CN109585343B - 一种显示面板中封装膜层的剥离方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的实施例提供一种显示面板中封装膜层的剥离方法,可避免损坏封装膜层以下的膜层,从而可有效进行不良分析。一种显示面板中封装膜层的剥离方法,包括:在目标区域,按照由上到下的顺序,逐层去除封装膜层中至少两层封装子膜层在所述目标区域的部分;其中,所述至少两层封装子膜层包括无机封装子膜层和有机封装子膜层。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板中封装膜层的剥离方法。
背景技术
在显示面板的不良分析中,由于封装膜层厚度较大,不利于对下层膜层进行结构和成分分析,通常需要剥离封装膜层。
目前常用的剥离方式采用直接剥离,即用刀片或胶带直接揭去。但是这种方式存在弊端,直接剥离时容易将封装膜层下方的与封装膜层接触的膜层去除,更严重的情况下甚至会损毁阴极或者发光层,不利于对封装膜层之下的膜层进行不良分析。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板中封装膜层的剥离方法,可避免损坏封装膜层以下的膜层,从而可有效进行不良分析。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种显示面板中封装膜层的剥离方法,其特征在于,包括:在目标区域,按照由上到下的顺序,逐层去除封装膜层中至少两层封装子膜层在所述目标区域的部分;其中,所述至少两层封装子膜层包括无机封装子膜层和有机封装子膜层。
可选的,所述封装膜层中最靠近所述显示面板的衬底的一层所述无机封装子膜层被保留。
可选的,采用化学法去除所述无机封装子膜层在所述目标区域的部分;采用物理溶胀法去除所述有机封装子膜层在所述目标区域的部分。
可选的,所述封装膜层由两层所述无机封装子膜层和位于该两层无机封装子膜层之间的所述有机封装子膜层构成;采用化学法去除所述无机封装子膜层在所述目标区域的部分,采用物理溶胀法去除所述有机封装子膜层在所述目标区域的部分,包括:采用化学法去除位于所述有机封装子膜层上方的一层所述无机封装子膜层在所述目标区域的部分,暴露出所述有机封装子膜层;采用物理溶胀法去除所述有机封装子膜层在所述目标区域的部分。
可选的,采用化学法去除所述无机封装子膜层在所述目标区域的部分,包括:在所述目标区域,将刻蚀溶液滴加在所述无机封装子膜层上,使刻蚀溶液与所述无机封装子膜层的材料发生化学反应;待所述无机封装子膜层在所述目标区域的部分被去除,用清水冲洗所述显示面板,以去除残留的所述刻蚀溶液。
可选的,所述无机封装子膜层的材料包括氧化硅类、氮化硅类、氮氧化硅类、氧化铝类中的至少一种材料;所述刻蚀溶液包括HF溶液。
可选的,所述HF溶液的浓度为0.1~40%。
可选的,采用物理溶胀法去除所述有机封装子膜层在所述目标区域的部分,包括:在所述目标区域,将溶胀剂滴加在所述有机封装子膜层上,直至所述有机封装子膜层在所述目标区域的部分起泡凸起;采用工具夹破凸起并撕掉,使所述有机封装子膜层在所述目标区域的部分去除。
可选的,所述有机封装子膜层的材料包括有机树脂;所述溶胀剂为二氯甲烷。
可选的,所述封装膜层为柔性显示面板中的封装膜层。
可选的,在逐层去除封装膜层中至少两层封装子膜层在所述目标区域的部分之前,所述显示面板中封装膜层的剥离方法,还包括:撕除位于所述封装膜层上方的保护膜。
本发明的实施例提供一种显示面板中封装膜层的剥离方法,相对于直接将封装膜层一起剥离,本发明通过逐层去除封装膜层中至少两层封装子膜层在目标区域的部分,可避免损坏封装膜层以下的膜层,从而可有效进行不良分析,这种剥离方法不仅对剥离封装膜层可控,并且具有可重复性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的包括三层封装子膜层的显示面板的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的包括五层封装子膜层的显示面板的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的包括三层封装子膜层的显示面板去除目标区域中部分封装子膜层的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的包括五层封装子膜层的显示面板去除目标区域中部分封装子膜层的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的一种显示面板中封装膜层的剥离方法的流程图;
