KR20040098572A - 플랫 패널 디스플레이 제조장치 - Google Patents

Abstract

기판에 직접 접촉시키는 메탈 마스크를 사용하지 않고, 반송실을 통해 각 처리실에서의 처리와 함께, 레이저가공실에서 일련하여 레이저가공을 하여, 마스크 없이 원하는 패턴을 성막할 수 있기 때문에, 종래의 마스크사용에 의한 고비용 등의 여러가지 문제를 해결할 수 있는 획기적인 플랫 패널 디스플레이 제조장치를 제공한다.

반입실, 플라즈마세정실, 유기성막실, 스퍼터실, CVD실, 금속전극증착실, 캔밀봉실, 박막밀봉실 등의 1개 혹은 복수종류의 처리실과, 이 각 처리실에 기판을 반송하는 반송실로 이루어지는 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 있어서, 증착실, 스퍼터실, CVD실, 캔밀봉실, 박막밀봉실중의 적어도 어느 하나 이상의 처리실과, 기판에 직접 접촉시키는 메탈 쉐도우 마스크를 사용하지 않고 레이저가공에 의해서 원하는 패턴으로 형성하거나 혹은 불필요부분을 제거하는 공정을 행하는 1개 혹은 복수의 레이저가공실을 상기 반송실을 통해 일련하여 기판을 처리가공할 수 있도록 설치하여, 상기 처리실과 레이저가공실을 일체화한 구성으로 한 것이다.

Description

플랫 패널 디스플레이 제조장치{APPARATUS FOR PRODUCTION OF FLAT PANEL DISPLAY}

본 발명은, 예컨대 유기 전기발광(EL)소자(이하, OLELD라고 한다)를 사용한 플랫 패널 디스플레이장치(OLED 표시장치)나 TFT 디스플레이 액티브 기판을 사용한 플랫 패널 디스플레이장치(TFTLCD)를 제조하기 위해서 사용하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

예를 들면, OLED 표시장치의 제조시에는, 예를 들면 아래와 같이 기판에 직접 접촉시키는 메탈 쉐도우 마스크(이하, 메탈 마스크)를 사용한다.

즉, 유리기판상에 스퍼터법 혹은 증착법으로 애노드 전극용으로 ITO와 같은 투명도전박막을 성막한다. 다음에 포토리소 프로세스를 거쳐 애노드전극배선을 형성한다.

이어서 메탈 마스크를 사용하여, 정공주입층(CuPc), 정공수송층(α-NPD), 발광층(Alq3+ 도펀트), 전자수송층(Alq3), 전자주입층(LiF)을 성막한 후, 더욱 캐소드전극형성용 메탈 마스크를 사용하여 금속박막(AL AL/Li Mn Mn/Ag etc.)을 성막하여, 캐소드전극배선을 형성한다.

또한, 풀칼라 형성법으로서, CCM, 백색 칼라 필터법의 경우는, 메탈 마스크는 사용하지 않지만(배선패턴 이외의 유기층 성막에 있어서), 3색 독립의 형성인 경우에는 역시 메탈 마스크를 사용한다.

어느 경우나 TFT에 비교해서 자발광소자를 사용하여, 고속응답성이 좋고, 가공 프로세스가 간단하여 소자의 플렉시블화가 쉽다는 장점이 있지만, 고정밀미세한 패턴형성이 가능한 반도체기술에서 일반적으로 응용되고 있는 포토리소그래피가공기술을 이용한 경우에는, 유기 EL 소자가 산소나 수분에 매우 약하기 때문에, 수명이 줄어들거나, 다크스폿(비점등불량) 발생의 원인의 하나가 되고 있었다.

어떤 것이든지, 상술한 바와 같이 성막시에, 적어도 하나의 공정에서는, 공정중에 메탈 마스크를 사용해야만 하고, 특히 표시 픽셀수의 상승이 도모되는 가운데, 그 메탈 마스크에 대한 정밀도요구도 엄격하여, 이후 보다 고정밀미세화의 요구에는 대응이 극히 곤란하며, 가령 대응할 수 있다고 해도 가공이 복잡하고 비용이 매우 상승해 버린다.

