JP2003323974A

JP2003323974A - Ｅｌパネル及びその製造方法

Info

Publication number: JP2003323974A
Application number: JP2002128207A
Authority: JP
Inventors: Minoru Kumagai; 稔熊谷; Koichi Tanaka; 幸一田中
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2002-04-30
Filing date: 2002-04-30
Publication date: 2003-11-14

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の課題は、樹脂封止層といった封止
層の封止性能の低下しないで、有機ＥＬ素子から導き出
された配線に封止層を被膜しないようにすることであ
る。【解決手段】透明基板２上に画素ごとにＴＦＴ２０を
パターニング形成し、ＴＦＴ２０を層間絶縁膜３０で被
覆する。そして、フォトリソグラフィー法により表示部
３を囲繞するように仕切り６を形成し、層間絶縁膜３０
上に複数の有機ＥＬ素子１０をマトリクス状にパターン
形成する。その後、仕切り６に囲繞された領域に樹脂封
止層７を堆積し、樹脂封止層７及び仕切り６全体を被覆
するように被膜８を成膜する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数のＥＬ（Elec
tro Luminescence）素子が基板上にパターニングされて
なるＥＬパネル及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＥＬ素子は、発光材料が有機物からなる
有機ＥＬ素子と無機物からなる無機ＥＬ素子に大別され
るが、一般に有機ＥＬ素子は、透明基板上に透明電極で
あるアノード電極と、有機ＥＬ発光層と、仕事関数の比
較的低いカソード電極とが順次積層されて構成される。
有機ＥＬ発光層は、例えば、光を発する発光層の単一層
であったり、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の三層
構造であったり、正孔輸送層及び発光層の二層構造であ
ったり、更にはこれらの適切な層間に電子或いは正孔の
注入層が介在した積層構造であったりする。

【０００３】複数の有機ＥＬ素子が所定パターンで透明
基板上に形成されることで、有機ＥＬ表示パネルが得ら
れる。例えば、複数の有機ＥＬ素子が格子状に透明基板
上に形成されることで、マトリックス表示型の表示パネ
ルが得られ、各有機ＥＬ素子が画素となる。

【０００４】ところで、有機ＥＬ素子を大気に露出させ
たままにしておくと、大気中の水分、酸素などが、例え
ば、有機ＥＬ発光層とカソード電極の界面から侵入し
て、カソード電極を酸化して電子注入性を劣化してしま
ったりする。この結果、ダークスポットと称する非発光
領域が生じたり、所定の質の発光が維持できなくなった
りする。

【０００５】そのため、例えば、特開２０００−２２３
２６４号公報、特開２００１−４３９７１号公報、特開
２００１−２８４０４１号公報にあるように、有機ＥＬ
素子単体或いは複数の有機ＥＬ素子全体を封止する封止
構造が提案されている。

【０００６】特開２０００−２２３２６４号公報では、
有機ＥＬ素子上を窒化シリコン封止膜で被覆した後、更
に、スピンコート或いはディッピング等の方法を用いて
樹脂封止膜を成膜するという技術が開示されている。

【０００７】特開２００１−４３９７１号公報では、二
層構造のカソード電極の上層が下層の上面及び側面を覆
い、さらにこの上層の上面及び側面を封止膜が覆ってい
ることが開示されている。

【０００８】特開２００１−２８４０４１号公報では、
複数の有機ＥＬ素子を格子状に区分けする隔壁上に順に
形成された無機パッシベーション膜、封止膜及び無機パ
ッシベーション膜が設けられた有機ＥＬ表示パネルにつ
いて開示されている。ここでは、複数の有機ＥＬ素子全
体を窒化シリコン封止膜で被覆した後、更に、スピンコ
ート或いはディッピング等の方法を用いて樹脂封止膜で
窒化シリコン封止膜全体を成膜するという技術が開示さ
れている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、有機ＥＬ素
子に電流を流すために、ディスプレイ本体側に設けられ
た種々の回路と有機ＥＬ素子を結ぶ配線端子部が設けら
れることになるが、有機ＥＬ素子から導き出された配線
端子部は基本的に基板上に形成されている。ここで特開
平２００１−２８４０４１号、特開２０００−２２３２
６４号では、樹脂封止膜と無機膜の積層構造であるが、
樹脂封止膜がスピンコート法、ディップ法又は蒸着法を
用いて有機ＥＬ表示パネルの一面に形成されている。こ
のような配線端子部上に被覆されている封止層を選択的
に除去する工程が必要になる。このとき封止層を選択的
にエッチングして除去すると、エッチングにより露出さ
れた封止膜の側端面では接合力が弱くなって樹脂封止膜
がめくれ上がったり隆起してしまうことから、樹脂封止
膜の側端面が垂直方向に切り立ったり逆テーパになっ
て、その上に成膜される無機膜が樹脂封止膜の側端面部
で十分被覆できずにこの部分から水や酸素が侵入しやす
くなるといった問題があった。一方、特開２００１−４
３９７１号でも封止膜が樹脂で形成され、この樹脂封止
膜のみでＥＬ素子を封止していることから、必然的に樹
脂の周縁側面が外気に露出されることになるが、この周
縁側面における封止膜の界面から水や酸素が侵入しやす
い構造となっていた。

