CN115836588A - 显示装置 - Google Patents

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齐藤贵翁
神崎庸辅
山中雅贵
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Abstract

一种显示装置(50a)，其在显示区域的内部，非显示区域(N)呈岛状设置，在非显示区域(N)形成有在基底基板(10)的厚度方向上贯通的贯通孔(H)，在非显示区域(N)以包围贯通孔(H)的方式设置有分离壁(Ea)，分离壁(Ea)具备：壁基部(19da)，其与平坦化膜(19a)由同一材料设置在同一层，并呈框状设置；以及壁上部(20ba)，其以从显示区域侧向贯通孔(H)侧突出的方式呈檐状设置在壁基部(19da)上，并与无机绝缘膜(20a)由同一材料形成在同一层。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机电致发光(electroluminescence，以下也称为EL)元件的自发光型的有机EL显示装置受到关注。在此，有机EL元件例如具有作为功能层设置的有机EL层、设置在该有机EL层的一个表面侧的第一电极、设置在该有机EL层的另一个表面侧的第二电极。该有机EL显示装置中，提出了如下结构：在进行图像显示的显示区域的内部，例如为了设置照相机、指纹传感器等电子部件，设置岛状的非显示区域，并在该非显示区域设置沿厚度方向贯通的贯通孔(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2019-35950号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
本发明的目的在于分离显示区域侧和贯通孔侧，并以低成本形成共用功能层。
用于解决技术问题的技术方案
为了达成上述目的，本发明的显示装置具备：基底基板；薄膜晶体管层，其设置在所述基底基板上，依次层叠有平坦化膜和无机绝缘膜；以及发光元件层，其设置于所述薄膜晶体管层，对应于构成显示区域的多个子像素，依次叠层有多个第一电极、多个功能层和共用的第二电极，在所述显示区域的内部，非显示区域设置为岛状，在所述非显示区域形成有在所述基底基板的厚度方向上贯通的贯通孔，在所述非显示区域以包围所述贯通孔的方式设置有分离壁，所述分离壁包括：壁基部，其与所述平坦化膜由同一材料设置在同一层，并呈框状设置；以及壁上部，其以从所述显示区域侧向所述贯通孔侧突出的方式呈檐状设置在所述壁基部上，并与所述无机绝缘膜由同一材料形成在同一层。
有益效果
根据本发明，能够分离显示区域侧和贯通孔侧，并以低成本形成共用功能层。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的概略构成的平面图。
图2是本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的显示区域的平面图。
图3是沿着图1中的III-III线的有机EL显示装置的显示区域的截面图。
图4是构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。
图5是构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL层的截面图。
图6是沿着图1中的VI—VI线的有机EL显示装置的边框区域的截面图。
图7是沿着图1中的VII—VII线的有机EL显示装置的边框区域的截面图。
图8是沿着图1中的VIII—VIII线的有机EL显示装置的边框区域的截面图。
图9是本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的非显示区域及其周围的平面图。
图10是沿着图9中的X—X线的有机EL显示装置的非显示区域的截面图。
图11是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的分离壁形成工序的一部分的截面图。
图12是表示紧接着图11的本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的分离壁形成工序的一部分的截面图。
图13是本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的非显示区域的截面图，是相当于图10的图。
图14是表示本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法的分离壁形成工序的一部分的截面图，是相当于图11的图。
图15是表示紧接着图14的本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法的分离壁形成工序的一部分的截面图，是相当于图12的图。
图16是本发明的第三实施方式的有机EL显示装置的非显示区域的截面图，是相当于图10的图。
图17是表示本发明的第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法的分离壁形成工序的一部分的截面图，是相当于图11的图。
图18是表示紧接着图17的本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法的分离壁形成工序的一部分的截面图，是相当于图12的图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，本发明并不限定于以下的各实施方式。
《第一实施方式》
图1～图12表示本发明的显示装置的第一实施方式。另外，在以下的各实施方式中，作为具备发光元件的显示装置，例示具备有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是表示本实施方式的有机EL显示装置50a的概略构成的平面图。此外，图2是有机EL显示装置50a的显示区域D的平面图。此外，图3是沿着图1中的III-III线的有机EL显示装置50a的显示区域D的截面图。此外，图4是构成有机EL显示装置50a的TFT层30的等效电路图。此外，图5是构成有机EL显示装置50a的有机EL层33的截面图。此外，图6、图7及图8是沿着图1中的VI—VI线、VII—VII线及VIII—VIII线的有机EL显示装置50a的边框区域F的截面图。此外，图9是有机EL显示装置50a的非显示区域N及其周围的平面图。此外，图10是沿着图9中的X-X线的有机EL显示装置50a的非显示区域N的截面图。
如图1所示，有机EL显示装置50a例如具备：显示区域D，设置为矩形状并进行图像显示；以及边框区域F，呈矩形框状设置在显示区域D的周围。另外，在本实施方式中，例示了矩形状的显示区域D，但该矩形状还包括例如边为圆弧状的形状、角部为圆弧状的形状、边的一部分有切口的形状等大致矩形状。
如图2所示，在显示区域D，多个子像素P呈矩阵状排列。此外，在显示区域D中，如图2所示，例如，具有用于进行红色显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用于进行绿色显示的绿色发光区域Lg的子像素P、以及用于进行蓝色显示的蓝色发光区域Lb的子像素P以相互相邻的方式设置。另外，在显示区域D中，例如，由具有红色发光区域Er、绿色发光区域Eg和蓝色发光区域Eb的相邻的三个子像素P构成一个像素。此外，如图1所示，在显示区域D的内部，非显示区域N设置为岛状。在此，如图1所示，在非显示区域N，例如为了配置照相机、指纹传感器等电子部件60，设置有在后述的树脂基板层10的厚度方向上贯通的贯通孔H。另外，关于非显示区域N的详细构造等，使用图9和图10后述。
