JP2011176007A - 多面付け基板シート、半導体パッケージ基板、及びこれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数配置された個々の半導体パッケージ基板を、ダイシングによって加工する際に、半導体パッケージ基板の表面の汚染を抑制可能な多面付け基板シートと半導体パッケージ基板、及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基材と、この基材上に設けられた配線パターンと、前記基材及び配線パターン上に形成されたソルダーレジストと、を有する半導体パッケージ基板を、複数配置した多面付け基板シートであって、前記複数配置した半導体パッケージ基板同士の境界には、前記配線パターンの逃げ部と、この逃げ部において凹部を形成するソルダーレジストと、前記逃げ部内に設けられたダイシング領域と、このダイシング領域内に設けられた前記ソルダーレジストの溝部とを有すること、を特徴とする多面付け基板シートとこれをダイシングすることにより作製される半導体パッケージ基板及びこれらの製造方法。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体パッケージ基板用の多面付け基板シート、この多面付け基板シートから製造される半導体パッケージ基板、及びこれらの製造方法に関するものであり、特には、多面付け基板シート内に複数配置された個々の半導体パッケージ基板を、ダイサーを用いて加工する際に、基板表面を汚染することなく、安定して加工できる多面付け基板シート、半導体パッケージ基板及びこれらの製造方法に関するものである。

従来、半導体パッケージ基板の製造工程では、多面付け基板シート内に格子状に配列された半導体パッケージ基板を、個々の半導体パッケージ基板に分割切断し、個片化している。ダイサーを用いてダイシングブレードにより切断を行うが、個々に分割する半導体パッケージ基板を固定する必要がある。このため、通常は多面付け基板シートの一方の面にダイシングフィルムを貼り、これをダイサーにセットした後、ダイシングブレードを用いて他方の面より切断を行う。この際に、ダイシングフィルムを完全に切断せずに、部分的に残すように切断することにより、切断中に個々の半導体パッケージ基板が分離することなく、安定して切断できるようにしている。

このダイシングフィルムとしては、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）等の延性の良いフィルムに、粘着剤を塗布した２層構造のフィルムが一般的に使用されている。厚みは、８０〜２００μｍ程度のものが用いられる。また、多面付け基板シートにダイシングフィルムを貼る際、フィルムマウンタと呼ばれる装置を使用する。これは、多面付け基板シートをフィルムマウンタ上の所定の平面の設置箇所に固定し、フィルムマウンタ内にセットされたダイシングフィルムの粘着面を、多面付け基板シート側になるようにして引き出し、多面付け基板シートと所定の間隔に平行になるように、ダイシングフィルムを保持した後、専用のラミネートロールにより、ダイシングフィルムの上から多面付け基板シートにフィルムを密着させるようにして貼り付ける。

図７に示すように、多面付け基板シート１上に配線パターン５の段差によってソルダーレジスト４の凹部１２が生じると、図８に示すように、ダイシングフィルム８をラミネートする際に、この凹部１２にはラミネート時のロール圧力が伝わらないため、ダイシングフィルム８が凹部１２に追従しなくなり、凹部１２に空気溜まり９が生じる。また、この空気溜まり９が生じた箇所が、丁度切断する箇所（ダイシング領域７）と重なる場合は、切断時に発生した多面付け基板シート１の切り屑を混合した切削水が、図８の矢印のように、この空気溜まり９箇所に入り込み、多面付け基板シート１の表面を汚染する。

通常、ダイサーの加工においては、ダイサーの機内にて、スピナーと呼ばれる洗浄を実施する。これは、切断後のダイシングフィルムに保持された半導体パッケージ基板を、ダイシングフィルムに固定した側とその反対面側よりスプレー水で洗浄を実施するものである。ただし、前述のダイシングフィルムの空気溜まり箇所に進入した切削水によって汚染された箇所は、ダイシングフィルムによって覆われ、スピナーによる洗浄のスプレー水が当たり難い箇所であるため、汚染した箇所は洗浄できないままとなり、製品となる半導体パッケージ基板に残留する問題がある。

また、このような多面付け基板シートを切断する際の切削水による汚染を抑制するためには、切断しダイシングフィルムから半導体パッケージ基板を取り外した後、個々の半導体パッケージ基板をスプレー水の洗浄によって、両面より洗浄する方法が取られている。しかしながら、このようにして半導体パッケージ基板上から汚染を除去する方法は、洗浄工程を新たに追加する必要があることと、その工程追加によってハンドリングが多くなり、歩留まりが低下することが懸念される。以上の理由により、洗浄工程やそのためのハンドリングを追加する必要がないようにするため、ダイシング領域では、多面付け基板シート表面の凹凸に追従するようにダイシングフィルムを貼り付けることができ、空気溜まりが生じにくい構造の多面付け基板シートが必要とされる。

