CN112753279A - 显示装置及显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的显示装置具有：基底基板；发光元件，其构成显示区域，显示区域隔着TFT层设置在基底基板上；密封膜，以覆盖发光元件的方式设置，依次叠层有第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜；边框区域，包围显示区域；切口部，以将显示区域的一部分切口的方式设置于边框区域；切口周壁，沿着显示区域的边界设置在显示区域和切口部之间的边框区域；蒸镀膜，设置在切口周壁和第一无机绝缘膜之间；以及有机缓冲层，设置在切口周壁的表面，被第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜夹着，由此，在显示装置中，即使在显示区域内设置切口部，也能够确保密封膜的密封性能。

Description

显示装置及显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置及显示装置的制造方法。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机EL(electroluminescence，电致发光)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。在此，在有机EL显示装置中，为了抑制由于水分、氧等的混入而引起的有机EL元件的劣化，提出了由无机层和有机层的层叠膜来构成覆盖有机EL元件的密封膜的密封结构。例如，在专利文献1中公开了一种包括覆盖有机发光元件的薄膜密封层的显示装置，该薄膜密封层具有交替配置无机膜层和有机膜层的层叠结构，该无机膜层利用CVD(chemical vapor deposition，化学气相沉积)法等形成，该有机膜层利用喷墨法等形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2014-86415号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
但是，在有机EL显示装置中，为了在进行图像显示的显示区域的内部配置例如照相机、指纹传感器等，希望设置切口部。但是，在有机EL显示装置中，如果在显示区域内设置切口部，则密封膜的密封性能有可能降低。
本发明的目的在于，提供一种在显示装置中，即使在显示区域内设置切口部，也能够确保密封膜的密封性能的技术。
用于解决技术问题的技术方案
为了达成上述目的，本发明的显示装置包括：基底基板；发光元件，其构成显示区域，所述显示区域隔着TFT层设置在所述基底基板上；密封膜，其以覆盖所述发光元件的方式设置，依次层叠有第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜；边框区域，其包围所述显示区域；切口部，其以切开所述显示区域的一部分的方式设置于所述边框区域；切口周壁，其沿所述显示区域的边界设置在所述显示区域与所述切口部之间的所述边框区域；蒸镀膜，其设置在所述切口周壁与所述第一无机绝缘膜之间；以及有机缓冲层，其设置在所述切口周壁的表面，且夹在所述第一无机绝缘膜和所述第二无机绝缘膜之间。
有益效果
根据本发明，在显示装置中，即使在显示区域内设置切口部，也能够确保密封膜的密封性能。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图2是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的显示区域的俯视图
图3是表示构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。
图4是沿着图1中的IV-IV线的有机EL显示装置的剖视图。
图5是表示构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL层的剖视图。
图6是表示本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的制造方法的密封膜形成工序的剖视图。
图7是表示本发明第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图8是将图7中的区域Y放大后的俯视图。
图9是沿着图7中的IV-IV线的有机EL显示装置的剖视图。
图10是表示本发明的第三实施方式所涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图11是表示本发明的变形例所涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图12是表示本发明其它的变形例所涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。并且，本发明并不限定于下面的各实施方式。
＜第一实施方式＞
图1至图6表示了本发明所涉及的显示装置及其制造方法的第一实施方式。此外，作为包括发光元件的显示装置，在以下各实施方式中，示例了包括有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是表示本实施方式所涉及的有机EL显示装置50a的概略构成的俯视图。此外，图2是有机EL显示装置50a的显示区域D的俯视图。此外，图3是表示构成有机EL显示装置50a的TFT层20的等效电路图。此外，图4是沿着图1中的IV-IV线的有机EL显示装置50a的剖视图。此外，图5是构成有机EL显示装置50a的有机EL层23的剖视图。
如图1所示，有机EL显示装置50a具有被规定为矩形状并进行图像显示的显示区域D，以及被规定在显示区域D的周围的边框区域F。边框区域F是有机EL显示装置50a中的除显示区域D以外的区域。
如图2所示，在显示区域D中设置有后述的有机EL元件25，并且多个子像素P配置成矩阵状。在此，如图2所示，在显示区域D中，将具有用于进行红色的灰度显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用于进行绿色的灰度显示的绿色发光区域Lg的子像素P及具有用于进行蓝色的灰度显示的蓝色发光区域Lb的子像素P设置为彼此相邻。此外，在显示区域D中，由具有红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg及蓝色发光区域Lb的相邻的三个子像素P构成一个像素。此外，如图1所示，设置有切口部K。
