JP2020536366A - 有機発光素子のパッケージ構造及びその製造方法、有機発光装置 - Google Patents

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Abstract

有機発光素子のパッケージ構造及びその製造方法、有機発光装置を提供する。有機発光素子のパッケージ構造は、基板上に設置され且つ有機発光素子を覆う第一無機層と、第一無機層の周縁に設置された遮断部と、第一無機層上に順次に設置された有機層及び第二無機層と、を備え、遮断部は第一無機層上で遮断部の内側に位置する包囲部を画定し、有機層は包囲部内に設置される。本発明に係わる有機発光素子のパッケージ構造において、遮断部は第一有機層の周縁に設置されて、第一無機層に覆われないので、遮断部の疎水性が変化されることを防ぎ、遮断部が有機層のオーバーフローを効果的に防ぐことを保証し、遮断部と有機発光素子の有効発光領域との間の距離を効果的に短縮することができる。【選択図】図1

Description

本発明は、発光表示技術分野に関するものであり、特に有機発光素子のパッケージ構造及びその製造方法、有機発光装置に関するものである。
有機発光ダイオード(Organic Light-Emitting Diode、OLED)素子のカソード及び有機発光材料は、空気中の水や酸素と反応して失効し易いので、パッケージング材料でOLED素子をカプセル化する必要があり、フレキシブルOLEDもフレキシブルパッケージングすることを必要として、即ち薄膜カプセル化(Thin−Film Encapsulation,TFE)が必要である。
現在、TFEは、主に無機層、有機層、無機層が交互に重ねられた構造を使用している。有機層を形成する方法はIJPであり、即ちインクジェットプリンタ(Ink Jet Printer)でインクジェットして有機層を形成する。インク(有機材料)は良い流動性を有するので、インクのオーバーフローを防ぐために、パネルの両端にバッフルプレートに似たバンク(Bank)を形成することを必要とする。バンクは一般的にTFTプロセスで形成され、且つバンクは前のプロセスで形成されるが、TFTプロセスの最初のプロセスはCVD(無機層)であるので、バンクはCVDで覆われ、バンクの元の疎水性が変わり、インクのオーバーフローを効果的に防ぐことはできなくなるとともに、インクオーバーフローを効果的に防ぐために、バンク距離がさらに長くなければならない。
本発明が解決しようとする技術問題は、有機層のオーバーフローを効果的に防止し、且つ遮断部と有効発光領域との間の距離を効果的に短縮する有機発光素子のパッケージ構造、パッケージ構造の製造方法、及びパッケージ構造を有する有機発光装置を提供することである。
上記の技術問題を解決するために、本発明が採用する技術方案は、基板上に設置され且つ有機発光素子を覆う第一無機層と、第一無機層の周縁に設置された遮断部と、第一無機層上に順次に設置された有機層及び第二無機層と、を備える有機発光素子のパッケージ構造を提供し、
遮断部は、第一無機層上で遮断部の内側に位置する包囲部を画定し、有機層は包囲部内に設置される。
本発明は、さらに有機発光素子のパッケージ構造の製造方法を提供し、以下のステップを備える。
S1、基板上に第一無機層を設置し、第一無機層は基板上の有機発光素子を覆う。
S2、第一無機層の周縁に遮断部を設置し、遮断部は第一無機層上で遮断部の内側に位置する包囲部を画定する。
S3、第一無機層上に有機層を設置し、有機層は包囲部内に位置する。
S4、有機層上に第二無機層を設置する。
本発明は、さらに別の有機発光素子のパッケージ構造の製造方法を提供し、以下のステップを備える。
S1、TFTプロセスにおいて、基板上に遮断部を設置し、遮断部は基板上の有機発光素子の周辺に位置する。
S2、マスクを用いて遮断部を遮り、基板上に第一無機層を設置し、第一無機層は有機発光素子を覆い、遮断部は第一無機層の周縁に位置する。
S3、第一無機層上に有機層を設置し、有機層は遮断部と第一無機層との間に形成された包囲部内に位置する。
S4、有機層上に第二無機層を設置する。
本発明は、さらに、基板と、有機発光素子と、上述したパッケージ構造と、を備える有機発光素子を提供し、