空気溜まりを生じないで、基板上に接着フィルムを貼り付ける方法のひとつとして、基板の凹凸を少なくするため、凹みが発生しやすい箇所に予めダミーパターンを追加して凹みの発生を抑える方法（特許文献１）、ダイシングフィルムを保持するのにＲ面を有した凸形状の弾性体を使用し、貼り付ける面に対して中心部より徐々に貼り付けることにより、空気溜まりを抑制する方法（特許文献２）、ダイシングフィルムの貼り付け面と基板を減圧し、ダイシングフィルムの貼り付け面と逆側の圧力を高くして、これら両者の圧力差を用いて貼り付ける方法（特許文献３）が提案されている。

特開平１１−３４０２４９号公報 特開２００３−１２４１５３号公報 特開平９−１２９５７６号公報

しかしながら、特許文献１の方法は、凹みの生じる部分がダイシング領域内である場合、このダイシング領域内にダミーパターンを設けることになるので、ダイシングの際は、基板とともにダミーパターンをダイシングする必要があり、ダイシンングブレードへの負荷が増加する問題やダミーパターンのダイシング面やバリが基板端部に露出することにより電気特性等へ悪影響を与える問題がある。特許文献２の方法は、弾性体の変形量が凹みの深さに追従できないと空気溜まりが生じる恐れがあり、かつ設備面においてもダイシングフィルムを保持する真空系ならびに基板を保持する真空系が必要で設備も大掛かりなものが必要である。また弾性体として使用するゴムの劣化によって、変形量の変動が生ずる問題がある。特許文献３の方法は、基板を吸引保持したり、基板とダイシングシートとの密閉空間を構成するための真空系が必要で、やはり設備コストが膨らむ問題がある。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、大掛かりな設備を必要とせずに、空気溜まりを生じることなくダイシングフィルムを貼り付けることができ、複数配置された個々の半導体パッケージ基板をダイシングする際に、半導体パッケージ基板の表面の汚染を抑制し、しかも、ダイシングブレードの負荷の増加やバリを抑制可能な多面付け基板シートと半導体パッケージ基板、及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、以下に関する。
（１） 基材と、この基材上に設けられた配線パターンと、前記基材及び配線パターン上に形成されたソルダーレジストと、を有する半導体パッケージ基板を、複数配置した多面付け基板シートであって、前記複数配置した半導体パッケージ基板同士の境界には、前記配線パターンの逃げ部と、この逃げ部において凹部を形成するソルダーレジストと、前記逃げ部内に設けられたダイシング領域と、このダイシング領域内に設けられた前記ソルダーレジストの溝部とを有すること、
を特徴とする多面付け基板シート。
（２） 上記（１）の多面付け基板シートのダイシング領域を、ダイシングによって個々の半導体パッケージ基板に分割することにより形成される半導体パッケージ基板。
（３） 基材上に複数の半導体パッケージ基板の配線パターンを配置し、前記複数の半導体パッケージ基板同士の境界に前記配線パターンの逃げ部を設けるとともに、この逃げ部内にダイシング領域を設ける工程と、前記配線パターンの逃げ部及びこの逃げ部内のダイシング領域にソルダーレジストを形成し、前記ダイシング領域内のソルダーレジストに溝部を形成する工程と、を有する多面付け基板シートの製造方法。
（４） 上記（３）において、配線パターンの逃げ部及びこの逃げ部内のダイシング領域にソルダーレジストを形成し、前記ダイシング領域内のソルダーレジストに溝部を形成する工程では、この溝部がダイシング領域の幅よりも小さい幅に形成されることを特徴とする多面付け基板シートの製造方法。
（５） 上記（３）または（４）の後に、多面付け基板シートにダイシングフィルムを貼り付ける工程と、前記多面付け基板シートのダイシング領域を、ダイシングによって個々の半導体パッケージ基板に分割する工程を有する半導体パッケージ基板の製造方法。

本発明によれば、大掛かりな設備を必要とせずに、空気溜まりを生じることなくダイシングフィルムを貼り付けることができ、複数配置された個々の半導体パッケージ基板をダイシングする際に、半導体パッケージ基板の表面の汚染を抑制し、しかも、ダイシングブレードの負荷の増加やバリを抑制可能な多面付け基板シートと半導体パッケージ基板、及びこれらの製造方法を提供することができる。