如图1及图4所示，在切口部K配置例如照相机、指纹传感器等。另外，如图1及图4所示，在切口部K设置有切口周壁Wa，该切口周壁Wa以在树脂基板层10的厚度方向上突出，并且沿着与显示区域D的边界的方式设置。在此，切口周壁Wa例如通过层叠由与后述的平坦化膜19相同的材料形成在同一层上的下部层和由与后述的边缘盖22相同的材料形成在同一层上的上部层而构成。
另外，切口周壁Wa在其横截面中的底面与侧面所成的角度θ为70°～150°左右，如图4所示，其横截面的两侧面(优选为附图等)形成为倒锥状。由此，如后所述，更容易使作为蒸镀膜的第二电极24进一步断开。
进一步地，从切口部K的侧壁到显示区域D的边缘的距离S为20μm～100μm左右。
如图1所示，端子区域T设置在图中的边框区域F的下端部。此外，在边框区域F中，在显示区域D和端子区域T之间，沿着显示区域D的一个边(图中的下边)设置有弯折部B，该弯折部B可以以图中的横方向作为弯折轴弯折成180°(呈U字状)。此外，在本实施方式中示例了设置有弯折部B的有机EL显示装置50a，但是弯折部B也可以省略。
如图4所示，有机EL显示装置50a包括：被设置为具有可挠性的基底基板的树脂基板层10、作为发光元件而隔着TFT(thin film transistor，薄膜晶体管)层20设置在树脂基板层10上的有机EL元件25以及以覆盖有机EL元件25的方式设置的密封膜29。
树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。
如图4所示，TFT层20包括：设置在树脂基板层10上的底涂膜11；设置在底涂膜11上的多个第一TFT 9a、多个第二TFT 9b和多个电容器9c；以及设置在各第一TFT 9a、各第二TFT 9b和各电容器9c上的平坦化膜19。在此，如图2以及图3所示，在TFT层20中，以在附图中的横方向上彼此平行地延伸的方式设置有多条栅极线14。此外，如图2以及图3所示，在TFT层20中，以在附图中的纵方向上彼此平行地延伸的方式设置有多条源极线18f。此外，如图2以及图3所示，在TFT层20中，与各源极线18f相邻地设置有多条电源线18g，并使多条电源线18g在附图中的纵方向上彼此平行地延伸。此外，如图3所示，在TFT层20中，在每个子像素P中分别设置有第一TFT 9a、第二TFT 9b和电容器9c。另外，图3的像素电路是例示，不限于此。
底涂膜11例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图3所示，在每个子像素P中，第一TFT 9a与对应的栅极线14及源极线18f连接。在此，如图4所示，第一TFT 9a包括：以岛状设置在底涂膜11上的半导体层12a；以覆盖半导体层12a的方式设置的栅极绝缘膜13；以与半导体层12a的一部分重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上的栅极电极14a；依次覆盖栅极电极14a而设置的第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17；以及设置在第二层间绝缘膜17上并且彼此隔开设置的源极电极18a和漏极电极18b。此外，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17，例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图3所示，在每个子像素P中，第二TFT 9b与对应的第一TFT 9a及电源线18g连接。在此，如图4所示，第二TFT 9b包括：以岛状设置在底涂膜11上的半导体层12b；以覆盖半导体层12b的方式设置的栅极绝缘膜13；以与半导体层12b的一部分重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上的栅极电极14b；依次覆盖栅极电极14b而设置的第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17；以及设置在第二层间绝缘膜17上并且彼此隔开设置的源极电极18c和漏极电极18d。
此外，在本实施方式中，示例了顶栅型的第一TFT 9a及第二TFT 9b，但第一TFT 9a及第二TFT 9b也可以为底栅型的TFT。
如图3所示，在每个子像素P中，电容器9c与对应的第一TFT9a及电源线18g连接。在此，如图4所示，电容器9c包括：由与栅极电极相同的材料形成在同一层中的下部导电层14c；以覆盖下部导电层14c的方式设置的第一层间绝缘膜15；以及以与下部导电层14c重叠的方式设置在第一层间绝缘膜15上的上部导电层16。另外，如图4所示，上部导电层16经由形成于第二层间绝缘膜17的接触孔，与电源线18g连接。
平坦化膜19例如由聚酰亚胺树脂等的无色透明的有机树脂材料构成。
如图4所示，有机EL元件25包括依次设置在平坦化膜19上的多个第一电极21、边罩部22、多个有机EL层23和第二电极24。
如图4所示，多个第一电极21以与多个子像素P对应的方式呈矩阵状地在平坦化膜19上作为反射电极(阳极)而设置。在此，如图4所示，第一电极21经由形成于平坦化膜19的接触孔，与第二TFT 9b的漏极电极18d连接。另外，第一电极21具有向有机EL层23注入空穴(Hole)的功能。另外，为了提高对有机EL层23的空穴注入效率，第一电极21更优选由功函数大的材料形成。在此，作为构成第一电极21的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等金属材料。另外，构成第一电极21的材料例如也可以为镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、或氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金。此外，构成第一电极21的材料例如也可以为氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。另外，第一电极21例如也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数大的材料，例如可举出铟锡氧化物(ITO)及铟锌氧化物(IZO)等。
如图4所示，边缘罩22以覆盖各第一电极21的周缘部的方式设置成格子状。在此，作为构成边缘罩22的材料，例如可举出聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等有机膜。
