시스템(1000)에서 제공되는 하나 또는 그 초과의 증착 단계들 또는 프로세싱 단계들 이후, 층 검사가 행해질 수 있다. 따라서, 내부에 기판을 갖는 캐리어는, 증착 또는 프로세싱 챔버로부터, 게이트 밸브(205)를 통해 층 검사 챔버(1150)가 연결된 이송 챔버(611)로 이동될 수 있다. 검사될 기판은 층 검사 챔버로 이송되고 제조 시스템 내에서 검사될 수 있는 바, 즉 제조 시스템으로부터 기판을 제거하지 않으면서 검사될 수 있다. 제조 시스템(1000)에서 행해질 수 있는, 증착 단계들 또는 프로세싱 단계들 중 하나 또는 그 초과 이후, 온라인(online) 층 검사가 제공될 수 있다.
[0093] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 제조 시스템은 캐리어 버퍼(1421)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 캐리어 버퍼는, 진공 스윙 모듈(1160)에 연결된 제 1 이송 챔버(610), 및/또는 마지막 이송 챔버, 즉 제 6 이송 챔버(615)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 캐리어 버퍼는, 진공 스윙 모듈들 중 하나에 연결되는, 이송 챔버들 중 하나에 연결될 수 있다. 기판들은 진공 스윙 모듈들에서 로딩 및 언로딩되기 때문에, 캐리어 버퍼(1421)가 진공 스윙 모듈 가까이에 제공되는 경우가 유익하다. 캐리어 버퍼는, 하나 또는 그 초과, 예를 들어 5개 내지 30개의 캐리어들에 대한 저장소(storage)를 제공하도록 구성된다. 버퍼 내의 캐리어들은, 제조 시스템의 동작 동안, 다른 캐리어가, 예를 들어 유지보수, 이를 테면 세정을 위해 교체될 필요가 있는 경우에, 이용될 수 있다.
[0094] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 제조 시스템은 마스크 쉘프(mask shelf)(1132), 즉 마스크 버퍼를 더 포함할 수 있다. 마스크 쉘프(1132)는, 특정의 증착 단계들에 대해 저장될 필요가 있는 마스크들 및/또는 교체 마스크들에 대한 저장소를 제공하도록 구성된다. 제조 시스템(1000)을 동작시키는 방법들에 따르면, 마스크는, 마스크 쉘프(1132)로부터, 제 1 트랙(1111) 및 제 2 트랙(1112)을 갖는 듀얼 트랙 운반 배열체를 통해 증착 장치(200)로 이송될 수 있다. 따라서, 증착 장치 내의 마스크는, 증착 장치를 배기시키지 않고, 이송 챔버를 배기시키지 않고, 그리고/또는 마스크를 대기압에 노출시키지 않으면서, 유지보수, 이를 테면 세정을 위해, 또는 증착 패턴의 변화(variation)를 위해 교환될 수 있다.
[0095] 도 10은 마스크 세정 챔버(1133)를 더 도시한다. 마스크 세정 챔버(1133)는 게이트 밸브(1205)를 통해 마스크 쉘프(1132)에 연결된다. 따라서, 마스크의 세정을 위한 마스크 세정 챔버(1133)와 마스크 쉘프(1132) 사이에 진공 기밀 밀봉(vacuum tight sealing)이 제공될 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 마스크는 세정 툴, 이를 테면 플라즈마 세정 툴에 의해 제조 시스템(1000) 내에서 세정될 수 있다. 플라즈마 세정 툴이 마스크 세정 챔버(1133)에 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 추가의 게이트 밸브(1206)가 마스크 세정 챔버(1133)에 제공될 수 있다. 따라서, 마스크 세정 챔버(1133)가 배기될 필요가 있는 동안에만, 마스크가 제조 시스템(1000)으로부터 언로딩될 수 있다. 제조 시스템으로부터 마스크를 언로딩함으로써, 제조 시스템이 계속해서 완전히 동작하면서, 외부 마스크 세정이 제공될 수 있다. 도 10은 마스크 쉘프(1132) 근처의 마스크 세정 챔버(1133)를 예시한다. 대응하는 또는 유사한 세정 챔버(미도시)가 또한, 캐리어 버퍼(1421) 근처에 제공될 수 있다. 캐리어 버퍼(1421) 근처에 세정 챔버를 제공함으로써, 캐리어는 제조 시스템(1000) 내에서 세정될 수 있거나, 또는 세정 챔버에 연결된 게이트 밸브를 통해 제조 시스템으로부터 언로딩될 수 있다.
[0096] OLED 디스플레이와 같은 디바이스가, 다음과 같이, 도 10에 도시된 바와 같은 제조 시스템(1000)에서 제조될 수 있다. 이는 단지 예시적인 제조 방법이며, 많은 다른 디바이스들이 다른 제조 방법들에 의해 제조될 수 있다. 기판이 로드 락 챔버(1120)를 통해 기판 핸들링 챔버(1100) 내로 로딩될 수 있다. 기판이 진공 스윙 모듈(1160)에 로딩되기 전에, 선처리 챔버(1130 및/또는 1131) 내에서 기판 선처리가 제공될 수 있다. 기판은 진공 스윙 모듈(1160)에서 캐리어 상에 로딩되며, 수평 방위로부터 수직 방위로 회전된다. 이후, 기판은 이송 챔버들(610 내지 615)을 통해 이송된다. 기판을 갖는 캐리어가, 도 10에서 이송 챔버(615)의 하부측에 제공되는 증착 장치로 이동될 수 있도록, 이송 챔버(615)에 제공되는 진공 회전 모듈이 회전된다. 이송 챔버들 중 하나에서의 진공 회전 모듈들 중 하나의 진공 회전 모듈의 추가의 회전 단계들 및 이송 챔버들 중 하나 또는 그 초과의 이송 챔버를 통한 이송 단계들은, 하기에서, 본 패러그래프에 따른 디스플레이 제조의 설명에 있어서 참조(reference)의 용이를 위해 생략된다. 증착 장치에서, 기판 상에 디바이스의 애노드를 증착하기 위해, 전극 증착이 행해진다. 캐리어는 전극 증착 챔버로부터 제거되고, 증착 장치들(200) 중 하나로 이동되며, 이러한 증착 장치들(200)은 이송 챔버(610)에 연결되며, 증착 장치들(200) 모두는 제 1 정공(hole) 주입 층을 증착하도록 구성된다. 예를 들어, 이송 챔버(610)에 연결된 2개의 증착 장치들이, 대안적으로, 상이한 기판들 상에 정공 주입 층을 증착하는 데에 활용될 수 있다. 캐리어는 이후, (도 10에서) 이송 챔버(612)에 연결된 하부 챔버로 이송되며, 그에 따라, 제 1 정공 운반 층이, 도 10에서 이송 챔버(612) 아래에 제공되는 증착 장치(200)에 의해 증착될 수 있다. 이후, 캐리어는 도 10에서 이송 챔버(613)의 하부측에 제공되는 증착 장치(200)에 운반되며, 그에 따라, 청색 방출 층이 제 1 정공 운반 층 상에 증착될 수 있다. 캐리어는 이후, 제 1 전자 운반 층을 증착하기 위해, 이송 챔버들(614)의 하부 단부에 연결된 증착 장치로 운반된다. 이후의 단계에서, 적색 방출 층이 이송 챔버들(612)의 상부 측에서의 증착 장치에서 제공될 수 있고 그리고 녹색 방출 층이 도 10에서 이송 챔버(614)의 상부 측에 제공되는 증착 장치에서 증착될 수 있기 전에, 추가의 정공 주입 층들이, 예를 들어, 도 10의 이송 챔버(611)의 하부측에 제공되는 증착 장치에서 증착될 수 있다. 또한, 전자 운반 층들이 방출 층들 사이에 그리고/또는 방출 층들 위에 제공될 수 있다. 제조의 끝에서, 도 10에서 이송 챔버(615) 아래에 제공되는 증착 장치에서 캐소드가 증착될 수 있다. 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 부가적으로, 하나 또는 그 초과의 엑시톤(exciton) 차단 층들(또는 정공 차단 층들) 또는 하나 또는 그 초과의 전자 주입 층들이 애노드와 캐소드 사이에 증착될 수 있다. 캐소드의 증착 이후, 캐리어는 추가의 진공 스윙 모듈(1161)로 이송되며, 여기에서, 기판을 갖는 캐리어는 수직 방위로부터 수평 방위로 회전된다. 이후, 기판은 추가의 기판 핸들링 챔버(1101)에서 캐리어로부터 언로딩되며, 그리고 증착된 층 스택을 캡슐화하기 위해 박막 캡슐화 챔버들(1140/1141) 중 하나로 이송된다. 이후, 제조된 디바이스는 로드 락 챔버(1121)를 통해 언로딩될 수 있다.
[0097] 상기 내용을 고려하여, 본원에서 설명되는 실시예들은 복수의 개선들, 특히, 하기 언급되는 개선들 중에서 적어도 하나 또는 그 초과를 제공할 수 있다. 수직 클러스터 접근법을 사용하는 그러한 시스템들, 즉, 클러스터 증착 시스템 부분을 갖는 시스템들에 대해, 모든 챔버들에 대한 "랜덤" 액세스가 제공될 수 있다. 모듈들, 즉 증착 장치들의 개수를 부가함에 있어서 유연성을 제공함으로써, 시스템 개념들은, CF 증착시 화이트(White) 및 RGB 모두에 대해 구현될 수 있다. 이러한 유연성은 또한, 리던던시를 생성하는 데에 사용될 수 있다. 마스크 교환 동안 또는 정기 유지보수(routine maintenance) 동안 기판 핸들링 또는 증착 챔버들을 배기시켜야 하는 필요성이 감소되거나 또는 그러한 필요성이 없음으로 인해, 높은 시스템 가동 시간(system uptime)이 제공될 수 있다. 마스크 세정이, 선택적인 플라즈마 세정에 의해 인시츄로 또는 마스크 교환 인터페이스를 제공함으로써 외부에서 제공될 수 있다. 하나의 진공 챔버에서 2개 또는 그 초과의 기판들을 교대로 또는 동시에 코팅하기 위해 180°회전 메커니즘에 의한 스캐닝 소스 접근접(소스-트레인(source-train) 구성)을 사용함으로써, 높은(>85%) 증착 소스 효율 및 높은(>50%) 재료 활용이 제공될 수 있다. 통합된 캐리어 복귀 트랙으로 인해, 캐리어는 진공에서 또는 제어된 가스 환경에서 유지된다. 증착 소스들의 유지보수 및 사전-컨디셔닝(pre-conditioning)이, 개별적인 유지보수 진공 챔버들 또는 소스 저장 챔버들에서 제공될 수 있다. 수평 유리 핸들링, 예를 들어 수평 대기 유리 핸들링이, 진공 스윙 모듈을 구현함으로써 제조 시스템의 소유자의 이미 존재하는 유리 핸들링 장비를 사용함으로써 보다 용이하게 적합하게 될 수 있다. 진공 캡슐화 시스템에 대한 인터페이스가 제공될 수 있다. 기판 검사(온-라인 층 분석), 마스크 또는 캐리어 저장을 위한 모듈들을 부가하는 데에 높은 유연성이 존재한다. 시스템들은 작은 풋프린트를 갖는다. 또한, 현재 및 미래의 유리 크기들에 대한 우수한 확장성이 제공될 수 있다.
[0098] 전술한 바가 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 발명의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (31)

  1. 기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이(evaporation source array)로서,
    상기 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증발시키도록 구성되는 2개 또는 그 초과의 증발 도가니(evaporation crucible)들;
    2개 또는 그 초과의 분배 파이프(distribution pipe)들 - 상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들은, 상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들의 길이를 따라 제공되는 배출구(outlet)들을 갖고, 상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들 중의 제 1 분배 파이프는 상기 2개 또는 그 초과의 증발 도가니들 중의 제 1 증발 도가니와 유체 소통(fluid communication)하고, 상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들의 배향(orientation)은 증발 동안 가역적임(reversible) - ;
    상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들을 위한 하나 또는 그 초과의 지지부들 - 지지부는 제 1 드라이브(drive)에 연결가능하거나 또는 상기 제 1 드라이브를 포함하며, 상기 제 1 드라이브는 상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들 및 상기 하나 또는 그 초과의 지지부들의 병진 이동(translational movement)을 위해 구성됨 - ;
    상기 제 1 분배 파이프를 둘러싸는 2개 또는 그 초과의 열 차폐물(heat shield)들;
    상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들의 적어도 하나의 측(side)에 제공되는 냉각 차폐 배열체(cooling shield arrangement) - 상기 적어도 하나의 측은, 상기 배출구들이 제공되는 측임 - ; 및
    상기 냉각 차폐 배열체의 활성 냉각(active cooling)을 위해 상기 냉각 차폐 배열체에 또는 상기 냉각 차폐 배열체 내에 제공되는 냉각 엘리먼트를 포함하는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각 차폐 배열체는:
    상기 냉각 차폐 배열체로부터 증기 분배의 방향으로 연장하고, 상기 2개 또는 그 초과의 유기 재료들의 일부를 차단(block)하도록 구성되는 셰이퍼 차폐 배열체(shaper shield arrangement)를 포함하는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 셰이퍼 차폐 배열체는 증착 영역 쪽으로 방출되는 열 부하를 더 감소시키기 위해 냉각 차폐체(cooling shield)에 부착되는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각 차폐 배열체는 상기 적어도 하나의 측에 그리고 상기 증발 소스 어레이의 적어도 2개의 추가의 측들에 제공되는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 냉각 차폐 배열체는 U-형상인,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  6. 제 1 항에 있어서,
    복수의 차폐물들이 배출구 측에 제공되는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들 사이에 제공되는 차폐물을 더 포함하는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들 사이에 제공되는 상기 차폐물은, 상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들 간의 열적 크로스토크(thermal cross-talk)를 감소시키도록 구성되는 냉각형 차폐물(cooled shield)인,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 2개 또는 그 초과의 열 차폐물 중 적어도 하나는, 냉각 유체에 의해 능동적으로(actively) 냉각되는 차폐 층(shielding layer)을 포함하는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  10. 제 1 항에 있어서,
    냉각형 차폐물이 상기 제 1 분배 파이프를 둘러싸는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  11. 제 1 항에 있어서,
    제 1 분배 파이프는, 상기 제 1 분배 파이프의 길이에 대해 수직인 비-원형(non-circular) 단면을 가지며,
    상기 배출구들이 제공되는 배출구 측을 포함하고, 상기 단면의 상기 배출구 측의 폭은, 상기 단면의 최대 치수의 30% 또는 그 미만인,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 분배 파이프의 길이에 대해 수직인 단면이, 형상에 있어서 삼각형의 일부에 해당하는 메인 섹션(main section)을 갖는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 분배 파이프의 길이에 대해 수직인 단면이, 둥근(rounded) 코너들 및 컷오프된(cut-off) 코너들 중 적어도 하나를 갖는 삼각형인,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 배출구들이 제공되며, 그리고 상기 기판의 증착 영역에 대해 +- 15°내에서 평행한(parallel within +- 15°) 상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들의 표면들에 의해 정의되는, 상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들의 표면 영역(surface area)은,
    상기 증착 영역 상으로의 상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들의 투사 영역(projection)의 표면 영역의 30% 또는 그 미만인,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 증발 도가니를 가열하도록 구성되는 제 1 가열 디바이스; 및
    상기 제 1 분배 파이프를 가열하도록 구성되는 제 2 가열 디바이스를
