CN108305954A - Oled器件的薄膜封装方法及oled器件 - Google Patents
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- H10K2102/301—Details of OLEDs
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Abstract
本申请公开了一种OLED器件的薄膜封装方法及OLED器件，该方法包括：提供待封装的OLED器件；通过光刻图案化技术在所述待封装的OLED器件上形成交替的无机薄膜和有机薄膜，以进行OLED器件的薄膜封装；其中，形成所述无机薄膜和有机薄膜分别包括：在所述待封装的OLED器件上形成包围所述待封装的OLED器件的发光层的光阻层，在所述光阻层的开口区域形成无机薄膜/有机薄膜。通过上述方式，本申请能够既可以避免因光罩带来的阴影效应，又可以避免边界的墨水过分溢出的问题，且能有效实现器件的窄边框要求。
Description
技术领域
本申请涉及OLED的封装技术领域，特别是涉及一种OLED器件的薄膜封装方法及OLED器件。
背景技术
柔性OLED显示屏具有低功耗、可弯曲等特性，对可穿戴式设备的应用带来深远的影响，采用塑料代替玻璃制作显示屏，使得显示屏更耐用、更轻。柔性OLED显示屏采用薄膜封装(TFE)，通过无机/有机多层交替的方式，延长水汽入侵路径，从而使器件在具备柔性功能的同时达到阻止水汽的目的。
现有技术中，一种封装工艺是：有机单体在等离子体(Plasma)作用下，经过化学反应形成具有一定链长的聚合物，然后通过光罩(mask)沉积到基板上，即有机层；但是在沉积过程中，有机层会有部分偏移出基板上的有机封装区域——形成阴影效应(shadoweffect)。当有机层偏移到无机层的镀膜区域时，会导致膜层间粘结力降低，水汽极易渗透。另一种封装工艺是：引入障碍物(Dam)，用于阻隔有机层向左偏移，解决mask的shadoweffect。该Dam尽管可以有效解决mask的shadow effect问题，但Dam的引入，使得器件的边界到器件边框的距离变宽，无法做成窄边框OLED器件；另外，使用喷墨打印法IJP、狭缝涂布slot coating等工艺制备有机层时，会产生墨水过分溢出(ink overflow)的问题，Dam的引入无法解决此问题。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种OLED器件的薄膜封装方法及OLED器件，能够既可以避免因光罩带来的阴影效应，又可以避免边界的墨水过分溢出的问题，且能有效实现器件的窄边框要求。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种OLED器件的薄膜封装方法，所述方法包括：提供待封装的OLED器件，所述待封装的OLED器件包括发光层；通过光刻图案化技术在所述待封装的OLED器件上形成交替的无机薄膜和有机薄膜，以进行OLED器件的薄膜封装；
其中，形成所述无机薄膜和有机薄膜分别包括：
在所述待封装的OLED器件上形成包围所述待封装的OLED器件的发光层的光阻层，在所述光阻层的开口区域形成无机薄膜/有机薄膜。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种OLED器件，所述OLED器件包括：待封装的OLED器件，所述待封装的OLED器件包括发光层；第一层无机薄膜，形成在所述待封装的OLED器件上，且包围并覆盖所述待封装的OLED器件；第一层有机薄膜，形成在所述第一层无机薄膜上，所述第一层有机薄膜完全覆盖所述待封装的OLED器件的发光层；第二层无机薄膜，形成在所述第一层有机薄膜上，且所述第一层无机薄膜和所述第二层无机薄膜包裹所述第一层有机薄膜；其中，所述第一层无机薄膜的膜壁、所述第一层有机薄膜的膜壁以及所述第二层无机薄膜的膜壁与水平方向的夹角不等于90度。