如图4所示，多个有机EL层23配置在每个第一电极21上，并且以与多个子像素对应的方式设置成矩阵状。在此，如图5所示，各有机EL层23包括依次设置在第一电极21上的空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4及电子注入层5。另外，空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4和电子注入层5，例如是通过真空蒸镀法形成的蒸镀膜。
空穴注入层1还被称为阳极缓冲层，其使第一电极21和有机EL层23的能级接近，且具有改善从第一电极21对有机EL层23的空穴注入效率的功能。在此，作为构成空穴注入层1的材料，例如可举出三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物等。
空穴传输层2具有提高空穴从第一电极21向有机EL层23的传输效率的功能。在此，作为构成空穴传输层2的材料，例如可举出卟啉衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚-P-苯乙炔、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、胺取代的查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
发光层3是在对第一电极21及第二电极24施加电压时，从第一电极21及第二电极24分别注入空穴及电子，并且空穴和电子再结合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成发光层3的材料，例如可举出金属轻基哇琳酬化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙胺衍生物、双苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、茈衍生物、紫环酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯乙炔、聚硅烷等。
电子传输层4具有使电子高效率地迁移至发光层3的功能。在此，作为构成电子传输层4的材料，例如可举出噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、二苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属轻基哇琳酬化合物等作为有机化合物。
电子注入层5接近第二电极24和有机EL层23的能级，具有提高从第二电极24向有机EL层23注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低有机EL元件25的驱动电压。此外，电子注入层5还被称为阴极缓冲层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可举出氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)那样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图1以及图4所示，第二电极24(图1中的点部分)作为共用电极(阴极)而以覆盖每个有机EL层23和边罩部22的方式设置。此外，如图1所示，第二电极24(图中点部分)也设置在切口部K的周围的区域。另外，第二电极24具有向有机EL层23注入电子的功能。另外，为了提高对有机EL层23的电子注入效率，第二电极24更优选由功函数小的材料构成。另外，第二电极24例如是通过真空蒸镀法形成的蒸镀膜。在此，作为构成第二电极24的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。另外，第二电极24例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。另外，第二电极24例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。另外，第二电极24例如也可以如ITO/Ag那样层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图4所示，密封膜29包括：以覆盖第二电极24的方式设置的第一无机绝缘膜26；设置在第一无机绝缘膜26上的有机缓冲层27a和27b(参照后述的图6的(d))；以及以覆盖有机缓冲层27a和27b的方式设置在第一无机绝缘膜26上的有第二无机绝缘膜28，且该密封膜29具有保护有机EL层23免受水分、氧影响的功能。在此，作为构成第一无机绝缘膜26以及第二无机绝缘膜28的材料，例如由氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、如四氮化三硅(Si3N4)那样的氮化硅(SiNx(x正数))、碳氮化硅(SiCN)等的无机材料构成。另外，有机缓冲层27a和27b例如，由丙烯酸酯、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺等的有机材料构成。另外，如图4所示，有机缓冲层27a被设置在切口周壁Wa的表面的两侧面上，并夹在第一无机绝缘膜26与第二无机绝缘膜28之间。此外，如图4所示，由于第一无机绝缘膜26因切口周壁Wa的横截面形状而断开地形成，因此有机缓冲层27a的上部与切口周壁Wa的两侧面接触。另外，如图4所示，第二电极24不仅设置在显示区域D中，也设置在边框区域F中，并且由于在边框区域F中，第二电极24由于切口周壁Wa的横截面形状而断开地形成，因此第二电极24还设置在切口周壁Wa的上表面与第一无机绝缘膜26之间。另外，如图6的(d)所示，有机缓冲层27b设置在附着在第一无机绝缘膜26上的异物X的表面上。
如图1及图4所示，作为蒸镀膜的第二电极24跨越切口周壁Wa而设置。具体而言，第二电极24从显示区域D侧到切口部K，越过切口周壁Wa而设置。另外，如图4所示，第二电极24从显示区域D侧设置到切口周壁Wa，设置在切口周壁Wa的上表面，从切口周壁Wa设置到切口部K。即，第二电极24被切口周壁Wa断开而形成。由此，能够防止切口部K的周围的区域与显示区域D电连接、水分等引起的劣化的传递。此外，跨越切口周壁Wa而设置的蒸镀膜可以是空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4和/或电子注入层5。