또한, 메탈 마스크의 휘어짐, 열에 의한 팽창, 유기재료에 의한 오염, 메탈 마스크의 크리닝, 메탈 마스크의 접촉에 의한 소자 손상, 메탈 마스크정밀도향상을위한 메탈 마스크두께의 박막화, 메탈 마스크의 쉐도우 효과대책, 얼라인먼트 정밀도확보 등 메탈 마스크를 사용하기 위해서는 문제가 많으며, 유지보수성, 품질유지관리 등이 복잡하고 또한 매우 엄격해져, 생산수율의 저하 및 운전비용의 대폭 상승을 피할 수 없다.

또한, 특히 유기 EL 소자상의 캐소드금속배선패턴의 형성수법으로서는, 현재는 메탈 마스크법이 일반적인 수법이다. 메탈 마스크의 재료로서는, 실리콘, 세라믹, 유리의 열팽창계수에 가까운 일본야금(日本冶金) 제조의 NAS42(42% Ni-Fe합금)이나 저팽창계수의 NAS36(36% Ni-Fe합금)이나 SUS430 등이 있으며, 각 디바이스 제조자의 생각에 따라 어느 하나 재질의 것을 선정하고 있다. 그러나, 기판의 대형화에 따른 막두께 균일성 확보대책에 의한 증착속도의 저하, 그 대책으로서 증착속도의 향상을 목적으로 한 증착원 온도상승에 기인하여 발생한 열에 의한 메탈 마스크온도상승, 배선패턴의 미세화를 위한 메탈 마스크의 박막화에 의한 구부러짐의 발생, 메탈 마스크에 부착한 증착재료에 기인한 파티클의 발생, 이들 문제점을 고려한 뒤의 얼라인먼트 정밀도향상이 큰 과제로 되고 있다.

또한, TFT 디스플레이 액티브 기판을 형성하는 공정에서, 현재화소 ITO 배선패턴은 스퍼터장치로 ITO 막을 피막한 후, 포토레지스트도포, 노광, 현상, 에칭, 레지스트막 박리 프로세스용 각각의 장치를 이용하여 형성하고 있다.

따라서, 프로세스 공정기간이 길고 또한 고가의 가공장치가 필요하였다.

본 발명은 이러한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 예를 들면 OLED 표시장치의 제조에 있어서, 기판에 직접 접촉시키는 메탈 마스크를 사용하지 않고 레이저가공으로 제조하는 공정을 포함한 플랫 패널 디스플레이 제조장치를 제공하는 것을 과제로 하고 있다.

도 1은 본 실시예의 클러스터 방식에서의 일례를 도시한 개략구성설명도이다.

도 2는 본 실시예의 인라인 방식에서의 일례를 도시한 개략구성설명도이다.

도 3은 본 실시예의 레이저가공장치의 일례를 도시한 설명도이다.

첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 요지를 설명한다.

