CN105449121A - Oled器件的封装方法、oled封装器件及显示装置 - Google Patents
Oled器件的封装方法、oled封装器件及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105449121A CN105449121A CN201610021164.1A CN201610021164A CN105449121A CN 105449121 A CN105449121 A CN 105449121A CN 201610021164 A CN201610021164 A CN 201610021164A CN 105449121 A CN105449121 A CN 105449121A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thin film
- inorganic thin
- ground floor
- oled
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 102
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 53
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 9
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 238000005267 amalgamation Methods 0.000 description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种OLED器件的封装方法、OLED封装器件及显示装置，属于OLED领域。所述方法包括：在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜；在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽；在所述凹槽内形成第二层有机薄膜；以覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的方式形成第三层无机薄膜。本发明通过在第一层无机薄膜上形成一个凹槽，第二层有机薄膜形成在该凹槽内，在第二层有机薄膜形成的过程中，凹槽四周的无机薄膜作为第二层有机薄膜的挡墙，使得有机材料流动被挡墙挡住，从而保证第二层有机薄膜边缘形貌保持平齐，保证封装效果；另外此种设计使第一层无机薄膜和第三层无机薄膜充分接触，保证了两膜层的融合性，进一步保证封装强度和效果。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)领域，特别涉及一种OLED器件的封装方法、OLED封装器件及显示装置。
背景技术
OLED器件由于其具有全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快及可柔性显示等一系列优点，已成为极具竞争力和发展前景的下一代显示器件。研究表明，空气中的水汽和氧气等成分对OLED器件的寿命影响很大。因此，对OLED器件进行有效封装，使OLED器件与大气中的水汽、氧气等成分充分隔离，可以大大延长OLED器件的寿命，从而可以延长包括OLED器件的显示装置的使用寿命。
目前，OLED器件的封装多采用薄膜封装(ThinFilmEncapsulation，简称TFE)实现，TFE封装方式会在待封装OLED器件上依次沉积第一层无机薄膜、第二层有机薄膜和第三层无机薄膜，以对OLED器件进行保护。
其中，第二层有机薄膜一般采用喷墨打印(inkjetprinting)的方式形成，形成过程中有机材料易发生流动，造成最终成型的第二层有机薄膜边缘不整齐，导致第一层无机薄膜和第三层无机薄膜难以接触融合，使得TFE封装效果差，OLED器件良品率下降。
发明内容
为了解决现有TFE成膜方法中第二层有机薄膜边缘不整齐的问题，本发明实施例提供了一种OLED器件的封装方法、OLED封装器件及显示装置。所述技术方案如下：
第一方面，提供一种OLED器件的封装方法，所述方法包括：
在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜；
在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽；
在所述凹槽内形成第二层有机薄膜；
以覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的方式形成第三层无机薄膜。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽，包括：
采用干刻蚀工艺刻蚀所述第一层无机薄膜的表面，形成所述凹槽。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜，包括：
采用化学气相沉积或者原子层沉积工艺形成所述第一层无机薄膜。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述干刻蚀工艺采用的掩膜板的图形与所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板的图形的形状相同，且所述干刻蚀工艺采用的掩膜板的图形的边长比所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板的图形的边长小0.01～0.5mm。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的深度为0.1-0.8μm。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的形状与所述第一层无机薄膜的形状相同。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘的距离为5-250μm。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述待封装OLED器件包括基板以及设置在所述基板上的OLED发光结构，所述第一层无机薄膜覆盖所述OLED发光结构并与所述基板粘接。
第二方面，提供一种OLED封装器件，所述OLED封装器件包括：
设于OLED器件上的第一层无机薄膜，所述第一层无机薄膜的表面设有凹槽，设于所述凹槽内的第二层有机薄膜，以及覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的第三层无机薄膜。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述凹槽的深度为0.1-0.8μm。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的形状与所述第一层无机薄膜的形状相同。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘的距离为5-250μm。