本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提供待封装的OLED器件；通过光刻图案化技术在所述待封装的OLED器件上分别沉积无机薄膜和有机薄膜，以进行OLED器件的薄膜封装，其中，形成无机薄膜和有机薄膜分别包括：在待封装的OLED器件上形成包围待封装的OLED器件的发光层的光阻层，在光阻层的开口区域形成无机薄膜/有机薄膜。由于采用光刻图案化技术，可以有效将无机薄膜和有机薄膜的边界部分除掉，通过这种方式，能够避免因光罩带来的阴影效应，又可以避免边界的墨水过分溢出的问题，且有效实现了器件的窄边框要求。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1是本申请OLED器件的薄膜封装方法一实施方式的流程图；
图2是本申请OLED器件的薄膜封装方法另一实施方式的流程图；
图3是本申请OLED器件的薄膜封装方法一具体应用示意图；
图4是本申请OLED器件的薄膜封装方法另一具体应用示意图；
图5是本申请OLED器件的薄膜封装方法又一具体应用示意图；
图6是本申请OLED器件的薄膜封装方法又一具体应用示意图；
图7是本申请OLED器件的薄膜封装方法又一具体应用示意图；
图8是本申请OLED器件的薄膜封装方法又一具体应用示意图；
图9是本申请OLED器件一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
参阅图1，图1是本申请OLED器件的薄膜封装方法一实施方式的流程图，该方法包括：
步骤S101：提供待封装的OLED器件，待封装的OLED器件包括发光层。
步骤S102：通过光刻图案化技术在待封装的OLED器件上形成交替的无机薄膜和有机薄膜，以进行OLED器件的薄膜封装，其中，形成无机薄膜和有机薄膜分别包括：在待封装的OLED器件上形成包围待封装的OLED器件的发光层的光阻层，在光阻层的开口区域形成无机薄膜/有机薄膜。
光刻图案化技术是指在光照作用下，借助光阻(又名光刻胶)将光罩上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为：首先紫外光通过光罩照射到附有一层光阻薄膜的基片表面，引起曝光区域的光阻发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光阻(前者称正性光阻，后者称负性光阻)，使光罩上的图形被复制到光阻薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。在本实施方式中，光阻层的材料可以是正性光阻，也可以是负性光阻。根据在实际应用中采用的具体的材料，选择对应图形的光罩。
现有技术中，一种封装工艺是：有机单体在Plasma作用下，经过化学反应形成具有一定链长的聚合物，然后通过mask沉积到基板上，即有机层；但是在沉积过程中，有机层会有部分偏移出基板上的有机封装区域——形成shadow effect。当有机层偏移到无机层的镀膜区域时，会导致膜层间粘结力降低，水汽极易渗透。通过本申请的方法，可以将有机层和无无机层边缘的偏移部分除掉，因此，可以避免现有技术中因光罩带来的阴影效应。
现有技术中，另一种封装工艺是：引入Dam，但Dam的引入，使得器件的边界到器件边框的距离变宽，无法做成窄边框OLED器件；另外，使用喷墨打印法IJP、狭缝涂布slotcoating等工艺制备有机层时，边界会产生ink overflow的问题，Dam的引入无法解决此问题。通过本申请的方法，可以将有机层和无无机层边缘的偏移部分除掉，因此，可以避免现有技术中因光罩带来的阴影效应，不用引入Dam，可实现窄边框的要求，也可以消除边界的ink overflow问题。
本申请实施方式提供待封装的OLED器件；通过光刻图案化技术在待封装的OLED器件上形成交替的无机薄膜和有机薄膜，以进行OLED器件的薄膜封装，其中，形成无机薄膜和有机薄膜分别包括：在待封装的OLED器件上形成包围待封装的OLED器件的发光层的光阻层，在光阻层的开口区域形成无机薄膜/有机薄膜。由于采用光刻图案化技术，可以有效将无机薄膜和有机薄膜的边界部分除掉，通过这种方式，能够避免因光罩带来的阴影效应，又可以避免边界的墨水过分溢出的问题，且有效实现了器件的窄边框要求，具体可以将器件的边框降至1mm以内。