端子部T以在一个方向(图中的纵方向)上延伸的方式设置在边框区域F的图1中的右端部。此外，在边框区域F中，如图1所示，在显示区域D及端子部T之间，以图中的纵方向作为折弯的轴，例如以沿一个方向(图中的纵方向)延伸的方式设置有能够以180°折弯(U字状)的折弯部B。此外，在端子部T上沿着端子部T的延伸方向排列有多个端子。此外，在边框区域F中，在后述的第一平坦化膜19a和第二平坦化膜22a，如图1和图6所示，俯视时呈大致C状的沟槽G以贯通第一平坦化膜19a和第二平坦化膜22a的方式设置。在此，如图1所示，沟槽G在俯视下以端子部T侧开口的方式设置为大致C字状。
如图3所示，有机EL显示装置50a具备：作为基底基板设置的树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的薄膜晶体管(thin film transistor，以下也称为TFT)层30、作为发光元件层设置在TFT层30上的有机EL元件层35、设置在有机EL元件层35上的密封膜40。
树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等有机树脂材料构成。
如图3所示，TFT层30具备设置于树脂基板层10上的底涂膜11、设置于底涂膜11上的多个第一TFT 9a、多个第二TFT 9b(参照图4)、多个第三TFT 9c以及多个电容器9d。此外，如图3所示，TFT层30具备依次设置在各第一TFT 9a、各第二TFT 9b、各第三TFT9c以及各电容器9d上的第一平坦化膜19a、第三层间绝缘膜20a以及第二平坦化膜22a。
在TFT层30中，如图3所示，在底涂膜11上依次层叠半导体层12a及12b、栅极绝缘膜13、栅极14a及14b以及下部导电层14c、第一层间绝缘膜15、上部导电层16a、第二层间绝缘膜17、源极18a及18c以及漏极18b及18d、第一平坦化膜19a、第三层间绝缘膜20a、电源线21a及中继电极21b、以及第二平坦化膜22a。
在TFT层30中，在显示区域D，如图2及图4所示，沿着图中的横方向相互平行地延伸的方式设置有多个栅极线14d作为布线层。此外，在TFT层30中，在显示区域D中，如图2及图4所示，以在图中的横方向相互平行地延伸的方式设置有多个发光控制线14e作为布线层。另外，栅极线14d及发光控制线14e与栅极14a及14b以及下部导电层14c由同一材料形成在同一层。此外，如图2所示那样，各发光控制线14e设置为与各栅极线14d相邻。此外，在TFT层30中，在显示区域D中，如图2及图4所示，沿着图中的纵方向相互平行地延伸的方式设置有多个源极线18f作为布线层。另外，源极线18f与源极18a和18c以及漏极18b和18d由同一材料形成在同一层。此外，在TFT层30中，在显示区域D，如图1所示，电源线21a设置为格子状。此外，在TFT层30中，如图4所示，在各子像素P中，分别设置有第一TFT 9a、第二TFT 9b、第三TFT 9c及电容器9d。
底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17作为其他无机绝缘膜设置，例如由氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等单层膜或层叠膜构成。
如图4所示，第一TFT 9a在各子像素P中与对应的栅极线14d、源极线18f及第二TFT9b电连接。此外，如图3所示，第一TFT 9a具备在底涂膜11上依次设置的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极14a、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、以及源极18a和漏极18b。在此，如图3所示，半导体层12a设置在底涂膜11上，如后所述，具有沟道区域、源极区域及漏极区域。此外，半导体层12a和后述的半导体层12b例如由低温多晶硅膜、In-Ga-Zn-O类的氧化物半导体膜等形成。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置。此外，如图3所示，栅极14a以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极14a的方式依次设置。此外，如图3所示，源极18a和漏极18b以在第二层间绝缘膜17上相互分离的方式设置。此外，如图3所示，源极18a和漏极18b经由形成于栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，分别与半导体层12a的源极区域和漏极区域电连接。
如图4所示，第二TFT 9b在各子像素P中与对应的第一TFT9a、电源线21a及第三TFT9c电连接。另外，第二TFT 9b具有与第一TFT 9a及后述的第三TFT 9c实质上相同的构造。
如图4所示，第三TFT 9c在各子像素P中与对应的第二TFT9a、电源线21a及发光控制线14e电连接。此外，如图3所示，第三TFT 9c具备在底涂膜11上依次设置的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅极14b、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、以及源极18c和漏极18d。在此，如图3所示，半导体层12b设置在底涂膜11上，与半导体层12a同样地，具有沟道区域、源极区域及漏极区域。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置。此外，如图3所示，栅极14b以与半导体层12b的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极14b的方式依次设置。此外，如图3所示，源极18c和漏极18d以在第二层间绝缘膜17上相互分离的方式设置。此外，如图3所示，源极18c和漏极18d经由形成于栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，分别与半导体层12b的源极区域和漏极区域电连接。此外，如图3所示，漏极18d经由形成于第一平坦化膜19a及第三层间绝缘膜20a的接触孔与中继电极21b电连接。
另外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT 9a、第二TFT 9b以及第三TFT9c，但第一TFT 9a、第二TFT 9b以及第三TFT 9c也可以是底栅型。
如图4所示，电容器9d在各子像素P中与对应的第一TFT 9a及电源线21a电连接。在此，如图3所示，电容器9d具备：下部导电层14c、以覆盖下部导电层14c的方式设置的第一层间绝缘膜15、以及以与下部导电层14c重叠的方式设置在第一层间绝缘膜15上的上部导电层16a。另外，上部导电层16a经由形成于第二层间绝缘膜17、第一平坦化膜19a及第三层间绝缘膜20a的接触孔(未图示)与电源线21a电连接。
第一平坦化膜19a、第二平坦化膜21a以及后述的边缘罩32a例如由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、酚醛清漆树脂等有机树脂材料构成。
第三层间绝缘膜20a作为无机绝缘膜而设置，例如由氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等单层膜或层叠膜构成。
如图3所示，有机EL元件层35具备：以依次层叠在TFT层30上的方式设置的多个第一电极31a、边缘罩32a、多个有机EL层33以及第二电极34。
