KR101234948B1 - 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
유기 EL디스플레이의 소형화를 도모할 수 있음과 함께 고신뢰성을 확보할 수 있고, 게다가, 장치의 가동률의 향상을 도모할 수 있고, 러닝코스트도 삭감할 수 있고, 또한, 이 레이저 가공법에 의해 형성된 급전용 개구부의 봉지도 확실히 실시할 수 있는 극히 실용성이 우수한 유기 EL소자의 제조 방법을 제공하는 것이다. 기판(11)상에 양극, 유기 발광층, 음극을 차례차례 적층하여 형성되는 발광부(12)상에, 이 발광부(12)를 봉하여 막는 제 1 봉지막(13)을 형성하고, 상기 양극 및 음극의 단자부 (14)상에 적층된 상기 제 1 봉지막(13)의 일부에 레이저광을 조사함으로써, 이 단자부(14)상의 제 1 봉지막(13)을 제거하고 급전용 개구부(15)를 형성하고, 이 급전용 개구부(15)로부터 노출되는 단자부(14)에 상기 발광부 구동용의 구동회로(16)의 단자(17)를 접속하여 구동회로(16)를 실장한 후, 이 급전용 개구부(15) 및 상기 제 1 봉지막(13)을 완전하게 은폐하도록 기판(11)상에 제 2 봉지막(18)을 형성한다.
Description
본 발명은, 유기 EL소자의 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 유기 EL소자(이하, OELD라고 한다.)는, 이하와 같은 순서로 제작되고 있다.
(1) 유리기판상에 스패터법 혹은 증착법으로 애노드 전극용 ITO와 같은 금속박막을 성막하여, 포토리소프로세스를 거쳐 애노드 전극 배선 패턴을 형성한다.
(2) 메탈 마스크를 사용하여 정공 주입층(CuPc), 정공 수송층(α-NPD), 발광층(Alq3+도펀트), 전자 수송층(Alq3), 전자 주입층(LiF)을 차례차례 성막하여 유기 발광층을 형성한 후, 또한 캐소드 전극 형성용 메탈 마스크를 이용하여 금속 박막(Al, Al/Li, Mn, Mn/Ag…etc.)을 성막하여, 캐소드 전극 배선 패턴을 형성하여 발광부를 형성한다.
(3) 상기 (1) 및 (2)의 프로세스를 거친 샘플(발광부)상에, 무기막의 단층 혹은 적층, 유기막의 단층 혹은 적층 또는 무기막 및 유기막의 적층막으로 이루어지는 봉지막을 성막한다. 이 경우, 도 1,2에 도시한 바와 같이, 단자부(A)를 메탈마스크(B) 등으로 차폐하고, 이 단자부(A)에 봉지막(C)이 성막되지 않도록 하여 급전용 단자를 형성할 필요가 있다. 한편, 도면 중 부호 D는 기판, E는 발광부이다.
또한, 어떠한 이유로 메탈 마스크로 차폐할 수 없는 경우에는, 소위 반도체 혹은 TFT의 포토리소프로세스의 수법을 응용할 필요가 있다.
상술의 OLED에의 급전용 단자 형성수법으로서는, 현재는 섀도우 마스크법이 일반적이다. 섀도우 마스크의 재료로서는, 실리콘, 세라믹, 유리 등과 열팽창 계수가 가까운 니혼야킨제의 NAS42(42%Ni-Fe합금)나 저팽창 계수의 NAS(36%Ni-Fe합금)나 SUS430 등이 채용되고 있다.
이와 같이 하여 급전용 개구부가 형성된 유기 EL소자에, 이 급전용 개구부로부터 노출되는 급전단자부에 예를 들면 드라이버 IC부착 FPC(Flexible Print Circuit Board)나 IC베어칩 등의 구동회로의 단자를 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 통하여 접속함으로써, 구동회로를 실장하여 유기 EL디스플레이를 제조한다.
그런데, OLED의 신뢰성능확보를 위해서는, 대기중의 산소 및 수분의 영향을 막기 위해서, 유기층과 부식성이 높은 캐소드 전극층을 봉지막으로 완전하게 피복할 필요가 있다. 이 때, 유기층 및 캐소드 전극층보다 봉지층을 충분히 크게 하면 디바이스 성능은 확보할 수 있지만, 디바이스의 소자 면적이 커져 버린다고 하는 문제점이 생긴다.
따라서, 디바이스의 성능을 유지할 수 있는 최적인 봉지 면적을 선택할 필요가 있다. 이 때, 섀도우 마스크를 이용하여 OLED에의 급전단자부의 형성을 하는 경우에는, 마스크의 얼라이먼트가 필요하게 된다. 또한, OLED 표시장치를 휴대용 등의 표시패널로서 실장하기 위해서는, 표시부 이외의 면적은 가능한 한 작게 하고 싶다고 하는 요구가 있다. 그 때문에, 마스크 얼라이먼트 정밀도를 높여 설계 여유도를 최소한으로 억제할 필요가 생겨 오지만, 고비용이 되는 것은 피할 수 없다.
또한, 봉지막으로서 무기층과 유기층을 교대로 복수층 성막하는 경우에는, 유기층용의 메탈 마스크나 무기층용의 마스크가 필요하게 된다. 또한 양산 라인에서는 마스크의 자동교환기구도 필요하게 된다. 그리고, 무기층과 유기층과의 조합을 복수층 형성하는 경우에는, 다수의 예비 마스크가 필요하게 되어, 매우 복잡하고 고비용의 설비가 되어 버린다. 게다가, 메탈 마스크는 정기적으로 교환 세정할 필요가 있어, 러닝코스트도 매우 높아져 버린다고 하는 문제가 발생한다.
이러한 봉지막 성막시에 메탈 마스크를 사용하는 것에 의한 문제점을 해결하기 위해서는, 봉지 성막 공정에서는 메탈 마스크를 사용하지 않는 프로세스를 채용하면 좋다.
예를 들면 반도체 디바이스나 TFT 디바이스로 일반적으로 채용되고 있는 최종 패시베이션막(passivation) 성막 후의 포토리소프로세스에 의한 단부 인출공정을 적용하면 좋다. 그러나, 이 공정에는, 레지스트 도포, 레지스트 노광, 레지스트 현상, 에칭, 레지스트 박리세정으로 5공정이 필요하다. 또한, 레지스트 현상 및 레지스트 박리세정공정에 있어서는 웨트 공정이 있고, OLED 제조 프로세스에는 부적절한 공정인 것과 동시에 매우 고비용 프로세스가 되어 버린다고 하는 문제가 생긴다.
또한, 봉지막이 적층구조이고, 게다가, 유기층과 무기층으로 이루어지는 경우에는, 에칭공정에 있어서, 드라이의 경우에는 에칭가스, 웨트의 경우에는 에칭액 을 교환할 필요가 있고, 적층수가 많아지면 질수록 프로세스는 한층 복잡화된다.