其中，无机薄膜可以通过等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)、原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)、脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition，PLD)或溅射沉积(Sputter Deposition)而形成。
在另外的实施方式中，有机薄膜可以通过喷墨打印法(Ink Jet Printing，IJP)或狭缝涂布(slot coating)而形成。
其中，无机薄膜的材料包括但不限于Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx等中的一种或两种及以上的组合、用于增加阻水功能的无机功能材料。有机薄膜的材料包括但不限于腈纶Acryl、六甲基二硅氧烷HMDSO、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯等用于缓冲器件在弯曲、折叠时的应力以及颗粒污染物的覆盖。
在一实施方式中，无机薄膜的厚度为小于1μm，有机薄膜的厚度为小于15μm。
无机薄膜和有机薄膜可以相互交替的方式形成，也可以其它方式形成，在此不做限定。无机薄膜和有机薄膜可以分别是一层以上。
在一实施方式中，待封装的OLED器件包括依次层叠设置的发光层和柔性衬底；具体地，形成无机薄膜的步骤可以包括：
在待封装的OLED器件上覆盖一光阻层，通过曝光显影在光阻层形成开口区域，待封装的OLED器件的发光层在开口区域暴露，开口区域之外的光阻层包围待封装的OLED器件的发光层，在光阻层的开口区域形成一层无机薄膜，无机薄膜完全覆盖所述待封装的OLED器件的柔性衬底。
在本实施方式中，如果光阻层的材料为正性光阻，则可使光罩的曝光区域对准需要在光阻层形成的开口区域，如果光阻层的材料为负性光阻，则可使光罩的非曝光区域对准需要在光阻层形成的开口区域。这样在通过光罩进行曝光之后，通过显影即可在光阻层形成开口区域。
进一步，在上述实施方式的基础上，形成有机薄膜的步骤具体可以包括：在无机薄膜上覆盖一包围无机薄膜的光阻层，通过曝光显影在位于无机薄膜上面的光阻层形成开口区域，开口区域的宽度小于无机薄膜的宽度，开口区域之外的光阻层包围无机薄膜，在位于无机薄膜上面的光阻层的开口区域形成一层有机薄膜，有机薄膜完全覆盖待封装的OLED器件的发光层。
同理，如果光阻层的材料为正性光阻，则可使光罩的曝光区域对准需要在光阻层形成的开口区域，如果光阻层的材料为负性光阻，则可使光罩的非曝光区域对准需要在光阻层形成的开口区域。这样在通过光罩进行曝光之后，通过显影即可在光阻层形成开口区域。
结合参见图2，在一实施方式中，待封装的OLED器件上先形成一层无机薄膜，然后在无机薄膜上形成一层有机薄膜，其中，形成无机薄膜的方法具体可以包括：
步骤S201：在待封装的OLED器件上覆盖一聚合物光阻层。
步骤S202：利用光罩对覆盖有聚合物光阻层的待封装的OLED器件进行曝光。
步骤S203：对曝光后的待封装的OLED器件进行显影，以在聚合物光阻层形成开口区域，其中，待封装的OLED器件的发光层暴露在开口区域，开口区域之外的聚合物光阻层包围待封装的OLED器件的发光层。
步骤S204：在形成开口区域的待封装的OLED器件上形成一层无机薄膜，无机薄膜完全覆盖待封装的OLED器件的柔性衬底以及开口区域之外的聚合物光阻层。
步骤S205：将形成无机薄膜后的待封装的OLED器件浸泡在有机溶剂中，除掉开口区域之外的聚合物光阻层和聚合物光阻层上的无机薄膜，以形成一层覆盖待封装的OLED器件的发光层的无机薄膜。
在本实施方式中，聚合物光阻层的材料可以是聚合物正性光阻，也可以是聚合物负性光阻。如果聚合物光阻层的材料为聚合物正性光阻，则可使光罩的曝光区域对准需要在聚合物光阻层形成的开口区域，如果聚合物光阻层的材料为聚合物负性光阻，则可使光罩的非曝光区域对准需要在聚合物光阻层形成的开口区域。这样在通过光罩进行曝光之后，通过显影即可在聚合物光阻层形成开口区域。
待封装的OLED器件上先形成一层无机薄膜，然后在无机薄膜上形成一层有机薄膜，聚合物光阻以聚合物负性光阻为例来说明，上述过程具体可以包括：
A：在待封装的OLED器件上覆盖一层含氟的聚合物负性光阻。
B：利用光罩对覆盖有聚合物负性光阻的待封装的OLED器件进行曝光，其中，光罩的未曝光区域覆盖待封装的OLED器件的发光层。