如图3所示，多个第一电极31a以对应于多个子像素P的方式，以矩阵状设置在第二平坦化膜22a上。在此，如图3所示，第一电极31a经由形成于第一平坦化膜19a及第三层间绝缘膜20a的接触孔、形成于中继电极21b及第二平坦化膜22a的接触孔，与各第三TFT 9c的漏极18d电连接。此外，第一电极31a具有向有机EL层33注入空穴(正孔)的功能。此外，为了提高向有机EL层33注入空穴的效率，更优选用功函数大的材料形成第一电极31a。在此，作为构成第一电极31a的材料，例如可列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。此外，构成第一电极31a的材料例如也可以是砹(At)/氧化砹(AtO2)等的合金。而且，构成第一电极31a的材料例如也可以是氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。此外，第一电极31a也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。另外，作为功函数大的化合物材料，例如可列举铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
如图3所示，边缘罩32a以对多个子像素P共用的方式覆盖各第一电极31a的周端部的方式设置成格子状。
如图3所示，多个有机EL层33配置在多个第一电极31a上，以与多个子像素P对应的方式设置成矩阵状。在此，如图5所示，各有机EL层33具备在第一电极31a上依次设置的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4以及电子注入层5。
空穴注入层1也被称为阳极缓冲层，具有使第一电极31a与有机EL层33的能级接近、改善从第一电极31a向有机EL层33的空穴注入效率的功能，设置为多个子像素P共用的共用功能层。在此，作为构成空穴注入层1的材料，可列举出例如三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物等。
空穴输送层2具有提高从第一电极31a向有机EL层33的空穴的输送效率的功能，设置为多个子像素P共用的共用功能层。在此，作为构成空穴输送层2的材料，例如可列举出卟啉衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙烯基胺衍生物、聚乙烯基咔唑、聚对亚苯基亚乙烯基(poly-p-phenylene vinylene)、聚硅烷(polysilane)、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉(pyrazoline)衍生物、吡唑啉酮(pyrazolone)衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、氢化非晶硅、无定形氢化碳化硅、硫化锌或者硒化锌等。
发光层3是作为各子像素P的单独的功能层而设置，在第一电极31a和第二电极34施加电压时从第一电极31a和第二电极34分别注入空穴和电子并且空穴和电子再结合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成发光层3的材料，例如，可列举出金属羟基喹啉酮(オキシノイド，oxinoid)化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯基亚乙基衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑(benzthiazole)衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、双苯乙烯基苯(Bis(Styryl)Benzene)衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、若丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪酮(phenoxazone)、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对亚苯基亚乙烯基、或聚硅烷(polysilanes)等。
电子输送层4具有使电子高效地移动到发光层3的功能，设置为多个子像素P共用的共用功能层。在此，作为构成电子传输层4的材料，例如，作为有机化合物，可列举出恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉酮(オキシノイド，8-羟基喹啉金属络合物)化合物(metal oxinoidcompound)等。
电子注入层5具有使第二电极34与有机EL层33的能级接近、提高从第二电极34向有机EL层33注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低构成有机EL元件层35的各有机EL元件的驱动电压。另外，电子注入层5也被称为阴极缓冲层，作为多个子像素P共用的共用功能层设置。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可列举氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)这样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图3所示，第二电极34以多个子像素P共用的方式设置为覆盖各有机EL层33和边缘罩32a。此外，第二电极34具有向有机EL层33注入电子的功能。此外，为了提高向有机EL层33注入电子的效率，第二电极34更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极34的材料，例如可列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。此外，第二电极34例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等的合金形成。此外，第二电极34也可以由例如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。此外，第二电极34也可以将由上述材料构成的层层叠多层而形成。另外，作为功函数小的材料，例如可列举镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图3、图6、图7和图10所示，密封膜40具备以覆盖第二电极34的方式设置并依次层叠在第二电极34上的第一无机密封膜36、有机密封膜37和第二无机密封膜38，具有保护有机EL元件层35的各有机EL层33免受水分、氧气影响的功能。在此，第一无机密封膜36和第二无机密封膜38例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等无机绝缘膜构成。此外，有机密封膜37例如由丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等的有机树脂材料构成。
此外，如图1所示，有机EL显示装置50a在边框区域F具备：第一外侧阻挡壁Wa，在沟槽G的外侧以包围显示区域D的方式设置为矩形状的框状；第二外侧阻挡壁Wb，呈矩形状的框状设置在第一外侧阻挡壁Wa的周围。
如图6及图7所示，第一外侧阻挡壁Wa具备：与第二平坦化膜22a由同一材料形成在同一层的下层树脂层22b；以及与边缘罩32a由同一材料形成在同一层的上层树脂层32b。另外，如图6及图7所示，第一外侧阻挡壁Wa以与密封膜40的有机密封膜37的外周端部重叠的方式设置，以抑制成为密封膜40的有机密封膜37的油墨的扩散的方式构成。
如图6及图7所示，第二外侧阻挡壁Wb具备：与第一平坦化膜19a由同一材料形成在同一层的下层树脂层19b；与第二平坦化膜22a由同一材料形成在同一层的中层树脂层22c；以及与边缘罩32a由同一材料形成在同一层的上层树脂层32c。