第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第二方面中任一项所述的OLED封装器件。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在第一层无机薄膜上形成一个凹槽，第二层有机薄膜形成在该凹槽内，在第二层有机薄膜形成的过程中，凹槽四周的无机薄膜作为第二层有机薄膜的挡墙，使得有机材料流动被挡墙挡住，从而保证第二层有机薄膜边缘形貌保持平齐，保证封装效果；另外此种设计使第一层无机薄膜和第三层无机薄膜充分接触，保证了两膜层的融合性，进一步保证封装强度和效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种OLED器件的封装方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的另一种OLED器件的封装方法的流程图；
图2a是本发明实施例提供的另一种OLED器件封装过程中的结构示意程图；
图2b是本发明实施例提供的另一种OLED器件封装过程中的结构示意程图；
图2c是本发明实施例提供的另一种OLED器件封装过程中的结构示意程图；
图2d是本发明实施例提供的另一种OLED器件封装过程中的结构示意程图；
图2e是本发明实施例提供的另一种OLED器件封装过程中的结构示意程图；
图3是本发明实施例提供的一种OLED封装器件的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种OLED器件的封装方法的流程图，参见图1，该方法包括：
步骤101：在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜。
步骤102：在第一层无机薄膜的表面形成凹槽。
步骤103：在凹槽内形成第二层有机薄膜。
步骤104：以覆盖第一层无机薄膜和第二层有机薄膜的方式形成第三层无机薄膜。
本发明实施例通过在第一层无机薄膜上形成一个凹槽，第二层有机薄膜形成在该凹槽内，在第二层有机薄膜形成的过程中，凹槽四周的无机薄膜作为第二层有机薄膜的挡墙，使得有机材料流动被挡墙挡住，从而保证第二层有机薄膜边缘形貌保持平齐，保证封装效果；另外此种设计使第一层无机薄膜和第三层无机薄膜充分接触，保证了两膜层的融合性，进一步保证封装强度和效果。
图2是本发明实施例提供的另一种OLED器件的封装方法的流程图，参见图2，该方法包括：
步骤201：采用化学气相沉积或者原子层沉积工艺在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜。
如图2a所示，在一种可能的实现方式中，待封装OLED器件20包括基板20a以及设置在基板20a上的OLED发光结构20b，第一层无机薄膜21覆盖OLED发光结构20b并与基板20a粘接。
其中，基板20a包括但不限于由衬底基板和设于衬底基板上的薄膜晶体管等膜层组成，衬底基板可以是玻璃基板等。OLED发光结构20b包括但不限于由阳极层、阴极层、有机功能层等膜层组成。
其中，第一层无机薄膜21包括但不限于SiNx或SiON等膜层，第一层无机薄膜21的膜层厚度a(未形成凹槽时)可以为0.6～1.8μm，第一层无机薄膜21包裹OLED发光结构20b的侧边的厚度b为0.1-1μm。
步骤202：采用干刻蚀工艺刻蚀第一层无机薄膜的表面，形成凹槽。采用干刻蚀法形成凹槽，实现方式简单。
在一种可能的实现方式中，干刻蚀工艺采用的掩膜板的图形与化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板的图形的形状相同，且干刻蚀工艺采用的掩膜板的图形的边长比化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板的图形的边长小0.01～0.5mm。采用图形尺寸小于第一无机薄膜形成时使用的掩膜板图形的掩膜板制作凹槽，从而在第一层无机薄膜上形成上述凹槽。其中，上述掩膜板的图形是指掩膜板上图案的形状。
如图2b所示，在第一层无机薄膜21的表面形成凹槽22。
如图2b所示，在一种可能的实现方式中，凹槽22的深度h为0.1-0.8μm。该深度既能充分保证形成第二层有机薄膜时，有机材料不会发生溢流，又不至于由于凹槽深度太深造成第一层无机薄膜的厚度变得过薄。此时，第一层无机薄膜21剩余的膜层厚度可以为0.5～1μm。
图2c是形成凹槽22后第一层无机薄膜21的俯视图，如图2c所示，在一种可能的实现方式中，凹槽22的形状与第一层无机薄膜21的形状相同，例如图2c所示的矩形。
如图2b和2c所示，在该实现方式中，凹槽22的边缘与第一层无机薄膜21的边缘的距离d可以为5-250μm，该距离既能充分保证有机材料不会发生溢流，又不会造成第二有机薄膜的面积变得过小。
在其他可能的实现方式中，凹槽22的形状还可以与第一层无机薄膜21的形状不相同，例如第一层无机薄膜21的形状为矩形，凹槽22的形状为椭圆形或圆形等，本发明实施例对此不做限制。
步骤203：在凹槽内形成第二层有机薄膜。
在一种可能的实现方式中，第二层有机薄膜采用喷墨打印的方式形成。
如图2d所示，在凹槽22中形成第二层有机薄膜23，第二层有机薄膜23的厚度大于凹槽22的深度。
其中，第二层有机薄膜23包括但不限于透明且无outgas(气体溢出)的有机单体材料(该有机单体材料不会挥发产生气体)膜层，第二层有机薄膜23的厚度可以为4～15μm。
步骤204：以覆盖第一层无机薄膜和第二层有机薄膜的方式形成第三层无机薄膜。
如图2e所示，在第二层有机薄膜23上形成第三层无机薄膜24，其中，第三层无机薄膜24的膜层材料与第一层无机薄膜21相同，包括但不限于SiNx或SiON等膜层，第三层无机薄膜24的膜层厚度可以为0.5～1μm，第三层无机薄膜24包裹第二层有机薄膜23的侧边的厚度b为3.9-14.2μm。具体地，由于第二层有机薄膜23设置在凹槽22中，其大小比第一层无机薄膜21小，所以形成第三层无机薄膜24时，不仅可以覆盖第二层有机薄膜23，还可以覆盖到第一层无机薄膜21位于凹槽22外围的部分，从而实现了第一层无机薄膜21和第三层无机薄膜24的接触，保证第一层无机薄膜21和第三层无机薄膜24的融合。
本发明实施例通过在第一层无机薄膜上形成一个凹槽，第二层有机薄膜形成在该凹槽内，在第二层有机薄膜形成的过程中，凹槽四周的无机薄膜作为第二层有机薄膜的挡墙，使得有机材料流动被挡墙挡住，从而保证第二层有机薄膜边缘形貌保持平齐，保证封装效果；另外此种设计使第一层无机薄膜和第三层无机薄膜充分接触，保证了两膜层的融合性，进一步保证封装强度和效果。
图3是本发明实施例提供的一种OLED封装器件的结构示意图，参见图3，该OLED封装器件包括：
设于OLED器件300上的第一层无机薄膜301，第一层无机薄膜的表面设有凹槽302，设于凹槽302内的第二层有机薄膜303，以及覆盖第一层无机薄膜301和第二层有机薄膜303的第三层无机薄膜304。
在一种可能的实现方式中，凹槽302的深度为0.1-0.8μm。该深度既能充分保证形成第二层有机薄膜时，有机材料不会发生溢流，又不至于由于凹槽深度太深造成第一层无机薄膜的厚度变得过薄。
在一种可能的实现方式中，凹槽302的形状与第一层无机薄膜301的形状相同。
