CN110106494B - 无机薄膜及其制备方法、应用以及薄膜封装结构和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种无机薄膜的制备方法及其应用，包括以下步骤：采用PEVCD以2600W～3400W的射频功率沉积形成第一粗糙表膜；采用PEVCD以1800W～2200W的射频功率在第一粗糙表膜上沉积形成致密主膜。本申请还提供一种薄膜封装结构和显示面板。上述薄膜封装结构，包括层叠设置的至少两个无机薄膜和设置在相邻两个无机薄膜之间的有机薄膜，每个有机薄膜至少有一面与无机薄膜的粗糙表面接触，可有效减少折弯过程中的剥离现象，且无机薄膜中又具有致密主膜，能有效阻挡水氧，封装效果好。

Description

无机薄膜及其制备方法、应用以及薄膜封装结构和显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种无机薄膜及其制备方法、应用以及薄膜封装结构和显示面板。
背景技术
随着资讯技术的快速发展，可随时随地获取资讯、信息等的便携式可携带设备正大受欢迎，带动了有机发光二极管(OLED)等有机电子器件的迅猛发展。
OLED器件由于具有自发光、低功耗、高响应速度、广视角、高分辨力、宽温度范围、高亮度、高对比度、高发光效率、低工作电压、高抗震性能、轻、薄、柔等一系列优点，在照明和显示领域得到广泛关注。
然而OLED器件的电极通常为活泼的金属，极易被氧化，器件的部分功能材料对水氧也较为敏感，在器件工作时易与水氧发生电化学反应，从而加速器件老化，降低器件使用寿命。因此OLED器件完成后需要进行封装工艺，使器件的各功能层与大气中的水汽、氧气隔离。
薄膜封装是OLED器件封装的较佳方案之一。薄膜封装一般采用有机薄膜和无机薄膜叠层制备，不仅可以达到一定的隔绝水氧的作用，还可以提高OLED器件的出光效率。
然而采用有机/无机薄膜叠层制备的薄膜封装，有机薄膜与无机薄膜的界面连接比较脆弱，在弯折情况下可能出现剥离状况，进而影响阻挡水氧的效果。
发明内容
基于此，有必要提供一种薄膜封装结构，该薄膜封装结构的有机薄膜与无机薄膜连接界面具有较高的黏附性，能有效减少有机薄膜与无机薄膜界面剥离状况的产生。
此外，本申请还提供一种无机薄膜的制备方法、其应用以及薄膜封装结构和显示面板。
一种无机薄膜的制备方法，包括以下步骤：
采用等离子化学气相沉积法以2600W～3400W的射频功率沉积形成第一粗糙表膜；
采用等离子化学气相沉积法以1800W～2200W的射频功率在所述第一粗糙表膜上沉积形成致密主膜。
在其中一个实施例中，所述无机薄膜的制备方法，还包括以下步骤：
在所述致密主膜上远离所述第一粗糙表膜的表面依次交替进行所述沉积形成第一粗糙表膜的步骤和所述沉积形成致密主膜的步骤。
在其中一个实施例中，所述无机薄膜的制备方法，还包括以下步骤：
采用等离子化学气相沉积法以2600W～3400W的射频功率在位于外侧的致密主膜上远离所述第一粗糙表膜的表面沉积形成第二粗糙表膜。
在其中一个实施例中，所述第一粗糙表膜的厚度为20nm～100nm，所述致密主膜的厚度为0.5μm～2μm。
一种上述任一项所述的无机薄膜的制备方法制得的无机薄膜。
一种上述无机薄膜在制备薄膜封装结构中的应用。
一种薄膜封装结构，包括层叠设置的至少两个无机薄膜和设置在相邻两个无机薄膜之间的有机薄膜，其中至少一个无机薄膜为上述无机薄膜。
一种显示面板，包括上述薄膜封装结构。
在其中一个实施例中，上述显示面板，还包括背板以及层叠设置在所述背板上的有机发光二极管器件和光取出层，所薄膜封装结构设置于所述背板上并包覆所述有机发光二极管器件和光取出层。
上述薄膜封装结构，有机薄膜至少有一面与无机薄膜的粗糙表面接触，具有较大接触面积，使得有机薄膜与无机薄膜之间具有较大的粘附力，从而有效减少折弯过程中剥离情况的产生，同时无机薄膜中又存在致密主膜，可有效阻挡水氧，具有较好的封装效果。
附图说明
图1为一实施方式的显示面板的结构示意图；
图2为另一实施方式的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述，并给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
一实施方式的无机薄膜的制备方法，包括以下步骤：
S110、采用等离子化学气相沉积法(PEVCD)以2600W～3400W的射频功率沉积形成第一粗糙表膜。
其中，第一粗糙表膜的厚度为20nm～100nm。
S120、采用PEVCD以1800W～2200W的射频功率在上述第一粗糙表膜上沉积形成致密主膜。
其中，致密主膜的厚度为0.5μm～2μm。
