CN107623085A - Oled面板的封装方法及封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED面板的封装方法及封装结构。该OLED面板的封装方法,在封装盖板上于框胶内侧设置一圈液态金属,从而在将封装盖板与TFT基板进行真空贴合得到封装结构后,当外部水氧透过采用有机材料制作的框胶侵入封装结构内部时,液态金属会与侵入的氧气反应,在其表面产生液态金属氧化膜而形成致密的水氧阻隔层,能够有效地防止水氧侵入OLED器件,封装效果好。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED面板的封装方法及封装结构。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同,无需背光灯,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。但是由于有机材料易与水汽或氧气反应,作为基于有机材料的显示设备,OLED显示屏对封装的要求非常高,因此,通过OLED器件的封装提高器件内部的密封性,尽可能的与外部环境隔离,对于OLED器件的稳定发光至关重要。
目前,对于大尺寸的OLED器件的封装主要是通过在硬质封装盖板(如玻璃或金属)上涂布框胶(Dam),并在框胶内侧设置吸湿剂(Getter),而后将涂有框胶的封装盖板与设有OLED器件的TFT基板进行对组,固化框胶后完成封装。然而,由于框胶一般采用有机物制作,即使进行了固化其结构仍不紧密,起不到较好的阻隔水氧的效果,同时虽然吸湿剂可以吸收水汽,但也仅仅是延缓水汽侵入OLED器件,并没有从根本上阻止水氧的侵入,使该种封装结构的水氧阻隔性能较差。
作为近些年开发的新材料,铟及铟的合金拥有一些独特的性质,其对水汽和氧气的渗透率很低,熔点低,可塑性好,且具有一定的柔韧性,在电子行业中拥有广阔的应用前景。其中,由铟和镓构成的二元共晶合金(低共熔合金),其致密程度与固态金属类似,阻水阻氧性能很好,且常温下是可以流动的液态金属。当暴露在空气中时,室温下空气中的氧气会与铟和镓构成的二元共晶合金反应,在材料表面逐步硬化形成氧化膜,氧化膜非常致密,拥有非常好的阻水阻氧性能,同时也阻止了材料内部被氧化,因此内部仍然保持液态,从而保持柔性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED面板的封装方法,能够有效地防止水氧侵入OLED器件,封装效果好。
本发明的另一目的在于提供一种OLED面板的封装结构,能够有效地防止水氧侵入OLED器件,封装效果好。
为实现上述目的,本发明首先提供一种OLED面板的封装方法,包括如下步骤:
步骤S1、提供封装盖板;
步骤S2、在所述封装盖板上涂布一圈框胶;
步骤S3、在所述封装盖板上于框胶内侧涂布一圈液态金属;
步骤S4、提供TFT基板,在所述TFT基板上对应封装盖板上的液态金属形成无机绝缘层;
步骤S5、在TFT基板上于无机绝缘层内侧制作OLED器件;
步骤S6、将TFT基板与封装盖板进行真空贴合,使框胶与TFT基板接触,并使无机绝缘层与液态金属接触,固化框胶,完成OLED面板的封装。
所述步骤S3在涂布液态金属后还在封装盖板上于液态金属内侧的区域内涂布填充胶;
所述步骤S5在制作OLED器件后还在TFT基板上形成覆盖OLED器件的无机阻挡层;
所述步骤S6中在固化框胶的同时将填充胶固化;所述步骤S6之后填充胶填充由封装盖板、液态金属、无机绝缘层、TFT基板、及无机阻挡层所围的空间。
所述步骤S2、步骤S3及步骤S6均在氮气环境中进行。
所述无机绝缘层的宽度大于所述步骤S6之后液态金属的宽度。
所述步骤S2中通过喷嘴涂布框胶;
所述步骤S3中通过喷嘴涂布液态金属;
所述步骤S3中通过喷涂的方式涂布填充胶;
所述步骤S5中通过低温等离子体增强化学气相沉积的方式形成无机阻挡层;
所述步骤S6中将框胶及填充胶固化的方式为紫外光照射固化、加热固化、或同时进行紫外光照射固化及加热固化。
所述液态金属的材料为铟和镓构成的二元共晶合金。
本发明还提供一种OLED面板的封装结构,包括TFT基板、设于所述TFT基板上的OLED器件、设于所述TFT基板上方的封装盖板、设于所述TFT基板与封装盖板之间位于OLED器件外侧的框胶、设于所述TFT基板上位于OLED器件与框胶之间的无机绝缘层、以及设于所述无机绝缘层与封装盖板之间的液态金属。
还包括:设于所述TFT基板上且覆盖OLED器件的无机阻挡层、及填充由所述封装盖板、液态金属、无机绝缘层、TFT基板、及无机阻挡层所围的空间的填充胶。
所述无机绝缘层的宽度大于所述液态金属的宽度。
所述液态金属的材料为铟和镓构成的二元共晶合金。
本发明的有益效果:本发明提供的一种OLED面板的封装方法,在封装盖板上于框胶内侧设置一圈液态金属,从而在将封装盖板与TFT基板进行真空贴合得到封装结构后,当外部水氧透过采用有机材料制作的框胶侵入封装结构内部时,液态金属会与侵入的氧气反应,在其表面产生液态金属氧化膜而形成致密的水氧阻隔层,能够有效地防止水氧侵入OLED器件,封装效果好。本发明提供的一种OLED面板的封装结构,能够有效地防止水氧侵入OLED器件,封装效果好。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图中,
图1为本发明的OLED面板的封装方法的流程图;