在一种可能的实现方式中，凹槽302的边缘与第一层无机薄膜301的边缘的距离为5-250μm。该距离既能充分保证有机材料不会发生溢流，又不会造成第二有机薄膜的面积变得过小。
在一种可能的实现方式中，OLED器件300包括基板300a以及设置在基板300a上的OLED发光结构300b，第一层无机薄膜301覆盖OLED发光结构300b并与基板300a粘接。当然，在其他可能的实现方式中，OLED器件300还可以是其他结构，本发明对此不做限制。
本发明实施例通过在第一层无机薄膜上形成一个凹槽，第二层有机薄膜形成在该凹槽内，在第二层有机薄膜形成的过程中，凹槽四周的无机薄膜作为第二层有机薄膜的挡墙，使得有机材料流动被挡墙挡住，从而保证第二层有机薄膜边缘形貌保持平齐，保证封装效果；另外此种设计使第一层无机薄膜和第三层无机薄膜充分接触，保证了两膜层的融合性，进一步保证封装强度和效果。
本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括图3所示的OLED封装器件。
本发明实施例通过在第一层无机薄膜上形成一个凹槽，第二层有机薄膜形成在该凹槽内，在第二层有机薄膜形成的过程中，凹槽四周的无机薄膜作为第二层有机薄膜的挡墙，使得有机材料流动被挡墙挡住，从而保证第二层有机薄膜边缘形貌保持平齐，保证封装效果；另外此种设计使第一层无机薄膜和第三层无机薄膜充分接触，保证了两膜层的融合性，进一步保证封装强度和效果。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种OLED器件的封装方法，其特征在于，所述方法包括：
在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜；
在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽；
在所述凹槽内形成第二层有机薄膜；
以覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的方式形成第三层无机薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽，包括：
采用干刻蚀工艺刻蚀所述第一层无机薄膜的表面，形成所述凹槽。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜，包括：
采用化学气相沉积或者原子层沉积工艺形成所述第一层无机薄膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述干刻蚀工艺采用的掩膜板的图形与所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板的图形的形状相同，且所述干刻蚀工艺采用的掩膜板的图形的边长比所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板的图形的边长小0.01～0.5mm。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度为0.1-0.8μm。
6.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述凹槽的形状与所述第一层无机薄膜的形状相同。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘的距离为5-250μm。
8.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述待封装OLED器件包括基板以及设置在所述基板上的OLED发光结构，所述第一层无机薄膜覆盖所述OLED发光结构并与所述基板粘接。
9.一种OLED封装器件，其特征在于，所述OLED封装器件包括：
设于OLED器件上的第一层无机薄膜，所述第一层无机薄膜的表面设有凹槽，设于所述凹槽内的第二层有机薄膜，以及覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的第三层无机薄膜。
10.根据权利要求9所述的OLED封装器件，其特征在于，所述凹槽的深度为0.1-0.8μm。
11.根据权利要求9所述的OLED封装器件，其特征在于，所述凹槽的形状与所述第一层无机薄膜的形状相同。
12.根据权利要求11所述的OLED封装器件，其特征在于，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘的距离为5-250μm。
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权9至12任一项所述的OLED封装器件。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610021164.1A CN105449121B (zh) | 2016-01-13 | 2016-01-13 | Oled器件的封装方法、oled封装器件及显示装置 |
| US15/259,428 US9876195B2 (en) | 2016-01-13 | 2016-09-08 | Method for packaging organic light-emitting diode apparatus, organic light-emitting diode packaging apparatus and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610021164.1A CN105449121B (zh) | 2016-01-13 | 2016-01-13 | Oled器件的封装方法、oled封装器件及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105449121A true CN105449121A (zh) | 2016-03-30 |
| CN105449121B CN105449121B (zh) | 2017-08-25 |
Family
ID=55559091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610021164.1A Active CN105449121B (zh) | 2016-01-13 | 2016-01-13 | Oled器件的封装方法、oled封装器件及显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9876195B2 (zh) |
| CN (1) | CN105449121B (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106784405A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled器件的制作方法及oled器件 |
| CN106972113A (zh) * | 2017-05-25 | 2017-07-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件的封装组件及封装方法、显示装置 |