本発明の実施例に係る多面付け基板シートの平面図である。 本発明の実施例に係る多面付け基板シートにおける、図１のＡ−Ａ’断面の逃げ部拡大図である。 本発明の実施例に係る半導体パッケージ基板の平面図である。 本発明の実施例に係る半導体パッケージ基板における、図３のＢ−Ｂ’断面のＢ’側逃げ部の拡大図である。 本発明の実施例に係る多面付け基板シートにダイシングフィルムを貼った場合における、図２と同様のＡ−Ａ’断面の逃げ部拡大図である。 本発明の実施例に係る多面付け基板シート及び半導体パッケージ基板の製造方法を示すフローである。 従来（比較例）の多面付け基板シートにおける、図２と同様のＡ−Ａ’断面の逃げ部拡大図である。 従来（比較例）の半導体パッケージ基板における、ダイシングフィルムを貼った時の図５と同様のＡ−Ａ’断面の逃げ部拡大図である。

本発明の多面付け基板シート１の構造を、図１、図２、図５に示す例を用いて説明する。図１は、ダイシングを行なう前の多面付け基板シート１の平面図を示す。図２は、図１のＡ−Ａ’断面における配線パターン５の逃げ部１０の拡大図を示す。図５は、図２の多面付け基板シート１に、ダイシングフィルム８を貼り付けた状態を示している。

本発明の多面付け基板シート１の一例としては、図１、図２、図５に示すように、基材６と、この基材６上に設けられた配線パターン５と、前記基材６及び配線パターン５上に形成されたソルダーレジスト４と、を有する半導体パッケージ基板２を、格子状に複数配置した多面付け基板シート１であって、前記複数配置した半導体パッケージ基板２同士の境界には、前記配線パターン５の逃げ部１０と、この逃げ部１０において凹部１２を形成するソルダーレジスト４と、前記逃げ部１０内に設けられたダイシング領域７と、このダイシング領域７内に設けられた前記ソルダーレジスト４の溝部３とを有する多面付け基板シート１が挙げられる。図１には、半導体パッケージ基板２を４個格子状に配置した多面付け基板シート１の例を示すが、半導体パッケージ基板２を配置する数や配置形状には特に制限はなく、ハンドリング、その他の都合によって変更してもよい。なお、半導体パッケージ基板２を格子状に配置すると、ダイシング作業を効率よく行うことができる。

本発明に用いる基材６は、絶縁材であって、配線パターン５やソルダーレジスト４を支持する基体となるものである。基材６を構成する材料としては、半導体パッケージ基板２に使用されるものであれば特に限定されず、一般基材（例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイド−トリアジン樹脂、フェノール樹脂等を、ガラスクロスや紙等の補強材に含浸させ、積層した基材）を用いることができる。エポキシ樹脂系の基材６としては、例えば、日立化成工業株式会社製のＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧが挙げられる。また、この基材６には、内層パターンを有した多層板を用いてもよい。

配線パターン５は、基材６上に設けられ、一般的な半導体パッケージ基板２に備えられる導体のパターンであり、例えば、電子部品との接続パッド１１やこれらの接続パッド１１からの引出し線等を有している。これらの配線パターン５は、個々の半導体パッケージ基板２の領域内に設けられ、金属箔１５やめっき１６等で構成される導体をエッチングすること等の公知の方法によって形成することができる。

ソルダーレジスト４は、基材６及び配線パターン５上に形成され、一般的な半導体パッケージ基板２に備えられる材料を使用し、公知の方法で形成することができる。例えば、液状タイプの感光性ソルダーレジストインクを用い、印刷、ロールコート、スプレーコート、カーテンコート等の方法で、基材６及び配線パターン５上に塗布、乾燥した後、フォトリソグラフにより、ソルダーレジスト４のパターンを形成することができる。液状タイプとして、例えば、ＰＦＲ−８００ＡＵＳ４０２（太陽インキ製造株式会社製、商品名）等が挙げられる。また、ドライフィルムタイプの感光性ソルダーレジストを用い、基材６及び配線パターン５上に、ラミネート装置等により貼り合せた後、フォトリソグラフにより、ソルダーレジスト４のパターンを形成することができる。ドライフィルムタイプとして、例えば、ＳＲ−３０００（日立化成工業株式会社製、商品名）等が挙げられる。