此外，如图1所示，有机EL显示装置50a在边框区域F具备第一边框布线18h，其在沟槽G的开口的部分宽度较宽地呈带状延伸，显示区域D侧在沟槽G的内侧呈线状延伸，显示区域D的相反侧的两端部向端子部T延伸。在此，第一边框布线18h构成为在边框区域F的显示区域D侧与电源线21a电连接，在端子部T输入高电源电压(ELVDD)。另外，如图6和图7所示，第一边框布线18h和后述的第二边框布线18i与源极18a和18c以及漏极18b和18d由同一材料形成于同一层。
此外，如图1所示，有机EL显示装置50a在边框区域F具备第二边框布线18i，该第二边框布线18i大致呈C状地设置在沟槽G的外侧，两端部向端子部T延伸。在此，如图6所示，第二边框布线18i构成为经由形成于沟槽G的第一导电层31b与第二电极34电连接，在端子部T输入低电源电压(ELVSS)。另外，如图6所示，第一导电层31b与第一电极31a由同一材料形成在同一层，在边框区域F中，与第二边框布线18i以及第二电极34重叠，设置为电连接第二边框布线18i以及第二电极34。
此外，如图8所示，有机EL显示装置50a包括：在边框区域F的折弯部B以填埋形成在底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17上的狭缝S的方式设置的填充树脂层8a；设置在填充树脂层8a和第二层间绝缘膜17上的多个引绕布线18j；和以覆盖各引绕布线18j的方式设置的覆盖树脂层19c。此外，如图8所示，狭缝S设为以贯穿底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17而使树脂基板层10的表面露出的方式沿着折弯部B的延伸方向穿通的槽状。此外，填充树脂层8a例如由聚酰亚胺树脂等有机树脂材料构成。此外，多条引绕布线18j以在与折弯部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸的方式设置。在此，如图8所示，各引绕布线18j的两端部经由形成于第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔分别与第一栅极导电层14f及第二栅极导电层14g电连接。另外，引绕布线18j与源极18a和18c以及漏极18b和18d由同一材料形成在同一层。此外，如图8所示，第一栅极导电层14f设置在栅极绝缘膜13和第一层间绝缘膜15之间，与在显示区域D延伸的信号布线(栅极线14d、源极线18f等)电连接。此外，如图8所示，第二栅极导电层14g设置在栅极绝缘膜13和第一层间绝缘膜15之间，例如与端子部T的端子电连接。此外，覆盖树脂层19c与第一平坦化膜19a由同一材料形成于同一层。
此外，如图10所示，有机EL显示装置50a在边框区域F及非显示区域N中，在第二平坦化膜22a上具备以向图中的上方突出的方式呈岛状设置的多个周边光间隔物32d。在此，各周边光间隔物32d与边缘罩32a由同一材料形成于同一层。
此外，如图9和图10所示，有机EL显示装置50a具备在非显示区域N中以包围贯通孔H的方式设置为圆形的框状的分离壁Ea。
如图10所示，分离壁Ea具备：壁基部19da，与第一平坦化膜19a由同一材料设置在同一层，并呈圆形的框状设置；以及壁上部20ba，与第三层间绝缘膜20a由同一材料设置在同一层，并呈圆形的框状设置在壁基部19da上。在此，如图10所示，壁上部20ba相对于壁基部19da从显示区域D侧向贯通孔H侧以例如突出2μm左右的方式设置成檐状。
如图10所示，通过上述的分离壁Ea，第二电极34、(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4及电子注入层5)以从显示区域D遍及贯通孔H的方式设置在壁上部20ba上，并在壁上部20ba的贯通孔H侧的周端部与贯通孔H侧的部分分离。另外，在图10中，未图示空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4以及电子注入层5，但包括空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4以及电子注入层5的共用功能层与第二电极34同样地，在壁上部20ba的贯通孔H侧的周端部与贯通孔H侧的部分分离。在此，在非显示区域N，如图10所示，密封膜40的第二无机密封膜38设置为隔着密封膜40的第一无机密封膜36覆盖分离壁Ea。此外，如图10所示，第一无机密封膜36在非显示区域N的分离壁Ea的贯通孔H侧以与TFT层30的第二层间绝缘膜17接触的方式设置。
此外，如图9所示，有机EL显示装置50a具备在非显示区域N中以包围分离壁Ea的方式分别设置为圆形的框状的第一内侧阻挡壁Wc和第二内侧阻挡壁Wd。
如图10所示，第一内侧阻挡壁Wc具备：与第二平坦化膜22a由同一材料形成在同一层的第一树脂层22e；以及设置在第一树脂层22e上，并与边缘罩32a由同一材料形成在同一层的第二树脂层32e。在此，如图10所示，第一内侧阻挡壁Wc以在非显示区域N的显示区域D侧与构成密封膜40的有机绝缘膜37的内周端部重叠的方式设置。
如图10所示，第二内侧阻挡壁Wd包括：与第二平坦化膜22a由同一材料形成在同一层的第一树脂层22f；以及设置于第一树脂层22f上，并与边缘罩32a由同一材料形成于同一层的第二树脂层32f。这里，如图9及图10所示，第二内侧阻挡壁Wd在非显示区域N中设置在第一内侧阻挡壁Wc与分离壁Ea之间。
如图10所示，在非显示区域N，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17以不到达贯通孔H的端面的方式设置。在此，在贯通孔H的周缘部，如图10所示，以从栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17露出的方式设置半导体层12c作为蚀刻阻挡部。另外，半导体层12c与半导体层12a及12b由同一材料形成在同一层。此外，在图10中，例示了在贯通孔H的周缘部残留底涂膜11和半导体层12c作为TFT层30的无机膜设置的构成，但也可以仅残留底涂膜11，此外，也可以是底涂膜11和半导体层12c以不到达贯通孔H的端面的方式设置，露出树脂基板层10的构成。在此，在贯通孔H的周缘部，为了抑制在无机膜中传播的裂纹，优选较薄地形成无机膜。
在上述的有机EL显示装置50a中，在各子像素P中，通过栅极线14d向第一TFT 9a输入栅极信号，第一TFT 9a成为导通状态，通过源极线18f向第二TFT 9b的栅极14b及电容器9d写入与源极信号对应的规定的电压，在通过发光控制线14e向第三TFT 9c输入发光控制信号时，第三TFT 9c成为导通状态，与第二TFT 9b的栅极电压对应的电流从电源线21a供给有机EL层33，从而有机EL层33的发光层3发光，进行图像显示。另外，在有机EL显示装置50a，即使第一TFT 9a成为截止状态，第二TFT 9b的栅极电压也由电容器9d保持，因此，发光层3的发光被各子像素P维持，直到输入下一帧的栅极信号为止。
接着，对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法进行说明。在此，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备包括分离壁形成工序的TFT层形成工序、有机EL元件层形成工序、密封膜形成工序以及贯通孔形成工序。另外，图11和图12是表示有机EL显示装置50a的制造方法的分离壁形成工序的一部分的截面图。
<TFT层形成工序>
例如，使用公知的方法在形成于玻璃基板上的树脂基板层10的表面形成底涂膜11、第一TFT 9a、第二TFT 9b、第三TFT 9c、电容器9d、第一平坦化膜19a、第三层间绝缘膜20a、电源线21a以及第二平坦化膜22a等，从而形成TFT层30。
以下，对在TFT层形成工序中形成第一平坦化膜19a及第三层间绝缘膜20a时形成分离壁Ea的分离壁形成工序进行说明。