另外，如图1及图4所示，密封膜29跨越切口周壁Wa而设置。具体而言，密封膜29从显示区域D侧到切口部K，越过切口周壁Wa而设置。另外，如图4所示，密封膜29的第二无机绝缘膜28跨越切口周壁Wa并连续地设置。由此，即使在设置有切口周壁Wa的情况下，也能够确保密封膜29的密封性能。
另外，如图1所示，切口周壁Wa与作为蒸镀膜的第二电极24的端部交叉。即，切口周壁Wa的端部Ta设置在比第二电极24的外周靠外侧的位置。由此，可靠地使切口部K侧的第二电极24与显示区域D侧的第二电极24断开。
另外，在图1的例子中，切口周壁Wa还与密封膜29的端部交叉。即，切口周壁Wa的端部Ta比密封膜29的外周更靠外侧设置。由此，即使在切口部K的周围上密封膜29产生了龟裂的情况下，也能够通过该龟裂的传播被切口周壁Wa遮挡而防止朝向显示区域D。其结果，能够抑制水分进入有机EL元件25。
另外，在本实施方式中，在平坦化膜19与切口周壁Wa之间的区域，密封膜29与第三无机绝缘膜接触。具体而言，如图4所示，在区域A1中，第一无机绝缘膜26与作为第三无机绝缘膜的第二层间绝缘膜17接触。由此，平坦化膜19被第一无机绝缘膜26及第二层间绝缘膜17密封。其结果，能够抑制水分在平坦化膜19中传递而侵入有机EL元件25。另外，第三无机绝缘膜只要是TFT层20的无机绝缘膜即可，例如，除了第二层间绝缘膜17之外，也可以是底涂层11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15。
上述有机EL显示装置50a构成为：在每个子像素P中，经由栅极线14向第一TFT 9a输入栅极信号，从而将第一TFT 9a设为接通状态，并经由源极线18f向第二TFT 9b的栅极电极14b及电容器9c写入与源极信号对应的规定的电压，基于第二TFT 9b的栅极电压，规定来自电源线18g的电流的大小，并将该规定的电流向有机EL层23供给，由此，有机EL层23的发光层3发光而进行图像显示。此外，在有机EL显示装置50a中，即使第一TFT 9a成为截止状态，由于第二TFT 9b的栅极电压通过电容器9c被保持，因此，发光层3的发光也被维持，直到输入下一帧的栅极信号。
接着，使用图6说明本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法。在此，图6是表示有机EL显示装置50a的制造方法的密封膜形成工序的剖视图，且图6的(a)、图6的(b)、图6的(c)和图6的(d)是分别表示第一无机绝缘膜形成工序、有机膜形成工序、灰化工序和第二无机绝缘膜形成工序的剖视图。此外，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法包括：TFT层形成工序；包含切口周壁形成工序在内的发光元件形成工序；包含第一无机绝缘膜形成工序、有机膜形成工序、灰化工序和第二无机绝缘膜形成工序在内的密封膜形成工序；柔性化工序；以及切口部形成工序。
<TFT层形成工序>
例如，通过使用已知的方法，在玻璃基板上所形成的树脂基板层10的表面上形成底涂膜11、第一TFT 9a、第二TFT 9b、电容器9c和平坦化膜19来形成TFT层20。
<发光元件形成工序(蒸镀膜形成工序)>
在本实施方式的显示装置50a的制造方法中，在后述的切口周壁形成工序与后述的密封膜形成工序之间具备蒸镀膜形成工序，在该蒸镀膜形成工序中在形成有切口周壁Wa的基板上形成蒸镀膜。另外，在蒸镀膜形成工序中，包括以覆盖第一无机绝缘膜的方式通过蒸镀法形成有机膜的工序。具体而言，通过使用已知的方法，在上述TFT层形成工序中所形成的TFT层20上形成第一电极21、边罩部22、有机EL层23(空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4、电子注入层5)和第二电极24来形成有机EL元件25。此外，切口周壁Wa例如，通过一并或分两个工序对在TFT层形成工序中形成平坦化膜19时所使用的感光性树脂膜，以及在本发光元件形成工序中形成边罩部22时所使用的感光性树脂膜进行图案化(曝光、显影和烘烤)来形成(切口周壁形成工序)。
<密封膜形成工序>
首先，如图6的(a)所示，在发光元件形成工序中，在形成有有机EL元件25的基板表面上使用掩模M，例如，通过等离子体CVD法成膜厚度约为1000nm的氮化硅膜等无机绝缘膜来形成第一无机层26(第一无机绝缘膜形成工序)。
随后，如图6的(b)所示，在形成有第一无机层26的基板的整个表面上，例如，通过真空蒸镀法成膜厚度约为200nm的由丙烯酸酯等的有机材料制成的有机膜27(有机膜形成工序)。
此后，如图6的(c)所示，通过利用等离子体A灰化有机膜27来形成有机缓冲层27a(参照图4)和有机缓冲层27b(灰化工序)。在此，有机膜27中的大部分虽由于用等离子体A灰化而被除去，但在切口周壁Wa的两侧面和异物X的表面上有残留并形成有机缓冲层27a和27b。
并且，如图6的(d)所示，在形成有有机缓冲层27a和27b的基板表面上使用掩模M，例如，通过等离子体CVD法成膜厚度约为500nm的氮化硅膜等的无机绝缘膜来形成与第一无机绝缘膜26重叠的第二无机绝缘膜28，并形成密封膜29(第二无机绝缘膜形成工序)。
<柔性化工序>
在上述密封膜形成工序中，通过对形成有密封膜29的基板从玻璃基板侧扫描并照射激光，使玻璃基板从树脂基板层10剥离。
<切口部形成工序>
在上述柔性化工序中剥离了玻璃基板的基板中的切口周壁Wa的内侧，例如，通过扫描并照射激光来形成切口部K。
如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。
如上所说明那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50a及其制造方法，在切口周壁形成工序中，在显示区域D内的切口部K中以在树脂基板层10的厚度方向上突出，并且沿着与显示区域D的边界的方式形成切口周壁Wa。此外，在密封膜形成工序中，当在切口周壁Wa的两侧面上隔着第一无机绝缘膜26形成了有机缓冲层27b之后，形成第二无机绝缘膜28。在此，在密封膜形成工序中，通过灰化以覆盖第一无机绝缘膜26的方式利用蒸镀法形成的有机膜27，从而在切口部K中，隔着第一无机绝缘膜26在切口周壁Wa的两侧面上形成有机缓冲层27a，并且主要在显示区域D中，在附着在第一无机绝缘膜26上的异物X的表面上形成有机缓冲层27b。因此，通过在显示区域D中层叠第一无机绝缘膜26、有机缓冲层27b以及第二无机绝缘膜28而形成的密封膜29的密封结构被切口部K中的切口周壁Wa断开。然后，在切口部K中，在被切口周壁Wa断开的密封结构中，通过设置在切口周壁Wa的两侧面上的有机缓冲层27a，可以确保第二无机绝缘膜28相对于第一无机绝缘膜26的被覆性。由此，在有机EL显示装置50a中，即使在显示区域D内设置切口部K，也能够确保密封膜29的密封性能。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a及其制造方法，由于在切口周壁Wa的横截面中的底面与侧面所成的角度θ为70°至150°，因此第二电极24等的蒸镀膜由于切口周壁Wa的横截面形状而断开。由此，即使有机缓冲层27a的上部与切口周壁Wa接触，由于在密封膜形成工序的第二无机绝缘膜形成工序中以覆盖有机缓冲层27a的方式形成第二无机绝缘膜28，因此也能够确保密封膜29的密封性能。此外，由于第二电极24等的蒸镀膜被切口周壁Wa断开，因此无需使用具有沿着切口部K的复杂结构的掩模，能够将蒸镀膜图案化为除去切口部K的形状，并且可以防止水分进入隔着蒸镀膜的有机EL元件25。