또한, 상기 유기 EL소자에 구동회로를 실장할 때, 급전용 개구부에는, 예를 들면 급전단자부가 Al 등이 부식성 금속인 경우, FPC 혹은 IC베어칩과의 접속부 부근을 열경화성 혹은 UV경화성 등의 실리콘수지 혹은 에폭시수지로 굳혀 급전단자부의 부식방지대책을 강구하는 경우는 있지만, 이러한 경화제에는 봉지성이 없고, 급전용 개구부는 완전하게 봉지되어 있지 않은 것이 현상이다.
따라서, 출원인은, 특허문헌 1(일본 특허공개공보 2006-663464호)에 있어서, 마스크를 이용하는 일 없이 봉지막을 성막한 후, 단자부상에만 레이저에 의해 급전용 개구부를 형성함으로써, 포토리소프로세스 등의 번거로운 공정을 실시할 필요 없이 간단하고 쉬운 방법으로 상기의 문제점을 해결할 수 있는 유기 EL소자의 제조 방법을 제안하고 있다.
특허문헌 1 : 일본특허공개공보 2006-663464호
[발명이 해결하고자 하는 과제]
본 발명은, 상술과 같은 문제점을 해결함과 한층 더한 봉지성의 향상을 도모할 수 있도록 상기 특허문헌 1을 바탕으로 여러 가지 검토를 실시한 결과 완성한 것으로, 제 1 봉지막의 개구단부를 제 2 봉지막에 의해 은폐할 수 있고, 기판 수직방향 및 기판 수평방향의 쌍방에서의 발광부에의 수분의 침입을 양호하게 저지할 수 있는 봉지막 구성을 실현한 극히 봉지성이 우수한 신뢰성이 높은 유기 EL소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
첨부 도면을 참조하여 본 발명의 요지를 설명한다.
기판(11)상에 양극, 유기 발광층, 음극을 차례차례 적층하여 형성되는 발광부(12)상에, 이 발광부(12)를 봉지하는 봉지막을 형성하여 이루어지는 유기 EL소자의 제조 방법으로서, 상기 발광부(12)상에 이 발광부(12)를 봉하여 막는 제 1 봉지막(13)을 성막하고, 상기 양극 혹은 상기 음극의 단자부(14)상에 적층된 상기 제 1 봉지막(13)의 일부에 레이저광을 조사함으로써, 이 단자부(14)상의 제 1 봉지막(13)을 제거하고 급전용 개구부(15)를 형성하고, 이 급전용 개구부(15)로부터 노출되는 단자부(14)에 상기 발광부 구동용의 구동회로(16)의 단자(17)를 접속하여 구동회로(16)를 실장한 후, 이 급전용 개구부(15) 및 상기 제 1 봉지막(13)을 완전하게 은폐하도록 기판(11)상에 제 2 봉지막(18)을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL소자의 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 기판(31)상에 양극, 유기 화합물층, 음극을 차례차례 적층하여 형성되는 발광부(32)상에, 이 발광부(32)를 봉하여 막는 봉지막을 형성하여 이루어지는 유기 EL소자의 제조 방법으로서, 상기 발광부(32)상에 이 발광부(32)를 봉하여 막는 제 1 봉지막 (33)을 성막하고, 상기 양극 혹은 상기 음극의 단자부(34)상에 적층된 제 1 봉지막 (33)의 일부에 레이저광을 조사하고, 이 단자부(34)상의 제 1 봉지막(33)을 제거함으로써, 상기 제 1 봉지막(33)으로 이루어지는 측둘레부와 이 제 1 봉지막(33)으로부터 노출되는 상기 단자부(34)로 이루어지는 바닥부로 구성되는 제 1 급전용 개구부(35)를 형성한 후, 상기 제 1 봉지막(33)상에, 상기 발광부(32)를 봉하여 막음과 함께 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 측둘레부 및 바닥부도 은폐하는 제 2 봉지막 (36)을 성막하고, 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 바닥부를 은폐하는 제 2 봉지막 (36)에 레이저광을 조사하고, 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 바닥부상에 적층되는 상기 제 2 봉지막(36)을 제거하고 상기 단자부(34)를 노출시킴으로써, 상기 제 1 급전용 개구부(35)내에 상기 단자부(34)를 노출하게 하는 제 2 급전용 개구부(37)를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL소자의 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 측둘레부상에 적층되는 상기 제 2 봉지막(36)을 남기도록 상기 레이저광을 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 바닥부를 은폐하는 제 2 봉지막(36)에 조사하여 제거함으로써, 상기 제 2 급전용 개구부(37)를 형성하는 것을 특징으로 하는 청구항 2 기재의 유기 EL소자의 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 상기 제 2 급전용 개구부(37)의 개구면적이, 상기 제 1 급전용 개구부 (35)의 개구면적보다 작아지도록 상기 레이저광을 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 바닥부를 은폐하는 제 2 봉지막(36)에 조사하여 제거함으로써, 상기 제 2 급전용 개구부(37)를 형성하는 것을 특징으로 하는 청구항 2 기재의 유기 EL소자의 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 상기 제 2 급전용 개구부(37)의 개구면적이, 상기 제 1 급전용 개구부 (35)의 개구면적보다 작아지도록 상기 레이저광을 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 바닥부를 은폐하는 제 2 봉지막(36)에 조사하여 제거함으로써, 상기 제 2 급전용 개구부(37)를 형성하는 것을 특징으로 하는 청구항 3 기재의 유기 EL소자의 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 상기 제 1 봉지막(13·33) 혹은 상기 제 2 봉지막(18·36)을 마스크를 이용하지 않고 기판(11·31)의 전체 표면에 성막하는 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 5 중의 어느 한 항에 기재의 유기 EL소자의 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 상기 제 1 봉지막(13·33) 혹은 상기 제 2 봉지막(18·36)은, 1 혹은 복수층의 유기막 또는 1 혹은 복수층의 무기막 혹은 1 혹은 복수의 무기막과 유기막을 각각 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 5 중의 어느 한 항에 기재의 유기 EL 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 상기 제 1 봉지막(13·33) 혹은 상기 제 2 봉지막(18·36)은, 1 혹은 복수층의 유기막 또는 1 혹은 복수층의 무기막 혹은 1 혹은 복수의 무기막과 유기막을 각각 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 청구항 6 기재의 유기 EL소자의 제조 방법에 관한 것이다.
[발명의 효과]
본 발명은, 상술한 바와 같이 구성했기 때문에, 제 1 봉지막의 개구단부를 제 2 봉지막에 의해 은폐할 수 있고, 기판 수직방향 및 기판 수평방향의 쌍방으로부터의 발광부에의 수분의 침입을 양호하게 저지할 수 있는 봉지막 구성을 실현한 극히 봉지성이 우수한 신뢰성이 높은 유기 EL소자가 된다.
적합하다고 생각하는 본 발명의 실시형태(발명을 어떻게 실시할 것인지)를, 도면에 기초하여 본 발명의 작용을 나타내 간단하게 설명한다.