    더 포함하는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 가열 디바이스는 상기 제 1 가열 디바이스와 독립적으로 가열되도록 구성되는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 2개 또는 그 초과의 열 차폐물들은, 상기 2개 또는 그 초과의 열 차폐물들 중 적어도 하나의 열 차폐물에 또는 상기 적어도 하나의 열 차폐물 상에 제공된 스폿(spot)들 또는 돌출부(protrusion)들에 의해 서로로부터 떨어져 이격되는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  18. 제 1 항에 있어서,
    2개의 열 차폐물들 사이의 거리는 0.1 mm 내지 3 mm인,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  19. 제 1 항에 있어서,
    하나 또는 그 초과의 배출구들은, 증착 영역을 향하는 증발 방향으로 오픈되는(opening) 노즐들인,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 증발 방향은 수평인,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  21. 제 1 항에 있어서,
    하나 또는 그 초과의 배출구들은, 상기 2개 또는 그 초과의 열 차폐물들을 통해 증발 방향을 따라 연장하는 노즐들인,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  22. 제 1 항에 있어서,
    내부에서 기압(atmospheric pressure)을 유지하도록 구성되는 증발기 제어 하우징(evaporator control housing)을 더 포함하고,
    상기 하우징은 지지부에 의해 지지되며, 그리고 스위치, 밸브, 제어기, 냉각 유닛, 냉각 제어 유닛, 가열 제어 유닛, 전력 공급부 및 측정 디바이스로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 엘리먼트를 하우징하도록 구성되는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  23. 제 1 항에 있어서,
    상기 분배 파이프는 티타늄 또는 석영을 포함하는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  24. 제 1 항에 있어서,
    상기 분배 파이프는, 하나 또는 그 초과의 배출구들을 포함하는 증기 분배 샤워헤드인,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 증기 분배 샤워헤드는 선형 증기 분배 샤워헤드인,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  26. 삭제
  27. 제 1 항에 있어서,
    상기 증발 소스 어레이는 3개의 증발 도가니들 및 상응하는 분배 파이프들을 포함하는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  28. 제 1 항에 있어서,
    상기 증발 소스 어레이는 수직 증착(vertical evaporation)을 위해 구성되고, 기판이 증착 동안 본질적으로 수직의 배향(essentially vertical orientation)의 상태에 있는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  29. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각 차폐 배열체는, 상기 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들의 각각의 적어도 하나의 측을 따라서 제공되는,
    기판 상에 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스 어레이.
  30. 진공 챔버 내에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치에 있어서,
    제 1 항 내지 제 25 항, 및 제 27 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 따른 증발 소스 - 상기 증발 소스는, 진공 챔버 내에서, 상기 증발 소스의 병진 이동을 위해 구성되는 트랙 상에 제공됨 - 를 포함하는,
    진공 챔버 내에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 진공 챔버 근처에 제공되는 유지보수 진공 챔버(maintenance vacuum chamber) - 상기 진공 챔버와 상기 유지보수 진공 챔버는 밸브에 의해 연결됨 - 를 더 포함하는,
    진공 챔버 내에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101990619B1 (ko) * 2014-11-07 2019-06-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 증발된 재료를 증착하기 위한 장치, 분배 파이프, 진공 증착 챔버, 및 증발된 재료를 증착하기 위한 방법
WO2017121491A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Applied Materials, Inc. Evaporation source, apparatus and method for depositing organic material
WO2017194097A1 (en) * 2016-05-10 2017-11-16 Applied Materials, Inc. Evaporation source for depositing an evaporated material, and method for depositing an evaporated material
CN106595759B (zh) * 2016-12-07 2019-02-01 上海宇航系统工程研究所 一种低温推进剂贮存技术地面试验系统
WO2018108241A1 (en) * 2016-12-12 2018-06-21 Applied Materials, Inc. Apparatus for deposition of a material on a substrate, system for depositing one or more layers on a substrate, and method for monitoring a vacuum deposition system
CN106637091B (zh) * 2017-02-24 2019-08-30 旭科新能源股份有限公司 用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉
WO2018153480A1 (en) * 2017-02-24 2018-08-30 Applied Materials, Inc. Positioning arrangement for a substrate carrier and a mask carrier, transportation system for a substrate carrier and a mask carrier, and methods therefor