【００１０】そこで、本発明は、樹脂封止層といった封
止層の封止性能の低下しないで、有機ＥＬ素子から導き
出された配線に封止層を被膜しないようにすることを課
題としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、請求項１記載の発明に係るＥＬパネルの製造方法
は、例えば図１〜図６に示すように、基板（例えば、透
明基板２）上において仕切り（例えば、仕切り６）で囲
繞する囲繞領域を形成する囲繞工程と、前記仕切りに囲
繞された領域に、第一電極（例えば、アノード電極１
１）、第二電極（例えば、カソード電極１３）、及び前
記第一電極と前記第二電極の間に介在したＥＬ発光層
（例えば、有機ＥＬ発光層１２）を有するＥＬ素子（例
えば、有機ＥＬ素子１０）を複数形成するＥＬ素子形成
工程と、前記複数のＥＬ素子全体を被覆するように前記
仕切りに囲繞された領域に封止層（例えば、樹脂封止層
７）を堆積する堆積工程と、前記封止層及び前記仕切り
全体を被膜（例えば、被膜８）で被覆する被覆工程と、
を含む。

【００１２】請求項５記載の発明に係るＥＬパネルは、
例えば図１に示すように、基板（例えば、透明基板２）
と、第一電極（例えば、アノード電極１１）、第二電極
（例えば、カソード電極１３）、及び前記第一電極と前
記第二電極の間に介在したＥＬ発光層（例えば、有機Ｅ
Ｌ発光層１２）を有するとともに、前記基板上に形成さ
れてなる複数のＥＬ素子（例えば、有機ＥＬ素子１０）
と、前記複数のＥＬ素子を囲繞するように前記基板上に
形成された仕切り（例えば、仕切り６）と、前記仕切り
に囲繞された領域において前記複数のＥＬ素子全体を被
覆するように堆積した封止層（例えば、樹脂封止層７）
と、前記封止層及び前記仕切り全体を被覆した被膜（例
えば、被膜８）と、を具備する。

【００１３】請求項１又は５記載の発明では、仕切りに
囲繞された領域にＥＬ素子が複数パターニング形成され
て、その領域に封止層を堆積しているため、仕切り外に
は封止層が堆積されていない。そのため、仕切り外にＥ
Ｌ素子からの配線が施されていれば、配線に封止層は堆
積されない。従って、従来のように基板上の配線に形成
された封止層を除去するような処理を行わずとも、ＥＬ
パネルをディプレイ本体に組み込んでディスプレイ本体
側の回路と配線を電気的に接続することができる。ま
た、封止層は仕切りの形状に合わせて堆積するだけで形
成できるために封止層のエッチング処理が不要になるの
で封止層の封止性が低下しない。更に、被膜で封止層及
び仕切り全体被覆するため、封止性が非常に良い。な
お、ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子であっても良いし、有機
ＥＬ素子であっても良い。

【００１４】請求項２記載の発明は、請求項１記載のＥ
Ｌパネルの製造方法において、前記仕切りを前記基板に
向かうにつれてより幅広とすることを特徴とする。請求
項６記載の発明は、請求項５記載のＥＬパネルにおい
て、前記仕切りが前記基板に向かうにつれてより幅広と
なることを特徴とする。請求項２又は６記載の発明で
は、仕切りが基板に向かうにつれて幅広となっているた
め、被膜が破れることなく仕切り全体を完全に被覆する
ことができる。

【００１５】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載のＥＬパネルの製造方法において、前記仕切りの頭頂
部は前記封止層の頭頂部より高いことを特徴とする。請
求項７記載の発明は、請求項５又は６記載のＥＬパネル
において、前記仕切りの頭頂部は前記封止層の頭頂部よ
り高いことを特徴とする。請求項３又は７記載の発明で
は、仕切りの頭頂部は封止層の頭頂部より高いから封止
層が仕切りから流出することがないので、容易に被膜が
封止層及び仕切りを被覆することができ、その封止性が
非常に良い。

【００１６】請求項４記載の発明は、請求項１から３の
何れかに記載のＥＬパネルの製造方法において、前記堆
積工程において、流動性のある樹脂を前記仕切りに囲繞
された領域に堆積して、その樹脂が硬化して前記封止層
となることを特徴とする。