有機発光素子は基板上に設置され、パッケージ構造は基板上に設置され且つ有機発光素子を覆う。
本発明の有益な効果は、パッケージ構造において、遮断部(バンク)は第一有機層の周縁に設置されて、第一無機層に覆われないので、遮断部の疎水性が変化されることを防ぎ、遮断部が有機層のオーバーフローを効果的に防ぐことを保証し、遮断部と有機発光素子の有効発光領域との間の距離を効果的に短縮することができる。
以下、添付された図面及び実施形態を結合して、本発明をさらに説明する。
図1は、本発明の実施形態に係わる有機発光素子のパッケージ構造の構造を示す概略図である。
本発明の技術特徴、目的及び効果をより明確に理解するために、図面を参照しながら本発明の具体的な実施形態を詳細に説明する。
図1に示されたように、本発明の一実施形態に係わる有機発光素子のパッケージ構造は、基板1上に設置され且つ有機発光素子2を覆う第一無機層10と、第一無機層10の周縁に設置された遮断部40と、第一無機層10上に順次に設置された有機層30及び第二無機層20と、を備える。遮断部40は、第一無機層10上で遮断部40の内側に位置する包囲部50を画定し、包囲部50も有機発光素子2の上方に位置し、有機層30は包囲部50内に設置される。
有機発光素子2はOLED素子であることができ、基板1はガラス基板であることができる。第一無機層10、有機層30及び第二無機層20は、有機発光素子2の上に順次に積層され、有機発光素子2の有機発光層が水や酸素の侵食を受けないように保護する。本発明の実施形態に係わるパッケージ構造は、TFT素子などのような他の発光素子にも適用できると理解されるべきである。
第一無機層10は、有機発光素子2を覆う第一層構造として、化学気相蒸着(DVD)又は原子層蒸着(ALD)によって基板1上に形成されることができる。図1に示されたように、第一無機層10の中間部分は、有機発光素子2の上表面及び側面を覆い、第一無機層10のエッジ部分は有機発光素子2の側面に沿って基板1へ延びている。
遮断部40は、基板1上における第一無機層10の周縁に位置し、第一無機層10の周縁上に位置してもよく、周縁の外側に位置してもよい。遮断部40の高さは第一無機層10の高さより高い。より高い遮断部40は、インクジェットプリンタでインクジェット印刷を行って有機層30を形成する際、良い流動性を有する有機材料のオーバーフローを効果的に防止することができる。従って、有機層30は、完全に包囲部50内に設置されることができる。
遮断部40は、マスクを採用し且つ化学気相蒸着又は原子層蒸着によって第一無機層10上に形成されるか、又は化学気相蒸着とドライエッチングによって第一無機層10上に形成される。
遮断部40は、疎水性を有する絶縁材料からなるので、有機層30と互いにブレンドしなく、有機層30は遮断部40の内側で所定の形状に形成される。選択的に、遮断部40は、酸化シリコン(SiOx)又は窒化シリコン(SiNx)などで構成されることができる。
遮断部40は、第一無機層10の周縁に設置されて、第一無機層10に覆われないので、遮断部40の疎水性が弱くならず、有機層30の製造工程において、有機層30の形成材料のオーバーフローを効果的に防止する。また、遮断部40は、有機発光素子2の有効発光領域から遠く離れて設ける必要はなく、遮断部40と有効発光領域との間の距離を効果的に短縮し、有機発光装置の全体の体積を減らすことに有利である。
有機層30は、インクジェット印刷法(IJP)によって第一無機層10上に形成されるので、インク(Ink)などの有機材料で形成された有機膜層である。遮断部40は第一無機層10の周縁に設置されているので、有機層30を形成する際、インクは遮断部40に遮断されて遮断部40の外側に流れない。
本実施形態において、有機層30は、有機発光素子2の上方に対応する平坦部31と、平坦部31の外周に接続され且つ有機発光素子2の外周側に対応する傾斜部32と、を備える。傾斜部32における平坦部31から離れた側面は、遮断部40の側面に当接される。傾斜部32の側面の高さは、遮断部40の側面の高さよりも低いか、又は遮断部40の側面の高さと同じである。
有機層30の具体的な材料及び製造方法は、全て従来技術によって実現されることができる。