首先，在形成有源极18a及18c以及漏极18b及18d等的基板表面上，例如通过旋涂法涂布具有感光性的聚酰亚胺树脂，形成感光性树脂膜后，对该感光性树脂膜进行曝光、显影及烧成，从而在显示区域D形成第一平坦化膜19a，在边框区域F形成下层树脂层19b及覆盖树脂层19c，在非显示区域N形成壁基部形成层19dab(参照图11)。
接着，例如通过等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition)法在形成有第一平坦化膜19a等的基板表面上形成氧氮化硅膜(厚度10nm～500nm左右)，形成无机绝缘膜后，通过将该无机绝缘膜图案化，在显示区域D形成第三层间绝缘膜20a，如图11所示，在非显示区域N形成壁上部形成层20bab。
进而，如图11所示，在壁上部形成层20bab上形成了抗蚀剂图案R后，例如通过干式蚀刻除去从抗蚀剂图案R露出的壁上部形成层20bab以及壁基部形成层19dab的端部，从而如图12所示，形成壁上部20ba以及壁基部19da。由此，形成有分离壁Ea，该分离壁Ea具备壁基部19da以及呈檐状设置在壁基部19da上的壁上部20ba。
<有机EL器件层形成工序>
在上述TFT层形成工序中形成的TFT层30的第二平坦化膜22a上，采用公知的方法形成第一电极31a、边缘罩32a、有机EL层33(空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5)、第二电极34，形成有机EL元件层35。在此，在通过蒸镀法形成有机EL层23和第二电极34时，构成有机EL层23的空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4和电子注入层5、以及第二电极34在分离壁Ea的壁上部20ba的檐状部分，与在后形成有贯通孔H的一侧分离而形成。
<密封膜形成工序>
首先，在形成有上述有机EL元件层形成工序中形成的有机EL元件层35的基板表面上，使用掩模，通过等离子体CVD法例如形成氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等无机绝缘膜，从而形成第一无机密封膜36。
接着，例如通过喷墨法，在形成有第一无机密封膜36的基板表面上成膜丙烯酸树脂等有机树脂材料，形成有机密封膜37。
然后，对于形成有机密封膜37的基板，使用掩模，通过等离子体CVD法成膜例如氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等无机绝缘膜，形成第二无机密封膜38，从而形成密封膜40。
<贯通孔形成工序>
首先，在上述密封膜形成工序中形成有密封膜40的基板表面贴附保护片(未图示)后，通过从树脂基板层10的玻璃基板侧照射激光，从树脂基板层10的下表面剥离玻璃基板，进而，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面贴附保护片(未图示)。
接着，例如，在与设置在贴附有保护片的树脂基板层10的分离壁Ea的内侧的半导体层12c重叠的区域中，以环状扫描并照射激光，从而形成贯通孔H。
之后，将形成有贯通孔H的有机EL显示装置50a例如固定于壳体的内部时，以照相机、指纹传感器等电子部件60配置于贯通孔H的背面侧的方式设置电子部件60。
如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在显示区域D的内部形成有贯通孔H的岛状的非显示区域N，分离壁Ea沿贯通孔H的周缘设置为圆形的框状。在此，分离壁Ea具备：壁基部19da，与第一平坦化膜19a由同一材料设置在同一层，并呈框状设置；以及壁上部20ba，以从显示区域D侧向贯通孔H侧突出的方式呈檐状地设置在壁基部19da上，并与第三层间绝缘膜20a由同一材料形成在同一层。由此，共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)及第二电极34在分离壁Ea的突出为檐状的部分，分别分离成显示区域D侧和贯通孔H侧而被断开形成。而且，为了形成分离壁Ea，无需多次重复进行形成抗蚀图案的工序和使用该抗蚀图案进行干式蚀刻的工序，因此能够分离成显示区域D侧和贯通孔H侧，以低成本形成共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)及第二电极34。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，第二无机密封膜38以在非显示区域N中隔着第一无机密封膜36覆盖分离壁Ea的方式设置。此外，第一无机密封膜36以在非显示区域N与TFT层30的第二层间绝缘膜17接触的方式设置。由此，即使在非显示区域N中，也能够确保密封膜40所带来的密封性能，因此能够抑制有机EL层33的劣化，能够提高有机EL显示装置50a的可靠性。
《第二实施方式》
图13～图15表示本发明的显示装置的第二实施方式。在此，图13是本实施方式的有机EL显示装置50b的非显示区域N的截面图，是相当于图10的图。此外，图14和图15是表示有机EL显示装置50b的制造方法的分离壁形成工序的一部分的截面图，是相当于图11和图12的图。另外，在以下的各实施方式中，对与图1～图12相同的部分标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。
在上述第一实施方式中，例示了分离壁Ea的壁基部19da的上表面与树脂基板层10的上表面平行地形成的有机EL显示装置50a，但在本实施方式中，例示分离壁Eb的壁基部19db的上表面相对于树脂基板层10的上表面倾斜而形成的有机EL显示装置50b。
有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，具备：在内部设置有岛状的非显示区域N的显示区域D；以及设置在显示区域D的周围的边框区域F。
有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，具备：树脂基板层10；设置在树脂基板层10上的TFT层30；设置在TFT层30上的有机EL元件层35；以及设置在有机EL元件层35上的密封膜40。
有机EL显示装置50b中的显示区域D及边框区域F的构成与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a中的显示区域D及边框区域F的构成实质上相同。
有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，如图13所示，在非显示区域N中，具备以包围贯通孔H的方式设置为圆形的框状的分离壁Eb。
如图13所示，分离壁Eb具备：壁基部19db，与第一平坦化膜19a由同一材料设置在同一层，并呈圆形的框状设置；以及壁上部20bb，与第三层间绝缘膜20a由同一材料设置在同一层，并呈圆形的框状设置在壁基部19db上。在此，如图13所示，壁基部19db的上表面以贯通孔H侧(图中的右侧)比显示区域D侧(图中的左侧)更高的方式相对于树脂基板层10的上表面例如倾斜30°而形成。此外，如图13所示，壁上部20bb相对于壁基部19db从显示区域D侧向贯通孔H侧以壁基部19db的上表面的倾斜角度(例如30°)倾斜，例如以突出2μm左右的方式设置成檐状。