【００１７】請求項４記載の発明では、仕切りによって
複数のＥＬ素子が囲繞されているため、囲繞された領域
に流動性の樹脂を堆積しても仕切りの外に樹脂が流れ
ず、ＥＬ素子が完全に樹脂によって被覆される。その樹
脂が固化することで封止層となり、封止層がＥＬ素子を
完全に被覆しているためＥＬ素子の密封性が良い。

【００１８】請求項８記載の発明は、請求項５から７の
何れかに記載のＥＬパネルにおいて、前記封止層がアク
リル樹脂又はエポキシ樹脂で形成されていることを特徴
とする。

【００１９】請求項９記載の発明は、請求項５から８の
何れかに記載のＥＬパネルにおいて、前記仕切りが感光
性材料で形成されていることを特徴とする。

【００２０】請求項１０記載の発明は、請求項５から９
の何れかに記載のＥＬパネルにおいて、前記被膜が無機
物で形成されていることを特徴とする。

【００２１】請求項１１記載の発明は、例えば図７に示
すように、請求項５から１０の何れかに記載のＥＬパネ
ルにおいて、前記仕切りを囲繞するように前記基板上に
形成された第二仕切り（例えば、第二仕切り６’）と、
前記第二仕切りに囲繞された領域において前記被膜全体
を被覆するように堆積した第二封止層（例えば、第二樹
脂封止層７’）と、前記第二封止層及び前記第二仕切り
全体を被覆した第二被膜（例えば、第二被膜８’）と、
を更に具備する。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下に、図面を用いて本発明の具
体的な態様について説明する。ただし、発明の範囲を図
示例に限定するものではない。

【００２３】図１には、本発明を適用した有機ＥＬ表示
パネル１が示されている。図１に示すように、有機ＥＬ
表示パネル１は、平板状の透明基板２と、透明基板２の
表面上に設けられているとともに画像表示を行う表示部
３と、表示部３を封止するパッケージ５と、表示部３か
らパッケージ５外へ配線された配線部４と、を具備し、
透明基板２の裏面が発光表示面となる所謂ボトムエミッ
ション型の表示パネルである。なお、本実施の形態にお
いて、『平面視して』とは、『透明基板２面に対して略
垂直な方向から見て』という意味である。

【００２４】透明基板２は、可視光に対して透光性を有
するとともに絶縁性を有し、ホウケイ酸ガラス、石英ガ
ラス、その他のガラスといった材料で形成されている。

【００２５】次に、表示部３を主に拡大して示した図面
（図２）を用いて表示部３について説明する。表示部３
は、一つの有機ＥＬ素子１０及び一又は複数の薄膜トラ
ンジスタ（以下、ＴＦＴと述べる。）２０が画素ごとに
備わった構成となっており、アクティブマトリクス駆動
方式で画像表示を行うものである。

【００２６】つまり、複数の有機ＥＬ素子１０がマトリ
クス状に配列されて、有機ＥＬ素子１０が自己発光する
ことで画像表示が為される。ＴＦＴ２０が有機ＥＬ素子
１０に対してのスイッチングとして機能し、ＴＦＴ２０
は、有機ＥＬ素子１０に流れる電流をオン・オフした
り、有機ＥＬ素子１０の発光期間中に電流値を保持した
りすることで有機ＥＬ素子１０の発光輝度を制御する。
更に、表示部３はその外周部分にドライバ回路が備わっ
た構成となっており、ドライバ回路が複数のＴＦＴ２０
をアクティブマトリクス駆動方式で制御することによっ
て各有機ＥＬ素子１０に流れる電流値が決まり、各有機
ＥＬ素子１０の階調輝度が決まる。これにより、表示部
３にて画像が表示される。

【００２７】この表示部３において、各有機ＥＬ素子１
０の一方の電極（例えばアノード電極１１）に接続され
るＴＦＴ２０は、それぞれ単数でも複数でもよく、各Ｔ
ＦＴ２０は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、
半導体層、不純物半導体層、ゲート絶縁膜等から構成さ
れており、ＭＯＳ型の電界効果トランジスタであり、ま
たアモルファスシリコントランジスタであっても、ポリ
シリコントランジスタであってもその両者であってもよ
く、逆スタガ構造でもコプラナ構造でもそれ以外の構造
でもよい。更に、透明基板２上に複数の信号線、走査線
等の配線（図示略）が縦横に形成されており、配線にＴ
ＦＴ２０が接続されており、ドライバ回路から各ＴＦＴ
２０に電流が流れたり、電圧が印加されたりする。な
お、ドライバ回路に配線部４が接続されており、配線部
４を介して外部からの信号がドライバ回路へ入力される
ようになっている。なお、符号３１は、ゲート電極と、
半導体層やソース電極、ドレイン電極とゲート電極との
間に介在するゲート絶縁膜であり、ゲート絶縁膜３１は
信号線、走査線等の配線も被覆する。このゲート絶縁膜
３１は可視光に対して透光性を有し、電気的に絶縁性を
有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコン等により構
成されている。