반입실, 플라즈마세정실, 유기성막실, 스퍼터실, CVD실, 금속전극증착실, 캔밀봉실, 박막밀봉실 등의 1개 혹은 복수종류의 처리실과, 이 각 처리실에 기판을 반송하는 반송실로 이루어지는 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 있어서, 증착실, 스퍼터실, CVD실, 캔밀봉실, 박막밀봉실중의 적어도 어느 하나 이상의 처리실과, 기판에 직접 접촉시키는 메탈 쉐도우 마스크를 사용하지 않고 레이저가공에 의해서 원하는 패턴을 형성하거나 혹은 불필요부분을 제거하는 공정을 행하는 1개 혹은 복수의 레이저가공실을 상기 반송실을 통해 일련하여 기판을 처리가공할 수 있도록 설치하여, 상기 처리실과 레이저가공실을 일체화한 구성으로 한 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 반송실의 주위 혹은 상기 반송실의 반송방향에 따른 위치에 상기 처리실과 상기 레이저가공실을 배치한 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 처리실로서 설치하는 플라즈마세정실, 유기성막실, 스퍼터실, CVD실, 금속전극증착실, 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실 및 상기 레이저가공실내의 분위기는 진공분위기 혹은 Ar 등의 불활성가스 혹은 질소가스 등에 의한 비산화성분위기로, 또한 노점이 -50℃ 이하의 건조분위기로 한 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 처리실로서 설치하는 플라즈마세정실, 유기성막실, 스퍼터실, CVD실, 금속전극증착실, 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실 및 상기 레이저가공실내의 분위기는 진공분위기 혹은 Ar 등의 불활성가스 혹은 질소가스 등에 의한 비산화성분위기로, 또한 노점이 -50℃ 이하의 건조분위기로 한 것을 특징으로 하는 청구항 2에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 처리실로서 설치하는 유기성막실은 저분자유기재료를 저항가열, 전자빔가열, 고주파유도가열 등의 증착원 가열수단 및 고분자유기재료를 잉크젯법, 스핀도포법, 스크린인쇄를 포함한 각종 인쇄법 혹은 스프레이인쇄법을 사용하여 성막하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 처리실로서 설치하는 유기성막실은 저분자유기재료를 저항가열, 전자빔가열, 고주파유도가열 등의 증착원 가열수단 및 고분자유기재료를 잉크젯법, 스핀도포법, 스크린인쇄를 포함한 각종 인쇄법 혹은 스프레이인쇄법을 사용하여 성막하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 청구항 2에 기재된 플랫 패널디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 처리실로서 설치하는 스퍼터실은, 유기재료 혹은 절연재료를 컨벤셔널, 마그네트론, 이온 빔, ECR 등의 스퍼터링법을 사용하여, 성막하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 처리실로서 설치하는 스퍼터실은, 유기재료 혹은 절연재료를 컨벤셔널, 마그네트론, 이온 빔, ECR 등의 스퍼터링법을 사용하여, 성막하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 청구항 2에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 처리실로서 설치하는 CVD 실은, 금속재료 및 절연재료를 감압, 상압, 플라즈마법을 사용하여 성막하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 처리실로서 설치하는 CVD 실은, 금속재료 및 절연재료를 감압, 상압, 플라즈마법을 사용하여 성막하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 청구항 2에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 처리실로서 설치하는 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실은, 대기분위기와 차단함으로써, 대기분위기내의 물 및 산소가 직접 유기 EL 소자표면과 접촉하는 것을 방지하는 기능을 가진 캔 혹은 막을 부가하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 처리실로서 설치하는 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실은, 대기분위기와 차단함으로써, 대기분위기내의 물 및 산소가 직접 유기 EL 소자표면과 접촉하는 것을 방지하는 기능을 가진 캔 혹은 막을 부가하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 청구항 2에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 레이저가공실은, 투명도전막, 유기 EL막, 금속제 전극막 혹은 산화실리콘, 질화실리콘, 알루미나 등의 세라믹막을 레이저광선으로 가공하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 레이저가공실은, 투명도전막, 유기 EL막, 금속제 전극막 혹은 산화실리콘, 질화실리콘, 알루미나 등의 세라믹막을 레이저광선으로 가공하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 청구항 2에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 기판을 상기 각 처리실에 반송하는 기구를 가진 상기 반송실의 주위에 반입실, 플라즈마세정실, 유기성막실 1, 유기성막실 2, 유기성막실 3, 금속전극증착실, 상기 레이저가공실, 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실 및 배출실을 설치한 것을 특징으로 하는 청구항 1∼14중의 어느 한 항에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 기판을 상기 각 처리실에 반송하는 기구를 가진 상기 반송실의 주위에, 반입실, 플라즈마세정실, 스퍼터실(투명도전막형성실), 상기 레이저가공실 1, 유기성막실 1, 유기성막실 2, 유기성막실 3, 금속전극증착실, 상기 레이저가공실 2, 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실 및 배출실을 설치한 것을 특징으로 하는 청구항 1∼14중의 어느 한 항에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 상기 기판을 상기 각 처리실에 반송하는 기구를 가진 상기 반송실의 주위에 반입실, 플라즈마세정실, 스퍼터실(투명도전막형성실), 상기 레이저가공실 1, 유기성막실 1, 유기성막실 2, 유기성막실 3, 금속전극증착실, 상기 레이저가공실 2, 박막밀봉실, 상기 레이저가공실 3 및 배출실을 설치한 것을 특징으로 하는 청구항 1∼14중의 어느 한 항에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

또한, 기판을 각 처리실에 반송하는 기구를 가진 반송실의 주위에, 반입실, 플라즈마세정실, 스퍼터실(투명도전막형성실), 상기 레이저가공실 및 배출실을 설치한 것을 특징으로 하는 청구항 1∼14중의 어느 한 항에 기재된 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 관한 것이다.

[발명의 실시형태]

바람직하다고 생각되는 본 발명의 실시형태(발명을 어떻게 실시할 것인지)를, 도면에 기초하여 그 작용효과를 나타내어 간단히 설명한다.

반송실을 통해 처리실로 기판이 반송되어 소정의 처리가 이루어지는 동시에, 이 처리실과 일체화하여 부가된 레이저가공실로 반송된 기판에 레이저가공이 실시된다.

즉, 본 발명은, 예를 들면 그 일례를 도시한 도 3과 같은 레이저가공장치를 실내에 설치하여 레이저가공실로 하고, 이것을 각 처리실과 일체화시켜 본 장치에 조립하여 배치한 것이다.

따라서, 레이저가공실이 처리실과 함께 일체화되어 있기 때문에, 기판에 직접 접촉시키는 메탈 마스크를 사용하지 않고, 반송실을 통해 각 처리실에서의 처리와 함께, 레이저가공실에서 일련하여 레이저가공을 하여, 기판과 접촉하는 메탈 마스크를 사용하지 않고도 원하는 패턴을 성막할 수 있다.

[실시예]

본 발명의 구체적인 실시예에 대하여 도면에 기초하여 설명한다.

예를 들면 도 1에 도시한 바와 같이, 포토리소그래피법에 의해 형성된 애노드배선 ITO 전극이 형성된 유리기판을 반입실에 수납하여, 진공배기를 한다. 다음에 게이트 밸브를 열어, 상기 유리기판을, 진공배기된 플라즈마세정실로 이동시키고, 산소가스 등을 도입하여, 고주파에 의해 산소 플라즈마를 생성하여, 표면처리를 한다. 다음에 진공배기된 유기성막실 1에 상기 유리기판을 이동시켜, 정공주입층을 증착성막하고, 더욱 진공배기된 각각의 유기성막실(2∼4)에 상기 유리기판을 이동시켜, 빨강, 초록, 파랑 각각의 발광층을 성막한다.

더욱, 진공배기된 유기성막실 5에 상기 유리기판을 이동시키고, 전자수송층을 증착성막한다. 더욱 진공배기되어 성막실 6으로 전자주입층을 증착성막하여, 진공배기된 금속전극증착실에서 캐소드배선전극막을 성막한다.

다음에 진공배기 혹은 질소치환된 레이저가공실 1에 상기 유리기판을 이동시켜, 레이저에 의해 캐소드배선전극을 형성한다. 다음에 진공배기 혹은 질소치환된 박막밀봉실에 상기 유리기판을 이동시켜, 밀봉막을 성막한다.

더욱 레이저가공실 2에 상기 유리기판을 이동시켜, 레이저에 의해 단자부의 밀봉막을 제거하고, 급전단자부를 형성한다.

이상, 상기 실시예에 대한 유기성막은 저분자유기 EL재료를 상정하여, 진공증착법에 대하여 설명하였다.

기타 실시예로서 고분자유기 EL 재료의 유기성막에 있어서는, 잉크젯법을 이용하더라도 좋다.