| CN108305953A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-20 | 昆山国显光电有限公司 | 薄膜封装结构及其制作方法、以及显示装置 |
| CN108305954A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件的薄膜封装方法及oled器件 |
| CN108520921A (zh) * | 2018-05-23 | 2018-09-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其封装方法 |
| CN108598286A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-09-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板以及封装方法 |
| WO2019010751A1 (zh) * | 2017-07-12 | 2019-01-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 封装组件的制备方法、封装组件及显示装置 |
| WO2019153414A1 (zh) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种用于柔性显示器件上的封装结构及制备方法 |
| US10734607B2 (en) | 2018-05-23 | 2020-08-04 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel and method for encapsulating same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190229299A1 (en) * | 2018-01-24 | 2019-07-25 | Wuhan China Star Optoelecronics Semiconductor Display Technology Co., LTd. | Thin-film packaging method for an oled device and oled device |
| CN112993190A (zh) * | 2021-02-07 | 2021-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制备方法和显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120256202A1 (en) * | 2011-04-11 | 2012-10-11 | So-Young Lee | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
| US20120313516A1 (en) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light Emitting Display Device and Method for Manufacturing the Same |
| CN103887446A (zh) * | 2014-03-10 | 2014-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件的封装结构及其封装方法、发光器件 |
| CN105118927A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种oled薄膜封装结构及其封装方法、显示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8791023B2 (en) * | 2012-08-31 | 2014-07-29 | Eastman Kodak Company | Patterned thin film dielectric layer formation |
| KR101980768B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2019-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 표시 장치 |
| KR102223675B1 (ko) * | 2014-03-17 | 2021-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 라미네이션 장치 및 라미네이션 방법 |
| KR102239842B1 (ko) * | 2014-07-30 | 2021-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102382025B1 (ko) * | 2015-03-04 | 2022-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2016
- 2016-01-13 CN CN201610021164.1A patent/CN105449121B/zh active Active
- 2016-09-08 US US15/259,428 patent/US9876195B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120256202A1 (en) * | 2011-04-11 | 2012-10-11 | So-Young Lee | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
| US20120313516A1 (en) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light Emitting Display Device and Method for Manufacturing the Same |
| CN103887446A (zh) * | 2014-03-10 | 2014-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件的封装结构及其封装方法、发光器件 |
| CN105118927A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种oled薄膜封装结构及其封装方法、显示装置 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106784405A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled器件的制作方法及oled器件 |
| CN106972113A (zh) * | 2017-05-25 | 2017-07-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件的封装组件及封装方法、显示装置 |