通过上述的分离壁Eb，如图13所示，第二电极34、(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4及电子注入层5)以从显示区域D遍及贯通孔H的方式设置在壁上部20bb上，并在壁上部20bb的贯通孔H侧的周端部与贯通孔H侧的部分分离。另外，在图13中，未图示空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4和电子注入层5，但包括空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4和电子注入层5的共用功能层与第二电极34同样地，在壁上部20bb的贯通孔H侧的周端部与贯通孔H侧的部分分离。在此，如图13所示，在非显示区域N，密封膜40的第二无机密封膜38以隔着密封膜40的第一无机密封膜36覆盖分离壁Eb的方式设置。此外，如图13所示，第一无机密封膜36在非显示区域N的分离壁Eb的贯通孔H侧以与TFT层30的第二层间绝缘膜17接触的方式设置。
有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，如图13所示，在非显示区域N中，具备以包围分离壁Eb的方式分别设置为圆形的框状的第一内侧阻挡壁Wc和第二内侧阻挡壁Wd。
如图13所示，在非显示区域N中，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17以不到达贯通孔H的端面的方式设置。在此，在贯通孔H的周缘部，如图13所示，以从栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17露出的方式设置半导体层12c作为蚀刻阻挡部。
上述有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，具有可挠性，在各子像素P中，通过经由第一TFT9a、第二TFT 9b及第三TFT 9c使有机EL层33的发光层3适当发光，进行图像显示的构成。
本实施方式的有机EL显示装置50b能够通过在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法的TFT层形成工序中，将壁基部形成层19dab的形状变更为壁基部形成层19dbb的形状，形成分离壁Eb来制造(参照图14以及图15)。
具体而言，首先，在形成有源极18a及18c以及漏极18b及18d等的基板表面上，例如通过旋涂法涂布具有感光性的聚酰亚胺树脂，形成感光性树脂膜后，通过对该感光性树脂膜进行曝光、显影及烧成，从而在显示区域D形成第一平坦化膜19a，在边框区域F形成下层树脂层19b及覆盖树脂层19c，在非显示区域N形成壁基部形成层19dbb(参照图14)。另外，对上述感光性树脂膜进行曝光时，通过使用半色调掩模、灰色调掩模等对将成为壁基部形成层19dbb的部分进行半曝光，能够形成横截面为山形的壁基部形成层19dbb。
接着，在形成有第一平坦化膜19a等的基板表面上，例如通过等离子体CVD法使氧氮化硅膜(厚度10nm～500nm左右)成膜，形成无机绝缘膜之后，对该无机绝缘膜进行图案化，从而在显示区域D形成第三层间绝缘膜20a，如图14所示，在非显示区域N形成壁上部形成层20bb。
进而，如图14所示，在壁上部形成层20bbb上形成了抗蚀图案R后，例如通过干式蚀刻除去从抗蚀图案R露出的壁上部形成层20bbb以及壁基部形成层19dbb的端部，从而如图15所示，形成壁上部20bb以及壁基部19db。由此，形成有分离壁Eb，该分离壁Eb具备壁基部19db以及呈檐状地设置在壁基部19db上的壁上部20bb。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在显示区域D的内部的形成有贯通孔H的岛状的非显示区域N，分离壁Eb沿着贯通孔H的周缘设置为圆形的框状。在此，分离壁Eb具备：壁基部19db，与第一平坦化膜19a由同一材料设置在同一层，并呈框状设置；以及壁上部20bb，以从显示区域D侧向贯通孔H侧突出的方式呈檐状设置在壁基部19db上，并与第三层间绝缘膜20a由同一材料形成在同一层。由此，共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)及第二电极34在分离壁Eb的突出为檐状的部分，分别分离成显示区域D侧和贯通孔H侧而被断开形成。而且，为了形成分离壁Eb，无需多次重复进行形成抗蚀图案的工序和使用该抗蚀图案进行干式蚀刻的工序，因此能够分离成显示区域D侧和贯通孔H侧，以低成本形成共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)及第二电极34。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，第二无机密封膜38以在非显示区域N中，隔着第一无机密封膜36覆盖分离壁Eb的方式设置。此外，第一无机密封膜36以在非显示区域N中，与TFT层30的第二层间绝缘膜17接触的方式设置。由此，即使在非显示区域N中，也能够确保密封膜40所带来的密封性能，因此能够抑制有机EL层33的劣化，能够提高有机EL显示装置50b的可靠性。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，由于壁基部19db的上表面以贯通孔H侧比显示区域D侧更高的方式倾斜形成，壁上部20bb以壁基部19db的上表面的倾斜角度倾斜并突出的方式设置，因此能够减少对壁基部形成层19dbb进行干式蚀刻时的侧移的量。在此，在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a，例如为了使壁上部20ba突出2μm，需要进行2μm的侧移，而在本实施方式的有机EL显示装置50b中，为了使壁基部19db突出2μm，1.7μm的侧移就可以完成。
《第三实施方式》
图16～图18表示本发明的显示装置的第三实施方式。在此，图16是本实施方式的有机EL显示装置50c的非显示区域N的截面图，是相当于图10的图。此外，图17和图18是表示有机EL显示装置50c的制造方法的分离壁形成工序的一部分的截面图，是相当于图11和图12的图。
在上述第二实施方式中，例示了具备在第二层间绝缘膜17上形成有壁基部19db的分离壁Eb的有机EL显示装置50b，但在本实施方式中，例示具备在第二层间绝缘膜17上隔着金属层18k形成有壁基部19dc的分离壁Ec的有机EL显示装置50c。
有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，具备：在内部设置有岛状的非显示区域N的显示区域D；以及设置在显示区域D的周围的边框区域F。
有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，具备：树脂基板层10；设置在树脂基板层10上的TFT层30；设置在TFT层30上的有机EL元件层35；以及设置在有机EL元件层35上的密封膜40。
有机EL显示装置50c中的显示区域D及边框区域F的构成与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a中的显示区域D及边框区域F的构成实质上相同。
有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，如图16所示，在非显示区域N中，具备以包围贯通孔H的方式设置为圆形的框状的分离壁Ec。
如图16所示，分离壁Ec具备：壁基部19dc，与第一平坦化膜19a由同一材料设置在同一层，并呈圆形的框状设置；以及壁上部20bc，与第三层间绝缘膜20a由同一材料设置在同一层，并呈圆形的框状设置在壁基部19dc上。在此，如图16所示，壁基部19dc的上表面以贯通孔H侧(图中的右侧)比显示区域D侧(图中的左侧)更高的方式相对于树脂基板层10的上表面例如倾斜30°而形成。此外，如图16所示，壁上部20bc相对于壁基部19dc从显示区域D侧向贯通孔H侧以壁基部19dc的上表面的倾斜角度(例如30°)倾斜，例如突出2μm左右的方式设置成檐状。此外，在分离壁Ec中，在壁基部19dc的贯通孔H侧的树脂基板层10侧，如图16所示，以包围贯通孔H的方式，呈圆形的框状地设置有金属层18k。此外，金属层18k的贯通孔H侧如图16所示，从壁基部19dc露出。此外，金属层18k以与壁上部20bc的贯通孔H侧的端部重叠的方式设置。另外，金属层18k例如由钛膜(厚度10nm～200nm左右)、铝膜(厚度100nm～1000nm左右)和钛膜(厚度10nm～200nm左右)依次层叠而成的金属层叠膜构成，与源极18a和18c以及漏极18b和18d等布线层由同一材料形成于同一层。