또한, 더욱 고분자유기재료를 스핀도포법, 스프레이법을 이용하는 경우에는, 진공배기 혹은 진공치환된 건조실을 추가하거나, 유기성막을 레이저가공실에서 패턴형성하는 실시예도 생각할 수 있다.

그 밖의 실시예로서, 기판을 각 처리실에 반송하는 기구를 가진 반송실의 주위에, 반입실, 플라즈마세정실, 유기성막실, 스퍼터실, CVD실, 금속전극증착실, 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실 및 배출실을 가진 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 있어서, 유기성막실, 스퍼터실, CVD실, 금속전극증착실, 캔밀봉실, 박막밀봉실중의 적어도 어느 1대 이상의 처리실과, 1대 또는, 복수대의 레이저가공실을 일체화한 플랫 패널 디스플레이 제조장치로 하고 있다.

또한, 상기 반송실의 주위 혹은 상기 반송실의 반송방향에 따른 위치에 상기 처리실을 배치하는 동시에 상기 레이저가공실을 배치하고 있다.

또한, 상기 유기성막실, 스퍼터실, CVD실, 금속전극증착실, 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실 및 레이저가공실내의 분위기는, 진공분위기 혹은 Ar 등의 불활성가스 혹은 질소가스 등에 의한 비산화성분위기로, 또한 노점이 -50℃ 이하의 건조분위기로 하고 있다.

또한, 상기 유기성막실은 유기재료 혹은 금속재료를 저항가열, 전자 빔가열, 고주파유도가열 등의 증착원 가열수단 및 고분자 유기재료를 잉크젯법, 스핀도포법, 스크린인쇄를 포함한 각종 인쇄법 혹은 스프레이인쇄법을 사용하여 성막하는 수단을 가지며, 스퍼터실은 유기재료 혹은 절연재료를 컨벤셔널, 마그네트론, 이온빔, ECR 등의 스퍼터링법을 사용하여, 성막하는 수단을 가지며, CVD실은 금속재료 및 절연재료를 감압, 상압, 플라즈마법을 사용하여 성막하는 수단을 가지며, 금속전극증착실은 금속재료를 저항가열, 전자빔가열, 고주파유도가열 등의 증착원가열수단을 가진다.

또한, 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실은, 대기분위기와 차단함으로써, 대기분위기내의 물 및 산소가 직접 유기 EL 소자표면과 접촉하는 것을 방지하는 기능을 가진 캔 혹은 막을 부가하는 수단을 가지며, 상기 레이저가공실은, 투명도전막, 유기 EL막, 금속전극막, 산화실리콘, 질화실리콘, 알루미나 등의 세라믹막을 레이저광선으로 가공하는 수단을 가진다.

본 실시예에서는, 기판을 상기 각 처리실로 반송하는 기구를 가진 상기 반송실의 주위에 반입실, 플라즈마세정실, 유기성막실 1, 유기성막실 2, 유기성막실 3, 음극금속증착실, 레이저가공실, 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실 및 배출실을 설치한 구성으로 하고 있다.

또한, 상기 기판을 상기 각 처리실로 반송하는 기구를 가진 상기 반송실의 주위에, 반입실, 플라즈마세정실, 스퍼터실(투명도전막형성), 레이저가공실 1, 유기성막실 1, 유기성막실 2, 유기성막실 3, 금속전극증착실, 레이저가공실 2, 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실 및 배출실을 설치한 구성으로 하여도 좋다.

또한, 기판을 각 처리실로 반송하는 기구를 가진 반송실의 주위에 반입실, 플라즈마세정실, 스퍼터실(투명도전막형성), 레이저가공실 1, 유기성막실 1, 유기성막실 2, 유기성막실 3, 금속전극증착실, 레이저가공실 2, 박막밀봉실, 레이저가공실 3 및 배출실을 설치한 구성으로 하여도 좋다.

또한, 기판을 각 처리실로 반송하는 기구를 가진 반송실의 주위에, 반입실, 플라즈마세정실, 스퍼터실(투명도전막형성), 레이저가공실 및 배출실을 설치한 구성으로 하여도 좋다.