【００２８】これらＴＦＴ２０、配線や場合によっては
ＴＦＴ２０を駆動するドライバ回路の少なくとも一部を
被覆するように層間絶縁膜３０が成膜されている。層間
絶縁膜３０は、可視光に対して透光性を有するとともに
電気的に絶縁性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シ
リコン等により構成されている。

【００２９】層間絶縁膜３０上に複数の有機ＥＬ素子１
０がマトリクス状に配列されている。各有機ＥＬ素子１
０は、アノード電極１１と、有機ＥＬ発光層１２と、カ
ソード電極１３とを具備しており、層間絶縁膜３０側か
ら順にアノード電極１１、有機ＥＬ発光層１２、カソー
ド電極１３が積層した積層構造となっている。ここで
は、カソード電極１３は、全ての有機ＥＬ素子１０に共
通した電極となっており、即ち、全ての画素に共通した
共通電極である。

【００３０】一方、アノード電極１１及び有機ＥＬ発光
層１２は、画素ごとに設けられている。つまり、平面視
して略矩形状のアノード電極１１が、複数マトリクス状
に配列されるように層間絶縁膜３０上に形成されてい
る。

【００３１】アノード電極１１は、導電性を有するとと
もに可視光に対して透光性を有している。更に、アノー
ド電極１１は、有機ＥＬ発光層１２へ正孔を効率よく注
入するものが好ましい。アノード電極１１としては、イ
ンジウム・スズ・酸化物（ＩＴＯ:Indium-Tin-Oxide）
が望ましいが、例えば、亜鉛ドープ酸化インジウム（Ｉ
ＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ2）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分としたものでも
良い。なお、画素ごとに層間絶縁膜３０にコンタクトホ
ールが設けられており、コンタクトホールを介してアノ
ード電極１１とＴＦＴ２０が電気的に接続されている。

【００３２】マトリクス状に配列された複数のアノード
電極１１をそれぞれ区切るように、層間絶縁膜４０及び
隔壁５０が平面視して網目状に設けられている。層間絶
縁膜４０は、可視光に対して透光性を有するとともに絶
縁性を有し、窒化シリコン又は酸化シリコン等により構
成されている。従って、それぞれのアノード電極１１
は、層間絶縁膜４０によって互いに絶縁されている。

【００３３】隔壁５０は層間絶縁膜４０上に形成されて
いる。隔壁５０の断面形状が実質的に台形状となってお
り、隔壁５０の幅は層間絶縁膜４０側に向かうにつれて
より幅広となっている。従って、隔壁５０の側面は、底
面に対して傾斜し、これによりその上部に形成されるカ
ソード電極１３が断線しないで連続して成膜することが
可能となる。隔壁５０は、ポジ型の感光性樹脂で形成さ
れており、例えばポリイミド樹脂で形成されている。

【００３４】有機ＥＬ発光層１２は、アノード電極１１
上に形成されており、隔壁５０及び層間絶縁膜４０に囲
まれる領域に形成されている。有機ＥＬ発光層１２は、
例えば、アノード電極１１から順に正孔輸送層、発光
層、電子輸送層となる三層構造であっても良いし、アノ
ード電極１１から順に正孔輸送層、発光層となる二層構
造であっても良いし、発光層からなる一層構造であって
も良いし、これらの層構造において適切な層間に電子或
いは正孔の注入層が介在した積層構造であっても良い
し、その他の層構造であっても良い。

【００３５】つまり、有機ＥＬ発光層１２は、正孔及び
電子を注入する機能、正孔及び電子を輸送する機能、正
孔と電子の再結合により励起子を生成して発光する機能
を有する。有機ＥＬ発光層１２は、電子的に中立な有機
化合物であることが望ましく、これにより正孔と電子が
有機ＥＬ発光層１２でバランス良く注入及び輸送され
る。なお、電子輸送性の物質が発光層に適宜混合されて
いても良いし、正孔輸送性の物質が発光層に適宜混合さ
れても良いし、電子輸送性の物質及び正孔輸送性の物質
が発光層に適宜混合されていても良い。

【００３６】有機ＥＬ発光層１２上にカソード電極１３
が形成されている。カソード電極１３の材料としては、
仕事関数の低い材料であり、具体的なものとして、金、
銀、銅、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチ
ウム若しくはバリウム又はこれらの少なくとも１種を含
む合金若しくは混合物等が挙げられる。また、カソード
電極１３は、以上の各種材料の層が積層された積層構造
となっていても良く、具体的には、低仕事関数の高純度
のバリウム層、高純度アルミニウム層が有機ＥＬ発光層
１２から順に形成された積層構造、リチウムにアルミニ
ウムを共蒸着させたリチウム／アルミニウム層、等が挙
げられる。また、カソード電極１３は可視光に対して遮
光性を有し、かつ、有機ＥＬ発光層１２から発する光に
対して高い反射性を有するのが望ましい。カソード電極
１３は、全ての有機ＥＬ素子１０に共通する共通電極で
あるため、隔壁５０上にも形成されている。