如图16所示，通过上述的分离壁Ec，第二电极34、(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4及电子注入层5)以从显示区域D遍及贯通孔H的方式设置在壁上部20bc上，并在壁上部20bc的贯通孔H侧的周端部与贯通孔H侧的部分分离。另外，在图16中，未图示空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4以及电子注入层5，但包括空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4以及电子注入层5的共用功能层与第二电极34同样地，在壁上部20bc的贯通孔H侧的周端部与贯通孔H侧的部分分离。在此，在非显示区域N，如图16所示，密封膜40的第二无机密封膜38以隔着密封膜40的第一无机密封膜36覆盖分离壁Ec的方式设置。此外，如图16所示，第一无机密封膜36以在非显示区域N的分离壁Ec的贯通孔H侧，与TFT层30的第二层间绝缘膜17接触的方式设置。
有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，如图16所示，在非显示区域N中，具备以包围分离壁Ec的方式分别设置为圆形的框状的第一内侧阻挡壁Wc和第二内侧阻挡壁Wd。
在非显示区域N中，如图16所示，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以不到达贯通孔H的端面的方式设置。在此，在贯通孔H的周缘部，如图16所示，以从栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17露出的方式设置半导体层12c作为蚀刻阻挡部。
上述有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，具有可挠性，在各子像素P中，通过经由第一TFT9a、第二TFT 9b和第三TFT 9c使有机EL层33的发光层3适当发光，进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50c能够通过如下方式制造：在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法的TFT层形成工序中，在形成源极18a和18c以及漏极18b和18d等时，形成金属层18k，并且将壁基部形成层19dab的形状变更为壁基部形成层19dcb的形状，形成分离壁Ec(参照图17和图18)。
具体而言，首先，在形成源极18a和18c以及漏极18b和18d等时，在非显示区域N形成金属层18k。
接着，在形成有源极18a及18c以及漏极18b及18d等的基板表面上，例如通过旋涂法涂布具有感光性的聚酰亚胺树脂，形成感光性树脂膜后，对该感光性树脂膜进行曝光、显影及烧成，从而在显示区域D形成第一平坦化膜19a，在边框区域F形成下层树脂层19b及覆盖树脂层19c，在非显示区域N形成壁基部形成层19dcb(参照图17)。另外，对上述感光性树脂膜进行曝光时，通过使用半色调掩模、灰色调掩模等对将成为壁基部形成层19dcb的部分进行半曝光，能够形成横截面为山形的壁基部形成层19dcb。
接着，在形成有第一平坦化膜19a等的基板表面上，例如通过等离子体CVD法使氧氮化硅膜(厚度10nm～500nm左右)成膜，形成无机绝缘膜之后，对该无机绝缘膜进行图案化，从而在显示区域D形成第三层间绝缘膜20a，如图17所示，在非显示区域N形成壁上部形成层20bcb。
进而，如图17所示，在壁上部形成层20bcb上形成了抗蚀图案R后，例如通过干式蚀刻除去从抗蚀图案R露出的壁上部形成层20bcb和壁基部形成层19dcb的端部，从而如图18所示，形成壁上部20bc和壁基部19dc。由此，形成有分离壁Ec，该分离壁Ec具备壁基部19dc以及呈檐状设置在壁基部19dc上的壁上部20bc。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，在显示区域D的内部的形成有贯通孔H的岛状的非显示区域N，分离壁Ec沿着贯通孔H的周缘设置为圆形的框状。在此，分离壁Ec具备：壁基部19dc，与第一平坦化膜19a由同一材料设置在同一层，并呈框状设置；以及壁上部20bc，以从显示区域D侧向贯通孔H侧突出的方式呈檐状设置在壁基部19dc上，并与第三层间绝缘膜20a由同一材料形成在同一层。由此，共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)及第二电极34在分离壁Ec的突出为檐状的部分，分别分离成显示区域D侧和贯通孔H侧而被断开形成。而且，为了形成分离壁Ec，无需多次重复进行形成抗蚀图案的工序和使用该抗蚀图案进行干式蚀刻的工序，因此能够分离成显示区域D侧和贯通孔H侧，以低成本形成共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)及第二电极34。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，第二无机密封膜38以在非显示区域N中，隔着第一无机密封膜36覆盖分离壁Ec的方式设置。此外，第一无机密封膜36以在非显示区域N中，与TFT层30的第二层间绝缘膜17接触的方式设置。由此，即使在非显示区域N中，也能够确保密封膜40所带来的密封性能，因此能够抑制有机EL层33的劣化，能够提高有机EL显示装置50c的可靠性。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，壁基部19dc的上表面以贯通孔H侧比显示区域D侧更高的方式倾斜形成，壁上部20bc以壁基部19dc的上表面的倾斜角度倾斜并突出的方式设置，因此能够减少对壁基部形成层19dcb进行干式蚀刻时的侧移的量。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，在壁基部19dc的贯通孔H侧的树脂基板层10侧，以包围贯通孔H的方式，金属层18k设置为圆形的框状，因此，与上述第二实施方式的有机EL显示装置50b相比，能够容易地形成横截面为山形的壁基部形成层19dcb。
《其他实施方式》
在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层的5层层叠结构的有机EL层，但有机EL层例如也可以是空穴注入层兼空穴输送层、发光层及电子输送层兼电子注入层的3层层叠结构。
此外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极、将第二电极作为阴极的有机EL显示装置，但本发明也能适用于使有机EL层的层叠结构反转、将第一电极作为阴极、将第二电极作为阳极的有机EL显示装置。
此外，在上述各实施方式中，例示了将连接于第一电极的TFT的电极作为漏极的有机EL显示装置，但本发明也能适用于将连接于第一电极的TFT的电极称为源极的有机EL显示装置。
此外，在上述各实施方式中，作为显示装置，列举了有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明能够适用于具备由电流驱动的多个发光元件的显示装置。例如，能够应用于具备使用了含有量子点含有层的发光元件即QLED(Quantum-dot light emitting diode)的显示装置。
产业上的可利用性