C：对曝光后的待封装的OLED器件进行显影，以除掉未曝光的聚合物负性光阻。
D：在除掉未曝光的聚合物负性光阻后的待封装的OLED器件上沉积一层无机薄膜，使无机薄膜完全覆盖待封装的OLED器件的柔性衬底。
E：将沉积无机薄膜后的待封装的OLED器件浸泡在有机溶剂中，除掉曝光的聚合物负性光阻和曝光的聚合物负性光阻上的无机薄膜，以形成一层覆盖待封装的OLED器件的发光层的无机薄膜。
F：采用光刻图案化技术，在无机薄膜上沉积一层有机薄膜，其中，有机薄膜完全覆盖待封装的OLED器件的发光层。
需要说明的是，在上述实施方式中待封装的OLED器件的发光层，也即是待封装的OLED器件的发光区域，是指包括发光必不可少的有机多层结构子器件在内占据的平面区域。待封装的OLED器件的柔性衬底是指设置在待封装的OLED器件的发光层下方、材质柔软的衬底。另外，本申请的方法也适用于待封装的OLED器件中衬底为非柔性衬底，例如玻璃衬底，等等。
具体地，参见图3和图4，在一具体的实际应用中，首先利用匀胶机旋涂仪spin-coater在待封装的OLED器件上涂布一层含氟的聚合物负性光阻，要求整面覆盖器件，厚度为几个到几十微米，80℃下干燥10min；然后进行曝光，选择光罩(photomask)未曝光区域(阴影部分)覆盖待封装的OLED器件的发光层，保证待封装的OLED器件的发光层完全处于未曝光区域；然后进行显影，除去未曝光部分的聚合物负性光阻(阴影部分)，在一实施方式中，为彻底去掉残留的未曝光的聚合物负性光阻，可用O2等离子体蚀刻(O2Plasma etching)1min。
如图3中的过程3所示，利用PECVD、ALD、PLD或Sputter在衬底上沉积一层第一层无机薄膜11，其厚度在0.5-1μm，要求这层薄膜能够完全覆盖待封装的OLED器件的柔性衬底，这层无机薄膜材料包括但不限于Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx等中的一种或两种及以上的组合、用于增加阻水功能的无机功能材料。
如图3中的过程4所示，将待封装的OLED器件浸泡在有机溶剂中，浸泡时间为1-30min，除去曝光的聚合物负性光阻及该聚合物负性光阻上沉积的无机薄膜，而保留衬底上的其他材料。
参见图4，利用IJP或slot coating以及图3中的光刻图案化技术重复前面的步骤制备一层第一层有机薄膜21，其厚度在4-8μm，要求该有机薄膜完全覆盖待封装的OLED器件的发光层，这层有机薄膜的材料不限于Acryl、HMDSO、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯等用于缓冲器件在弯曲、折叠时的应力以及颗粒污染物的覆盖。
在一实施方式中，交替的无机薄膜和有机薄膜分别包括：依次形成在待封装的OLED器件上的第一层无机薄膜、第一层有机薄膜以及第二层无机薄膜，其中，第二层无机薄膜完全覆盖第一层有机薄膜。
具体地，利用PECVD、ALD、PLD或Sputter搭配无机材料光刻图案化技术重复前面的步骤，在第一层有机薄膜21上沉积一层第二层无机薄膜12，要求该第二层无机薄膜12完全覆盖第一层有机薄膜21，这层无机薄膜的材料包括但不限于Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx等中的一种或两种及以上的组合，用于阻挡外界水汽侵蚀OLED器件，如图5所示。
在一实施方式中，步骤S102中，交替的无机薄膜和有机薄膜分别包括：依次形成在待封装的OLED器件上的第一层无机薄膜、第一层有机薄膜、第二层无机薄膜、第二层有机薄膜以及第三层无机薄膜，其中，第二层无机薄膜完全覆盖第一层有机薄膜，第三层无机薄膜完全覆盖第二层有机薄膜，且无机薄膜的材质、厚度以及制备方法均相同，有机薄膜的材质、厚度以及制备方法均相同。
具体地，本实施方式重复上述无机薄膜和有机薄膜的结构单元，搭配光刻图案化技术，在第二层无机薄膜12上通过IJP或slot coating制备一层第二层有机薄膜22，并利用PECVD、ALD、PLD或Sputter在该第二层有机薄膜22上沉积一层第三层无机薄膜13，要求有机薄膜和无机薄膜的材质、厚度、制备工艺分别与前述有机薄膜/无机薄膜相同，如图6所示。