＜第二实施方式＞
图7至图9表示了本发明所涉及的显示装置及其制造方法的第二实施方式。在此，图7是表示本实施方式的有机EL显示装置50b的概略构成的俯视图。另外，图8是将图7中的区域Y放大后的俯视图。另外，图9是沿着图7中的IX-IX线的有机EL显示装置50b的剖视图。此外，在以下的各实施方式中，在与图1至图6相同的部分添加相同的附图标记，并省略其详细的说明。
在第一实施方式中例示了在切口部K中设置有切口周壁Wa的有机EL显示装置50a，但是在本实施方式中，将例示在切口部K中设置有切口周壁Wa并且在边框区域F中设置有外周壁Wb的有机EL显示装置50b。
如图7所示，有机EL显示装置50b具有被规定为矩形状的显示区域D，以及被规定在显示区域D的周围的边框区域F。
如图7以及图9所示，在边框区域F中设有矩形框状的外周壁Wb，并使该外周壁Wb在树脂基板层10的厚度方向上突出且沿着与显示区域D的边界。在此，外周壁Wb例如层叠由与平坦化膜19相同的材料形成在同一层中的下部层，以及由与边罩部22的相同材料形成在同一层中的上部层而构成。此外，外周壁Wb在其横截面中的底面和侧面所成的角度θ为大约70°至150°，并且如图9所示，其横截面中的两侧面被形成为倒锥形。另外，在边框区域F中，如图8以及图9所示，在平坦化膜19中设置有缝隙C，该缝隙C使第二电极24和源极导电层(配线)18h导通。
利用在第一实施方式中说明的真空蒸镀法来形成的第二电极24等的蒸镀膜和第一无机绝缘膜26在边框区域F中由于外周壁Wb的横截面形状而断开地形成。在此，使用能以子像素为单位进行图案化的FMM(Fine Metal Mask，精细金属掩模)掩模或能以面板为单位进行图案化的CMM(Common Metal Mask，共用金属掩模)掩模来形成蒸镀膜。此外，用FMM掩模形成的蒸镀膜例如是发光层3等，并且用CMM掩模形成的共用蒸镀膜例如是空穴注入层1、空穴传输层2、电子传输层4、电子注入层5、电子阻挡层、空穴阻挡层以及第二电极24等。然后，由于使用CMM掩模形成的共用蒸镀膜在介于第二电极24和源极导电层18h之间时会导致电阻变高，因此需要使用于形成第二电极24的CMM掩膜的开口大于用于形成第二电极24以外的共用蒸镀膜的CMM掩膜的开口。因此，在图8中，使用CMM掩模来形成的第二电极24以外的共用蒸镀膜的边缘为Ea，并且第二电极24的边缘以及使用FMM掩模来形成的蒸镀膜的边缘为Eb。此时，形成在密封膜29的外侧的第二电极24通过外周壁Wb与形成在显示区域D中的第二电极24电绝缘。此外，在图8中，使用CMM掩模和FMM掩模来形成的第二电极24以外的蒸镀膜的边缘可以为Ea，并且第二电极24的边缘可以为Eb。另外，密封膜的端部可以为Eb，第二电极的端部可以为29。
如图9所示，有机EL显示装置50b包括：树脂基板层10、作为发光元件而隔着TFT层20设置在树脂基板层10上的有机EL元件25以及以覆盖有机EL元件25的方式设置的密封膜29。
如图9所示，密封膜29包括：以覆盖第二电极24的方式设置的第一无机绝缘膜26；设置在第一无机绝缘膜26上的有机缓冲层27a、27b和27c；以及以覆盖有机缓冲层27a、27b和27c的方式设置在第一无机绝缘膜26上的有第二无机绝缘膜28，且该密封膜29具有保护有机EL层23免受水分、氧影响的功能。在此，有机缓冲层27c例如，由丙烯酸酯、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺等的有机材料构成。另外，如图9所示，有机缓冲层27c被设置在边框区域F的外周壁Wb的表面的两侧面上，并夹在第一无机绝缘膜26与第二无机绝缘膜28之间。此外，如图9所示，由于第一无机绝缘膜26因外周壁Wb的横截面形状而断开地形成，因此有机缓冲层27c的上部与外周壁Wb的两侧面接触。另外，如图9所示，第二电极24不仅设置在显示区域D中，也设置在边框区域F中，并且由于在边框区域F中，第二电极24由于外周壁Wb的横截面形状而断开地形成，因此第二电极24还设置在外周壁Wb的上表面与第一无机绝缘膜26之间，也设置在密封膜29的外侧。
上述的有机EL显示装置50b构成为，具有与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a相同的可挠性，并且在每个子像素P中，通过第一TFT 9a和第二TFT 9b使有机EL层23的发光层3适当地发光来进行图像显示。
另外，如图7所示，本实施方式的外周壁Wb以及切口周壁Wa相互连续地形成。本实施方式的有机EL显示装置50b可以通过在第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法中，通过与切口周壁Wa同时形成外周壁Wb来制造。
另外，在本实施方式中，在平坦化膜19与外周壁Wb之间的区域，密封膜29与第三无机绝缘膜接触。具体而言，在平坦化膜19与外周壁Wb之间的区域，第一无机绝缘膜26与作为第三无机绝缘膜的第二层间绝缘膜17接触。由此，平坦化膜19通过第一无机绝缘膜26及第二层间绝缘膜17密封。其结果，能够抑制水分在平坦化膜19中传递而侵入有机EL元件25。另外，第三无机绝缘膜只要是TFT层20的无机绝缘膜即可，例如，除了第二层间绝缘膜17之外，也可以是底涂层11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15。