기판(11)상에, 예를 들면 ITO로 이루어지는 양극(애노드 전극)과 정공 주입 층(CuPc). 정공 수송층(α-NPD), 발광층(Alq3+도펀트), 전자 수송층(Alq3), 전자 주입층(LiF)으로 이루어지는 유기 발광층과 Al로 이루어지는 음극(캐소드 전극)을 차례차례 성막하여 이루어지는 발광부(12)상에, 이 발광부(12)를 봉하여 막는 제 1 봉지막(13)을 성막한다.
이때, 청구항 1 기재의 발명에 있어서는, 예를 들면 마스크를 이용하지 않고 발광부(12)의 전체 표면에 제 1 봉지막(13)을 성막하고, 양극 및 음극의 단자부 (14)상의 제 1 봉지막(13)에만 레이저광을 조사함으로써, 제 1 봉지막(13)을 부분적으로 제거하고, 이 단자부(14)를 노출하게 하는 급전용 개구부(15)를 형성한다.
즉, 종래와 같이 마스크를 이용하고, 급전용 개구부를 갖는 봉지막을 성막하는 것이 아니라, 발광부(12)상의 전체 표면에 성막한 제 1 봉지막(13)의 일부를 제거함으로써 급전용 개구부(15)를 형성할 수 있기 때문에, 마스크가 불필요하게 되어, 마스크를 이용할 때의 불편함, 즉, 종래 필요하였던 마스크의 얼라이먼트 기구나, 다수의 예비 마스크나, 마스크의 자동교환기구 등은 모두 필요없게 되어, 극히 비용저감이 되고, 게다가, 마스크를 정기적으로 교환 세정할 필요도 없기 때문에, 메인터넌스성에도 우수한 것이 된다.
또한, 유기 EL소자의 한층 더한 고밀도화·고해상도화를 도모하기 위해서는, 발광부(12)(표시부) 이외의 면적을 가급적으로 작게 할 필요가 있지만, 마스크를 이용하는 경우, 상술의 마스크의 얼라이먼트 기구의 한층 더한 고정밀화는 매우 고비용이 되기 때문에 실현은 어렵고, 어느 정도의 오차를 예측하고 여유를 가지고 발광부끼리의 간격을 설정해야 했지만, 청구항 1 기재의 발명에 의하면, 마스크의 얼라이먼트는 필요 없기 때문에, 상술과 같은 문제는 일절 없이, 발광부(12) 이외의 면적을 가급적으로 작게 할 수 있어, 한층 더한 고밀도화·고해상도화를 실현할 수 있게 된다.
또한, 포토리소프로세스와 달리, 극히 간단하고 쉬운 공정으로 웨트 공정도 필요 없으므로, 소자의 열화를 저지할 수 있는 것은 물론, 극히 염가로 제 1 봉지막(13)을 성막할 수 있게 된다.
다음에, 상술한 바와 같이 하여 형성한 급전용 개구부(15)로부터 노출되는 단자부(14)에, 구동회로(16)의 단자(17)를 예를 들면 ACF(20)를 통하여 열압착에 의해 접속함으로써 구동회로(16)를 실장한다.
그러나, 이 상태에서는, 급전용 개구부(15)가 봉지되어 있지 않기 때문에, 이 급전용 개구부(15)로부터 수분 등이 침입할 가능성이 있다.
따라서, 청구항 1 기재의 발명에 있어서는, 급전용 개구부(15)를 봉하여 막는 제 2 봉지막(18)을 한층 더 기판(11)상에 성막한다. 구체적으로는, 제 2 봉지막(18)은 상기 급전용 개구부(15) 및 제 1 봉지막(13)을 완전하게 은폐하도록 형성한다. 이때, 예를 들면 제 2 봉지막(18)을, 기판 전체 표면에 성막하도록 하면, 상기 제 1 봉지막(13)과 같이 마스크를 이용하는 일 없이 성막할 수 있다. 또한, 돌려넣음성이 높고, 그림자의 부분까지 성막 가능한 성막방법, 예를 들면 CVD법이나 딥코팅법 등에 의해 기판 전체 표면에 성막한 경우에는, 예를 들면 구동회로 (16)의 바닥부와 기판(11)과의 사이의 공간부에도 양호하게 성막할 수 있게 되어, 간단하고 쉬운 수법으로 확실히 급전용 개구부(15)를 봉하여 막을 수 있게 된다.
따라서, 레이저 가공에 의해 제 1 봉지막(13)을 제거하고 형성된 급전용 개구부(15)를 제 2 봉지막(18)에 의해 봉하여 막음으로써, 마스크나 웨트 공정의 필요 없이 OLED의 수분에 의한 열화를 보다 확실히 저지할 수 있게 되고, 또한, 제 1 봉지막(13)에 만일 결함부가 있었던 경우에 이 결함부를 보완할 수도 있어, 그 만큼 고정밀 유기 EL디스플레이를 제조 가능하게 된다.
또한, 청구항 2 기재의 발명에 있어서는, 기판(31)상에, 예를 들면 ITO로 이루어지는 양극(애노드 전극)과 정공 주입층(CuPc), 정공 수송층(α-NPD),발광층 (Alq3+도펀트), 전자 수송층(Alq3), 전자 주입층(LiF)으로 이루어지는 유기 발광층과 Al로 이루어지는 음극(캐소드 전극)을 차례차례 성막하여 이루어지는 발광부 (32)상에, 이 발광부(32)를 봉하여 막는 제 1 봉지막(33)을 성막한 후, 계속하여, 발광부(32)의 단자부(34)상에 적층된 제 1 봉지막(33)의 일부에 레이저광을 조사하여 제거하고, 측둘레부(제 1 봉지막(33))와 바닥부(제 1 봉지막(33)으로부터 노출되는 단자부(34))로 이루어지는 제 1 급전용 개구부(35)를 형성한다.
계속하여, 제 1 봉지막(33)상에 제 2 봉지막(36)을 상기 제 1 급전용 개구부 (35)의 측둘레부 및 바닥부도 은폐되도록 성막한다. 이것에 의해 제 1 봉지막(33)상에 제 2 봉지막(36)이 적층됨으로써, 제 1 봉지막(33)과 제 2 봉지막(36)에 각각 결함이 있어도 서로 보완할 수 있어, 발광부(32)에의 기판 수직방향으로부터의 수분의 침입을 보다 확실히 저지할 수 있게 된다.
계속하여, 제 1 급전용 개구부(35)의 바닥부를 은폐하는 제 2 봉지막(36)에 레이저광을 조사하여 상기 바닥부상에 적층되는 제 2 봉지막(36)을 제거하고, 제 1 급전용 개구부(35)의 측둘레부가 제 2 봉지막(36)에 의해 은폐된 상태를 유지한 채로 제 1 급전용 개구부(35)내에 단자부(34)를 노출하게 하는 제 2 급전용 개구부 (37)를 형성한다.
따라서, 제 1 급전용 개구부(35)의 측둘레부가 제 2 봉지막(36)에 의해 은폐됨으로써, 발광부(32)에의 기판 평행방향으로부터의 수분의 침입도 저지할 수 있게 된다. 즉, 예를 들면, 제 1 봉지막을 발광부상에 성막한 후, 이 제 1 봉지막에 급전용 개구부를 형성하지 않고 제 2 봉지막을 적층 성막하고, 제 1 봉지막과 제 2 봉지막에 합쳐서 급전용 개구부를 형성하는 방법을 채용한 경우, 제 1 봉지막과 제 2 봉지막의 개구단면(측둘레부)이 노출되어, 기판 평행방향으로부터 수분이 침입할 가능성이 높아져 버리지만, 청구항 2 기재의 발명에 있어서는, 제 1 봉지막(33)의 측둘레부를 제 2 봉지막(36)에 의해 은폐한 상태를 유지하도록(제 1 급전용 개구부 (35)의 측둘레부상에 적층된 제 2 봉지막(36)을 남기도록), 제 1 급전용 개구부 (35)의 바닥부상에 적층된 제 2 봉지막(36)을 제거하기 때문에, 제 1 봉지막(33)의 측둘레부를 노출시키는 일 없이 단자부(34)만을 노출시킬 수 있어, 이 제 1 봉지막 (33)의 측둘레부로부터의 수분의 침입을 그 만큼 양호하게 저지할 수 있게 된다.
[실시예 1]
본 발명의 구체적인 실시예 1에 대해 도면에 기초하여 설명한다.
실시예 1은, 기판(11)상에 양극, 유기 발광층, 음극을 차례차례 적층하여 형성되는 발광부(12)상에, 이 발광부(12)를 봉하여 막는 봉지막을 형성하여 이루어지는 유기 EL소자로서, 상기 발광부(12)상에 이 발광부(12)를 봉하여 막는 제 1 봉지 막(13)을 성막하고, 상기 양극 혹은 상기 음극의 단자부(14)상에 적층된 상기 제 1 봉지막(13)의 일부에 레이저광을 조사함으로써, 이 단자부(14)상의 제 1 봉지막 (13)을 제거하고 급전용 개구부(15)를 형성하고, 이 급전용 개구부(15)로부터 노출되는 단자부(14)에 상기 발광부 구동용의 구동회로(16)의 단자(17)를 접속하여 구동회로(16)를 실장한 후, 이 급전용 개구부(15) 및 상기 제 1 봉지막(13)을 완전하게 은폐하도록 기판(11)상에 제 2 봉지막(18)을 형성한 것이다.
유기 EL소자는, 도 6에 도시한 바와 같은 유기 EL소자 제조장치를 이용하여 제조한다.
예를 들면 도 6에 나타내는 바와 같이, 포토리소그래피법에 의해 형성된 애노드 배선 ITO 전극이 형성된 유리기판(11)을 배합실에 수납하고, 진공 배기를 실시한다. 다음에 게이트 밸브를 열고 상기 유리기판(11)을, 진공 배기된 플라즈마 세정실로 이동하여, 산소 가스등을 도입하고, 고주파에 의해 산소 플라스마를 생성하여, 표면처리를 실시한다. 다음에 진공 배기된 유기 성막실(1)에 상기 유리기판 (11)을 이동하여, 정공 주입층을 증착 성막하고, 또한, 진공 배기된 각각의 유기 성막실(2∼4)에 상기 유리기판(11)을 이동하고, 적, 록, 청 각각의 발광층을 성막한다.
또한, 진공 배기된 유기 성막실(5)에 상기 유리기판(11)을 이동하고, 전자 수송층을 증착 성막한다. 또한 진공 배기되어 성막실(6)에서 전자 주입층을 증착 성막하고, 진공 배기된 금속 전극 증착실에서 캐소드 배선 전극막을 성막한다.
다음에 진공 배기 혹은 질소 치환된 레이저 가공실(1)에 상기 유리기판(11) 을 이동하고, 레이저에 의해 캐소드 배선 전극을 형성한다.
다음에 진공 배기 혹은 질소 치환된 박막 봉지실에 상기 유리기판(11)을 이동하고, 제 1 봉지막(13)을 성막한다.
이 박막 봉지실에는 스패터링법 혹은 진공 증착법에 의해 제 1 봉지막(13)을 성막하는 봉지막 형성기구가 설치되어 있고, 이 봉지막 형성기구에 의해, 1 혹은 복수층의 유기막 또는 1 혹은 복수층의 무기막 혹은 1 혹은 복수의 무기막과 유기막을 각각 적층하여 이루어지는 적층막을 기판(11)의 대략 전체면에 성막한다(도 3 참조).
무기막으로서는, 예를 들면 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 나이트 라이드 (SiN, SiON), 알루미나(AlOx) 등이 채용된다. 또한, 유기막으로서는, 에폭시계, 폴리이미드계, 아크릴계, 실리콘계의, 열경화형 혹은 UV경화형 또는 열경화 및 UV경화 병용형의 수지 등이 채용된다.
또한 레이저 가공실(2)에 상기 유리기판(11)을 이동하고, 레이저에 의해 단자부(14)상의 제 1 봉지막(13)을 제거하고, 급전용 개구부(15)로부터 노출되는 급전단자부를 형성한다.
레이저 가공실(2)에는, 봉지막 제거기구로서의 레이저광을 발진하는 레이저 발진기(광원)와, 상기 기판(11)을 구동하여 레이저 발진기로부터의 레이저광을 상기 단자부(14)상의 제 1 봉지막(13)의 소정 부위에 조사하게 하는 구동부로서의, 기판(11)이 얹혀 놓여지는 X, Y스테이지를 갖는 레이저 가공장치가 설치되어 있어, 레이저 발진기로서 가스 레이저 발진기 혹은 고체 레이저 발진기를 채용한다. 한편, 실시예 1에 있어서는, 기판(11)을 구동하는 구동부를 설치한 구성으로 하고 있지만, 레이저 발진기를 구동하는 구동부를 설치한 구성으로 해도 좋다.
예를 들면, 상기 가스 레이저 발진기로서는 CO2, KrF, ArF, F2, XeCl, XeF 혹은 HeCd 레이저 발진기를 채용하면 좋고, 상기 고체 레이저 발진기로서는 Ti사파이어, YAG 혹은 YVO4 레이저 발진기를 채용하면 좋다.
구체적으로는, 상기 봉지막 제거기구는, 상기 성막기구에 의해서 성막된 복수층의 무기막 혹은 복수층의 유기막 혹은 1 혹은 복수의 무기막과 유기막을 각각 적층하여 이루어지는 적층막중, 어느 하나의 층의 파장 흡수 특성에 따른 파장의 레이저광을 조사하여 복수층을 일괄 제거할 수 있도록 구성하고 있다. 즉, 적층막을 한 층씩 제거할 필요 없이, 최적인 동일 가공조건을 선정하는 것에 의해, 레이저종을 변경할 필요 없이 적층막으로 이루어지는 제 1 봉지막을 제거할 수 있다. 예를 들면, 레이저로서, 최하층의 막이 흡수되기 쉬운 파장을 갖는 레이저를 채용하여(혹은 최하층의 막으로서 레이저의 파장을 흡수하기 쉬운 재료로 이루어지는 것을 채용하여), 이 최하층의 막을 제거함으로써 그 위에 적층되는 막을 합쳐서 제거할 수 있도록 설정한다. 한편, 최하층이 아닌 막을 제거함으로써, 복수의 막을 제거할 수 있도록 설정해도 좋다.