进一步，在一实施方式中，第二层有机薄膜的覆盖区域大于第一层有机薄膜的覆盖区域。
具体地，本实施方式重复上述无机薄膜和有机薄膜的结构单元，搭配光刻图案化技术，在第二层无机薄膜12上通过IJP或slot coating制备一第二层有机薄膜22，要求第二层有机薄膜22的覆盖区域大于第一层有机薄膜21的覆盖区域，并利用PECVD、ALD、PLD或Sputter在该第二层有机薄膜22上沉积一第三层无机薄膜13，要求有机薄膜和无机薄膜的材质、厚度、制备工艺分别与前述有机薄膜/无机薄膜相同，如图7所示。
进一步，在一实施方式中，第三层无机薄膜的覆盖区域大于第二层无机薄膜的覆盖区域，第二层无机薄膜的覆盖区域大于第一层无机薄膜的覆盖区域。
具体地，本实施方式重复上述无机薄膜和有机薄膜的结构单元，搭配光刻图案化技术，在第二层无机薄膜12上通过IJP或slot coating制备一第二层有机薄膜22，要求第二层有机薄膜22的覆盖区域大于第一层有机薄膜21的覆盖区域，并利用PECVD、ALD、PLD或Sputter在该第二层有机薄膜22上沉积一第三层无机薄膜13，要求第三层无机薄膜13的覆盖区域大于第二层无机薄膜12的覆盖区域，第二层无机薄膜12的覆盖区域大于第一层无机薄膜11的覆盖区域。要求有机薄膜和无机薄膜的材质、厚度、制备工艺分别与前述有机薄膜/无机薄膜相同，如图8所示。
OLED器件的基本结构，除了上述的发光层、柔性衬底、交替的无机薄膜和有机薄膜外，还包括其他的子器件，例如：阳极、阴极，等等。那么，在上述内容以及对应的示意图中，在OLED器件的实际封装过程中，除了封装上述的发光层、柔性衬底、交替的无机薄膜和有机薄膜外，还包括其他的子器件(图未示)，在此并不做限定。
通过上述方式，将光刻图案化技术引入OLED薄膜封装中，制备无机/有机/无机交替的封装结构，有效解决了沉积无机层时的mask shadow effect问题和制备有机层时的ink overflow问题，不需要使用Dam，大大缩短器件边界的宽度，可将OLED器件边框降至1mm以内，实现柔性OLED器件的窄边框化。
参见图9，图9是本申请OLED器件一实施方式的结构示意图，该OLED器件包括：待封装的OLED器件，待封装的OLED器件包括发光层30、第一层无机薄膜11、第一层有机薄膜21以及第二层无机薄膜12。
其中，第一层无机薄膜11形成在待封装的OLED器件30上，且包围并覆盖待封装的OLED器件的发光层30；第一层有机薄膜21形成在第一层无机薄膜11上，第一层有机薄膜21完全覆盖待封装的OLED器件的发光层30；第二层无机薄膜12形成在第一层有机薄膜21上，且第一层无机薄膜11和第二层无机薄膜13包裹第一层有机薄膜21。
其中，第一层无机薄膜11的膜壁、第一层有机薄膜21的膜壁以及第二层无机薄膜12的膜壁与水平面的夹角不等于90度。如图9所示，第一层无机薄膜11的膜壁与水平面的夹角A1和A2不等于90度，第一层有机薄膜21的膜壁与水平面的夹角B1和B2不等于90度，第二层无机薄膜12的膜壁与水平面的夹角C1和C2不等于90度。
需要说明的是，第一层无机薄膜11的膜壁、第一层有机薄膜21的膜壁以及第二层无机薄膜12的膜壁与水平面的夹角均不等于90度，是因为OLED器件封装工艺引起的。
进一步，第一层无机薄膜11的膜壁、第一层有机薄膜21的膜壁以及第二层无机薄膜12的膜壁与水平面的夹角大于或等于50度。
本申请实施方式OLED器件包括：待封装的OLED器件发光层30、第一层无机薄膜11、第一层有机薄膜21以及第二层无机薄膜12。其中，第一层无机薄膜11形成在待封装的OLED器件上，且包围并覆盖待封装的OLED器件的发光层30；第一层有机薄膜21形成在第一层无机薄膜11上，第一层有机薄膜21完全覆盖待封装的OLED器件的发光层30；第二层无机薄膜12形成在第一层有机薄膜21上，且第一层无机薄膜11和第二层无机薄膜13包裹第一层有机薄膜21。由于该OLED器件不存在无机薄膜和有机薄膜的边界问题，通过这种方式，能够避免封装器件的边界问题，且可以有效实现器件的窄边框要求，具体可以将器件的边框降至1mm以内。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (9)
1.一种OLED器件的薄膜封装方法，其特征在于，所述方法包括：