【００３７】以上のように積層構造となる有機ＥＬ素子
１０では、アノード電極１１とカソード電極１３との間
に電界（電圧）が生じると有機ＥＬ発光層１２内に電流
が流れるが、このとき正孔がアノード電極１１から有機
ＥＬ発光層１２へ注入され、電子がカソード電極１３か
ら有機ＥＬ発光層１２に注入される。そして、有機ＥＬ
発光層１２の発光層へ正孔及び電子が輸送されて、発光
層にて正孔及び電子が再結合することによって励起子が
生成され、励起子が有機ＥＬ発光層１２内の蛍光体を励
起して発光する。アノード電極１１、層間絶縁膜３０及
び透明基板２が透明であるため、光はアノード電極１
１、層間絶縁膜３０及び透明基板２を透過し、透明基板
２の裏面が発光表示面となり、カソード電極１３が反射
性を有しているため表示輝度も高くなる。

【００３８】以上のように、表示部３は、マトリクス状
に配列された複数の有機ＥＬ素子１０、画素ごとに設け
られたＴＦＴ２０、画素を区切るための隔壁５０、外周
部分に設けられたドライバ回路、透明基板２上に形成さ
れた信号線、走査線等の配線等から構成される。この表
示部３に酸素、水分等が曝されないように、図１に示す
ように表示部３全体を封止するパッケージ５が透明基板
２の表面側に設けられている。

【００３９】このパッケージ５について説明する。パッ
ケージ５は、仕切り６と、樹脂封止層７と、被膜８とを
具備する。

【００４０】仕切り６は、平面視して、表示部３の周囲
に形成されており、表示部３を囲繞するように形成され
ている。仕切り６は、透明基板２或いは配線部４上に直
接形成されており、表示部３から離れている。仕切り６
の断面形状は実質的に台形状（側面がテーパ状）となっ
ており、仕切り６の幅は透明基板２側に向かうにつれて
より幅広となっている。仕切り６は、ポジ型の感光性樹
脂で形成されており、例えばポリイミド樹脂で形成され
ている。仕切り６の厚さは、表示部３の隔壁５０及び有
機ＥＬ素子１０の厚さより厚くなっており、従って、仕
切り６の上面（頭頂部）はカソード電極１３と比較して
透明基板２の表面からより遠い位置にある。つまり、仕
切り６の上面は、隔壁５０上のカソード電極１３よりも
高い位置にある。

【００４１】仕切り６によって囲繞された領域に樹脂封
止層７が堆積されており、樹脂封止層７は表示部３全体
を被覆するように形成されている。つまり、樹脂封止層
７は、複数の有機ＥＬ素子１０全体を被覆するように形
成されている。更に、樹脂封止層７は、表示部３（つま
り、カソード電極１３）を覆っており、仕切り６の内側
面に接している。樹脂封止層７の上下方向の厚さが仕切
り６の上下方向の厚さより薄くなっており、従って樹脂
封止層７の上面（頭頂部）は仕切り６の上面（頭頂部）
より高くなっている。樹脂封止層７は、絶縁性を有し、
例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等からなり、これら
の樹脂にシリカ充填材等を加えたものでも良い。

【００４２】被膜８は、仕切り６及び樹脂封止層７全体
を被覆するように形成されている。更に、被膜８は、仕
切り６よりはみ出ており、透明基板２或いは配線部４上
に形成されている。被膜８は、無機物からなり、例え
ば、パッシベーション（ＳｉＯ、ＳｉＮ等）、金属、金
属間化合物、金属酸化物などからなる。なお、被膜８が
金属或いは金属間化合物等のように導電性を有する場合
には、被膜８と配線部４の間に絶縁膜が介在している。

【００４３】以上のように構成される有機ＥＬ表示パネ
ル１の製造方法について説明する。熱酸化法或いはＣＶ
Ｄ法等といった成膜工程、フォトリソグラフィー法等の
いったマスク工程、エッチング法といった薄膜の形状加
工工程を適宜行うことによって、画素ごとにＴＦＴ２０
を透明基板２上にパターニング形成するとともに、信号
線及び走査線等の配線を透明基板２上にパターニング形
成し、更にドライバ回路及び配線部４を透明基板２上に
パターニング形成する。そして、図３に示すように、透
明基板２上に形成された複数のＴＦＴ２０、信号線並び
に走査線等の配線、場合によってはＴＦＴ２０を駆動す
るドライバ回路の少なくとも一部を被覆するように層間
絶縁膜３０を成膜する。