따라서, 복수의 유기막과 무기막을 적층한 적층막을 제거하는 경우에서도, 한 층씩 제거할 필요 없이 하나의 공정으로 간단하고 쉽게 또한 효율적으로 제 1 봉지막(13)을 제거하고 급전용 개구부를 형성할 수 있게 된다.
또한, 실시예 1에 있어서는, 단자부(14)상의 제 1 봉지막(13)을 전부 제거하는 것이 아니라, 도 4에 도시한 바와 같이 일부를 제거하도록 설정하고 있다. 구체적으로는 단자부(14)의 접속단자(19)상의 일부의 제 1 봉지막(13)을 직사각형형상으로 제거하도록 설정하고 있다. 따라서, 급전용 개구부(15)의 크기는 최소로 되고, 그 만큼 제 1 봉지막(13)에 의한 봉지 작용은 양호하게 발휘된다.
또한, 상기 발광부(12)상에 적층 성막한 제 1 봉지막(13)의 둘레가장자리부를 레이저광을 조사함으로써 폐색하는 봉지 둘레가장자리부 폐색기구를 구비한 구성으로 해도 좋다. 이와 같이 봉지 둘레가장자리부를 폐색하는 것에 의해, 봉지작용은 한층 양호해지고, 소자의 열화는 가급적으로 저지되게 된다. 구체적으로는, 이 봉지 둘레가장자리부 폐색기구는, 상술의 레이저 가공실(2)을 봉지막 제거기구와 겸용하는 구성으로 해도 좋고, 별도 레이저 가공실을 설치하는 구성으로 해도 좋다.
또한, 이 경우에는, 상기 제 1 봉지막(13)이, 상기 레이저광이 조사되는 둘레가장자리부에만 열강화성 성분을 함유시켜 성막된 유기막 혹은 상기 둘레가장자리부에만 성막되는 상기 열강화성 성분을 함유하는 유기막 혹은 기판 앞면 전부에 걸쳐 열강화성 성분을 함유시켜 성막된 유기막을 포함하도록, 상기 봉지막 형성기구를 설정하면 좋다.
이상, 상기 실시예에 대한 유기 성막은 저분자 유기 EL재료를 상정하고, 진공 증착법에 대해 설명하였다.
그 외의 실시예로서 고분자 유기 EL재료의 유기 성막에 대해서는, 잉크젯법을 이용해도 좋다.
또한, 더욱이 고분자 유기재료를 스핀 도포법, 스프레이법을 이용하는 경우에는, 진공 배기 혹은 진공 치환된 건조실을 추가하거나, 유기 성막을 레이저 가공실에서 패턴형성하는 실시예도 생각할 수 있다.
그 외의 실시예로서 기판을 각 처리실에 반송하는 기구를 갖는 반송실의 주위에, 배합실, 플라스마 세정실, 유기 성막실, 스패터실, CVD실, 금속 전극 증착실, 박막 봉지실 및 배출실을 갖는 유기 EL소자 제조장치에 있어서, 유기 성막실, 스패터실, CVD실, 금속 전극 증착실, 박막 봉지실 중 적어도 어느 1대 이상의 처리실과 1대 또는, 복수대의 레이저 가공실을 일체화한 유기 EL소자 제조장치로 하고 있다.
또한, 상기 반송실의 주위 혹은 상기 반송실의 반송방향에 따른 위치에 상기 처리실을 배설함과 함께 상기 레이저 가공실을 배설하고 있다.
또한, 상기 유기 성막실, 스패터실, CVD실, 금속 전극 증착실, 박막 봉지실 및 레이저 가공실내의 분위기는, 진공 분위기 혹은 Al 등의 불활성가스 혹은 질소가스 등에 의한 비산화성 분위기에서, 한편 노점(露点)이 -50℃ 이하의 건조 분위기로 하고 있다.
또한, 상기 유기 성막실은 유기재료 혹은 금속재료를 저항가열, 전자빔 가열, 고주파 유도 가열 등의 증착원 가열수단 및 고분자 유기재료를 잉크젯법, 스핀 도포법, 스크린 인쇄를 포함한 각종 인쇄법 혹은 스프레이 인쇄법을 이용하여 성막 하는 수단을 갖고, 스패터실은, 유기재료 혹은 절연재료를 컨벤셔널, 마그네트론, 이온 빔, ECR 등의 스패터링법을 이용하여 성막하는 수단을 갖고, CVD실은 금속재료 및 절연재료를 감압, 상압, 플라스마법을 이용하여 성막하는 수단을 갖고, 금속 전극 증착실은 금속재료를 저항가열, 전자빔가열, 고주파 유도가열 등의 증착원 가열수단을 갖는다.
또한, 박막 봉지실은, 대기 분위기와 차단하는 것에 의해, 대기 분위기중의 물 및 산소가 직접 유기 EL소자 표면과 접촉하는 것을 방지하는 기능을 갖는 봉지막을 부가하는 수단을 갖고, 상기 레이저 가공실은, 투명 도전막, 유기 EL막, 금속 전극막, 산화 실리콘, 질화 실리콘, 알루미나 등의 세라믹막을 레이저광으로 가공하는 수단을 갖는다.
실시예 1에서는, 기판을 상기 각 처리실에 반송하는 기구를 갖는 상기 반송실의 주위에 배합실, 플라즈마 세정실, 유기 성막실(1), 유기 성막실(2), 유기 성막실(3), 음극 금속 증착실, 레이저 가공실, 박막 봉지실 및 배출실을 설치한 구성으로 하고 있다.
또한, 상기 기판을 상기 각 처리실에 반송하는 기구를 갖는 상기 반송실의 주위에, 배합실, 플라스마 세정실, 스패터실(투명 도전막 형성), 레이저 가공실 (1), 유기 성막실(1), 유기 성막실(2), 유기 성막실(3), 금속 전극 증착실, 레이저 가공실(2), 박막 봉지실 및 배출실을 설치한 구성으로 해도 좋다.
또한, 기판을 각 처리실에 반송하는 기구를 갖는 반송실의 주위에 배합실, 플라스마 세정실, 스패터실(투명 도전막 형성), 레이저 가공실(1), 유기 성막실 (1), 유기 성막실(2), 유기 성막실(3), 금속 전극 증착실, 레이저 가공실(2), 박막 봉지실, 레이저 가공실(3) 및 배출실을 설치한 구성으로 해도 좋다.
또한, 기판을 각 처리실에 반송하는 기구를 갖는 반송실의 주위에, 배합실, 플라스마 세정실, 스패터실(투명 도전막 형성), 레이저 가공실 및 배출실을 설치한 구성으로 해도 좋다.
상기 배합실이 상기 배출실을 겸하는 경우는, 배합실만으로도 좋다.
또한, 레이저 가공실을 복수실로 했지만, 1실만으로 겸용해도 좋다.
또한, 유기 성막실을 3실이라고 해도 좋고, 1실로 겸용해도 좋고, 물론 4실 이상으로 해도 좋다.
