CN106784405A - Oled器件的制作方法及oled器件 - Google Patents

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闵浩涵
李想
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Abstract

本发一种OLED器件的制作方法及OLED器件，OLED器件的制作方法包括以下步骤：在基板上设置OLED器件层；在OLED器件层上沉积第一无机层；在该第一无机层上开设凹槽；在凹槽内填充金属层；在该金属层以及该第一无机层上沉积第一有机层。本发明可以有效地降低器件操作时产生的热量，阻隔水以及氧气，可以提高OLED器件的稳定性。

Description

OLED器件的制作方法及OLED器件
技术领域
本发明涉及显示领域，特别是涉及一种OLED器件的制作方法及OLED器件。
背景技术
有机发光二极管OLED在平板显示器、照明和背光的应用前景逐渐引起了人们的广泛关注。目前，制约OLED应用的关键因素就是如何更好的阻隔外界的水氧。最常用的方法是利用紫外光固化胶加玻璃覆盖封装。柔性显示作为未来的主流技术，其对应的薄膜封装(TFE)工艺至关重要。另一方面，大量研究结果表明，OLED效率的衰减与自身发热引起的材料降解密不可分，因此如何有效的阻隔外界的水氧以及降低器件发热引起的热分解对提高器件操作寿命十分重要。
因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改进的OLED器件的制作方法及OLED器件。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：提供一种OLED器件的制作方法，包括以下步骤：
在基板上设置OLED器件层；
在OLED器件层上沉积第一无机层；
在该第一无机层上开设凹槽；
在凹槽内填充金属层；
在该金属层以及该第一无机层上沉积第一有机层。
在本发明实施例提供的OLED器件的制作方法中，所述在凹槽内填充金属层的步骤包括：
采用喷墨打印的方式将液态金属打印到该凹槽内，形成金属层。
在本发明实施例提供的OLED器件的制作方法中，所述金属层的厚度与所述凹槽的深度相等。
在本发明实施例提供的OLED器件的制作方法中，所述金属层的厚度为0.2μm至0.5μm。
在本发明实施例提供的OLED器件的制作方法中，在所述在该金属层以及该第一无机层上沉积第一有机层的步骤之后，还包括以下步骤：
在第一有机层沉积第二无机层；
在第二无机层上沉积第二有机层。
在本发明实施例提供的OLED器件的制作方法中，所述所述金属层的材料是镓铟合金。
本发明还提供了一种OLED器件，包括：
一基板；
OLED器件层，其设置于所述基板上；
第一无机层，其沉积于所述OLED器件层上，所述第一无机层上开设有凹槽；
金属层，其填充于所述凹槽内；
第一有机层，其沉积于所述金属层以及所述第一无机层上。
在本发明实施例提供的OLED器件中，所述金属层的厚度与所述凹槽的深度相等。
在本发明实施例提供的OLED器件中，所述金属层的材料是镓铟合金。
在本发明实施例提供的OLED器件中，还包括：
第二无机层，其沉积于第一有机层上；
第二有机层，其沉积于第二无机层上。
在本发明实施例中，通过在该第一无机层上开设凹槽，并在凹槽中填充金属层，可以有效地降低器件操作时产生的热量，阻隔水以及氧气，可以提高OLED器件的稳定性。
附图说明
图1是本发明一优选实施例中的OLED器件的制作方法的流程图。
图2是本发明一优选实施例中的OLED器件的结构示意图。
图3是本发明另一优选实施例中的OLED器件的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。
下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
在图中，结构相似的模块是以相同标号表示。
请参照图1以及图3，在本实施例中，该OLED器件的制作方法包括以下步骤：
S101、在基板上设置OLED器件层；
S102、在OLED器件层上沉积第一无机层；
S103、在该第一无机层上开设凹槽；
S104、在凹槽内填充金属层；
S105、在该金属层以及该第一无机层上沉积第一有机层；
S106、在该第一有机层上沉积第二无机层；
S107、在该第二无机层上沉积第二有机层。
下面对该OLED器件的制作方法的各个步骤进行详细说明。
在该步骤S101中，该基板10可以为玻璃基板，也可以为柔性基板。该OLED器件层11包括依次设置于该基板上的TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极电极层。
在该步骤S102中，可以采用化学气相沉淀法在该OLED器件层11的阳极电极层上沉积第一无机层12，其中，该第一无机层12可以采用对水、氧阻隔作用较好的材料，例如二氧化硅等。
在该步骤S103中，该凹槽121为一个呈矩形状的槽，其分布占据了该第一无机层12的大部分面积，例如，占据了该第一无机层12面积的80％以上。可以理解地，该凹槽121还可以为多个呈矩形阵列分布的子槽，每一子槽均呈矩形状，该多个子槽间隔地均匀分布在该第一无机层12上。具体实施时，该凹槽121可以采用刻蚀技术形成。
在该步骤S104中，具体实施时，可以采用喷墨打印的方式将液态金属打印到该凹槽121内，形成金属层14。其中，该金属层14的材料可以为镓和铟两种金属的合金。该金属层14的厚度在0.2um至0.5um。该金属层14的厚度与该凹槽121的深度相等。
在该步骤S105中，可以采用化学气相沉淀法形成该第一有机层13，该第一有机层13的厚度大约在2um至5um。