本発明の多面付け基板シート１は、ダイシング可能なサイズとしたものであり、必要な場合は、予めワークシートからルーターやシアカッター等で切り出すことにより形成できる。この多面付け基板シート１内には、複数の半導体パッケージ基板２が、ダイシングで用いるブレードの刃厚分（ダイシング領域７の幅）の間隔を空けて配置されている。この多面付け基板シート１内に配置した各半導体パッケージ基板２の間には、ダイシングフィルム８を貼り付ける際に、多面付け基板シート１のソルダーレジスト４の凹部１２に溜まる空気を逃がすための通路が、ソルダーレジスト４に設けられる溝部３によって形成される。この溝部３は、多面付け基板シート１内に配した個々の半導体パッケージ基板２の外周部に形成される。

配線パターン５の逃げ部１０は、複数の半導体パッケージ基板２同士の境界近傍に設けられる配線パターン５を有しない領域であり、ダイシング領域７を含むように、配線パターン５を有する個々の半導体パッケージ基板２の外周に設けられる。このように配線パターン５の逃げ部１０を設けることによって、ダイシングの際に、配線パターン５を加工することがないので、ダイシングブレードの加工負荷が軽減され、ダイシングのコストや作業性を改善することができる。

この配線パターン５の逃げ部１０においては、ソルダーレジスト４が、傾斜部１４を備える凹部１２を形成する。凹部１２とは、ソルダーレジスト４の表面が、配線パターン５上のソルダーレジスト４表面に比べて凹んだ領域をいう。ソルダーレジスト４を塗布した段階では、配線パターン５及び逃げ部１０を含めた全体に亘って、塗布表面はほぼ平坦となるが、ソルダーレジスト４の硬化に伴って、塗布されたソルダーレジスト４中の固形分のみが残留するため、ソルダーレジスト４の表面に凹凸が生じる。つまり、逃げ部１０においては、硬化後のソルダーレジスト４の厚みは、塗布したソルダーレジスト４に含まれる固形分の厚みまで減少するため、表面が比較的大きく凹む。一方、配線パターン５上においては、硬化後のソルダーレジスト４の厚みは同様に減少するものの、その下の配線パターン５の厚みは減少しないので、表面の凹みは比較的小さい。このようにして、図２に示すように、配線パターン５の逃げ部においては、ソルダーレジスト４の表面に凹みが発生し、ソルダーレジスト４の凹部１２が形成される。

配線パターン５の逃げ部１０内には、ダイシング領域７が設けられる。ダイシング領域７とは、ダイシングにより、多面付け基板シート１が削られて除去される部分であり、このため、ダイシング領域７の幅は、ほぼダイシングブレードの幅に相当する。このダイシング領域７の幅は、配線パターン５に重ならないように、配線パターン５の逃げ部１０の幅よりも狭く設定される。これにより、配線パターン５をダイシングすることがないため、ダイシングブレードの負荷が軽減され、加工コストを低減できる。

ソルダーレジスト４には、溝部３が設けられる。ここで、溝部３とは、ソルダーレジスト４表面に細長く掘られた部分をいう。ところで、図５に示すように、配線パターン５の逃げ部１０では、配線パターン５表面と基材６表面の段差の影響により、その上に塗布されたソルダーレジスト４表面に凹みが生じ、凹部１２が形成されている。このように凹部１２を有するソルダージレスト４表面にダイシングフィルム８を貼り合わせた場合、従来は、図８のように、ソルダーレジスト４の凹部１２においては、ダイシングフィルム８が追従できない。そのため、溝部３を形成しない状態では、ダイシングフィルム８を貼り付ける際に、ラミネートロールによりダイシングフィルム８とソルダーレジスト４表面との間に押し出されてきた空気が、凹部１２に留まる。この結果、ダイシングフイルム８とソルダーレジスト４との間に空気溜まり９が発生し、ダイシングフィルム８とソルダーレジスト４とが密着していない領域が生じていた。これに対して、本発明では、ソルダーレジスト４に溝部３を設けることにより、ダイシングフィルム８を貼る際に、ダイシングフィルム８とソルダーレジスト４との間に挟まれた空気を、溝部３を通して逃がすことができるようになる。つまり、ソルダーレジスト４の溝部３によって、空気の逃げ道が形成されることにより、押し出されてきた空気が凹部１２に溜まろうとするが、最終的に溝部３を通して空気が逃げて空気溜まり９が生じなくなり、ダイシングフィルム８とソルダーレジスト４の追従密着性が向上する。このため、ダイシングフィルム８とソルダーレジスト４との密着が確保され、ダイシングの際にも、切削水が、ダイシングフィルム８とソルダーレジスト４との間に浸入することがないので、ソルダーレジスト４表面が切削水によって、汚染されるのを防ぐことが可能になる。