如上所述，本发明对柔性显示装置是有用的。
附图标记说明
D：显示区域
Ea、Eb、Ec：分离壁
H：贯通孔
N：非显示区域
P：子像素
Wa：第一外侧阻挡壁
Wb：第二外侧阻挡壁
Wc：第一内侧阻挡壁
Wd：第二内侧阻挡壁
1：空穴注入层(共用功能层)
2：空穴输送层(共用功能层)
4：电子传输层(共用功能层)
5：电子注入层(共用功能层)
10：树脂基板层(基底基板)
11：底涂膜(其他无机绝缘膜)
13：栅极绝缘膜(其他无机绝缘膜)
15：第一层间绝缘膜(其他无机绝缘膜)
17：第二层间绝缘膜(其他无机绝缘膜)
18f：源极线(布线层)
18k：金属层
19a：第一平坦化膜
19da、19db、19dc：壁基部
20a：第三层间绝缘膜(无机绝缘膜)
20ba、20bb、20bc：壁上部
30：TFT层(薄膜晶体管层)
31a：第一电极
33：有机EL层(有机电致发光层、功能层)
34：第二电极
35：有机EL元件层(发光元件层)
36：第一无机密封膜
37：有机密封膜
38：第二无机密封膜
40：密封膜
50a、50b、50c：有机EL显示装置
60：电子部件

Claims (15)

1.一种显示装置，其特征在于，其具备：
基底基板；
薄膜晶体管层，其设置在所述基底基板上，依次层叠有平坦化膜和无机绝缘膜；以及
发光元件层，其设置于所述薄膜晶体管层，对应于构成显示区域的多个子像素，依次叠层有多个第一电极、多个功能层和共用的第二电极，
在所述显示区域的内部，非显示区域设置为岛状，
在所述非显示区域形成有在所述基底基板的厚度方向上贯通的贯通孔，
在所述非显示区域以包围所述贯通孔的方式设置有分离壁，
所述分离壁包括：
壁基部，其与所述平坦化膜由同一材料设置在同一层，并呈框状设置；以及
壁上部，其以从所述显示区域侧向所述贯通孔侧突出的方式呈檐状设置在所述壁基部上，并与所述无机绝缘膜由同一材料形成在同一层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述壁基部的上表面以所述贯通孔侧高于所述显示区域侧的方式倾斜地形成，
所述壁上部以所述壁基部的上表面的倾斜角度倾斜地突出的方式设置。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
所述多个功能层包括供所述多个子像素共用地设置的共用功能层，
所述共用功能层和所述第二电极以从所述显示区域遍及所述非显示区域的方式设置在所述分离壁上，在所述壁上部的所述贯通孔侧的端部与所述贯通孔侧的部分分离。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述发光元件层上设置有依次层叠第一无机密封膜、有机密封膜和第二无机密封膜而成的密封膜，
所述第二无机密封膜以在所述非显示区域隔着所述第一无机密封膜覆盖所述分离壁的方式设置。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述薄膜晶体管层具备设于所述平坦化膜的所述基底基板侧的其它无机绝缘膜，
所述第一无机密封膜以在所述非显示区域与所述其它无机绝缘膜接触的方式设置。
6.根据权利要求4或5所述的显示装置，其特征在于，
在所述非显示区域呈框状设置有内侧阻挡壁，所述内侧阻挡壁包围所述分离壁并且与所述有机密封膜的内周端部重叠。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述显示区域的周围设置有边框区域，
在所述边框区域呈框状设置有外侧阻挡壁，所述外侧阻挡壁以包围所述显示区域，并且与所述有机密封膜的外周端部重叠的方式设置。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述薄膜晶体管层具备设于所述平坦化膜的所述基底基板侧的布线层，
在所述分离壁，在所述壁基部的所述贯通孔侧的所述基底基板侧设置有金属层，所述金属层与所述布线层由同一材料形成在同一层。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述金属层的所述贯通孔侧从所述壁基部露出。
10.根据权利要求8或9所述的显示装置，其特征在于，
所述金属层以与所述壁上部的所述贯通孔侧的端部重叠的方式设置。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述金属层以包围所述贯通孔的方式呈框状设置。
12.根据权利要求8～11中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述金属层由叠层有多个金属膜的金属层叠膜形成。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述贯通孔中设置有电子部件。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
所述电子部件是相机、或者指纹传感器。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述各功能层是有机电致发光层。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10205122B2 (en) * 2015-11-20 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
KR102483956B1 (ko) * 2016-03-31 2023-01-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102576994B1 (ko) * 2018-06-28 2023-09-12 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102624153B1 (ko) * 2018-06-29 2024-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102602191B1 (ko) * 2018-08-24 2023-11-15 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102563782B1 (ko) * 2018-10-19 2023-08-04 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110164916B (zh) * 2018-12-05 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备及制造显示面板的方法
CN110429118A (zh) * 2019-07-31 2019-11-08 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置
CN110649177A (zh) * 2019-09-24 2020-01-03 云谷（固安）科技有限公司 显示面板的制备方法、显示面板及显示装置
CN110611047A (zh) * 2019-08-29 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110867475B (zh) * 2019-11-26 2023-09-29 京东方科技集团股份有限公司 电致发光显示基板及其制备方法、电致发光显示装置
CN110911421B (zh) * 2019-11-29 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 用于有机发光显示面板的背板及制作方法、显示面板

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