在该步骤S106中，可以采用化学气相沉淀法形成该第二无机层15，该第二无机层15的厚度与第一无机层12未开槽部分的厚度相同，该第二无机层12可以采用氮化硅或二氧化硅等材料。
在该步骤S107中，可以采用化学气相沉淀法形成该第二有机层16。该第二有机层16的厚度大约在2um至5um。其可以一定程度上隔绝外部水氧对器件的腐蚀。
在本发明实施例中，通过在该第一无机层上开设凹槽，并在凹槽中填充金属层，可以有效地降低器件操作时产生的热量，阻隔水以及氧气，可以提高OLED器件的稳定性。
如图2所述，是本发明一优选实施例中的OLED器件的结构示意图，在本实施例中，该OLED器件包括：基板10、OLED器件层11、第一无机层12、金属层14、第一有机层13。
其中，该基板10可以为玻璃基板或柔性基板。
该OLED器件层11包括依次设置于该基板10上的TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极电极层。
该第一无机层12采用化学气相沉淀法沉积于所述OLED器件层11上，第一无机层12上开设有凹槽121。
金属层14填充于所述凹槽121内。具体地，该金属层14为采用采用喷墨打印的方式将液态金属打印到该凹槽内形成的。该金属层14的材料可以为镓和铟两种金属的合金。该金属层14的厚度在0.2um至0.5um。该金属层14的厚度与该凹槽121的深度相等。
该第一有机层13采用化学气相沉淀法沉积于该金属层14以及第一无机层12上，以将该金属层14以及第一无机层12完全覆盖。该第一有机层13的厚度大约在2um至5um。
在本发明实施例中，通过在该第一无机层上开设凹槽，并在凹槽中填充金属层，可以有效地降低器件操作时产生的热量，阻隔水以及氧气，可以提高OLED器件的稳定性。
在另一些实施例中，如图3所示，是本发明一优选实施例中的OLED器件的结构示意图，在本实施例中，该OLED器件包括：基板10、OLED器件层11、第一无机层12、金属层14、第一有机层13、第二无机层15以及第二有机层16。
其中，该基板10可以为玻璃基板或柔性基板。
该OLED器件层11包括依次设置于该基板10上的TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极电极层。
该第一无机层12采用化学气相沉淀法沉积于所述OLED器件层11上，第一无机层12上开设有凹槽121。
金属层14填充于所述凹槽121内。具体地，该金属层14为采用采用喷墨打印的方式将液态金属打印到该凹槽内形成的。该金属层14的材料可以为镓和铟两种金属的合金。该金属层14的厚度在0.2um至0.5um。该金属层14的厚度与该凹槽121的深度相等。
该第一有机层13采用化学气相沉淀法沉积于该金属层14以及第一无机层12上，以将该金属层14以及第一无机层12完全覆盖。该第一有机层13的厚度大约在2um至5um。
该第二无机层15采用化学气相沉淀沉积于该第一有机层13上。该第二无机层16采用化学气相沉淀设置于该第二有机层15上。其中，该第二有机层15的厚度大约在2um至5um。该第二无机层16的厚度与该第一无机层12的厚度相同。其可以一定程度上隔绝外部水氧对器件的腐蚀。
在本发明实施例中，通过在该第一无机层上开设凹槽，并在凹槽中填充金属层，可以有效地降低器件操作时产生的热量，阻隔水以及氧气，可以提高OLED器件的稳定性。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种OLED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上设置OLED器件层；
在OLED器件层上沉积第一无机层；
在该第一无机层上开设凹槽；
在凹槽内填充金属层；
在该金属层以及该第一无机层上沉积第一有机层。
2.根据权利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述在凹槽内填充金属层的步骤包括：
采用喷墨打印的方式将液态金属打印到该凹槽内，形成金属层。
3.根据权利要求2所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述金属层的厚度与所述凹槽的深度相等。
4.根据权利要求3所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述金属层的厚度为0.2μm至0.5μm。
5.根据权利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，在所述在该金属层以及该第一无机层上沉积第一有机层的步骤之后，还包括以下步骤：
在第一有机层沉积第二无机层；
在第二无机层上沉积第二有机层。
6.根据权利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料是镓铟合金。
7.一种OLED器件，其特征在于，包括：
一基板；
OLED器件层，其设置于所述基板上；
第一无机层，其沉积于所述OLED器件层上，所述第一无机层上开设有凹槽；
金属层，其填充于所述凹槽内；
第一有机层，其沉积于所述金属层以及所述第一无机层上。
8.根据权利要求7所述的OLED器件，其特征在于，所述金属层的厚度与所述凹槽的深度相等。
9.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述金属层的材料是镓铟合金。
10.根据权利要求7所述的OLED器件，其特征在于，还包括：
第二无机层，其沉积于第一有机层上；
第二有机层，其沉积于第二无机层上。
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