图7为本发明实施例提供的化学法去除无机封装子膜层在目标区域的部分的显示面板的结构示意图;
图8为本发明实施例提供的物理溶胀法溶胀有机封装子膜层在目标区域的部分的显示面板的结构示意图。
附图标记:
1-AMOLED显示面板;2-目标区域;20-TFT背板;31-阳极层;32-发光功能层;33-阴极层;41-光学调整层;42-氟化锂层;50-封装膜层;51-无机封装子膜层;52-有机封装子膜层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
以有源矩阵电致发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示面板1为例,如图1所示,包括:TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)背板20、依次设置于该TFT背板20上的阳极层31、发光功能层32、阴极层33、以及封装膜层50。TFT背板20包括衬底和设置于衬底上的驱动电路。阳极层31包括多个相互绝缘的阳极,每个阳极位于一个亚像素中。发光功能层32包括多个发光单元,每个发光单元位于一个亚像素中,其中,通过设置每个发光单元中的发光材料,可使该发光单元发相应颜色的光。封装膜层50起到阻隔水氧的等作用,以对发光功能层32起到保护作用。
在此基础上,如图1所示,该AMOLED显示面板1还包括设置于阴极层33和封装膜层50之间的光学调整层(Capping Layer)41和氟化锂层42,光学调整层和氟化锂层都用于提高光的出射率,增强显示效果,并且可以保护阴极层33。
如图2和图3所示,封装膜层50由无机封装子膜层51和有机封装子膜层52交替堆叠构成,无机封装子膜层51主要起到阻隔水氧的作用,有机封装子膜层52主要起到平坦化、释放应力的作用。其中,要使有机封装子膜层52起到平坦化的作用,则有机封装子膜层52必然相对较厚。可以理解的是,只有在有机封装子膜层52平坦时,在其上形成的无机封装子膜层51才能平坦,从而,才能使无机封装子膜层51阻隔水氧的效果较好。因此,即使对于无机封装子膜层51而言,其起到阻隔水氧的功能无需较厚的厚度,一般一层无机封装子膜层51的厚度为1μm左右,但是由于有机封装子膜层52的厚度较厚,使得封装膜层50整体厚度还是比较厚。
当需要对显示面板进行结构和成分分析时,分析设备只能探测到一定范围的厚度,而由于封装膜层50厚度较厚,导致对封装膜层50以下靠近衬底的多层膜层无法探测到,因此,需要去除封装膜层50中的至少部分子膜层,以使分析设备可以对封装膜层50以下到衬底之间的膜层进行探测。
当用刀片或胶带直接揭去封装膜层50时,由于氟化锂层42和光学调整层41之间粘附性较差,因此,在直接剥离封装膜层50的过程中容易将氟化锂层42一并去掉。
基于此,本发明实施例提供一种显示面板中封装膜层50的剥离方法,如图4和图5所示,包括:在目标区域2,按照由上到下的顺序,逐层去除封装膜层50中至少两层封装子膜层在目标区域2的部分;其中,至少两层封装子膜层包括无机封装子膜层51和有机封装子膜层52。
目标区域2是指:在显示面板上分析设备进行不良分析的区域。
由上到下的顺序是指:沿显示面板的封装膜层50到TFT背板20的方向。该由上到下的顺序,与封装膜层50制备过程中各封装子膜层的形成顺序相反。
本领域技术人员应该明白,在实际应用过程中,对于封装膜层50中的几层封装子膜层在目标区域2的部分需要被逐层去除,可根据封装膜层50中无机封装子膜层51和有机封装子膜层52的总层数和总厚度而定,只要能使分析设备可以对封装膜层50以下到衬底之间的膜层进行探测即可。
上述提到的至少两层封装子膜层包括无机封装子膜层51和有机封装子膜层52,即,至少有一层无机封装子膜层51在目标区域2的部分被去除,至少一层有机封装子膜层52在目标区域2的部分被去除。
其中,由于封装膜层50中位于最上的一层子膜层为无机封装子膜层51,而紧挨该无机封装子膜层51的有机封装子膜层52厚度较厚,必然会对分析设备对封装膜层50以下到衬底之间的膜层探测有影响,因而,需至少将该两层子膜层去除。
本发明实施例提供一种封装膜层50的剥离方法,相对于直接将封装膜层50一起剥离,本发明通过逐层去除封装膜层50中至少两层封装子膜层在目标区域2的部分,可避免损坏封装膜层50以下的膜层,从而可有效进行不良分析,这种剥离方法不仅对剥离封装膜层可控,并且具有可重复性。
可选的,封装膜层50中最靠近显示面板的衬底的一层无机封装子膜层51被保留。
以如图4所示的封装膜层50为三层堆叠结构为例,封装膜层50按由上到下的顺序,包括第一层无机封装子膜层51、有机封装子膜层52、第二层无机封装子膜层51三层堆叠。可逐层去除封装膜层50中第一层无机封装子膜层51和有机封装子膜层52在目标区域2的部分,而将第二层无机封装子膜层51被保留,即,在目标区域2,第二层无机封装子膜层51不会被去除。
以如图5所示的封装膜层50为五层堆叠结构为例,封装膜层50按由上到下的顺序,包括第一层无机封装子膜层51、第一层有机封装子膜层52、第二层无机封装子膜层51三层堆叠、第二层有机封装子膜层52、第三层无机封装子膜层51五层堆叠。可逐层去除封装膜层50中第一层无机封装子膜层51、第一层有机封装子膜层52、第二层无机封装子膜层51、第二层有机封装子膜层52在目标区域2的部分,而将第三层无机封装子膜层51被保留,即,在目标区域2,第三层无机封装子膜层51不会被去除。
由于封装膜层50中最靠近显示面板的衬底的一层无机封装子膜层51厚度较小,一般为1μm,因此,即使不去除该无机封装子膜层51也不会影响分析设备对封装膜层50以下到衬底之间的膜层的探测。在此基础上,保留该无机封装子膜层51还可保护该层之下膜层的完整性,例如,氟化锂膜层不会被破坏,并且可以避免在后续存储过程中(不能立即实时分析的情况下)氧化或腐蚀,保证在需要进行实施分析时,该无机封装子膜层之下的膜层仍能保持原有的状态。
可选的,无机封装子膜层51和有机封装子膜层52的去除方法,如图6所示,包括:
S10、结合图7所示,采用化学法去除所述无机封装子膜层51在所述目标区域2的部分。
S20、结合图8和图4所示,采用物理溶胀法去除所述有机封装子膜层52在所述目标区域2的部分。
本发明通过化学法和物理溶胀法相结合的方式,逐层去除封装膜层50中至少两层封装子膜层在目标区域2的部分,可避免损坏封装膜层50以下的膜层,从而可有效进行不良分析。
可选的,在封装膜层50由两层无机封装子膜层51和位于该两层无机封装子膜层51之间的有机封装子膜层52构成,即,封装膜层50按由上到下的顺序,包括第一层无机封装子膜层51、有机封装子膜层52、第二层无机封装子膜层51的情况下,上述S10和S20中采用化学法去除无机封装子膜层51在目标区域2的部分,采用物理溶胀法去除有机封装子膜层52在目标区域2的部分,包括:首先采用化学法去除位于有机封装子膜层52上方的一层无机封装子膜层51,即第一层无机封装子膜层51在目标区域2的部分,暴露出所述有机封装子膜层52;接着,采用物理溶胀法去除有机封装子膜层52在目标区域2的部分。
可选的,S10中采用化学法去除无机封装子膜层51在目标区域2的部分,包括:在目标区域2,将刻蚀溶液滴加在该无机封装子膜层51上,使刻蚀溶液与无机封装子膜层51的材料发生化学反应;待无机封装子膜层51在目标区域2的部分被去除,用清水冲洗显示面板,以去除残留的刻蚀溶液。
其中,当刻蚀溶液滴加在该无机封装子膜层51上时,二者发生化学反应会产生气泡,当无气泡产生时,化学反应结束。此时,若目标区域2内有机封装子膜层52的表面没有完全露出来,则可在目标区域2内再次滴加刻蚀溶液,使其与剩余的无机封装子膜层51的材料发生化学反应,来将无机封装子膜层51在目标区域2的部分完全去除。
需要说明的是,本发明实施例不对刻蚀溶液进行限定,只要能对无机封装子膜层51的材料进行刻蚀,而不影响有机封装子膜层52的刻蚀溶液都可适用于本发明。
通过利用刻蚀溶液与无机材料发生反应的化学原理,去除无机封装子膜层51在目标区域2的部分,而不影响有机封装子膜层52。
在此基础上,可选的,无机封装子膜层51的材料包括氧化硅类、氮化硅类、氮氧化硅类、氧化铝类中的至少一种材料。
示例的,无机封装子膜层51的材料可以为二氧化硅(SiO2)、四氮化三硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiNO)、三氧化二铝(Al2O3)中的至少一种。
可选的,刻蚀溶液包括氢氟酸(HF)溶液。
示例的,刻蚀溶液为HF溶液。或者,刻蚀溶液为BOE(Buffered Oxide Etch,缓冲氧化物)刻蚀液,由氟化铵与HF溶液混合而成。
可选的,HF溶液的浓度为0.1~40%。
可选的,S20采用物理溶胀法去除有机封装子膜层52在目标区域2的部分,包括:在目标区域2,将溶胀剂滴加在有机封装子膜层52上,直至有机封装子膜层52在目标区域2的部分起泡凸起;采用工具例如镊子夹破凸起并撕掉,使有机封装子膜层52在目标区域2的部分去除。
需要说明的是,如果溶胀剂滴加的不足以使目标区域2内有机封装子膜层52溶胀,则可再通过滴加溶胀剂,直至起泡凸起为止。
通过利用有机封装子膜层52与溶胀剂接触会起泡凸起的原理,并采用工具夹破凸起并撕掉,去除有机封装子膜层52在目标区域2的部分,不会损坏下层膜层。
可选的,有机封装子膜层52的材料包括有机树脂。溶胀剂可以为二氯甲烷。
需要说明的是,二氯甲烷滴在有机封装子膜层52表面迅速挥发,并带走大量热量,导致在有机封装子膜层52表面出现结冰现象,均是正常现象。
去除无机封装子膜层51和有机封装子膜层52的上述操作均在通风橱中进行。
基于上述描述,考虑到显示面板在制作好封装膜层50后,还会在封装膜层50上制作一层保护膜,以对显示面板进行保护。基于此,在逐层去除封装膜层50中至少两层封装子膜层50在所述目标区域2的部分之前,所述显示面板中封装膜层50的剥离方法,还包括:撕除位于封装膜层50上方的保护膜。
考虑到柔性封装较广泛的应用于柔性产品,因此,可选的,上述的封装膜层50为柔性显示面板中的封装膜层50。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板中封装膜层的剥离方法,其特征在于,包括:
在目标区域,按照由上到下的顺序,逐层去除封装膜层中至少两层封装子膜层在所述目标区域的部分;
其中,所述至少两层封装子膜层包括无机封装子膜层和有机封装子膜层;
所述封装膜层中最靠近所述显示面板的衬底的一层无机封装子膜层被保留。
2.根据权利要求1所述的显示面板中封装膜层的剥离方法,其特征在于,
采用化学法去除所述无机封装子膜层在所述目标区域的部分;
采用物理溶胀法去除所述有机封装子膜层在所述目标区域的部分。
3.根据权利要求2所述的显示面板中封装膜层的剥离方法,其特征在于,所述封装膜层由两层所述无机封装子膜层和位于该两层无机封装子膜层之间的所述有机封装子膜层构成;
采用化学法去除所述无机封装子膜层在所述目标区域的部分,采用物理溶胀法去除所述有机封装子膜层在所述目标区域的部分,包括:
采用化学法去除位于所述有机封装子膜层上方的一层所述无机封装子膜层在所述目标区域的部分,暴露出所述有机封装子膜层;
采用物理溶胀法去除所述有机封装子膜层在所述目标区域的部分。
4.根据权利要求2所述的显示面板中封装膜层的剥离方法,其特征在于,采用化学法去除所述无机封装子膜层在所述目标区域的部分,包括:
在所述目标区域,将刻蚀溶液滴加在所述无机封装子膜层上,使刻蚀溶液与所述无机封装子膜层的材料发生化学反应;
待所述无机封装子膜层在所述目标区域的部分被去除,用清水冲洗所述显示面板,以去除残留的所述刻蚀溶液。
5.根据权利要求4所述的显示面板中封装膜层的剥离方法,其特征在于,所述无机封装子膜层的材料包括氧化硅类、氮化硅类、氮氧化硅类、氧化铝类中的至少一种材料;
所述刻蚀溶液包括HF溶液。
6.根据权利要求5所述的显示面板中封装膜层的剥离方法,其特征在于,所述HF溶液的浓度为0.1~40%。
7.根据权利要求2所述的显示面板中封装膜层的剥离方法,其特征在于,采用物理溶胀法去除所述有机封装子膜层在所述目标区域的部分,包括:
在所述目标区域,将溶胀剂滴加在所述有机封装子膜层上,直至所述有机封装子膜层在所述目标区域的部分起泡凸起;
采用工具夹破凸起并撕掉,使所述有机封装子膜层在所述目标区域的部分去除。
8.根据权利要求7所述的显示面板中封装膜层的剥离方法,其特征在于,所述有机封装子膜层的材料包括有机树脂;所述溶胀剂为二氯甲烷。
9.根据权利要求1所述的显示面板中封装膜层的剥离方法,其特征在于,所述封装膜层为柔性显示面板中的封装膜层。
10.根据权利要求9所述的显示面板中封装膜层的剥离方法,其特征在于,在逐层去除封装膜层中至少两层封装子膜层在所述目标区域的部分之前,所述显示面板中封装膜层的剥离方法,还包括:
撕除位于所述封装膜层上方的保护膜。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101234386A (zh) * | 2007-01-30 | 2008-08-06 | 金顺东 | 利用深池化学反应有选择地回收tft-lcd玻璃基底的方法 |
CN103915473A (zh) * | 2013-12-13 | 2014-07-09 | 厦门天马微电子有限公司 | 柔性显示面板复合保护膜及其制作方法与剥离方法 |
CN104661442A (zh) * | 2013-11-21 | 2015-05-27 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 胶体的去除方法 |
CN105047606A (zh) * | 2014-04-29 | 2015-11-11 | 乐金显示有限公司 | 显示装置的阵列基板的返工方法和通过其形成的阵列基板 |
CN106129190A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-11-16 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种led电极结构的去除方法 |
CN108305954A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件的薄膜封装方法及oled器件 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012256517A (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置のリペア方法、および電子機器 |
CN103151259B (zh) * | 2013-03-07 | 2016-04-06 | 中国空间技术研究院 | 一种芯片钝化层去除方法 |
KR102695129B1 (ko) * | 2016-12-22 | 2024-08-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20180080416A (ko) * | 2017-01-03 | 2018-07-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
-
2018
- 2018-11-30 CN CN201811459527.5A patent/CN109585343B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101234386A (zh) * | 2007-01-30 | 2008-08-06 | 金顺东 | 利用深池化学反应有选择地回收tft-lcd玻璃基底的方法 |
CN104661442A (zh) * | 2013-11-21 | 2015-05-27 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 胶体的去除方法 |
CN103915473A (zh) * | 2013-12-13 | 2014-07-09 | 厦门天马微电子有限公司 | 柔性显示面板复合保护膜及其制作方法与剥离方法 |
CN105047606A (zh) * | 2014-04-29 | 2015-11-11 | 乐金显示有限公司 | 显示装置的阵列基板的返工方法和通过其形成的阵列基板 |
CN106129190A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-11-16 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种led电极结构的去除方法 |
CN108305954A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件的薄膜封装方法及oled器件 |
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CN109585343A (zh) | 2019-04-05 |
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