S130、在上述致密主膜上远离第一粗糙表膜的表面依次交替进行上述沉积形成第一粗糙表膜的步骤和上述沉积形成致密主膜的步骤。
即在上述致密主膜上远离第一粗糙表膜的表面依次交替进行步骤S110和步骤S120。
可以理解，根据需要，上述依次交替进行的次数可以是一次或两次以上。
S140、采用PEVCD以2600W～3400W的射频功率在位于外侧的致密主膜上远离第一粗糙表膜的表面沉积形成第二粗糙表膜。
其中，第二粗糙表膜的厚度为20nm～100nm。
可以理解，若步骤S110～S120制备的无机薄膜可满足需要，则上述步骤S130和步骤S140可省略其一或同时省略。
上述方法制备的无机薄膜可以包括依次层叠的第一粗糙表膜和致密主膜；或者包括依次层叠的第一粗糙表膜、致密主膜和第二粗糙表膜；或者包括多层交替层叠的第一粗糙表膜和致密主膜以及位于外侧致密主膜上远离第一粗糙表膜的表面的第二粗糙表膜。
需要说明的是，上述无机薄膜的材料可以是现有可得的任意薄膜封装无机材料。
在本实施方式中，上述无机薄膜的材料选自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(AlOx)及氮氧化硅(SiNOx)中的至少一种。
上述无机薄膜的制备方法，采用PEVED先以2600W～3400W的射频功率沉积形成较为松散粗糙的第一粗糙表膜，增大其与相邻层的接触面积，从而提高其与相邻层之间的粘附性，再以1800W～2200W的射频功率在上述第一粗糙表膜上沉积形成致密主膜，可有效阻挡外界水氧的影响。
请参阅图1，一实施方式的显示面板10，包括依次层叠的背板12、OLED器件14和光取出层16以及设置在背板12上并包覆该OLED器件14和光取出层16的薄膜封装结构18。
其中，背板12可以是柔性背板，具有TFT驱动阵列，用于驱动发光元器件。OLED器件14为顶发射型OLED器件。光取出层16的折射率＞1.9，用于顶发射型OLED器件提高发光效率。
进一步的，OLED器件14和光取出层16被包覆于背板12和薄膜封装结构18之间。
在本实施方式中，薄膜封装结构18，包括依次层叠的第一无机薄膜182、有机薄膜184和第二无机薄膜186，其中第一无机薄膜182层叠于光取出层16上。
进一步的，有机薄膜184被包覆于第一无机薄膜182和第二无机薄膜186之间。
其中，有机薄膜184采用打印沉积的方法制备。该有机薄膜184可以采用现有的任意方法制备，只要能得到本申请需要的有机薄膜即可。
进一步的，有机薄膜184的厚度为3000nm～12000nm。
有机薄膜184主要用于覆盖无机薄膜中的针孔及压力释放。
在本实施方式中，上述第一无机薄膜182为步骤S110、S120和S140制备的无机薄膜，包括依次层叠的第一粗糙表膜、致密主膜和第二粗糙表膜，其上下面均为粗糙表面，可以更好地与上层的有机薄膜184和下层的光取出层16衔接，提高粘附力，且中间的致密主膜具有较高的致密性，可有效阻挡水氧。
而第二无机薄膜184为步骤S110～S120制备的无机薄膜，包括依次层叠的第一粗糙表膜和致密主膜，其一面为粗糙表面，可以更好地与下层的有机薄膜184衔接，进一步提高粘附力，而另一面为具有较高致密性的致密主膜，进一步阻挡水氧，具有较好的封装效果。
可以理解，在其他实施方式中，上述第一无机薄膜182和第二无机薄膜186也可以是上述方法制备的其他无机薄膜，比如步骤S110～S120制备的无机薄膜；或者步骤S110～S130制备的无机薄膜；或者步骤S110～S140制备的无机薄膜；或者步骤S110、S120和S130制备的无机薄膜，只要保证有机薄膜184至少有一面与无机薄膜的粗糙表面衔接即可。
上述薄膜封装结构18，有机薄膜184至少有一面与无机薄膜的粗糙表面衔接，具有较大粘附力，从而可有效减少折弯过程中剥离情况的产生，而致密主膜又可有效阻挡水氧，具有较好的封装效果。
上述显示面板10，在折弯过程中不易出现剥离状况，且阻挡水氧的效果较好，使用寿命长。
请参阅图2，为另一实施方式的显示面板20，包括依次层叠的背板22、OLED器件24和光取出层26以及设置在背板22上并包覆该OLED器件24和光取出层26的薄膜封装结构28。
其中，背板22可以是柔性背板，具有TFT驱动阵列，用于驱动发光元器件。OLED器件24为顶发射型OLED器件。光取出层26的折射率＞1.9，用于顶发射型OLED器件提高发光效率。
进一步的，OLED器件24和光取出层26被包覆于背板22和薄膜封装结构28之间。
进一步地，上述薄膜封装结构28包括层叠设置的至少两个无机薄膜282(即多个无机薄膜282层叠设置)和设置在相邻两个无机薄膜282之间的有机薄膜284。