如上所说明那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50b及其制造方法，在切口周壁形成工序中，在显示区域D内的切口部K中形成切口周壁Wa，并使该切口周壁Wa在树脂基板层10的厚度方向上突出，并且沿着与显示区域D的边界。此外，在密封膜形成工序中，当在切口周壁Wa的两侧面上隔着第一无机绝缘膜26形成了有机缓冲层27b之后，形成第二无机绝缘膜28。在此，在密封膜形成工序中，通过灰化以覆盖第一无机绝缘膜26的方式利用蒸镀法形成的有机膜27，从而在边框区域F中，隔着第一无机绝缘膜26在切口周壁Wa的两侧面上形成有机缓冲层27a，并且主要在显示区域D中，在附着在第一无机绝缘膜26上的异物X的表面上形成有机缓冲层27b。因此，通过在显示区域D中层叠第一无机绝缘膜26、有机缓冲层27b以及第二无机绝缘膜28而形成的密封膜29的密封结构被边框区域F中的切口周壁Wa断开。然后，在边框区域F中，在被切口周壁Wa断开的密封结构中，通过设置在切口周壁Wa的两侧面上的有机缓冲层27a，可以确保第二无机绝缘膜28相对于第一无机绝缘膜26的被覆性。由此，在有机EL显示装置50b中，即使在显示区域D内设置切口部K，也能够确保密封膜29的密封性能。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b及其制造方法，由于在切口周壁Wa和外周壁Wb的横截面中的底面与侧面所成的角度为70°以上，因此第二电极24等的蒸镀膜以及第一无机绝缘膜26由于切口周壁Wa和外周壁Wb的横截面形状而断开。由此，即使有机缓冲层27a和27c的上部分别与切口周壁Wa和外周壁Wb接触，由于在密封膜形成工序的第二无机绝缘膜形成工序中以覆盖第一无机绝缘膜26以及有机缓冲层27a和27c的方式形成第二无机绝缘膜28，因此也能够确保密封膜29的密封性能。此外，由于第二电极24等的蒸镀膜被切口周壁Wa和外周壁Wb断开，因此无需使用具有沿着切口部K的复杂结构的掩模，能够将蒸镀膜图案化为除去切口部K的形状，并且可以防止水分进入隔着蒸镀膜的有机EL元件25。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b及其制造方法，由于第二电极24等的蒸镀膜被外周壁Wb断开，因此能够实现缩窄边框区域F的窄边框化。
＜第三实施方式＞
图10表示了本发明所涉及的显示装置及其制造方法的第三实施方式。在此，图10是表示本实施方式的有机EL显示装置50c的概略构成的俯视图。
在第二实施方式中表示了在边框区域F中设置有框状的外周壁Wb的有机EL显示装置50b，但是在本实施方式中，将示例出在边框区域F中设置有圆弧状的角周壁Wc的有机EL显示装置50c。
如图10所示，有机EL显示装置50c形成为大致T字状，且具有被规定为角部为大致R角(圆角)形状的矩形状的显示区域D，以及被规定在显示区域D的周围的边框区域F。
如图10所示，在边框区域F中对应于各角部而设有圆弧状的角周壁Wc，并使该角周壁Wc在树脂基板层10的厚度方向上突出且沿着与显示区域D的边界。在此，角周壁Wc例如层叠由与平坦化膜19相同的材料形成在同一层中的下部层，以及由与边罩部22的相同材料形成在同一层中的上部层而构成。此外，角周壁Wc在其横截面中的底面和侧面所成的角度θ为大约70°至150°，并且其横截面中的两侧面被形成为倒锥形。此外，在本实施方式中，示例了角周壁Wc设置在显示区域D的各角部的结构，但角周壁Wc也可以设置在显示区域D的四个角中的任何一个。
有机EL显示装置50c与上述第二实施方式的有机EL显示装置50b同样地包括：树脂基板层10、作为发光元件而隔着TFT层20设置在树脂基板层10上的有机EL元件25以及以覆盖有机EL元件25的方式设置的密封膜29。在此，如图10所示，构成有机EL元件25的共用蒸镀膜即第二电极24在角周壁Wc处以断开的状态超出角周壁Wc并设置在密封膜29的外侧。因此，形成在密封膜29的外侧的第二电极24通过角周壁Wc与形成在显示区域D中的第二电极24电绝缘。此外，在本实施方式中例示了用CMM掩模来形成的第二电极24超出角周壁Wc而设置的构成，但也可以是用FMM掩模来形成的蒸镀膜超出角周壁Wc而设置的构成。此外，如图10所示，与围绕显示区域D的整周设置有外周壁Wb的上述第二实施方式的有机EL显示装置50b不同地，在本实施方式的有机EL显示装置50c中，在配置有角周壁Wc的角部以外的区域中，使第二电极24的端部位于密封膜29的周端的内侧(显示区域D侧)。
上述的有机EL显示装置50c构成为，具有与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a相同的可挠性，并且在每个子像素P中，通过第一TFT 9a和第二TFT 9b使有机EL层23的发光层3适当地发光来进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50c可以通过在第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法中，与切口周壁Wa同时形成角周壁Wc来制造。
另外，在本实施方式中，在平坦化膜19与角周壁Wc之间的区域，密封膜29与第三无机绝缘膜接触。具体而言，在平坦化膜19与角周壁Wc之间的区域A2，第一无机绝缘膜26与作为第三无机绝缘膜的第二层间绝缘膜17接触。由此，平坦化膜19通过第一无机绝缘膜26及第二层间绝缘膜17密封。其结果，能够抑制水分在平坦化膜19中传递而侵入有机EL元件25。另外，第三无机绝缘膜只要是TFT层20的无机绝缘膜即可，例如，除了第二层间绝缘膜17之外，也可以是底涂层11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15。
如上所说明那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50c及其制造方法，在切口周壁形成工序中，在显示区域D内的切口部K中形成切口周壁Wa，并使该切口周壁Wa在树脂基板层10的厚度方向上突出，并且沿着与显示区域D的边界。此外，在密封膜形成工序中，当在切口周壁Wa的两侧面上隔着第一无机绝缘膜26形成了有机缓冲层27b之后，形成第二无机绝缘膜28。在此，在密封膜形成工序中，通过灰化以覆盖第一无机绝缘膜26的方式利用蒸镀法形成的有机膜27，从而在切口部K中，隔着第一无机绝缘膜26在切口周壁Wa的两侧面上形成有机缓冲层27a，并且主要在显示区域D中，在附着在第一无机绝缘膜26上的异物X的表面上形成有机缓冲层27b。因此，通过在显示区域D中层叠第一无机绝缘膜26、有机缓冲层27b以及第二无机绝缘膜28而形成的密封膜29的密封结构被切口部K中的切口周壁Wa断开。