JP6549314B2 (ja) * 2017-03-17 2019-07-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 堆積システム、堆積装置、及び堆積システムを操作する方法
JP2019518862A (ja) * 2017-04-28 2019-07-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 複数の材料を基板上に堆積するための真空システムおよび方法
WO2019063061A1 (en) * 2017-09-26 2019-04-04 Applied Materials, Inc. MATERIAL DEPOSITION ARRANGEMENT, VACUUM DEPOSITION SYSTEM, AND ASSOCIATED METHODS
US20210147975A1 (en) * 2018-04-18 2021-05-20 Applied Materials, Inc. Evaporation source for deposition of evaporated material on a substrate, deposition apparatus, method for measuring a vapor pressure of evaporated material, and method for determining an evaporation rate of an evaporated material
WO2019238245A1 (en) * 2018-06-15 2019-12-19 Applied Materials, Inc. Cooling system for cooling a deposition area, arrangement for material deposition in deposition area, and method of deposition on a substrate in a deposition area
CN112534564A (zh) * 2018-08-07 2021-03-19 应用材料公司 材料沉积设备、真空沉积系统及用以处理大面积基板的方法
US10566168B1 (en) * 2018-08-10 2020-02-18 John Bennett Low voltage electron transparent pellicle
CN108842134B (zh) * 2018-08-29 2024-01-16 郑州华晶新能源科技有限公司 一种油屏蔽挥发装置
KR20200040537A (ko) * 2018-10-10 2020-04-20 엘지디스플레이 주식회사 측향식 진공증착용 소스, 소스 어셈블리 및 이를 이용한 측향식 진공증착 장치
EP3899085A1 (en) * 2018-12-21 2021-10-27 Applied Materials, Inc. Vapor deposition apparatus and method for coating a substrate in a vacuum chamber

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010041376A1 (de) * 2009-09-25 2011-04-07 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verdampfereinrichtung für eine Beschichtungsanlage und Verfahren zur Koverdampfung von mindestens zwei Substanzen

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100477546B1 (ko) * 2002-07-24 2005-03-18 주식회사 소로나 유기물질 증착방법 및 이를 적용한 장치
JP2005002450A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Pioneer Electronic Corp 蒸着方法、蒸着ヘッド、及び有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造装置
EP1505167B1 (en) * 2003-08-04 2014-09-17 LG Display Co., Ltd. Evaporation source
JP4557170B2 (ja) * 2004-11-26 2010-10-06 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸発源
DE502005001749D1 (de) * 2005-07-28 2007-11-29 Applied Materials Gmbh & Co Kg Bedampfervorrichtung
EP1752555A1 (de) * 2005-07-28 2007-02-14 Applied Materials GmbH & Co. KG Verdampfervorrichtung
JP5183310B2 (ja) * 2008-06-12 2013-04-17 日立造船株式会社 蒸着装置
KR20090130559A (ko) * 2008-06-16 2009-12-24 삼성모바일디스플레이주식회사 이송 장치 및 이를 구비하는 유기물 증착 장치
EP2204467B1 (en) * 2008-12-23 2014-05-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing mixed layers
KR101708420B1 (ko) * 2010-09-15 2017-02-21 삼성디스플레이 주식회사 기판 증착 시스템 및 이를 이용한 증착 방법
EP2508645B1 (en) * 2011-04-06 2015-02-25 Applied Materials, Inc. Evaporation system with measurement unit
KR101288307B1 (ko) * 2011-05-31 2013-07-22 주성엔지니어링(주) 증발 증착 장치 및 증발 증착 방법
JP2013211137A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Samsung Display Co Ltd 真空蒸着方法及びその装置
US9899635B2 (en) * 2014-02-04 2018-02-20 Applied Materials, Inc. System for depositing one or more layers on a substrate supported by a carrier and method using the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010041376A1 (de) * 2009-09-25 2011-04-07 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verdampfereinrichtung für eine Beschichtungsanlage und Verfahren zur Koverdampfung von mindestens zwei Substanzen

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