【００４４】次に、フォトリソグラフィー法によって仕
切り６を形成する。つまり、ポジ型の感光性樹脂（感光
性ポリイミド）を透明基板２のほぼ全面に塗布すること
でレジスト膜を形成し、その後、仕切り６となる部分以
外（即ち、仕切り６によって囲繞されるべき領域及び仕
切り６の外周辺部）を露光した後に、現像液をレジスト
膜に塗布することでレジスト膜の露光した部分を除去す
る。これにより、レジスト膜を形状加工し、レジスト膜
の残った部分が仕切り６となる（図４）。なお、レジス
ト膜がポジ型の感光性樹脂であるため、レジスト膜に露
光した場合にレジスト膜の表面側には照射エネルギーが
大きく逆に透明基板２側に向かうにつれて照射エネルギ
ーが小さくなるから、透明基板２側に向かうにつれて現
像液に対する溶解性が小さくなる。従って、仕切り６の
幅は透明基板２側に向かうにつれて幅広となり、仕切り
６の断面形状は略台形状となり、仕切り６に急峻な段差
を設けないことで被膜８が仕切り６上を連続して被膜す
ることができる。

【００４５】次に、ＴＦＴ２０のソース、ドレイン電極
の一方に対応する層間絶縁膜３０にフォトリソグラフィ
ー法によってコンタクトホールを形成後、熱酸化法或い
はＣＶＤ法等といった成膜工程、フォトリソグラフィー
法等といったマスク工程、エッチング法等といった薄膜
の形状加工工程を適宜行うことによって、層間絶縁膜３
０上に複数のアノード電極１１をマトリクス状にパター
ニング形成してＴＦＴ２０に接続して、更にアノード電
極１１の間を埋めるように層間絶縁膜４０をパターニン
グ形成する。この層間絶縁膜４０は、その上に形成され
る隔壁５０の頭頂部がアノード電極１１の段差によりく
ぼむことでさらにその上に形成されるカソード電極１３
が断線しないように隔壁５０の土台を平坦化させる構造
になっている。

【００４６】次に、フォトリソグラフィー法によって隔
壁５０を形成する。つまり、層間絶縁膜３０上にレジス
ト膜（感光性ポリイミド膜）を形成し、隔壁５０となる
部分以外のレジスト膜を露光し、現像液でレジスト膜の
露光した部分を除去する。これにより、レジスト膜を形
状加工し、レジスト膜の残った部分が隔壁５０となる。

【００４７】次に、アノード電極１１上に有機ＥＬ発光
層１２を成膜する。ここで、有機ＥＬ発光層１２として
高分子系材料を用いる場合には、発光材料を含有する高
分子系材料を溶媒で溶かし、隔壁５０によって囲繞され
た領域にこの溶液を液滴噴出装置で液滴として一回又は
複数回噴出する。そして、隔壁５０によって囲繞された
領域において、液滴がアノード電極１１上で広がって膜
になり、そして固化することによって、有機ＥＬ発光層
１２が形成される。このような処理を、隔壁５０によっ
て囲繞された領域全てについて行うことで、複数の有機
ＥＬ発光層１２がマトリクス状に配列される。なお、有
機ＥＬ発光層１２が積層構造の場合には、各層の溶液を
層の順番に順次噴出していく。

【００４８】次に、有機ＥＬ発光層１２及び隔壁５０上
にカソード電極１３を形成するが、カソード電極１３を
一面に形成することで、カソード電極１３は全ての有機
ＥＬ素子１０共通の電極となる。以上のように、マトリ
クス状に配列された複数の有機ＥＬ素子１０を形成し、
表示部３を形成する（図５）。

【００４９】次に、流動性のある樹脂をディスペンサ装
置又はスプレー装置等によって仕切り６に囲繞された領
域に塗布することで、仕切り６に囲繞された領域に流動
性樹脂を堆積する。ここで、流動性樹脂の量は、仕切り
６から溢れ出ない程度であり、表示部３全体を被覆する
とともに仕切り６の内側面に接する程度である。仕切り
６の断面形状が底面の幅広となる台形状であるため、流
動性樹脂が仕切り６の内側面の下部にまで十分に流れ込
み、流動性樹脂が仕切り６に囲繞された領域に十分に充
填されて、密封性が非常に良い。仕切り６に囲繞された
流動性樹脂が固化することで、流動性樹脂が樹脂封止層
７となる（図６）。

【００５０】次に、ＰＶＤ法（例えば、スパッタリング
法）或いはＣＶＤ法（例えば、プラズマＣＶＤ法）によ
って、樹脂封止層７及び仕切り６上に窒化シリコン又は
酸化シリコン等の無機材料からなる被膜８を成膜して、
被膜８で樹脂封止層７及び仕切り６全体を被覆する。こ
こで、仕切り６から被膜８が多少はみ出るように形成す
る。仕切り６の断面形状が底面の幅広となる台形状であ
るため、被膜８で仕切り６を完全に被覆することができ
る。