其中，至少一个无机薄膜282为步骤S110、S120和S140制备的无机薄膜，即至少一个无机薄膜282包括依次层叠的第一粗糙表膜、致密主膜和第二粗糙表膜。
在本实施方式中，除最外层无机薄膜282为步骤S110～S120制备的无机薄膜外，其余无机薄膜282均为步骤S110、S120和S140制备的无机薄膜。即除最外层无机薄膜282之外，其余每层无机薄膜的上下表面均为粗糙表面，可以更好地与其上下层衔接，提高粘附力，且每个无机薄膜都具有致密主膜，可有效阻挡水氧。而最外层无机薄膜282一面为粗糙面，可以更好地与下层的有机薄膜284衔接，进一步提高粘附力，另一面为致密主膜，进一步阻挡水氧，具有较好的封装结果。
可以理解，在其他实施方式中，上述薄膜封装结构28中的至少一个无机薄膜282还可以为上述步骤S110～S120制备的无机薄膜；或其中至少一个无机薄膜282为上述步骤S110～S130制备的无机薄膜；或其中至少一个无机薄膜282为步骤S110～S140制备的无机薄膜，只要能保证每个有机薄膜284都至少有一面与无机薄膜的粗糙表面衔接即可。
上述薄膜封装结构28，每个有机薄膜284都至少有一面与无机薄膜的粗糙表面衔接，具有较大粘附力，从而可有效减少折弯过程中剥离情况的产生，而致密主膜又可有效阻挡水氧，具有较好的封装效果。
进一步的，有机薄膜284采用打印沉积的方法制备。该有机薄膜284可以采用现有的任意方法制备，只要能得到本申请需要的有机薄膜即可。
进一步的，有机薄膜284的厚度为3000nm～12000nm。
有机薄膜284主要用于覆盖无机薄膜中的针孔及压力释放。
上述显示面板20，在折弯过程中不易出现剥离状况，且阻挡水氧的效果较好，使用寿命长。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种应用于制备薄膜封装结构的无机薄膜的制备方法，所述薄膜封装结构包括有机薄膜和所述无机薄膜，所述无机薄膜具有位于最外侧表面的第一粗糙表膜和第二粗糙表膜，所述有机薄膜至少有一面与位于所述无机薄膜最外侧表面的所述第一粗糙表膜或所述第二粗糙表膜接触；其特征在于，包括以下步骤：
采用等离子化学气相沉积法以2600W～3400W的射频功率沉积薄膜封装无机材料形成所述第一粗糙表膜；
采用等离子化学气相沉积法以1800W～2200W的射频功率在所述第一粗糙表膜上沉积薄膜封装无机材料形成致密主膜；
采用等离子化学气相沉积法以2600W～3400W的射频功率在所述致密主膜上远离所述第一粗糙表膜的表面沉积薄膜封装无机材料形成所述第二粗糙表膜。
2.根据权利要求1所述的应用于制备薄膜封装结构的无机薄膜的制备方法，其特征在于，在沉积所述第二粗糙表膜之前，还包括在所述致密主膜上远离所述第一粗糙表膜的表面依次交替进行所述沉积形成第一粗糙表膜和所述沉积形成致密主膜的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的应用于制备薄膜封装结构的无机薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二粗糙表膜的厚度为20nm～100nm。
4.根据权利要求1或2所述的应用于制备薄膜封装结构的无机薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一粗糙表膜的厚度为20nm～100nm，所述致密主膜的厚度为0.5μm～2μm。
5.一种薄膜封装结构，其特征在于，包括层叠设置的至少两个无机薄膜和设置在相邻两个无机薄膜之间的有机薄膜，其中至少一个无机薄膜为权利要求1～4任一项所述的应用于制备薄膜封装结构的无机薄膜的制备方法制备所得的无机薄膜。
6.根据权利要求5所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述有机薄膜的厚度为3000nm～12000nm。
7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求5或6所述的薄膜封装结构。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，还包括背板以及层叠设置在所述背板上的有机发光二极管器件和光取出层，所述薄膜封装结构设置于所述背板上并包覆所述有机发光二极管器件和光取出层。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述光取出层的折射率＞1.9。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述背板为柔性背板。
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