상기 반입실이 상기 배출실을 겸하는 경우는, 반입실만으로 하여도 좋다.

또한, 레이저가공실을 복수실로 하였으나, 1실만으로 겸용하더라도 좋다.

또한, 유기성막실을 3실로 하여도 좋고, 1실만으로 겸용하여도 좋고, 물론 4실 이상으로 하여도 좋다.

또한, 본 실시예에서는, 반송실의 주위에 각 처리실과 레이저가공실을 배치(통칭 클러스터 방식)하였지만, 반송실의 반송방향으로 차례로 각 처리실과 레이저가공실을 종렬(통칭 인라인 방식)한 구성으로 하여도 좋다.

본 발명은 상술한 바와 같이 구성하였기 때문에, 예를 들어, 유기 EL 디바이스를 제조하는 것을 목적으로 하는 클러스터형 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 레이저가공실을 부가함으로써, 고정밀도, 고밀도, 고성능의 유기 EL 디바이스의 제조가 가능하게 되고, 또한, TFT-LCD 제조공정에 적용하면, 투명도전막의 패턴형성공정이, 대폭 합리화되어, 스루풋이 대폭 향상하여, 원가절감을 도모할 수 있다.

즉, 마스크를 사용하지 않고, 반송실을 통해 각 처리실에서의 처리와 함께, 레이저가공실에서 일련적으로 레이저가공을 하여, 마스크 없이 원하는 패턴을 성막할 수 있기 때문에, 종래의 마스크사용에 의한 고비용 등의 여러가지 문제를 해결할 수 있는 획기적인 플랫 패널 디스플레이 제조장치를 제공할 수 있다.

Claims (18)