然后，在切口部K中，在被切口周壁Wa断开的密封结构中，通过设置在切口周壁Wa的两侧面上的有机缓冲层27a，可以确保第二无机绝缘膜28相对于第一无机绝缘膜26的被覆性。由此，在有机EL显示装置50c中，即使在显示区域D内设置切口部K，也能够确保密封膜29的密封性能。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c及其制造方法，由于在切口周壁Wa和角周壁Wc的横截面中的底面与侧面所成的角度为70°以上，因此第二电极24等的蒸镀膜以及第一无机绝缘膜26由于切口周壁Wa和角周壁Wc的横截面形状而断开。由此，即使有机缓冲层27a和27c的上部分别与切口周壁Wa和角周壁Wc接触，由于在密封膜形成工序的第二无机绝缘膜形成工序中以覆盖第一无机绝缘膜26以及有机缓冲层27a和27c的方式形成第二无机绝缘膜28，因此也能够确保密封膜29的密封性能。此外，由于第二电极24等的蒸镀膜被切口周壁Wa和角周壁Wc断开，因此能够将蒸镀膜图案化为除了切口部K以外的形状而不使用沿着切口部K具有复杂的结构的掩模，并且可以防止水分进入隔着蒸镀膜的有机EL元件25。
此外，在图10的例子中，角周壁Wc的端部Tc设置在比第二电极24的外周以及密封膜29的外周更靠外侧。由此，即使有机EL显示装置50c的角部的密封膜29产生裂缝，也能够防止裂缝向显示区域D行进。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c及其制造方法，由于第二电极24等的蒸镀膜被角周壁Wc断开，因此能够实现缩窄边框区域F的窄边框化。
＜其他实施方式＞
在上述第一实施方式中，切口周壁Wa的端部Ta设置在比密封膜29的外周更靠外侧。但是，本发明不限于此。图11是表示第一实施方式的变形例所涉及的显示装置50d的概略构成的图。
如图11所示，在显示装置50d中，切口周壁Wa的端部Ta被密封膜29覆盖。即，切口周壁Wa的端部Ta设置在第二电极24的外周与密封膜29的外周之间。通过采用这样的构成，能够利用密封膜29对有机缓冲层27a进行密封。其结果，能够抑制水分沿着切口周壁Wa向有机EL元件25侵入。
另外，在上述第三实施方式中，在显示装置50c中，角周壁Wc的端部Tc设置在比第二电极24的外周和密封膜29的外周更靠外侧。但是，本发明不限于此。图12是表示第三实施方式的变形例所涉及的显示装置50e的概略构成的图。
如图12所示，在显示装置50e中，角周壁Wc的端部Tc被密封膜29覆盖。即，角周壁Wc的端部Tc设置在比第二电极24的外周更靠外侧且比密封膜29的外周更靠内侧。这样，角周壁Wc的端部Tc也可以设置在第二电极24的外周与密封膜29的外周之间。通过采用这样的构成，能够一边断开第二电极24等的蒸镀膜，一边通过密封膜29覆盖角周壁Wc。其结果，能够抑制水分沿着角周壁Wc向有机EL元件25侵入。
此外，在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层的五层层叠结构的有机EL层，但有机EL层例如也可以为空穴注入层兼空穴传输层、发光层及电子传输层兼电子注入层的三层层叠结构。
另外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极设为阳极，将第二电极设为阴极的有机EL显示装置，但本发明还能够应用于使有机EL层的层叠结构反转，且将第一电极设为阴极，将第二电极设为阳极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，例示了具有将与第一电极连接的TFT的电极设为漏极电极的有机EL显示装置，但本发明还能够应用于将具有与第一电极连接的TFT的电极设为源极电极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，作为显示装置以有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明可以适用于包括多个由电流驱动的发光元件的显示装置。例如，可以适用于包括使用了含量子点层的发光元件的QLED(Quantum-dot light emitting diode，量子点发光二极管)的显示装置。
另外，也可以在不产生矛盾的范围内，适当地组合上述实施方式中出现的各要素。另外，也可以在不产生矛盾的范围内，适当地组合在上述的实施方式中出现的各要素和在上述变形例中出现的各要素。
附图标记说明
C 狭缝
D 显示区域
F 边框区域
K 切口部
Wa 切口周壁
Wb 外周壁
Wc 角周壁
10 树脂基板层(基底基板)
18h 源极导电层(配线)
19 平坦化膜
20 TFT层
24 第二电极(蒸镀膜、共用蒸镀膜、共用电极)
25 有机EL元件(发光元件)
26 第一无机绝缘膜
27 有机膜
27a、27bb、27c 有机缓冲层
28 第二无机绝缘膜
29 密封膜
50a～50e 有机EL显示装置

Claims (26)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
基底基板；
发光元件，其构成显示区域，所述显示区域隔着TFT层设置在所述基底基板上；
密封膜，其以覆盖所述发光元件的方式设置，依次层叠有第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜；
边框区域，其包围所述显示区域；
切口部，其以切开所述显示区域的一部分的方式设置于所述边框区域；
切口周壁，其沿所述显示区域的边界设置在所述显示区域与所述切口部之间的所述边框区域；
蒸镀膜，其设置在所述切口周壁与所述第一无机绝缘膜之间；以及
有机缓冲层，其设置在所述切口周壁的表面，且夹在所述第一无机绝缘膜和所述第二无机绝缘膜之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述切口周壁的表面具有第一侧面及第二侧面，所述第一侧面设置在所述显示区域侧，所述第二侧面设置在与所述显示区域相反一侧，
所述有机缓冲层设置在所述第一侧面和所述第二侧面。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述切口周壁的横截面中的底面与所述第一侧面及所述第二侧面所成的角度为70°～150°。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述有机缓冲层的一部分与所述切口周壁接触。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述蒸镀膜和所述密封膜跨越所述切口周壁设置。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