【００５１】以上のように本実施の形態によれば、仕切
り６により囲繞された領域に樹脂封止層７を形成してい
るため、仕切り６外には樹脂が堆積されていない。その
ため、従来のように配線部４上の樹脂を除去するような
処理を行わずとも、有機ＥＬ表示パネル１をディプレイ
本体に組み込んでディスプレイ本体側の回路と配線部４
を電気的に接続することができる。樹脂封止層７の一部
分も除去していないため、樹脂封止層７の封止性が低下
しない。また、被膜８が樹脂封止層７及び仕切り６全体
を完全に被覆し且つ後処理としてエッチングを施してい
ないため、側端面でめくれ上がることがなく、その封止
性が非常に良い。従って、有機ＥＬ素子１０が水分、酸
素などに曝されず、有機ＥＬ素子１０にダークスポット
の発生を抑制することができる。

【００５２】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲におい
て、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。例え
ば、被膜８全体を被覆するように金属膜を更に成膜して
も良いが、金属膜と配線部４を絶縁するのが望ましい。
金属膜を成膜することで、静電気等の電気的な外乱から
有機ＥＬ素子６或いはＴＦＴ２０を保護することがで
き、また表示部３から発光した光のうち透明基板２の界
面で反射した光が金属膜で反射して再び透明基板２に照
射することで透明基板２から出射する場合があり、表示
部３の光の利用効率を向上することができる。

【００５３】また、有機ＥＬ素子１０の有機ＥＬ発光層
１２は液滴噴出法により形成したが、有機ＥＬ発光層１
２として低分子系材料を用いる場合には蒸着によって形
成しても良い。有機ＥＬ発光層１２を蒸着によって形成
する場合には、マスク処理及びエッチング処理によって
複数の有機ＥＬ発光層１２をパターニング形成する。こ
の場合、隔壁５０は設けなくても良い。

【００５４】また、仕切り６、樹脂封止層７及び被膜８
を二重以上にして、封止性を更に向上させても良い。例
えば、図７にその例の有機ＥＬ表示パネル１００が示さ
れている。なお、有機ＥＬ表示パネル１００について、
有機ＥＬ表示パネル１と同様の構成要素に同様の符号を
付す。図７に示すように、仕切り６を囲繞するようにし
て第二仕切り６’が透明基板２又は配線部４上に形成さ
れている。第二仕切り６’の断面形状は底面が幅広とな
る台形状である。また、第二仕切り６’の厚さは仕切り
６の厚さより厚く、第二仕切り６’の上面は、仕切り６
の上面と比較して透明基板２の表面からより遠い位置
（高い位置）にある。第二仕切り６’の材質は仕切り６
と同様であるが異なる材質でもよい。

【００５５】第二仕切り６’に囲繞された領域に第二樹
脂封止層７’が堆積されており、第二樹脂封止層７’は
被膜８全体を被覆するように形成されているとともに、
第二仕切り６’の内側面に接している。第二樹脂封止層
７’の材質は樹脂封止層７と同様であるが異なる材質で
もよく、第二樹脂封止層７’及び樹脂封止層７の少なく
とも一方に酸素や水を吸着する材料を含んでもよい。

【００５６】第二被膜８’は、第二仕切り６’及び第二
樹脂封止層７’全体を被覆するように形成されている。
第二被膜８’は、第二仕切り６’よりはみ出ており、配
線部４の端子部が露出するように透明基板２或いは配線
部４上に形成されている。

【００５７】有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法は、
層間絶縁膜３０を成膜する工程までは有機ＥＬ表示パネ
ル１の製造方法と同じである。層間絶縁膜３０を成膜し
た後に、仕切り６を形成するとともに第二仕切り６’を
形成する。第二仕切り６’を形成する方法は、仕切り６
を形成する方法と同じであり、フォトリソグラフィー法
を用いる。このとき、仕切り６及び第二仕切り６’を同
一の材料を用いて成膜して同一の高さの仕切り６及び第
二仕切り６’を形成後に、仕切り６以外を覆うマスクに
より仕切り６の頭頂部をエッチングして第二仕切り６’
の頭頂部より低くしてもよく、仕切り６及び第二仕切り
６’の何れか一方を成膜、パターニング形成後に他方を
成膜、パターニング形成してもよい。

【００５８】仕切り６及び第二仕切り６’を形成した後
に、マトリクス状に配列された複数の有機ＥＬ素子１
０、網目状に層間絶縁膜４０及び隔壁５０を層間絶縁膜
４０上にパターニング成形する。有機ＥＬ素子１０、層
間絶縁膜４０及び隔壁５０の形成方法は、有機ＥＬ表示
パネル１の場合と同様である。その後、有機ＥＬ表示パ
ネル１の場合と同様に、樹脂封止層７及び被膜８を形成
する。