| CN106972113B (zh) * | 2017-05-25 | 2018-09-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件的封装组件及封装方法、显示装置 |
| US10141541B1 (en) | 2017-05-25 | 2018-11-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Package component of an OLED device and a package method thereof, and a display device |
| WO2019010751A1 (zh) * | 2017-07-12 | 2019-01-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 封装组件的制备方法、封装组件及显示装置 |
| CN108305953A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-20 | 昆山国显光电有限公司 | 薄膜封装结构及其制作方法、以及显示装置 |
| CN108305953B (zh) * | 2018-01-19 | 2019-12-24 | 昆山国显光电有限公司 | 薄膜封装结构及其制作方法、以及显示装置 |
| CN108305954A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件的薄膜封装方法及oled器件 |
| WO2019153414A1 (zh) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种用于柔性显示器件上的封装结构及制备方法 |
| CN108520921A (zh) * | 2018-05-23 | 2018-09-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其封装方法 |
| US10734607B2 (en) | 2018-05-23 | 2020-08-04 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel and method for encapsulating same |
| CN108598286A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-09-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板以及封装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105449121B (zh) | 2017-08-25 |
| US20170200917A1 (en) | 2017-07-13 |
| US9876195B2 (en) | 2018-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105449121A (zh) | Oled器件的封装方法、oled封装器件及显示装置 | |
| US11805667B2 (en) | Encapsulation structure, electronic apparatus and encapsulation method | |
| US10109810B2 (en) | Flexible display panel, package method thereof and display device | |
| US10333105B2 (en) | Organic light emitting display packaging structure and manufacturing method thereof | |
| US20200280021A1 (en) | Full-screen display panel and manufacturing method thereof | |
| WO2019105104A1 (zh) | Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 | |
| US10079367B2 (en) | Waterproof and anti-reflective flexible OLED apparatus and method for manufacturing the same | |
| US20190131569A1 (en) | Display panel and manufacturing method therefor, and display device | |
| US10930886B2 (en) | Method for manufacturing OLED display screen and OLED display screen | |
| US10263215B2 (en) | OLED device packaged by thin film and thin film packaging method of OLED device | |
| WO2018006662A1 (zh) | 有机电致发光二极管基板及其制备方法、显示装置 | |
| US20180233700A1 (en) | Organic light-emitting diode (oled) encapsulation methods and oled encapsulation structure | |
| CN108198843B (zh) | 显示面板制备方法 | |
| WO2019010965A1 (zh) | 有机电致发光显示面板及制备方法以及显示装置 | |
| WO2018107535A1 (zh) | Oled封装方法与oled封装结构 | |
| KR20140029439A (ko) | 유기 광전자 장치 및 그의 봉입 방법 | |
| CN109904336B (zh) | 电子装置基板及制造方法/显示装置 | |
| CN110364560A (zh) | Oled显示面板 | |
| WO2015143843A1 (zh) | 一种显示面板及其封装方法、显示装置 | |
| WO2020010847A1 (zh) | 显示面板及其制造方法和显示装置 | |
| WO2021097690A1 (zh) | 显示基板及其制作方法和显示装置 | |
| CN104538566A (zh) | Oled的封装方法及oled封装结构 | |
| CN109994657B (zh) | Oled显示面板制作方法及由该方法制备的显示面板 | |
| CN104201295A (zh) | Oled的封装方法及oled结构 | |
| WO2016029547A1 (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |