CN104661442A - 胶体的去除方法 - Google Patents
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Abstract
一种胶体的去除方法，用于去除涂覆在基板上的胶体，该基板上邻近该胶体间隔装设有多个配件，该胶体的去除方法包括以下步骤：在该基板上涂覆一遮蔽层，该遮蔽层完全覆盖该多个配件，完全或部分覆盖该胶体；固化该遮蔽层；去除位于该胶体上的部分遮蔽层，以露出该胶体；将基板放置在除胶药水中浸泡，以软化胶体，并使胶体的粘性将低，该遮蔽层能够耐该除胶药水以保护该多个配件；刮除软化后的胶体；去除剩余的遮蔽层。上述方法去除胶体的效率较高，且不损伤配件，提高了产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及一种胶体的去除方法，特别是涉及一种适用于电子产品上的胶体的去除方法。
背景技术
印刷电路板制备中，一般通过焊接将各个芯片电性连接于衬底上。为了提高芯片与衬底的连接强度，通常于芯片边缘涂抹胶体，胶体通过毛细作用渗入芯片与衬底之间，当胶体固化后可将芯片牢固连接于衬底上。当芯片与衬底上的电路连接不良时，需将芯片从衬底上拔出，并去除填充胶，以重新焊接芯片。然而，由于胶体的材料成分一般为环氧树脂，其固化后附着力非常强，采用人工刮除时较为困难，导致加工效率的降低；且人工刮除胶体时，易导致其周围电子元件的损坏，降低了产品良率。
发明内容
鉴于上述内容，有必要提供一种效率较高且不损伤产品的胶体的去除方法。
一种胶体的去除方法，用于去除涂覆在基板上的胶体，该基板上邻近该胶体间隔装设有多个配件，该胶体的去除方法包括以下步骤：在该基板上涂覆一遮蔽层，该遮蔽层完全覆盖该多个配件，完全或部分覆盖该胶体；固化该遮蔽层；去除位于该胶体上的部分遮蔽层，以露出该胶体；将基板放置在除胶药水中浸泡，以软化胶体，并使胶体的粘性将低，该遮蔽层能够耐该除胶药水以保护该多个配件；刮除软化后的胶体；去除剩余的遮蔽层。
本发明的胶体去除方法，通过除胶药水软化胶体，从而使胶体更易去除，提高了加工效率；另外，通过遮蔽层覆盖胶体周围区域，从而在去除胶体时，不会损伤其周围的配件，提高了产品良率。
附图说明
图1是本发明实施方式的胶体的去除方法的流程示意图。
图2至图7是本发明实施方式的胶体的去除过程的剖面示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请一并参阅图1及图2，本实施方式的去除方法用于去除基板10上的胶体20。基板10的上表面12上间隔装设有电子元件70及多个配件30，多个配件30邻近电子元件70设置。将胶体20涂覆于电子元件70的周缘，胶体20渗入电子元件70与基板10之间，当胶体20固化后，胶体20将电子元件70牢固粘接于基板10上。胶体20的成分为环氧树脂，其粘附力强，可在0~180℃范围内固化。本实施方式中的基板10为印刷电路板，电子元件70为芯片。可以理解，基板10还可为液晶屏等其他电子元件。当电子元件70与基板10接触不良时，需拆下电子元件70并去除胶体20，以重新连接电子元件70与基板10。
上述胶体的去除方法包括以下步骤：
S1：在基板10的上表面12形成一遮蔽层40，该遮蔽层40覆盖基板10的整个上表面12，且完全覆盖胶体20及多个配件30，以保护该基板10及该多个配件30（参阅图3）；
遮蔽层40的耐化性较佳，其可保护基板10及配件30不被化学试剂（如除胶药水）腐蚀。在本实施方式中，遮蔽层40的成分为硅系或氟系树脂。遮蔽层40的形成方法可采用本领域技术人员熟知的各种方法，如：喷墨印刷、磁控溅射等。可以理解，遮蔽层40也可仅覆盖部分胶体，或不覆盖胶体而使胶体裸露。
S2：固化该遮蔽层40；
本实施方式中采用UV固化方法固化遮蔽层40。可以理解，根据遮蔽层40的具体成分，还可采用室温固化、高温固化等其他固化方式固化遮蔽层40。
S3：提供一掩模50，其上开设有与胶体20的形状相配合的照射孔52（参阅图4），将掩模50设置于基板10上方并使照射孔52对应胶体20；
S4：利用激光控制系统60去除位于胶体20上的部分遮蔽层40，使胶体20裸露（参阅图4及图5）；
本实施方式中，激光控制系统60发出的聚焦后的高功率激光束经照射孔52照射位于胶体20上的遮蔽层40的表面，当激光的功率密度超过材料阀值功率密度后，可直接将常态下的遮蔽层高温离子气化，辅助外力抽吸，使激光照射位置的遮蔽层40快速移除以露出该胶体20。
S5：将基板10放置在具有预设温度的除胶药水中浸泡预定时间，以软化胶体20，并使胶体20的粘性降低；
该除胶药水可溶胀固化后的胶体，使其软化，并使胶体20的粘性降低。该除胶药水可依胶体20的成分而变化，如其可为芳香族溶剂、酯类溶剂、酮类溶剂、醇醚类溶剂、亚砜类溶剂、酰胺类溶剂等，只要其可软化胶体20即可。本实施方式中，除胶药水为醇醚类溶剂、亚砜类溶剂及酰胺类溶剂中的一种或其混合物。优选的，本实施方式的浸泡温度为100~120℃，浸泡时间为60~120min。
S6：刮除软化后的胶体20（参阅图6）；
S7：去除剩余的遮蔽层40（参阅图7）；
去除遮蔽层40时，可采用本领域技术人员熟知的各种方法，如：撕除、浸泡溶解或高压设备去除等。
可以理解，掩模50可省略，可使激光束直接聚焦于遮蔽层40位于胶体20上的区域，进而除去位于胶体20上的部分遮蔽层40。
本实施方式的胶体去除方法，通过除胶药水软化胶体20，从而使其更易去除，提高了加工效率；另外，通过遮蔽层40遮蔽胶体20周围区域，从而在去除胶体20时，不会损伤其周围的配件30，提高了产品良率。
另外，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种胶体的去除方法，用于去除涂覆在基板上的胶体，该基板上邻近该胶体间隔装设有多个配件，该胶体的去除方法包括以下步骤：
在该基板上涂覆一遮蔽层，该遮蔽层完全覆盖该多个配件，至少部分覆盖该胶体；
固化该遮蔽层；
去除位于该胶体上的部分遮蔽层，以露出该胶体；
将基板放置在除胶药水中浸泡，以软化胶体，并使胶体的粘性将低，该遮蔽层能够耐该除胶药水以保护该多个配件；
刮除软化后的胶体；
去除剩余的遮蔽层。
2.如权利要求1所述的胶体的去除方法中，其特征在于：该遮蔽层的成分为硅系或氟系树脂。
3.如权利要求1所述的胶体的去除方法中，其特征在于：该除胶药水为芳香族溶剂、酯类溶剂、酮类溶剂、醇醚类溶剂、亚砜类溶剂及酰胺类溶剂中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的胶体的去除方法中，其特征在于：在将基板放置在除胶药水中浸泡时，需预设一浸泡温度及一浸泡时间，以使胶体可充分地软化。
5.如权利要求4所述的胶体的去除方法中，其特征在于：该浸泡温度为100~120℃，该浸泡时间为60~120min。
6.如权利要求1所述的胶体的去除方法中，其特征在于：去除该遮蔽层的方法为撕除、浸泡溶解及高压设备去除中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的胶体的去除方法中，其特征在于：采用激光控制系统去除位于胶体上的部分遮蔽层。
8.如权利要求7所述的胶体的去除方法中，其特征在于：激光控制系统去除位于胶体上的部分遮蔽层前，提供一掩模，该掩模上开设有与该胶体的形状相配合的照射孔，将该掩模设置于基板上并使照射孔对应胶体，激光控制系统发出的激光经照射孔照射在胶体上并去除胶体。
9.如权利要求1所述的胶体的去除方法中，其特征在于：固化该遮蔽层的方法采用UV固化、室温固化及高温固化中的一种或多种。
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