在俯视观察所述显示装置时，所述切口周壁与所述蒸镀膜的端部交叉。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述切口周壁的端部被所述密封膜覆盖。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第二无机绝缘膜跨越所述切口周壁连续地设置。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述TFT层具有第三无机绝缘膜、布线以及设置在所述布线上的平坦化膜，
在所述平坦化膜与所述切口周壁之间的区域，所述第一无机绝缘膜与所述第三无机绝缘膜接触。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述边框区域，以在所述基底基板的厚度方向上突出并沿着与所述显示区域的边界的方式设置有框状的外周壁，
在所述外周壁的两侧面，以夹在所述第一无机绝缘膜与所述第二无机绝缘膜之间的方式设置有所述有机缓冲层。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，
所述TFT层具有第三无机绝缘膜、布线以及设置在所述布线上的平坦化膜，
在所述平坦化膜与所述外周壁之间的区域，所述第一无机绝缘膜与所述第三无机绝缘膜接触。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
在整个所述显示区域设置有共用蒸镀膜，
所述共用蒸镀膜包含第二电极，
所述第二电极经由形成于所述平坦化膜的狭缝与所述布线电连接，
在所述边框区域中，在俯视时从所述显示区域侧起按顺序配置有所述第二电极以外的所述共用蒸镀膜的端部、所述狭缝、所述外周壁以及所述密封膜的端部。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
在所述边框区域中，所述第二电极的端部配置在所述密封膜的外侧，
配置在所述密封膜的外侧的所述第二电极通过所述外周壁与配置在所述显示区域的所述第二电极电绝缘。
14.根据权利要求10～13中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述外周壁和所述切口周壁相互连续地形成。
15.根据权利要求1～9中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述显示区域被设置成至少一个角部形成为R形状的矩形，
在所述边框区域，与所述R形状形成的角部对应地设置有圆弧状的角周壁，所述角周壁以在所述基底基板的厚度方向上突出，并且沿着与所述显示区域的边界，
所述密封膜越过所述角周壁设置。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，
所述角周壁的端部被所述密封膜覆盖。
17.根据权利要求15或16所述的显示装置，其特征在于，
在所述角周壁的两侧面，以夹在所述第一无机绝缘膜与所述第二无机绝缘膜之间的方式设置有所述有机缓冲层。
18.根据权利要求15～17中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述边框区域，以在所述基底基板的厚度方向上突出并沿着与所述显示区域的边界的方式设置有框状的外周壁。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，
在配置有所述外周壁的角部，越过所述角周壁设置到所述密封膜的外侧。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其特征在于，
所述TFT层具有第三无机绝缘膜、布线以及设置在所述布线上的平坦化膜，
在所述平坦化膜与所述外周壁之间的区域，所述第一无机绝缘膜与所述第三无机绝缘膜接触。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于，
在整个所述显示区域设置有共用蒸镀膜，所述共用蒸镀膜包含第二电极，
所述第二电极沿所述显示区域的至少一边，经由形成在所述平坦化膜上的狭缝与所述布线电连接，所述狭缝以与所述角周壁不重叠的方式形成。
22.一种显示装置的制造方法，其特征在于，所述显示装置的制造方法包括：
TFT形成工序，在基底基板上形成TFT；
发光元件形成工序，在所述TFT层上形成构成显示区域的发光元件；
密封膜形成工序，以覆盖所述发光元件的方式形成密封膜；以及
切口部形成工序，形成边框区域及切口部，所述边框区域包围所述显示区域，所述切口部以切开所述显示区域的一部分的方式设置于所述边框区域，
在所述密封膜形成工序之前，具有切口周壁形成工序，所述切口周壁形成工序在所述切口部的所述显示区域与所述切口部之间的所述边框区域沿着所述显示区域的边界形成切口周壁，
所述密封膜形成工序具有：
第一无机绝缘膜形成工序，以覆盖所述发光元件的方式形成第一无机绝缘膜；
有机膜形成工序，以覆盖所述第一无机绝缘膜的方式通过蒸镀法形成有机膜；
灰化工序，通过对所述有机膜进行灰化，从而在所述切口周壁的表面形成有机缓冲层；以及
第二无机绝缘膜形成工序，以覆盖所述第一无机绝缘膜和有机缓冲层的方式形成第二无机绝缘膜。
23.根据权利要求22所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在所述切口周壁形成工序与所述密封膜形成工序之间具备蒸镀膜形成工序，所述蒸镀膜形成工序在形成有所述切口周壁的基板上形成蒸镀膜。
24.根据权利要求22或23所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
所述切口周壁的表面具有第一侧面及第二侧面，所述第一侧面设置在所述显示区域侧，所述第二侧面设置在与所述显示区域相反一侧，
在所述灰化工序中，在所述第一侧面及所述第二侧面形成所述有机缓冲层。
25.根据权利要求24所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在所述切口部形成工序中，使所述切口周壁的横截面中所述第一侧面和所述第二侧面所成的角度为70°～150°。
26.根据权利要求22～25中任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
所述发光元件是有机EL元件。
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