ダイシングフィルム８には、感圧型（ｎｏｎ―ＵＶタイプ）及びＵＶ硬化型とも使用できる。またダイシングフィルム８の厚みは、８０〜２００μｍが一般的である。

ソルダーレジスト４の溝部３は、ダイシング領域７内に設けられる。つまり、ダイシング領域７の幅は、ソルダーレジスト４の溝部３の幅を含むように、溝部３よりも広く設定される。これにより、ダイシングフィルム８とソルダーレジスト４が密着した部分のみをダイシングすることができる。このため、ダイシング時の切削水が、ダイシング領域７よりも外側のソルダーレジスト４表面に付着、残留するのを抑制することができ、切削水による半導体パッケージ基板２の汚染を防ぐことができる。

ソルダーレジスト４の溝部３は、ダイシングフィルム８を貼り付ける面にのみ形成すればよい。また、ソルダーレジスト４の形成と同時に形成を行うことができる。これは、例えば、感光性のソルダーレジスト４を用い、溝部３を形成する部分を、現像により除去することによって形成することができる。また、例えば、ルータや回転刃等の切削装置を用いて、ソルダーレジスト４表面から深さ方向に切削加工したり、型を用いて成形加工することによって形成してもよい。また、溝部３は、基材６まで達していてもよく、基材６を貫通した開口を破線状に繋げて形成してもよい。

本発明の半導体パッケージ基板２の構造を、図３、図４に示す例を用いて説明する。図３は、本発明の実施例に係る半導体パッケージ基板２の平面図を示す。図４は、本発明の実施例に係る半導体パッケージ基板２における、図３のＢ−Ｂ’断面におけるＢ’側の逃げ部１０の拡大図を示す。

本発明の半導体パッケージ基板２は、上記で作製した多面付け基板シート１を、ダイシングによって個々の半導体パッケージ基板２に分割することにより形成される。ダイシングによる分割は、多面付け基板シート１のダイシング領域７に沿って行なう。この本発明の半導体パッケージ基板２の一例としては、図３、図４に示すように、基材６と、この基材６上に設けられた配線パターン５と、前記基材６上及び配線パターン５上に形成されたソルダーレジスト４と、を有する半導体パッケージ基板２であって、この半導体パッケージ基板２の外周の端面１３近傍に、前記配線パターン５の逃げ部１０を有し、この逃げ部１０がソルダーレジスト４に覆われ、前記ソルダーレジスト４が前記配線パターン５の逃げ部１０において、傾斜部１４を有するものが挙げられる。

ソルダーレジスト４の傾斜部１４は、半導体パッケージ基板２の外周の端面１３近傍に設けられた配線パターン５の逃げ部１０に形成される。このように外周の端面１３近傍のソルダーレジスト４の表面に傾斜部１４が形成されることにより、半導体パッケージ基板２を製造するため、複数の半導体パッケージ基板２を配置した多面付け基板シート１を構成した場合、個々の半導体パッケージ基板２同士の境界には、ソルダーレジスト４の凹部１２が形成される。即ち、個々の半導体パッケージ基板２の外周には、ソルダーレジスト４の凹部１２が格子状に連続して形成される。この結果、多面付け基板シート１上にダイシングフイルム８を貼り付ける際に、半導体パッケージ基板２の端面１３近傍以外では、ラミネートロールによりダイシングフィルム８とソルダーレジスト４表面との間の空気は残留せずに押し出され、この押し出された空気は、半導体パッケージ基板２の外周の端面１３近傍のソルダーレジスト４の凹部１２に留まることになる。また、このソルダーレジスト４の凹部１２に溜まった空気も、例えば、凹部１２に溝部３を設けることにより、溝部３内を通じて逃がすことが可能である。このため、溝部３以外のソルダーレジスト４表面とダイシングフィルム８との密着が確保されるので、溝部３がダイシング領域７よりも狭い幅であれば、配線パターン５の逃げ部１０に形成されるソルダーレジスト４の傾斜部１４でも、ダイシングフィルム８との密着が確保されることになり、ダイシングの際に切削水等で汚染されることがない。

傾斜部１４を設ける方法の一例としては、半導体パッケージ基板２の外周の端面１３近傍に配線パターン５の逃げ部１０を設け、配線パターン５上から逃げ部１０上までを覆うようにソルダーレジスト４を設ける方法が挙げられる。この方法によれば、ソルダーレジスト４を塗布した段階では、配線パターン５及び逃げ部１０を含めた全体に亘って、塗布表面はほぼ平坦となるが、ソルダーレジスト４の硬化に伴って、塗布されたソルダーレジスト４中の固形分のみが残留するため、ソルダーレジスト４の表面に傾斜が生じる。つまり、逃げ部１０においては、硬化後のソルダーレジスト４の厚みは、塗布したソルダーレジスト４に含まれる固形分の厚みまで減少するため、表面が比較的大きく凹む。一方、配線パターン５上においては、硬化後のソルダーレジスト４の厚みは同様に減少するものの、その下の配線パターン５の厚みは減少しないので、表面の凹みは比較的小さい。このことにより、配線パターン５上のソルダーレジスト４の表面に比べて、逃げ部１０上のソルダーレジスト４の表面がより凹むようになるため、配線パターン５上から逃げ部１０上にかけて、傾斜部１４が形成される。

本発明の多面付け基板シート１及び半導体パッケージ基板２の製造方法について、図６により説明する。図６は、本発明の実施例に係る多面付け基板シート１及び半導体パッケージ基板２の製造方法を示すフローである。

本発明の多面付け基板シート１及び半導体パッケージ基板２の製造方法の一例としては、基材６上に複数の半導体パッケージ基板２の配線パターン５を格子状に配置し、前記複数の半導体パッケージ基板２同士の境界に前記配線パターン５の逃げ部１０を設けるとともに、この逃げ部１０内にダイシング領域７を設ける工程と、前記配線パターン５の逃げ部１０及びこの逃げ部１０内のダイシング領域７にソルダーレジスト４を形成し、前記ダイシング領域７内のソルダーレジスト４に溝部３を形成する工程と、を有するものが挙げられる。

より詳細に例示すると、まず、図６（Ａ）に示すように、基材６上に金属箔１５を有する積層板を準備する。この積層板には、必要な層間接続や内層配線パターンを有する多層板を用いてもよい。金属箔１５には、一般の半導体パッケージ基板２に用いられる銅箔等やめっき等を用いることができる。

次に、図６（Ｂ）に示すように、金属箔１５上の配線パターン５となる部分をめっき１６で厚付けした後、金属箔１５をエッチング等で除去することにより回路加工を行なう。このとき、基材６上に、複数の半導体パッケージ基板２の配線パターン５が格子状に配置されて形成され、これら複数の半導体パッケージ基板２同士の境界に、配線パターン５の逃げ部１０が形成される。この配線パターン５の逃げ部１０は、後に個々の半導体パッケージ基板２へと分割するためのダイシング領域７を含むように形成される。つまり、配線パターン５の逃げ部１０内に、ダイシング領域７が設けられる。

次に、図６（Ｃ）に示すように、基材６上及び配線パターン５上にソルダーレジスト４を形成する。ソルダーレジスト４は、配線パターン５の逃げ部１０及びこの逃げ部１０内のダイシング領域７の両者にも形成する。このとき、図６（Ｄ）に示すように、ダイシング領域７内のソルダーレジスト４に溝部３を形成する。この溝部３の形成は、例えば、感光性のソルダーレジスト４を用い、溝部３を形成する部分を、現像により除去することによって形成することができる。また、例えば、ルータや回転刃等の切削装置を用いて、ソルダーレジスト４表面から深さ方向に切削加工したり、型を用いて成形加工することによって形成してもよい。また、溝部３は、基材６に達するように形成してもよく、また基材６を貫通した開口をミシン目のように破線状に繋げてもよい。なお、この溝部３は、ダイシング領域７の幅よりも小さい幅に形成される。

次に、図５に示すように、上記で作製した多面付け基板シート１の溝部３を形成したソルダーレジスト４を有する面に、ダイシングフィルム８を貼り付ける。このダイシングフィルム８としては、一般に使用される、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）等の延性の良いフィルムに、粘着剤を塗布した２層構造のフィルムを使用することができる。感圧型（ｎｏｎ―ＵＶタイプ）及びＵＶ硬化型の何れも使用できる。厚みは、８０〜２００μｍ程度のものが一般的に用いられる。また、多面付け基板シート１にダイシングフィルム８を貼る際、フィルムマウンタと呼ばれる装置を使用することができる。この場合、多面付け基板シート１をフィルムマウンタ上の所定の平面の設置箇所に固定し、フィルムマウンタ内にセットされたダイシングフィルム８の粘着面を、多面付け基板シート１側になるようにして引き出し、多面付け基板シート１と所定の間隔に平行になるように、ダイシングフィルム８を保持した後、専用のラミネートロールにより、ダイシングフィルム８の上から多面付け基板シート１にダイシングフィルム８を密着させるようにして貼り付けを行なうことができる。

次に、多面付け基板シート１のダイシング領域７をダイシングすることによって、個々の半導体パッケージ基板２に分割し、図４に示すような半導体パッケージ基板２を作製する。ダイシングは、ダイサーにセットし、ダイシングブレードを用いて、ダイシングフィルム８を貼り付けた面の反対側から行なう。ダイシングフィルム８を完全に切断せずに、部分的に残すように切断することにより、切断中に個々の半導体パッケージ基板２が分離することなく、安定して切断することができる。

以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれによって制限されない。

まず、エポキシ樹脂の基材６上に、金属箔１５として銅箔を備えたＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製、商品名）を準備した（図６（Ａ））。

次に、銅箔上に、感光性ドライフィルムレジストのＮＩＴ−２２５（ニチゴーモートン社製、商品名）をラミネートし、これにフォトマスクを使用して露光、現像を行い、配線パターン５を形成する部分のレジストを除去して、めっきレジストを形成した。次に、めっきレジストから銅箔の露出した部分に電解銅めっき１６を施し、配線パターン５となる部分にめっき１６を形成した。次に、めっきレジストをレジスト剥離液を用いて除去し、その後、硫酸−過酸化水素系のエッチング液を用いて、全面をエッチングし、電解銅めっき１６を行なっていない銅箔だけの部分が、先にエッチング除去されることを利用して配線パターン５を形成した（（図６（Ｂ））。これにより、基材６上に、複数の半導体パッケージ基板２の配線パターン５を格子状に配置して形成し、これらの複数の半導体パッケージ基板２同士の境界に、配線パターン５の逃げ部１０を形成した。この配線パターン５の逃げ部１０は、後に個々の半導体パッケージ基板２へと分割するためのダイシング領域７を含むように形成した。つまり、配線パターン５の逃げ部１０内に、ダイシング領域７を設けた。

次に、配線パターン５を形成した基材６の上に、ソルダーレジスト４の形成を行った。まず、ソルダーレジスト４と配線パターン５との密着性を上げるため、配線パターン５表面の粗化を行った。粗化には、ＣＺ−８１０１（メック株式会社製、商品名）を用いた。次に、液状の感光性ソルダーレジストであるＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ７０３（太陽インキ製造株式会社製、商品名）を、ロールコーターで塗布、仮乾燥した後、フォトマスクを用いて露光、現像を行って、溝部３を含む所定のソルダーレジスト４のパターンを形成した（（図６（Ｃ）、（Ｄ））。その後、熱及びＵＶを用いてソルダーレジスト４の硬化を行った。これにより、配線パターン５の逃げ部１０では、ソルダーレジスト４表面に凹みが生じ、凹部１２が形成した。

上記により作製した多面付け基板シート１は、図１、図２及び図３に示すように、基材６と、この基材６上に設けられた配線パターン５と、前記基材６及び配線パターン５上に形成されたソルダーレジスト４と、を有する複数の半導体パッケージ基板２が、格子状に配置され、前記複数の半導体パッケージ基板２同士の境界には、前記配線パターン５の逃げ部１０と、この逃げ部１０において凹部１２を形成するソルダーレジスト４と、前記逃げ部１０内に設けられたダイシング領域７と、このダイシング領域７内に設けられた前記ソルダーレジスト４の溝部３とを有するものである。つまり、基材６上に形成した配線パターン５と、基材６と配線パターン５とを覆うように形成したソルダーレジスト４を備え、ダイシング領域７内のソルダーレジスト４に溝部３を有する。配線パターン５の逃げ部１０の幅は０．４ｍｍ、ダイシング領域７の幅は０．２ｍｍ、形成した溝部３の幅は０．１ｍｍとした。

次に、多面付け基板シート１を、フィルムマウンタの所定の位置にセットし、ダイサーフレームと共に、ダイシングフィルム８のラミネートを行った。このとき、図５に示すように、ダイシングフィルム８は、溝部３を除いてソルダーレジスト４上に密着しており、空気溜まり９は観察されなかった（図５）。

次に、多面付け基板シート１にダイシングフィルム８を貼った状態で、ダイサー用のマガジンにセットし、このマガジンをダイサー内の所定の位置にセットし、ダイサーにより加工を実施した。ダイサーブレードには、刃厚０．２ｍｍのものを用い、ダイサーの切断条件としては、回転速度３０ｋｒｐｍ、送り速度５０ｍｍ／秒、切り込み深さ１００μｍにて実施した。

２５枚の多面付け基板シート１について、ダイシングを実施した後、半導体パッケージ基板２をダイシングフィルム８から剥がしてトレイに移載し、ダイシングフィルム８を貼り付けた面側のダイシング領域７付近の状況を、実体顕微鏡で観察した。その結果、ソルダーレジスト４の凹部１２を含む表面に、ダイシングフィルム８が追従できずに発生した空気溜まり９に伴う、切削水等の染み込みの不具合は見当たらなかった。

上記により作製した半導体パッケージ基板２は、基材６と、この基材６上に設けられた配線パターン５と、基材６上及び配線パターン５上に形成されたソルダーレジスト４とを有し、この半導体パッケージ基板２の外周の端面１３近傍に、配線パターン５の逃げ部１０を有し、この逃げ部１０がソルダーレジスト４に覆われ、ソルダーレジスト４が配線パターン５の逃げ部１０において、傾斜部１４を有するものであった（図４）。

（比較例）
配線パターン５を形成した基材６の上に、ソルダーレジスト４の形成を行う際に、液状の感光性ソルダーレジストであるＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ７０３（太陽インキ製造株式会社製、商品名）を、ロールコーターで塗布、仮乾燥した後、フォトマスクを用いて露光、現像を行って、溝部３を有しないソルダーレジスト４を形成した（図７）。これ以外は、実施例と同様にして、多面付け基板シート１及び半導体パッケージ基板２を作製した。

実施例と同様に、フィルムマウンタを用いて、多面付け基板シート１をダイサーフレームと共にダイシングフィルム８にラミネートをした。このとき、格子状に面付けした複数の半導体パッケージ基板２同士の境界には、配線パターン５の逃げ部１０においてソルダーレジスト４の凹部１２が形成されており、この凹部１２には空気溜まり９が生じていた（図８）。

その後、多面付け基板シート１をダイサーフレームと共にダイサー用マガジンにセットして、実施例と同一条件にて切断加工を実施した。２５枚の多面付け基板シート１を加工後、ダイシングフィルム８を貼り付けた面側のダイシング領域７近傍を実体顕微鏡にて観察したところ、ほぼ全数にダイシングフィルム８がソルダーレジスト４面から浮いたことによる切削水の汚染物が確認された。

１…多面付け基板シート、２…半導体パッケージ基板、３…溝部、４…ソルダーレジスト、５…配線パターン、６…基材、７…ダイシング領域、８…ダイシングフィルム、９…空気溜まり、１０…逃げ部、１１…接続パッド、１２…凹部、１３…端面、１４…傾斜部、１５…金属箔、１６…めっき

Claims (5)

1. 基材と、この基材上に設けられた配線パターンと、前記基材及び配線パターン上に形成されたソルダーレジストと、を有する半導体パッケージ基板を、複数配置した多面付け基板シートであって、
   前記複数配置した半導体パッケージ基板同士の境界には、前記配線パターンの逃げ部と、この逃げ部において凹部を形成するソルダーレジストと、前記逃げ部内に設けられたダイシング領域と、このダイシング領域内に設けられた前記ソルダーレジストの溝部とを有すること、
   を特徴とする多面付け基板シート。
2. 請求項１の多面付け基板シートのダイシング領域を、ダイシングによって個々の半導体パッケージ基板に分割することにより形成される半導体パッケージ基板。
3. 基材上に複数の半導体パッケージ基板の配線パターンを配置し、前記複数の半導体パッケージ基板同士の境界に前記配線パターンの逃げ部を設けるとともに、この逃げ部内にダイシング領域を設ける工程と、
   前記配線パターンの逃げ部及びこの逃げ部内のダイシング領域にソルダーレジストを形成し、前記ダイシング領域内のソルダーレジストに溝部を形成する工程と、
   を有する多面付け基板シートの製造方法。
4. 請求項３において、
   配線パターンの逃げ部及びこの逃げ部内のダイシング領域にソルダーレジストを形成し、前記ダイシング領域内のソルダーレジストに溝部を形成する工程では、この溝部がダイシング領域の幅よりも小さい幅に形成されることを特徴とする多面付け基板シートの製造方法。
5. 請求項３または４の後に、多面付け基板シートにダイシングフィルムを貼り付ける工程と、
   前記多面付け基板シートのダイシング領域を、ダイシングによって個々の半導体パッケージ基板に分割する工程を有する半導体パッケージ基板の製造方法。

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