또한, 실시예 1에서는, 반송실의 주위에 각 처리실과 레이저 가공실을 배설(통칭 클러스터 방식)했지만, 도 7에 도시한 바와 같은 반송실의 반송 방향으로 차례차례 각 처리실과 레이저 가공실을 종렬(통칭 인라인 방식)한 구성으로 해도 좋다.
계속하여, 상술한 바와 같이 하여 제작한 유기 EL소자에, 유기 EL소자(발광부(12)) 구동용의 구동회로(16)를 접속 실장한다. 구체적으로는, 구동회로(16)로서는, IC베어칩이나 드라이버 IC를 탑재한 FPC등을 이용한다.
또한, 실장 형태는, 예를 들면 FPC를 TAB를 통하여 접속하는 구성이나, 드라이버 베어칩 IC를 기판상에 직접 실장하는 COG(Chip On Glass) 등, 어느 형태를 취해도 좋다.
실시예 1에 있어서는, 도 4, 5에 도시한 바와 같이 FPC를 채용하여 구동회로 (16)(드라이버 IC부착 FPC)의 단자(17)를 상기 단자부(14)의 접속단자(19)에 접속함으로써 기판(11)상에 구동회로(16)를 실장하고 있다.
구체적으로는, 상술한 바와 같이 하여 제 1 봉지막(13)에 형성된 급전용 개구부(15)로부터 노출되는 양극의 단자부(14)(ITO막)의 접속단자(19) 혹은 음극의 단자부(14)의 접속단자(19)와 구동회로(16)의 단자(17)(구동회로 배선패턴)을 ACF (20)(이방성 도전막)를 통하여 열압착에 의해 접속함으로써, 기판(11)상에 구동회로(16)를 실장하고 있다. 한편, 도면 중 부호 21은 ACF(20)에 포함되는 도전입자이다.
한편, 도시하지 않지만, 구동회로(16)(드라이버 베어칩 IC)를 COG 접속에 의해 실장하는 경우도, 제 1 봉지막(13)에 의해 전체면을 덮여 있는 유리기판상의 유기 EL소자로부터의 인출배선의 단부 상면에, 레이저 가공에 의해서 급전개구부를 형성하고, ACF(20)를 통함으로써 구동회로(16)를 열압착에 의해 접속하는 것도 가능하다.
계속하여, 기판(11)상에 실장한 구동회로(16) 및 그 기초가 되고 있는 상기 제 1 봉지막(13)의 어느 것이나 완전하게 은폐하도록 제 2 봉지막(18)을 성막한다. 따라서, 마스크를 이용하는 일 없이 간단하고 쉽게 급전용 개구부(15)를 완전하게 봉지하고, 레이저 가공시의 유일한 염려사항이었던 급전용 개구부(15)로부터의 대기중의 산소나 수분 등의 침입을 확실히 방지하는 것이 가능해짐과 함께 그 바깥둘레에 있는 제 1 봉지막(13)도 완전하게 은폐함으로써, 보다 확실한 봉지을 실현한다. 성막방법으로서는, 딥코팅이나 플라스마 CVD법 등의 돌려넣음성이 좋고, 상기 IC베어칩과 기판(11)과의 사이 등, 그림자의 부분까지 확실히 성막 가능한 성막방법을 채용하는 것이 바람직하다.
실시예 1에 있어서는, 상기 구동회로(16)를 실장한 기판(11)을 성막용액이 저장하게 된 저장조에 담근 후, 건조시켜 가열처리를 실시함으로써 성막한다(딥코팅법).
계속하여, 상기 구동회로(16)를 제어하는 컨트롤러나 그 외의 전자부품 등이 조립해 넣어진 프린트기판(PCB: Printed Circuit Board)을 기판(11)에 부착하고, 케이블이나 상자체를 부착함으로써 유기 EL디스플레이를 제조한다.
실시예 1은 상술한 바와 같이 했으므로, 메탈 마스크를 이용하지 않고 봉지막을 성막한 후에, 그 OLED 표시장치의 급전단자부를, 레이저 가공수법을 이용하여 형성하는 것에 의해, 패널의 소형화와 고신뢰성을 확보할 수 있는 OLED의 제조가 가능하게 된다. 예를 들면, OLED를 제조하는 것을 목적으로 하는 클러스터형 유기 EL소자 제조장치에 레이저 가공실(봉지막 제거기구)과 봉지 박막실(봉지막 성막기구)을 설치하는 것에 의해, 고정밀도, 고밀도, 고성능의 OLED의 제조가 가능하게 된다.
또한, 봉지막 형성기구에 메탈 마스크를 사용하지 않는 것에 의해, 메탈 마스크의 교환기구, 얼라이먼트 기구, 메탈 마스크 및 증착 트레이 등의 이동 기구가 불필요하게 되고, 장치는 매우 간략화된다. 그 때문에, 장치 비용의 저감, 트러블 및 메인터넌스 빈도의 저감에 의해 장치 가동률의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 메탈 마스크 비용의 삭감, 메탈 마스크 및 장착 트레이의 삭감, 이들 세정공정의 삭감과 러닝코스트도 큰 폭으로 삭감하는 것이 가능하게 된다.
또한, 봉지막이 적층 구조의 경우에서도, 레이저 가공의 경우에는, 이종 마스크마다 레이저종을 변경하는 일 없이 최적인 동일 가공조건을 선정하는 것에 의해, 급전단자부의 봉지막 개구가공이 가능하게 된다.
또한, 봉지막의 둘레가장자리부를 레이저를 조사함으로써 폐색하도록 구성하면, 이 봉지막의 봉지작용을 한층 양호하게 할 수 있어, 이 봉지막에 의해 봉지된 발광부의 열화는 가급적으로 저지되게 된다.
또한, 상기 급전용 개구부로부터의 수분 등의 침입을, 간단하고 쉬운 수법으로 확실히 방지할 수 있어, 그 만큼 고정밀 유기 EL디스플레이를 제조 가능하게 된다.
따라서, 실시예 1은, 상기 유기 EL소자를 단지 염가로 또한 효율적으로 제조 가능할 뿐만 아니라, 극히 고품질로 상품 가치가 높은 유기 EL디스플레이를 제조할 수 있게 된다.
[실시예 2]
실시예 2는, 실시예 1과는 다른 봉지막 구조를 채용한 경우이며, 그 나머지는 실시예 1과 같다.
