JP2013135187A - 基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシングによって発生する切粉の粘着力を低下させることが可能な基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、樹脂基板１０の一方の主面上にＵＶ硬化型のソルダーレジスト２２を形成する工程と、テープ基材３２上に設けられたＵＶ硬化型の粘着層３４にソルダーレジスト２２を貼り付ける工程と、ソルダーレジスト２２を貼り付けた後、ソルダーレジスト２２と粘着層３４とにＵＶ光を照射することにより、ソルダーレジスト２２と粘着層３４とを硬化させる工程と、硬化させた後、樹脂基板１０とソルダーレジスト２２との積層体をダイシングにより切断する工程と、を有する基板の製造方法である。
【選択図】図５

Description

本発明は、基板の製造方法に関する。

ダイシングテープの粘着層に、基板等の被加工物を貼り付け、その状態で、ダイシングにより被加工物を切断することが行われている。この製造工程において、ダイシングによって切粉が発生し、この切粉が被加工物に付着することで汚れ不良等の不具合が生じるという課題がある。

このような課題に対して、例えば特許文献１及び特許文献２には、粘着層に被加工物を貼り付けた後、被加工物が貼り付けられていない領域の粘着層の粘着力を低下させ、その後に、被加工物をダイシングすることで対処することが記載されている。例えば特許文献３には、ダイシングをする際に、切り込みの先端を粘着層内に留まるようにダイシングをすることで対処することが記載されている。

特開２０００−１６４５３７号公報 特開２００２−２９９２９５号公報 特開２０１１−１８８０３号公報

被加工物を完全に切断するフルカットダイシングでは、ダイシングテープまで深く切り込むことがなされる。この場合、ダイシングテープの粘着層を切削することになるため、粘着性を持つ切粉が発生してしまう。このような粘着性を持つ切粉が被加工物である基板に一旦付着してしまうと、洗浄を行っても切粉を除去することが難しい。このため、汚れ不良や搬送不良等が生じてしまうという課題がある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ダイシングによって発生する切粉の粘着力を低下させることが可能な基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、基板の一方の主面上に光硬化型の樹脂層を形成する工程と、テープ基材上に設けられた光硬化型の粘着層に前記樹脂層を貼り付ける工程と、前記樹脂層を貼り付けた後、前記樹脂層と前記粘着層とに光を照射することにより、前記樹脂層と前記粘着層とを硬化させる工程と、前記硬化させた後、前記基板と前記樹脂層とをダイシングにより切断する工程と、を有することを特徴とする基板の製造方法である。本発明によれば、ダイシングによって発生する切粉の粘着力を低下させることができる。

上記構成において、前記基板の一方の主面上に光硬化型の樹脂を印刷した後、前記樹脂に熱処理を施して硬化させることで前記樹脂層を形成する構成とすることができる。

上記構成において、前記粘着層と前記樹脂層とは、ＵＶ硬化型である構成とすることができる。

上記構成において、前記粘着層と前記樹脂層とは、同じポリマーを主成分とする構成とすることができる。

上記構成において、前記ポリマーはアクリルポリマーである構成とすることができる。

上記構成において、前記基板は樹脂基板である構成とすることができる。

上記構成において、前記樹脂基板の一方の主面上に、複数の開口部を有する前記樹脂層を形成し、前記開口部に、前記樹脂基板の他方の主面上に実装される電子部品と電気的に接続される端子電極を形成する工程を有し、前記電子部品が実装され且つ前記端子電極が形成された後、前記粘着層に前記樹脂層を貼り付ける構成とすることができる。

本発明によれば、ダイシングによって発生する切粉の粘着力を低下させることができる。

図１（ａ）から図１（ｄ）は、比較例１に係る基板の製造方法を示す斜視図の例であり、図１（ｅ）から図１（ｈ）は、図１（ａ）から図１（ｄ）のＡ−Ａ間の断面図の例である。 図２（ａ）から図２（ｅ）は、比較例１に係る基板の製造方法を示す断面図の例である。 図３（ａ）から図３（ｄ）は、比較例１の変形例１に係る基板の製造方法を示す斜視図の例であり、図３（ｅ）から図３（ｈ）は、図３（ａ）から図３（ｄ）のＡ−Ａ間の断面図の例である。 図４（ａ）から図４（ｄ）は、実施例１に係る基板の製造方法を示す斜視図の例であり、図４（ｅ）から図４（ｈ）は、図４（ａ）から図４（ｄ）のＡ−Ａ間の断面図の例である。 図５（ａ）から図５（ｅ）は、実施例１に係る基板の製造方法を示す断面図の例である。 図６（ａ）は、ＵＶ光が照射される前の粘着層とソルダーレジストとの状態を示す模式図であり、図６（ｂ）は、ＵＶ光が照射された後の状態を示す模式図である。 図７（ａ）は、個片化された１つのモジュールをソルダーレジスト側から見た斜視図の例であり、図７（ｂ）は、電子部品側から見た斜視図の例である。

まず、図１（ａ）から図２（ｅ）を用いて、比較例１に係る基板の製造方法について説明する。なお、比較例１では、複数のモジュールが形成された多面取り構造の樹脂基板を切断して個片化する製造方法を例に説明する。図１（ａ）から図１（ｄ）は、比較例１に係る基板の製造方法を示す斜視図の例であり、図１（ｅ）から図１（ｈ）は、図１（ａ）から図１（ｄ）のＡ−Ａ間の断面図の例である。なお、図１（ａ）から図１（ｈ）では、多面取り構造の樹脂基板に形成される複数のモジュールのうちの１つのモジュールを図示して説明する。

図１（ａ）及び図１（ｅ）のように、複数の層５２〜５６が積層され、各層の間及び最も外側の層の外面に配線パターン５８が設けられた樹脂基板５０を形成する。各層の配線パターン５８は、各層を貫通するビア配線６０によって電気的に接続されている。樹脂基板５０の一方の主面上に、マスクを用いた印刷により、熱硬化型のソルダーレジスト６２を形成する。これにより、ソルダーレジスト６２には、配線パターン５８が露出した複数の開口部６４が形成される。

図１（ｂ）及び図１（ｆ）のように、ソルダーレジスト６２を熱処理によって硬化させて安定状態にする。図１（ｃ）及び図１（ｇ）のように、開口部６４で露出する配線パターン５８の上面にめっきを施して、端子電極６６を形成する。図１（ｄ）及び図１（ｈ）のように、樹脂基板５０の他方の主面上に複数の電子部品６８を実装する。これにより、１つのモジュールには１つ又は複数の電子部品６８が実装されることになる。電子部品６８は、配線パターン５８及びビア配線６０を介して、端子電極６６に電気的に接続される。このような製造工程により、複数のモジュールが形成された多面取り構造の樹脂基板５０を得ることができる。

次に、図１（ａ）から図１（ｈ）の製造工程により製造された多面取り構造の樹脂基板を切断する工程について説明する。図２（ａ）から図２（ｅ）は、比較例１に係る基板の製造方法を示す断面図の例である。なお、図２（ａ）から図２（ｅ）では、複数のモジュールが形成された樹脂基板５０全体を図示していて、複数のモジュールそれぞれの電子部品６８をまとめて電子部品６８ａとして図示している。

図２（ａ）のように、テープ基材７２上に紫外線（ＵＶ：ultraviolet）硬化型の粘着層７４が形成されたダイシングテープ７０を準備し、樹脂基板５０の一方の主面上に形成されたソルダーレジスト６２を粘着層７４に貼り付ける。

図２（ｂ）のように、ダンシングブレード７６を用いて、樹脂基板５０とソルダーレジスト６２とを切断して、モジュール毎に個片化する。このとき、樹脂基板５０及びソルダーレジスト６２を完全に切断するために、テープ基材７２まで深くダイシングブレード７６で切り込む。このダイシングにより、粘着層７４が切削されるため、粘着性を持つ切粉７８が発生する。発生した切粉７８は、樹脂基板５０の側面等に付着する。

図２（ｃ）のように、ダイシングテープ７０を回転させながら洗浄液を流して、切粉７８を除去するためのスピン洗浄を行う。しかしながら、切粉７８は粘着性を有していて、樹脂基板５０の側面等に貼り付いている。このため、スピン洗浄では除去が困難であり、切粉７８が残存してしまう。

図２（ｄ）のように、ソルダーレジスト６２が貼り付けられた側とは反対側からダイシングテープ７０にＵＶ光を照射する。これにより、粘着層７４にＵＶ光が照射され、粘着層７４は硬化して粘着力が低下する。

図２（ｅ）のように、個片化された樹脂基板５０をピックアップする。粘着層７４の粘着力が低下しているため、ピックアップは容易にできる。

なお、比較例１では、図１（ａ）から図１（ｈ）のように、熱硬化型のソルダーレジストを用いた場合を説明したが、感光性のソルダーレジストを用いてもよい。図３（ａ）から図３（ｈ）を用いて、感光性のソルダーレジストを用いた場合の製造方法を説明する。図３（ａ）から図３（ｄ）は、比較例１の変形例１に係る基板の製造方法を示す斜視図の例であり、図３（ｅ）から図３（ｈ）は、図３（ａ）から図３（ｄ）のＡ−Ａ間の断面図の例である。

図３（ａ）及び図３（ｅ）のように、配線パターン５８が設けられた樹脂基板５０を形成する。樹脂基板５０の一方の主面上全面に、感光性のソルダーレジスト６２ａを印刷により形成する。その後、ソルダーレジスト６２ａを熱処理によって硬化させる。図３（ｂ）及び図３（ｆ）のように、フォトプロセスの露光・現像を行い、ソルダーレジスト６２ａに複数の開口部６４を形成して、配線パターン５８を露出させる。図３（ｃ）及び図３（ｇ）のように、開口部６４で露出する配線パターン５８の上面にめっきを施し、端子電極６６を形成する。図３（ｄ）及び図３（ｈ）のように、樹脂基板５０の他方の主面上に複数の電子部品６８を実装する。その後は、比較例１と同じように、図２（ａ）から図２（ｅ）で説明した製造方法を行う。

このように、比較例１では、ダイシングによって粘着性を持つ切粉７８が発生してしまい、この切粉７８が樹脂基板５０の側面等に付着すると、その後の洗浄によっても除去することが難しくなる。このため、ピックアップ後においても樹脂基板５０の側面等に粘着性の切粉７８が残存してしまう。この結果、汚れ不良、切粉７８が端子電極６６に付着することによる接触不良、切粉７８の粘着性による搬送不良等が生じてしまう。そこで、このような課題を解決すべく、ダイシングによって発生する切粉の粘着力を低下させることが可能な実施例を以下に説明する。

図４（ａ）から図５（ｅ）を用いて、実施例１に係る基板の製造方法を説明する。なお、実施例１においても、比較例１と同様に、複数のモジュールが形成された多面取り構造の樹脂基板を切断して個片化する製造方法を例に説明する。図４（ａ）から図４（ｄ）は、実施例１に係る基板の製造方法を示す斜視図の例であり、図４（ｅ）から図４（ｈ）は、図４（ａ）から図４（ｄ）のＡ−Ａ間の断面図の例である。なお、図４（ａ）から図４（ｈ）では、多面取り構造の樹脂基板に形成される複数のモジュールのうちの１つのモジュールを図示して説明する。

図４（ａ）及び図４（ｅ）のように、複数の層１２〜１６が積層され、各層の間及び最も外側の層の外面に配線パターン１８が設けられた樹脂基板１０を形成する。配線パターン１８は、例えば銅（Ｃｕ）等の金属膜で形成される。樹脂基板１０は、例えばガラスエポキシ基板からなる層１２〜１６が積層された積層基板である。樹脂基板１０の厚さは、例えば０．３５ｍｍ〜０．７５ｍｍである。各層の配線パターン１８は、各層を貫通する例えばＣｕ等の金属膜で形成されたビア配線２０によって電気的に接続されている。樹脂基板１０の一方の主面上に、マスクを用いてレジストを印刷することにより、例えばＵＶ硬化型のソルダーレジスト２２を形成する。これにより、ソルダーレジスト２２に、配線パターン１８が露出した複数の開口部２４が形成される。ソルダーレジスト２２は、例えばアクリルポリマーを主成分とするレジストを用いることができる。具体例として、例えば日本ポリテック株式会社製のＮＰＲ−８０Ｓｅｒｉｅｓを用いることができる。

図４（ｂ）及び図４（ｆ）のように、ソルダーレジスト２２を熱処理によって硬化させる。図４（ｃ）及び図４（ｇ）のように、開口部２４で露出する配線パターン１８の上面に、例えば電解めっき法又は無電解めっき法を用いて金（Ａｕ）めっきを施し、端子電極２６を形成する。図４（ｄ）及び図４（ｈ）のように、樹脂基板１０の他方の主面上に複数の電子部品２８を実装する。これにより、１つのモジュールには１つ又は複数の電子部品２８が実装されることになる。電子部品２８は、配線パターン１８及びビア配線２０を介して、端子電極２６に電気的に接続される。このような製造工程により、複数のモジュールが形成された多面取り構造の樹脂基板１０を得ることができる。

このように、図４（ａ）から図４（ｈ）で説明した製造方法では、ソルダーレジスト２２に感光性のレジストを用いているが、図１（ａ）から図１（ｈ）で説明した熱硬化型のレジストを用いた場合のプロセスを行っている。つまり、ソルダーレジスト２２にＵＶ光を照射することなく、マスクを用いた印刷によって開口部２４を形成し、熱処理のみによってソルダーレジスト２２を硬化させている。このように、ソルダーレジスト２２は、光照射による化学反応がなされておらず、これ以降の工程でＵＶ光が照射された場合には、化学反応が進むことになる。

次に、図４（ａ）から図４（ｈ）により製造された多面取り構造の樹脂基板を切断して、モジュール毎に個片化する工程について説明する。図５（ａ）から図５（ｅ）は、実施例１に係る基板の製造方法を示す断面図の例である。なお、図５（ａ）から図５（ｅ）では、複数のモジュールが形成された樹脂基板１０全体を図示していて、複数のモジュールそれぞれの電子部品２８をまとめて電子部品２８ａとして図示している。

図５（ａ）のように、テープ基材３２上にＵＶ硬化型の粘着層３４が形成されたダイシングテープ３０を準備する。テープ基材３２は、例えばＵＶ光を透過する性質を有するものを用いることができる。粘着層３４は、例えばアクリルポリマーを主成分とするものを用いることができる。このようなダイシングテープ３０の具体例として、例えば電気化学工業株式会社製のＵＨＰ−１１０Ｂを用いることができる。樹脂基板１０の一方の主面上に形成されたソルダーレジスト２２を粘着層３４に貼り付ける。

図５（ｂ）のように、ソルダーレジスト２２が貼り付けられた側とは反対側からダイシングテープ３０にＵＶ光を照射する。これにより、粘着層３４とソルダーレジスト２２とにＵＶ光が照射される。上述したように、ソルダーレジスト２２は、これ以前の工程ではＵＶ光が照射されていない。このため、ＵＶ光が照射されると、粘着層３４だけでなくソルダーレジスト２２も化学反応が進むことになる。ＵＶ光の照射には、例えばブラックライトのＵＶ光照射機を用いることができる。このようなＵＶ光照射機を用いることで、粘着層３４とソルダーレジスト２２との化学反応の制御を容易に行うことができる。

ここで、図６（ａ）及び図６（ｂ）を用いて、ＵＶ光が照射されることによる粘着層３４とソルダーレジスト２２との化学反応について説明する。図６（ａ）は、ＵＶ光が照射される前の粘着層３４とソルダーレジスト２２との状態を示す模式図であり、図６（ｂ）は、ＵＶ光が照射された後の状態を示す模式図である。図６（ａ）のように、粘着層３４とソルダーレジスト２２とは共に、光重合開始剤４０、アクリルポリマー４２、及び架橋剤４４を有する。光重合開始剤４０は、例えばヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン等のアルキルフェノン系化合物を含む。アクリルポリマー４２は、例えばアクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、ポリアクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸ヒドロシエチル、及びアクリル酸メチルのうちの少なくとも１つを含む。架橋剤４４は、例えばポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物を含む。

図６（ｂ）のように、粘着層３４とソルダーレジスト２２とにＵＶ光が照射されると、光重合開始剤４０からラジカルが発生し、このラジカルが架橋剤４４に作用することで重合反応が進行する。これにより、架橋剤４４同士及び架橋剤４４とアクリルポリマー４２との間に架橋４６が形成されて網目構造となる。この結果、粘着層３４とソルダーレジスト２２とは硬化する。このとき、ソルダーレジスト２２が粘着層３４に貼り付いていることで、ソルダーレジスト２２の架橋剤４４及びアクリルポリマー４２と、粘着層３４の架橋剤４４及びアクリルポリマー４２との間にも、架橋４６が形成される。これにより、ソルダーレジスト２２と粘着層３４は密着固定されることになる。一方、粘着層３４自体は硬化するため、粘着力は低下する。

このように、ソルダーレジスト２２と粘着層３４とにＵＶ光が照射されると、粘着層３４の粘着力は低下するが、ソルダーレジスト２２と粘着層３４とは架橋４６によって密着固定される。例えばＵＶ光の照射量等を制御することで、粘着層３４の粘着力の低下及びソルダーレジスト２２と粘着層３４との間の密着力を制御することができる。ソルダーレジスト２２と粘着層３４との間の密着力は、後述するダイシングでは剥がれず、ピックアップでは容易に剥がれる程度の強さであることが望ましい。

図５（ｃ）のように、ダイシングブレード３６を用い、樹脂基板１０とソルダーレジスト２２とを切断して、複数のモジュールを個片化する。ダイシングブレード３６の厚さは、例えば０．１５ｍｍ〜０．３ｍｍである。このとき、樹脂基板１０とソルダーレジスト２２とを完全に切断するために、テープ基材３２まで深くダイシングブレード３６で切り込む。このため、粘着層３４も切削されるが、粘着層３４の粘着力は低下しているため、発生する切粉３８は粘着力の弱いものとなる。

図５（ｄ）のように、ダイシングテープ３０を回転させながら洗浄液（例えば、純水）を流してスピン洗浄を行う。樹脂基板１０の側面等に付着した切粉３８は、粘着力の弱いものであるから、このスピン洗浄により容易に除去することができる。

図５（ｅ）のように、個片化された樹脂基板１０をピックアップする。上述したように、例えばＵＶ光の照射量等を適切に制御することで、ソルダーレジスト２２と粘着層３４との間の密着力を適切な大きさにでき、ピックアップを容易に行うことができる。

図７（ａ）は、個片化された１つのモジュールをソルダーレジスト２２側から見た斜視図の例であり、図７（ｂ）は、電子部品２８側から見た斜視図の例である。図７（ａ）のように、樹脂基板１０の一方の主面全体に、複数の開口部を有するソルダーレジスト２２が設けられており、開口部には端子電極２６が設けられている。ソルダーレジスト２２は、はんだが不必要な部分に付着するのを防ぐために用いられており、モジュールを例えばマザーボードに実装する際には、ソルダーレジスト２２の開口部に設けられた端子電極２６の上面にはんだが形成されることになる。図７（ｂ）のように、樹脂基板１０の他方の主面上には、例えばデュプレクサ２８ｂ、フィルタ２８ｃ、インダクタ２８ｄ、及びコンデンサ２８ｅを含む電子部品２８が実装されている。電子部品２８を保護するために、電子部品２８上に、例えば金属又は樹脂からなるリッドが設けられていてもよく、また、電子部品２８を覆うように樹脂モールドや金属キャップが設けられていてもよい。

このように、実施例１によれば、樹脂基板１０の一方の主面上に形成されたＵＶ硬化型のソルダーレジスト２２を、テープ基材３２上に設けられたＵＶ硬化型の粘着層３４に貼り付ける。そして、ソルダーレジスト２２と粘着層３４とにＵＶ光を照射することにより、ソルダーレジスト２２と粘着層３４とを硬化させる。その後に、樹脂基板１０とソルダーレジスト２２とをダイシングにより切断する。これにより、ダイシングによって発生する切粉３８の粘着力を低下させることができる。このため、切断後に洗浄を行うことで、切粉３８を容易に除去することができ、樹脂基板１０の側面等に切粉３８が残存することを抑制できる。よって、汚れ不良や接触不良、及び搬送不良等の発生を抑制でき、歩留まりを改善することができる。

また、図５（ｂ）のように、ソルダーレジスト２２が貼り付けられた側とは反対側からＵＶ光を照射することで、粘着層３４全体及びソルダーレジスト２２全体に容易にＵＶ光を照射することができる。これにより、粘着層３４全体の粘着力の低下と、ソルダーレジスト２２と粘着層３４との密着固定と、を容易になし得ることができる。

樹脂基板１０の一方の主面上に形成するソルダーレジスト２２は、ＵＶ硬化型のレジストを印刷した後、そのレジストに熱処理を施して硬化させることで形成することが望ましい。これにより、光照射による化学反応が進んでいないソルダーレジスト２２を粘着層３４に貼り付けることができる。このため、ソルダーレジスト２２と粘着層３４とにＵＶ光を照射することで、それらを架橋４６によって密着固定させることができる。

粘着層３４とソルダーレジスト２２とはＵＶ硬化型である場合に限らず、その他の波長帯の光が照射されることで硬化する場合でもよい。つまり、粘着層３４とソルダーレジスト２２とは、光硬化型である場合でもよく、特に、ある波長帯の光が照射されることで共に硬化するような、同じ波長帯の光によって硬化する光硬化型である場合が好ましい。

粘着層３４とソルダーレジスト２２とは共にアクリルポリマーを主成分とする場合を説明したが、これ以外のポリマーを主成分とする場合でもよい。また、架橋４６によって粘着層３４とソルダーレジスト２２とを密着固定させる観点から、粘着層３４とソルダーレジスト２２とは同じポリマーを主成分とする場合が好ましい。なお、粘着層３４とソルダーレジスト２２とが架橋４６によって密着固定されるのであれば、異なるポリマーを主成分とする場合でもよい。

実施例１では、複数のモジュールが形成された多面取り構造の樹脂基板をダイシングする場合を例に示したが、多面取り構造ではない樹脂基板をダイシングする場合でもよい。また、樹脂基板以外の基板をダイシングする場合でもよい。このような場合、基板の一方の主面上に形成される樹脂層は、ソルダーレジスト以外の樹脂層の場合でもよく、樹脂層に端子電極等が形成される開口部が設けられていない場合でもよい。

しかしながら、樹脂基板をダイシングする場合、樹脂基板はウエハ等に比べて厚いことから、ダイシングブレードも厚いものを用いる。このため、ダイシングにより大量の切粉が発生する。したがって、樹脂基板をダイシングする場合に、実施例１で説明した製造方法を適用することがより好ましい。特に、多面取り構造の樹脂基板をダイシングする場合では、ソルダーレジストに凹凸や反りが生じ易いことから、高い粘着力を有する粘着層を用いている。したがって、多面取り構造の樹脂基板をダイシングする場合に、実施例１で説明した製造方法を適用することがさらに好ましい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 樹脂基板
１２、１４、１６ 層
１８ 配線パターン
２０ ビア配線
２２ ソルダーレジスト
２４ 開口部
２６ 端子電極
２８、２８ａ 電子部品
２８ｂ デュプレクサ
２８ｃ フィルタ
２８ｄ インダクタ
２８ｅ コンデンサ
３０ ダイシングテープ
３２ テープ基材
３４ 粘着層
３６ ダイシングブレード
３８ 切粉
４０ 光重合開始剤
４２ アクリルポリマー
４４ 架橋剤
４６ 架橋

Claims (7)

1. 基板の一方の主面上に光硬化型の樹脂層を形成する工程と、
   テープ基材上に設けられた光硬化型の粘着層に前記樹脂層を貼り付ける工程と、
   前記樹脂層を貼り付けた後、前記樹脂層と前記粘着層とに光を照射することにより、前記樹脂層と前記粘着層とを硬化させる工程と、
   前記硬化させた後、前記基板と前記樹脂層とをダイシングにより切断する工程と、を有することを特徴とする基板の製造方法。
2. 前記基板の一方の主面上に光硬化型の樹脂を印刷した後、前記樹脂に熱処理を施して硬化させることで前記樹脂層を形成することを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
3. 前記粘着層と前記樹脂層とは、ＵＶ硬化型であることを特徴とする請求項１または２記載の基板の製造方法。
4. 前記粘着層と前記樹脂層とは、同じポリマーを主成分とすることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の基板の製造方法。
5. 前記ポリマーはアクリルポリマーであることを特徴とする請求項４記載の基板の製造方法。
6. 前記基板は樹脂基板であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の基板の製造方法。
7. 前記樹脂基板の一方の主面上に、複数の開口部を有する前記樹脂層を形成し、
   前記開口部に、前記樹脂基板の他方の主面上に実装される電子部品と電気的に接続される端子電極を形成する工程を有し、
   前記電子部品が実装され且つ前記端子電極が形成された後、前記粘着層に前記樹脂層を貼り付けることを特徴とする請求項６記載の基板の製造方法。

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