第二無機層20は、有機層30上に設置され且つ遮断部40を覆う。有機層30の構造に対応して、第二無機層20は、有機層30の平坦部31及び傾斜部32を覆い、且つ遮断部40の外周まで延在されて遮断部40を覆う。第二無機層20のエッジ部分は、さらに延在されて第一無機層10に接触することができる。
第一無機層10と同様に、第二無機層20は、化学気相蒸着(DVD)又は原子層蒸着(ALD)によって有機層30上に形成されることができる。第二無機層20及び第一無機層10は、同じ材料から作製することができ、具体的な材料及び製造方法は、従来の技術によって実現することができる。
図1を参照すると、本発明の実施形態に係わる有機発光素子のパッケージ構造の製造方法は、以下のステップを備えることができる。
S1、基板1上に第一無機層10を設置し、第一無機層10は基板1上の有機発光素子2を覆う。
第一無機層10は、化学気相蒸着(DVD)又は原子層蒸着(ALD)によって基板1上に形成されることができる。
S2、第一無機層10の周縁に遮断部40を設置し、遮断部40は第一無機層10上で遮断部40の内側に位置する包囲部50を画定する。
遮断部40は、マスクを採用し且つ化学気相蒸着又は原子層蒸着によって第一無機層10上に形成されるか、又は化学気相蒸着とドライエッチングによって第一無機層10上に形成される。
S3、第一無機層10上に有機層30を設置し、有機層30は包囲部50内に位置する。
有機層30は、インクジェット印刷法によって第一無機層10上に形成され、包囲部50の制限により、有機層30は形成過程で遮断部40の外側に溢れない。
S4、有機層30上に第二無機層20を設置する。
第一無機層10と同様に、第二無機層20も化学気相蒸着又は原子層蒸着によって有機層30上に形成されることができる。第二無機層20は、さらに遮断部40の外側に延在されて遮断部40を覆う。
図1を参照すると、本発明の別の実施形態に係わる有機発光素子のパッケージ構造の製造方法は、以下のステップを備えることができる。
S1、TFTプロセスにおいて、基板1上に遮断部40を設置し、遮断部40は基板1上の有機発光素子2の周辺に位置する。
S2、マスクを用いて遮断部40を遮り、基板1上に第一無機層10を設置する。
第一無機層10は有機発光素子2を覆い、遮断部40は第一無機層10の周縁に位置するので、遮断部40は第一無機層10上で遮断部40の内側に位置する包囲部50を画定する。
第一無機層10は、化学気相蒸着又は原子層蒸着によって基板1上に形成されることができる。
S3、第一無機層10上に有機層30を設置する。
有機層30は、遮断部40と第一無機層10との間に形成された包囲部50内に位置する。
有機層30は、インクジェット印刷法によって第一無機層10上に形成され、包囲部50の制限により、有機層30は形成過程で遮断部40の外側に溢れない。
S4、有機層30上に第二無機層20を設置する。
第一無機層10と同様に、第二無機層20も化学気相蒸着又は原子層蒸着によって有機層30上に形成されることができる。第二無機層20は、さらに遮断部40の外側に延在されて遮断部40を覆う。
図1を参照すると、本発明の有機発光装置は、基板1と、有機発光素子2と、上述したパッケージ構造と、を備える。有機発光素子2は基板1上に設置され、パッケージ構造は基板1上に設置され且つ有機発光素子2を覆う。
基板1はガラス基板であることができ、有機発光素子2はOLED素子であることができる。パッケージ構造において、第一無機層10、有機層30及び第二無機層20は、有機発光素子2の上に順次に積層され、有機発光素子2の有機発光層が水や酸素の侵食を受けないように保護する。
パッケージ構造において、遮断部40は、第一無機層10の周縁に設置されて、第一無機層10に覆われないので、遮断部40の疎水性が弱くならず、有機層30の製造工程において、有機層30の形成材料のオーバーフローを効果的に防止する。また、遮断部40は、有機発光素子2の有効発光領域から遠く離れて設ける必要はなく、遮断部40と有効発光領域との間の距離を効果的に短縮し、有機発光装置の全体の体積を減らすことに有利である。
上述したのは本発明の好ましい実施形態であり、本発明の範囲を限定するものではない。本発明の明細書及び図面を利用して行われた同等の構造又は同等のプロセス変換、又は他の関連技術分野で直接又は間接的に使用されても、同様に本発明の範囲に属する。