구체적으로는 실시예 2는, 도 8 내지 11에 도시한 바와 같이, 기판(31)상에 양극, 유기 화합물층, 음극을 차례차례 적층하여 형성되는 발광부(32)상에, 이 발광부(32)를 봉하여 막는 봉지막을 형성하여 이루어지는 유기 EL소자로서, 상기 발광부(32)상에 이 발광부(32)를 봉하여 막는 제 1 봉지막(33)을 성막하고, 상기 양 극 혹은 상기 음극의 단자부(34)상에 적층된 제 1 봉지막(33)의 일부에 레이저광을 조사하고, 이 단자부(34)상의 제 1 봉지막(33)을 제거함으로써, 상기 제 1 봉지막 (33)으로 이루어지는 측둘레부와 이 제 1 봉지막(33)으로부터 노출되는 상기 단자부(34)로 이루어지는 바닥부로 구성되는 제 1 급전용 개구부(35)를 형성한 후, 상기 제 1 봉지막(33)상에, 상기 발광부(32)를 봉하여 막음과 함께 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 측둘레부 및 바닥부도 은폐하는 제 2 봉지막(36)을 성막하고, 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 바닥부를 은폐하는 제 2 봉지막(36)에 레이저광을 조사하고, 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 바닥부상에 적층되는 상기 제 2 봉지막(36)을 제거하고 상기 단자부(34)를 노출시킴으로써, 상기 제 1 급전용 개구부(35)내에 상기 단자부(34)를 노출하게 하는 제 2 급전용 개구부(37)를 형성한 것이다.
즉, 실시예 2는, 실시예 1과 같이, 전극 및 발광층이 형성된 유리기판(31)상에, 1 혹은 복수층의 유기막 또는 1 혹은 복수층의 무기막 혹은 1 혹은 복수의 무기막과 유기막을 각각 적층하여 이루어지는 적층막을 기판(31)의 대략 전체면에 성막하여(도 8 참조. 도 8중에서는 제 1 봉지막(33)은 제 2 봉지막(36)에 숨어 있지만 제 2 봉지막(36)과 같이 기판(31)의 대략 전체면에 성막된다.), 또한 레이저 가공실(2)에 있어서 레이저에 의해 단자부(34)상의 제 1 봉지막(33)을 제거하고, 제 1 급전용 개구부(35)로부터 노출되는 급전단자부를 형성한다(도 9, 10 참조).
계속하여, 상기 박막 봉지실에 상기 유리기판(31)을 이동하고, 제 1 봉지막 (33)상에 상기 발광부(32)를 봉하여 막음과 함께 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 측둘레부 및 바닥부도 은폐하는 제 2 봉지막(36)을 성막한다. 구체적으로는, 상기 제 1 급전용 개구부(35)는, 상기 제 1 봉지막(33)의 개구단면(33a)으로 이루어지는 측둘레부와, 상기 단자부(34)로서 상기 제 1 봉지막(33)의 개구부로부터 노출되는 상면(34a)으로 이루어지는 바닥부로 구성되어 있다. 이 제 2 봉지막(36)으로서는 상기 제 1 봉지막(33)과 같은 구성의 것을 채용하고 있다. 한편, 제 2 봉지막(36)을 성막하는 박막 봉지실을 별도 설치해도 좋다.
또한 레이저 가공실(2)에 상기 유리기판(31)을 이동하고, 상기 레이저 가공장치에 의해, 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 측둘레부상에 적층되는 상기 제 2 봉지막(36)을 남기도록 단자부(34)상에 적층된 제 2 봉지막(36)을 제거하고, 제 1 급전용 개구부(35) 및 제 2 급전용 개구부(37)로부터 노출되는 급전단자부를 형성한다(도 11 참조).
구체적으로는, 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 측둘레부상에 적층되는 상기 제 2 봉지막(36)을 제거하지 않도록, 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 바닥부상에 적층되는 상기 제 2 봉지막(36)의 일부를 제거함으로써, 상기 제 2 급전용 개구부 (37)의 개구지름이, 이 제 2 급전용 개구부(37)보다 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 개방단측의 측둘레부상에 적층되는 제 2 봉지막(36)의 안지름보다 지름이 작아지도록 상기 제 2 급전용 개구부(37)를 형성한다.
즉, 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 바닥부상에 적층되는 제 2 봉지막(36)의 바깥둘레부를 남기고, 중앙부만을 제거하고, 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 측둘레부상의 제 2 봉지막(36)과 단자부(34)와의 접촉면적이 가급적으로 넓어지도록 하고 있다.
이와 같이 하여 제작한 유기 EL소자에, 상기 급전용 단자부를 통하여 유기 EL소자(발광부(32))구동용의 구동회로를 접속 실장하고, 이 구동회로를 제어하는 컨트롤러나 그 외의 전자부품 등이 조립해 넣어진 프린트기판(PCB: printed Circuit board)을 기판(31)에 부착하고, 케이블이나 상자체를 부착함으로써 유기 EL디스플레이가 제조된다.
실시예 2는 상술한 바와 같이 했으므로, 기판(31)상에 형성되는 발광부(32)상에, 이 발광부(32)를 봉하여 막는 제 1 봉지막(33)을 성막하고, 발광부(32)의 단자부(34)상에 적층된 제 1 봉지막(33)의 일부에 레이저광을 조사하여 제거하고, 측둘레부(제 1 봉지막(33))와 바닥부(제 1 봉지막(33)으로부터 노출되는 단자부(34))로 이루어지는 제 1 급전용 개구부(35)를 형성한 후, 제 1 봉지막(33)상에 제 2 봉지막(36)을 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 측둘레부 및 바닥부도 은폐되도록 성막하고, 제 1 봉지막(33)상에 제 2 봉지막(36)이 적층됨으로써, 제 1 봉지막(33)과 제 2 봉지막(36)에 각각 결함이 있어도 서로 보완할 수 있어, 발광부(32)에의 기판 수직방향으로부터의 수분의 침입을 보다 확실히 저지할 수 있게 된다.
또한, 제 1 급전용 개구부(35)의 바닥부를 은폐하는 제 2 봉지막(36)에 레이저광을 조사하여 상기 바닥부상에 적층되는 제 2 봉지막(36)을 제거하고, 제 1 급전용 개구부(35)의 측둘레부가 제 2 봉지막(36)에 의해 은폐된 상태를 유지한 채로 제 1 급전용 개구부(35)내에 단자부(34)를 노출하게 하는 제 2 급전용 개구부(37)를 형성하기 때문에, 제 1 급전용 개구부(35)의 측둘레부가 제 2 봉지막(36)에 의해 은폐됨으로써, 발광부(32)에의 기판 평행방향으로부터의 수분의 침입도 저지할 수 있게 된다. 즉, 제 1 봉지막(33)의 측둘레부를 노출시키는 일 없이 단자부(34)만을 노출시킬 수 있어, 이 제 1 봉지막(33)의 측둘레부로부터의 수분의 침입을 그 만큼 양호하게 저지할 수 있게 된다.
또한, 제 2 급전용 개구부(37)의 개구지름이, 이 제 2 급전용 개구부(37)보다 상기 제 1 급전용 개구부(35)의 개방단측의 측둘레부상에 적층되는 제 2 봉지막 (36)의 안지름보다 지름이 작아지도록 상기 레이저광을 상기 제 1 급전용 개구부 (35)의 바닥부를 은폐하는 제 2 봉지막(36)에 조사하여 제거함으로써, 상기 제 2 급전용 개구부(37)를 형성하기 때문에, 단자부(34)와 제 2 봉지막(36)과의 접촉면적을 그 만큼 크게 확보할 수 있어 봉지성을 한층 향상시킬 수 있다.