【００５９】そして、第二仕切り６’に囲繞された領域
に第二樹脂封止層７’を形成するが、その形成方法は樹
脂封止層７と同様である。その後、第二被膜８’を形成
するが、その形成方法は被膜８と同様である。なお上記
各実施形態では、隔壁５０下に層間絶縁膜４０を設けた
が、隔壁５０が十分頭頂部が平坦に形成できるのであれ
ば、層間絶縁膜４０なしにアノード電極１１間に隔壁５
０を設けてもよい。また、有機ＥＬ素子１０の代わりに
無機ＥＬ素子としても良い。無機ＥＬ素子の場合、層間
絶縁膜３０から順に透明電極（第一電極）、透明絶縁
膜、無機発光層（ＥＬ発光層）、絶縁膜、対向電極（第
二電極）となる層構造となるが、このような層構造に限
定する必要はない。

【００６０】

【発明の効果】本発明によれば、仕切りに囲繞された領
域に封止層を堆積しているため、仕切り外には封止層が
堆積されていない。そのため、有機ＥＬ素子から仕切り
外に配線されていれば配線に封止層は堆積されないか
ら、従来のように基板上の配線に形成された封止層を除
去するような処理を行わずとも、有機ＥＬパネルをディ
プレイ本体に組み込んでディスプレイ本体側の回路と配
線を電気的に接続することができる。また、封止層の一
部分も除去していないため、封止層の封止性が低下しな
い。更に、被膜で封止層及び仕切り全体被覆するため、
封止性が非常に良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用された有機ＥＬ表示パネルを示し
た断面図である。

【図２】図１の有機ＥＬ表示パネルの一部を拡大して示
した図面である。

【図３】図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程
を示した図面である。

【図４】図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程
を示した図面である。

【図５】図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程
を示した図面である。

【図６】図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程
を示した図面である。

【図７】別の例の有機ＥＬ表示パネルを示した断面図で
ある。

【符号の説明】

１、１００有機ＥＬ表示パネル（有機ＥＬパネル）２透明基板（基板）３表示部４配線部５パッケージ６仕切り６’ 第二仕切り７樹脂封止層７’ 第二樹脂封止層８被膜８’ 第二被膜１０有機ＥＬ素子１１アノード電極（第一電極）１２有機ＥＬ発光層１３カソード電極（第二電極）２０ＴＦＴ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上において仕切りで囲繞する囲繞領域
を形成する囲繞工程と、前記仕切りに囲繞された領域に、第一電極、第二電極、
及び前記第一電極と前記第二電極の間に介在したＥＬ発
光層を有するＥＬ素子を複数形成するＥＬ素子形成工程
と、前記複数のＥＬ素子全体を被覆するように前記仕切りに
囲繞された領域に封止層を堆積する堆積工程と、前記封止層及び前記仕切り全体を被膜で被覆する被覆工
程と、を含むＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】前記仕切りを前記基板に向かうにつれてよ
り幅広とすることを特徴とする請求項１記載のＥＬパネ
ルの製造方法。
【請求項３】前記仕切りの頭頂部は前記封止層の頭頂部
より高いことを特徴とする請求項１又は２記載のＥＬパ
ネルの製造方法。
【請求項４】前記堆積工程において、流動性のある樹脂
を前記仕切りに囲繞された領域に堆積して、その樹脂が
硬化して前記封止層となることを特徴とする請求項１か
ら３の何れかに記載のＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】基板と、第一電極、第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極
の間に介在したＥＬ発光層を有するとともに、前記基板
上に形成されてなるＥＬ素子と、前記複数のＥＬ素子を囲繞するように前記基板上に形成
された仕切りと、前記仕切りに囲繞された領域において前記複数のＥＬ素
子全体を被覆するように堆積した封止層と、前記封止層及び前記仕切り全体を被覆した被膜と、を具
備するＥＬパネル。
【請求項６】前記仕切りが前記基板に向かうにつれてよ
り幅広となることを特徴とする請求項５記載のＥＬパネ
ル。
【請求項７】前記仕切りの頭頂部は前記封止層の頭頂部
より高いことを特徴とする請求項５又は６記載のＥＬパ
ネル。
【請求項８】前記封止層がアクリル樹脂又はエポキシ樹
脂で形成されていることを特徴とする請求項５から７の
何れかに記載のＥＬパネル。
【請求項９】前記仕切りが感光性材料で形成されている
ことを特徴とする請求項５から８の何れかに記載のＥＬ
パネル。
【請求項１０】前記被膜が無機物で形成されていること
を特徴とする請求項５から９の何れかに記載のＥＬパネ
ル。
【請求項１１】前記仕切りを囲繞するように前記基板上
に形成された第二仕切りと、前記第二仕切りに囲繞された領域において前記被膜全体
を被覆するように堆積した第二封止層と、前記第二封止層及び前記第二仕切り全体を被覆した第二
被膜と、を更に具備する請求項５から１０の何れかに記
載のＥＬパネル。