本発明は、さらに、基板と、有機発光素子と、上述したパッケージ構造と、を備える有機発光装置を提供し、
有機発光素子は基板上に設置され、パッケージ構造は基板上に設置され且つ有機発光素子を覆う。
本発明の有益な効果は、パッケージ構造において、遮断部(バンク)は第一無機層の周縁に設置されて、第一無機層に覆われないので、遮断部の疎水性が変化されることを防ぎ、遮断部が有機層のオーバーフローを効果的に防ぐことを保証し、遮断部と有機発光素子の有効発光領域との間の距離を効果的に短縮することができる。

Claims (12)

  1. 有機発光素子のパッケージ構造であって、基板1上に設置され且つ有機発光素子2を覆う第一無機層10と、前記第一無機層10の周縁に設置された遮断部40と、前記第一無機層10上に順次に設置された有機層30及び第二無機層20と、を備え、
    前記遮断部40は、前記第一無機層10上で前記遮断部40の内側に位置する包囲部50を画定し、前記有機層30は前記包囲部50内に設置されることを特徴とする有機発光素子のパッケージ構造。
  2. 前記第二無機層20は、前記有機層30上に設置され且つ前記遮断部40を覆うことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子のパッケージ構造。
  3. 前記有機層30は、前記有機発光素子2の上方に対応する平坦部31と、前記平坦部31の外周に接続され且つ前記有機発光素子2の外周側に対応する傾斜部32と、を備え、前記傾斜部32における前記平坦部31から離れた側面は前記遮断部40の側面に当接されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子のパッケージ構造。
  4. 前記第二無機層20は、前記平坦部31及び前記傾斜部32を覆い、且つ前記遮断部40の外周まで延在されて前記遮断部40を覆うことを特徴とする請求項3に記載の有機発光素子のパッケージ構造。
  5. 前記遮断部40は、疎水性を有する絶縁材料からなることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子のパッケージ構造。
  6. 前記遮断部40は、酸化シリコン又は窒化シリコンで構成されることを特徴とする請求項5に記載の有機発光素子のパッケージ構造。
  7. 有機発光素子のパッケージ構造の製造方法であって、
    S1、基板1上に第一無機層10を設置し、前記第一無機層10は前記基板1上の有機発光素子2を覆うステップと、
    S2、前記第一無機層10の周縁に遮断部40を設置し、前記遮断部40は前記第一無機層10上で前記遮断部40の内側に位置する包囲部50を画定するステップと、
    S3、前記第一無機層10上に有機層30を設置し、前記有機層30は前記包囲部50内に位置するステップと、
    S4、前記有機層30上に第二無機層20を設置するステップと、
    を備えることを特徴とする有機発光素子のパッケージ構造の製造方法。
  8. ステップS1において、前記第一無機層10は、化学気相蒸着又は原子層蒸着によって前記基板1上に形成され、
    ステップS3において、前記有機層30は、インクジェット印刷法によって前記第一無機層10上に形成され、
    ステップS4において、前記第二無機層20は、化学気相蒸着又は原子層蒸着によって前記有機層30上に形成される、
    ことを特徴とする請求項7に記載の有機発光素子のパッケージ構造の製造方法。
  9. ステップS2において、前記遮断部40は、マスクを採用し且つ化学気相蒸着又は原子層蒸着によって前記第一無機層10上に形成されるか、又は化学気相蒸着とドライエッチングによって前記第一無機層10上に形成される、
    ことを特徴とする請求項7に記載の有機発光素子のパッケージ構造の製造方法。
  10. 有機発光素子のパッケージ構造の製造方法であって、
    S1、TFTプロセスにおいて、基板1上に遮断部40を設置し、前記遮断部40は前記基板1上の有機発光素子2の周辺に位置するステップと、
    S2、マスクを用いて前記遮断部40を遮り、前記基板1上に第一無機層10を設置し、前記第一無機層10は前記有機発光素子2を覆い、前記遮断部40は前記第一無機層10の周縁に位置するステップと、
    S3、前記第一無機層10上に有機層30を設置し、前記有機層30は前記遮断部40と前記第一無機層10との間に形成された包囲部50内に位置するステップと、
    S4、前記有機層30上に第二無機層20を設置するステップと、
    を備えることを特徴とする有機発光素子のパッケージ構造の製造方法。
  11. ステップS2において、前記第一無機層10は、化学気相蒸着又は原子層蒸着によって前記基板1上に形成され、
    ステップS3において、前記有機層30は、インクジェット印刷法によって前記第一無機層10上に形成され、
    ステップS4において、前記第二無機層20は、化学気相蒸着又は原子層蒸着によって前記有機層30上に形成される、
    ことを特徴とする請求項10に記載の有機発光素子のパッケージ構造の製造方法。
  12. 有機発光装置であって、
    基板1、有機発光素子2及びパッケージ構造を備え、
    前記パッケージ構造は、請求項1〜6のいずれか一項に記載のパッケージ構造であって、請求項7〜9のいずれか一項に記載のパッケージ構造の製造方法によって製造されるか、又は請求項10〜11のいずれか一項に記載のパッケージ構造の製造方法によって製造され、
    前記有機発光素子2は前記基板1上に設置され、前記パッケージ構造は前記基板1上に設置され且つ前記有機発光素子2を覆う、
    ことを特徴とする有機発光装置。

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