또한, 제 1 봉지막(33) 및 제 2 봉지막(36)은, 마스크를 이용하는 일 없이 상기 기판(31)의 대략 전체면에 성막하기 때문에, 마스크를 이용할 때의 불편함, 즉, 종래 필요하였던 마스크의 얼라이먼트 기구나, 다수의 예비 마스크나, 마스크의 자동교환기구 등은 모두 필요 없게 되어, 극히 염가가 되고, 게다가, 마스크를 정기적으로 교환 세정할 필요도 없기 때문에, 메인터넌스성에도 우수하게 된다. 또한, 발광부(32) 이외의 면적을 가급적으로 작게 할 수 있어, 한층 더한 고밀도화·고해상도화를 실현할 수 있게 된다. 또한, 포토리소프로세스와 달리, 극히 간단하고 쉬운 공정으로 웨트 공정도 필요 없기 때문에, 소자의 열화를 저지할 수 있는 것은 물론, 극히 염가로 봉지막(33)을 성막할 수 있게 된다.
또한, 제 1 봉지막(33) 및 제 2 봉지막(36)은, 1 혹은 복수층의 유기막 또는 1 혹은 복수층의 무기막 혹은 1 혹은 복수의 무기막과 유기막을 각각 적층하여 이 루어지는 적층막으로 했기 때문에, 기판 수직방향으로부터의 발광부(32)에의 수분의 침입을 한층 양호하게 저지할 수 있게 된다.
따라서, 실시예 2는, 발광부에의 기판 수직방향으로부터의 수분의 침입을 확실히 저지할 수 있는 것은 물론, 기판 평행방향으로부터의 수분의 침입도 확실히 저지할 수 있어, 극히 봉지성이 우수한 신뢰성이 높은 유기 EL소자가 된다.
본 발명은, 실시예 1, 2에 한정되는 것이 아니고, 각 구성 요건의 구체적 구성은 적당히 설계할 수 있는 것이다.
[도 1] 종래 예의 봉지막형성법의 개략 설명도이다.
[도 2] 종래 예의 유기 EL소자의 개략 설명도이다.
[도 3] 실시예 1의 봉지막 형성법의 개략 설명도이다.
[도 4] 실시예 1의 단자부의 확대 개략 설명도이다.
[도 5] 실시예 1의 단자부와 구동회로와의 접속부분의 확대 개략 설명 단면도이다.
[도 6] 유기 EL소자 제조장치의 클러스터 방식에서의 일례를 나타내는 개략 구성 설명도이다.
[도 7] 유기 EL소자 제조장치의 인 라인방식에서의 일례를 나타내는 개략 구성 설명도이다.
[도 8] 실시예 2의 일부를 절단한 개략 설명 사시도이다.
[도 9] 실시예 2의 주요부의 개략 설명 평면도이다.
[도 10] 실시예 2의 주요부의 개략 설명 단면도이다.
[도 11] 실시예 2의 주요부의 개략 설명 단면도이다.
Claims (8)
- 삭제
- 기판상에 양극, 유기 화합물층, 음극을 차례차례 적층하여 형성되는 발광부상에, 이 발광부를 봉하여 막는 봉지막을 형성하여 이루어지는 유기 EL소자의 제조 방법으로서, 상기 발광부상에 이 발광부를 봉하여 막는 제 1 봉지막을 마스크를 이용하지 않고 성막하고, 상기 양극 혹은 상기 음극의 단자부상에 적층된 제 1 봉지막의 일부에 레이저광을 조사하고, 이 단자부상의 제 1 봉지막을 제거함으로써, 상기 제 1 봉지막으로 이루어지는 측둘레부와 이 제 1 봉지막으로부터 노출되는 상기 단자부로 이루어지는 바닥부로 구성되는 제 1 급전용 개구부를 형성한 후, 상기 제 1 봉지막상에, 상기 발광부를 봉하여막음과 함께 상기 제 1 급전용 개구부의 측둘레부 및 바닥부도 은폐하는 제 2 봉지막을 마스크를 이용하지 않고 성막하고, 상기 제 1 급전용 개구부의 바닥부를 은폐하는 제 2 봉지막에 레이저광을 조사하고, 상기 제 1 급전용 개구부의 바닥부상에 적층되는 상기 제 2 봉지막을 제거하고 상기 단자부를 노출시킴으로써, 상기 제 1 급전용 개구부내에 상기 단자부를 노출하게 하는 제 2 급전용 개구부를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL소자의 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 급전용 개구부의 측둘레부상에 적층되는 상기 제 2 봉지막을 남기도록 상기 레이저광을 상기 제 1 급전용 개구부의 바닥부를 은폐하는 제 2 봉지막에 조사하여 제거함으로써, 상기 제 2급전용 개구부를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL소자의 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 2급전용 개구부의 개구면적이, 상기 제 1 급전용 개구부의 개구면적보다 작아지도록 상기 레이저광을 상기 제 1 급전용 개구부의 바닥부를 은폐하는 제 2 봉지막에 조사하여 제거함으로써, 상기 제 2 급전용 개구부를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL소자의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 급전용 개구부의 개구면적이, 상기 제 1 급전용 개구부의 개구면적보다 작아지도록 상기 레이저광을 상기 제 1 급전용 개구부의 바닥부를 은폐하는 제 2 봉지막에 조사하여 제거함으로써, 상기 제 2급전용 개구부를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL소자의 제조 방법.
- 제 2 항 내지 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 봉지막 혹은 상기 제 2 봉지막을 마스크를 이용하지 않고 기판의 전체표면에 성막하는 것을 특징으로 하는 유기 EL소자의 제조 방법.
- 제 2 항 내지 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 봉지막 혹은 상기 제 2 봉지막은, 1 혹은 복수층의 유기막 또는 1 혹은 복수층의 무기막 혹은 1 혹은 복수의 무기막과 유기막을 각각 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL소자의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 봉지막 혹은 상기 제 2 봉지막은, 1 혹은 복수층의 유기막 또는 1 혹은 복수층의 무기막 혹은 1 혹은 복수의 무기막과 유기막을 각각 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL소자의 제조 방법.
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8427845B2 (en) | 2009-05-21 | 2013-04-23 | General Electric Company | Electrical connectors for optoelectronic device packaging |
| US20100294526A1 (en) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | General Electric Company | Hermetic electrical package |
| CN112820839B (zh) * | 2021-01-07 | 2022-08-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004342455A (ja) | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Tokki Corp | フラットパネルディスプレイ製造装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3197305B2 (ja) * | 1991-10-08 | 2001-08-13 | ティーディーケイ株式会社 | 電界発光素子の保護 |
| JP2003272834A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | Denso Corp | 表示装置 |
| JP2003323974A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Casio Comput Co Ltd | Ｅｌパネル及びその製造方法 |
| JP4364551B2 (ja) * | 2002-05-15 | 2009-11-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP2004165068A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機電界発光パネルの製造方法 |
| JP2005050773A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Asahi Glass Co Ltd | 有機ｌｅｄ素子 |
| JP3921482B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2007-05-30 | トッキ株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造装置並びに有機ｅｌ素子 |
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