提供待封装的OLED器件，所述待封装的OLED器件包括发光层；
通过光刻图案化技术在所述待封装的OLED器件上形成交替的无机薄膜和有机薄膜，以进行OLED器件的薄膜封装；
其中，形成所述无机薄膜和有机薄膜分别包括：
在所述待封装的OLED器件上形成包围所述待封装的OLED器件的发光层的光阻层，在所述光阻层的开口区域形成无机薄膜/有机薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待封装的OLED器件包括依次层叠设置的发光层和柔性衬底；
形成所述无机薄膜的步骤包括：
在所述待封装的OLED器件上覆盖一光阻层，通过曝光显影在所述光阻层形成开口区域，所述待封装的OLED器件的发光层在所述开口区域暴露，所述开口区域之外的光阻层包围所述待封装的OLED器件的发光层，在所述光阻层的开口区域形成一层无机薄膜，所述无机薄膜完全覆盖所述待封装的OLED器件的柔性衬底。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
形成所述有机薄膜的步骤包括：
在所述无机薄膜上覆盖一包围所述无机薄膜的光阻层，通过曝光显影在位于所述无机薄膜上面的光阻层形成开口区域，所述开口区域的宽度小于所述无机薄膜的宽度，所述开口区域之外的光阻层包围所述无机薄膜，在位于所述无机薄膜上面的所述光阻层的开口区域形成一层有机薄膜，使所述有机薄膜完全覆盖所述待封装的OLED器件的发光层。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
形成所述无机薄膜的步骤具体包括：
在所述待封装的OLED器件上覆盖一聚合物光阻层；
利用光罩对覆盖有聚合物光阻层的待封装的OLED器件进行曝光；
对曝光后的待封装的OLED器件进行显影，以在所述聚合物光阻层形成开口区域，其中，所述待封装的OLED器件的发光层暴露在所述开口区域，所述开口区域之外的聚合物光阻层包围所述待封装的OLED器件的发光层；
在形成开口区域的待封装的OLED器件上形成一层无机薄膜，使所述无机薄膜完全覆盖所述待封装的OLED器件的柔性衬底以及开口区域之外的聚合物光阻层；
将形成无机薄膜后的待封装的OLED器件浸泡在有机溶剂中，除掉开口区域之外的所述聚合物光阻层和所述聚合物光阻层上的无机薄膜，以形成一层覆盖所述待封装的OLED器件的发光层的无机薄膜。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述交替的无机薄膜和有机薄膜分别包括依次形成在所述待封装的OLED器件上的第一层无机薄膜、第一层有机薄膜以及第二层无机薄膜，其中，所述第二层无机薄膜完全覆盖所述第一层有机薄膜。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无机薄膜是通过等离子体增强化学的气相沉积法、原子层沉积、脉冲激光沉积或溅射沉积而形成的；所述有机薄膜是通过喷墨打印法或狭缝涂布而形成的。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无机薄膜的材料为Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx中的一种或二种及以上的组合；所述无机薄膜的厚度为小于1μm，所述有机薄膜的厚度为小于15μm。
8.一种OLED器件，其特征在于，所述OLED器件包括：
待封装的OLED器件，所述待封装的OLED器件包括发光层；
第一层无机薄膜，形成在所述待封装的OLED器件上，且包围并覆盖所述待封装的OLED器件的发光层；
第一层有机薄膜，形成在所述第一层无机薄膜上，所述第一层有机薄膜完全覆盖所述OLED器件的发光层；
第二层无机薄膜，形成在所述第一层有机薄膜上，且所述第一层无机薄膜和所述第二层无机薄膜包裹所述第一层有机薄膜；
其中，所述第一层无机薄膜的膜壁、所述第一层有机薄膜的膜壁以及所述第二层无机薄膜的膜壁与水平面的夹角均不等于90度。
9.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述夹角大于或等于50度。
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