1. 반입실, 플라즈마세정실, 유기성막실, 스퍼터실, CVD실, 금속전극증착실, 캔밀봉실, 박막밀봉실 등의 1개 혹은 복수종류의 처리실과, 이 각 처리실에 기판을 반송하는 반송실로 이루어지는 플랫 패널 디스플레이 제조장치에 있어서, 증착실, 스퍼터실, CVD실, 캔밀봉실, 박막밀봉실중의 적어도 어느 하나 이상의 처리실과, 기판에 직접 접촉시키는 메탈 쉐도우 마스크를 사용하지 않고 레이저가공에 의해서 원하는 패턴을 형성하거나 혹은 불필요부분을 제거하는 공정을 행하는 1개 혹은 복수의 레이저가공실을 상기 반송실을 통해 일련적으로 기판을 처리가공할 수 있도록 설치하여, 상기 처리실과 레이저가공실을 일체화한 구성으로 한 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 반송실의 주위 혹은 상기 반송실의 반송방향을 따르는 위치에 상기 처리실과 상기 레이저가공실을 배치한 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 처리실로서 설치하는 플라즈마세정실, 유기성막실, 스퍼터실, CVD실, 금속전극증착실, 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실 및 상기 레이저가공실내의 분위기는 진공분위기 혹은 Ar 등의 불활성가스 혹은 질소가스 등에 의한 비산화성분위기로, 또한 노점이 -50℃ 이하의 건조분위기로 한 것을 특징으로 하는플랫 패널 디스플레이 제조장치.
4. 제 2 항에 있어서, 상기 처리실로서 설치하는 플라즈마세정실, 유기성막실, 스퍼터실, CVD실, 금속전극증착실, 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실 및 상기 레이저가공실내의 분위기는 진공분위기 혹은 Ar 등의 불활성가스 혹은 질소가스 등에 의한 비산화성분위기로, 또한 노점이 -50℃ 이하의 건조분위기로 한 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 처리실로서 설치하는 유기성막실은 저분자유기재료를 저항가열, 전자빔가열, 고주파유도가열 등의 증착원 가열수단 및 고분자 유기재료를 잉크젯법, 스핀도포법, 스크린인쇄를 포함한 각종 인쇄법 혹은 스프레이인쇄법을 사용하여 성막하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
6. 제 2 항에 있어서, 상기 처리실로서 설치하는 유기성막실은 저분자유기재료를 저항가열, 전자빔가열, 고주파유도가열 등의 증착원 가열수단 및 고분자 유기재료를 잉크젯법, 스핀도포법, 스크린인쇄를 포함한 각종 인쇄법 혹은 스프레이인쇄법을 사용하여 성막하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
7. 제 1 항에 있어서, 상기 처리실로서 설치하는 스퍼터실은, 유기재료 혹은 절연재료를 컨벤셔널, 마그네트론, 이온 빔, ECR 등의 스퍼터링법을 사용하여 성막하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
8. 제 2 항에 있어서, 상기 처리실로서 설치하는 스퍼터실은 유기재료 혹은 절연재료를 컨벤셔널, 마그네트론, 이온 빔, ECR 등의 스퍼터링법을 사용하여 성막하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
9. 제 1 항에 있어서, 상기 처리실로서 설치하는 CVD 실은 금속재료 및 절연재료를 감압, 상압, 플라즈마법을 사용하여 성막하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
10. 제 2 항에 있어서, 상기 처리실로서 설치하는 CVD 실은, 금속재료 및 절연재료를 감압, 상압, 플라즈마법을 사용하여 성막하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이제조장치.
11. 제 1 항에 있어서, 상기 처리실로서 설치하는 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실은, 대기분위기와 차단함으로써, 대기분위기내의 물 및 산소가 직접 유기 EL 소자표면과 접촉하는 것을 방지하는 기능을 가진 캔 혹은 막을 부가하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
12. 제 2 항에 있어서, 상기 처리실로서 설치하는 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실은, 대기분위기와 차단함으로써, 대기분위기내의 물 및 산소가 직접 유기 EL 소자표면과 접촉하는 것을 방지하는 기능을 가진 캔 혹은 막을 부가하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
13. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저가공실은, 투명도전막, 유기 EL막, 금속제 전극막 혹은 산화실리콘, 질화실리콘, 알루미나 등의 세라믹막을 레이저광선으로 가공하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
14. 제 2 항에 있어서, 상기 레이저가공실은 투명도전막, 유기 EL막, 금속제 전극막 혹은 산화실리콘, 질화실리콘, 알루미나 등의 세라믹막을 레이저광선으로 가공하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
15. 제 1 항 내지 제 14 항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 기판을 상기 각 처리실에 반송하는 기구를 가진 상기 반송실의 주위에 반입실, 플라즈마세정실, 유기성막실 1, 유기성막실 2, 유기성막실 3, 금속전극증착실, 상기 레이저가공실, 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실 및 배출실을 설치한 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
16. 제 1 항 내지 제 14 항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 기판을 상기 각 처리실에 반송하는 기구를 가진 상기 반송실의 주위에, 반입실, 플라즈마세정실, 스퍼터실(투명도전막형성실), 상기 레이저가공실 1, 유기성막실 1, 유기성막실 2, 유기성막실 3, 금속전극증착실, 상기 레이저가공실 2, 캔밀봉실 혹은 박막밀봉실 및 배출실을 설치한 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
17. 제 1 항 내지 제 14 항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 기판을 상기 각 처리실에 반송하는 기구를 가진 상기 반송실의 주위에 반입실, 플라즈마세정실, 스퍼터실(투명도전막형성실), 상기 레이저가공실 1, 유기성막실 1, 유기성막실 2, 유기성막실 3, 금속전극증착실, 상기 레이저가공실 2, 박막밀봉실, 상기 레이저가공실 3 및 배출실을 설치한 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.
18. 제 1 항 내지 제 14 항중의 어느 한 항에 있어서, 기판을 각 처리실에 반송하는 기구를 가진 반송실의 주위에, 반입실, 플라즈마세정실, 스퍼터실(투명도전막형성실), 상기 레이저가공실 및 배출실을 설치한 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 제조장치.