图2为本发明的OLED面板的封装方法的步骤S1及步骤S2的示意图;
图3为本发明的OLED面板的封装方法的步骤S3的示意图;
图4为本发明的OLED面板的封装方法的步骤S4的示意图;
图5为本发明的OLED面板的封装方法的步骤S5的示意图;
图6为本发明的OLED面板的封装方法的步骤S6的示意图暨本发明的OLED面板的封装结构的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1,本发明提供一种OLED面板的封装方法,包括如下步骤:
步骤S1、请参阅图2,提供封装盖板200。
具体地,所述封装盖板200的材料为玻璃。
步骤S2、请参阅图2,在所述封装盖板200上涂布一圈框胶300。
具体地,所述框胶300为现有技术中常用的有机材料的框胶。
具体地,所述步骤S2中通过喷嘴涂布框胶300。
进一步地,所述步骤S2中通过多头点胶机(Multi-Dispenser)涂布框胶300。
步骤S3、请参阅图3,在所述封装盖板200上于框胶300内侧涂布一圈液态金属400,该液态金属400能够在接触到氧气后发生氧化反应,在其表面形成致密的具有很强的水氧阻隔性的液态金属氧化膜。
具体地,所述液态金属400的材料为铟和镓构成的二元共晶合金。优选地,所述铟和镓构成的二元共晶合金中铟和镓的质量比为1:3。
具体地,所述步骤S2、及步骤S3均在氮气环境中进行,防止在制程过程中液态金属400发生氧化从而始终保持液体状态便于封装制程的进行。
具体地,请参阅图3,所述步骤S3在涂布液态金属400后还在封装盖板200上于液态金属400内侧的区域内涂布填充胶700。
具体地,所述步骤S3中通过喷嘴涂布液态金属400,通过喷涂的方式涂布填充胶700。
进一步地,所述步骤S3中通过多头点胶机涂布液态金属400。
步骤S4、请参阅图4,提供TFT基板100,在所述TFT基板100上对应封装盖板200上的液态金属400形成无机绝缘层500。
具体地,所述TFT基板100包括衬底基板及设于衬底基板上的TFT阵列层(未图示),所述无机绝缘层500设于TFT阵列层上。
步骤S5、请参阅图5,在TFT基板100上于无机绝缘层500内侧制作OLED器件600。
具体地,所述步骤S5在制作OLED器件600后还在TFT基板100上形成覆盖OLED器件600的无机阻挡层800。
进一步地,所述步骤S5中通过低温等离子体增强化学气相沉积的方式形成无机阻挡层800;所述无机阻挡层800的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
步骤S6、请参阅图6,将TFT基板100与封装盖板200进行真空贴合,使框胶300与TFT基板100接触,并使无机绝缘层500与液态金属400接触,固化框胶300,完成OLED面板的封装。
具体地,所述步骤S6在氮气环境中进行。
具体地,所述步骤S6中在固化框胶300的同时将填充胶700固化;所述步骤S6之后填充胶700填充由封装盖板200、液态金属400、无机绝缘层500、TFT基板100、及无机阻挡层800所围的空间。
具体地,所述步骤S6中将框胶300及填充胶700固化的方式为紫外光(UV)照射固化、加热固化、或同时进行紫外光照射固化及加热固化。
具体地,所述无机绝缘层500的宽度需设置为大于所述步骤S6之后液态金属400的宽度。
需要说明的是,本发明的OLED面板的封装方法,在封装盖板200上于框胶300内侧设置一圈液态金属400,并且在TFT基板100上对应封装盖板200上的液态金属400设置无机绝缘层500,在将封装盖板200与TFT基板100进行真空贴合后,框胶300设于TFT基板100与封装盖板200之间且设于OLED器件600外侧,将TFT基板100与封装盖板200连接,而液态金属400与无机绝缘层500接触并设于OLED器件600与框胶300之间,利用此封装结构,当外部水氧透过采用有机材料制作的框胶300侵入封装结构内部时,液态金属400会与侵入的氧气反应,在其表面产生液态金属氧化膜而形成致密的水氧阻隔层,能够有效地防止水氧侵入OLED器件600,封装效果好;并且由于在TFT基板100上设置了无机绝缘层500,在TFT基板100与封装盖板200贴合后,无机绝缘层500位于液态金属400与TFT基板100之间,能够防止液态金属400与TFT基板100上的TFT阵列层之间发生短路,提升装置的可靠性。
请参阅图6,基于同一发明构思,本发明还提供一种OLED面板的封装结构,包括TFT基板100、设于所述TFT基板100上的OLED器件600、设于所述TFT基板100上方的封装盖板200、设于所述TFT基板100与封装盖板200之间位于OLED器件600外侧的框胶300、设于所述TFT基板100上位于OLED器件600与框胶300之间的无机绝缘层500、设于所述无机绝缘层500与封装盖板200之间的液态金属400、设于所述TFT基板100上且覆盖OLED器件600的无机阻挡层800、及填充由所述封装盖板200、液态金属400、无机绝缘层500、TFT基板100、及无机阻挡层800所围的空间的填充胶700。
具体地,所述TFT基板100包括所述衬底基板及设于衬底基板上的TFT阵列层(未图示),所述无机绝缘层500设于TFT阵列层上。
具体地,所述封装盖板200的材料为玻璃。
具体地,所述框胶300为现有技术中常用的有机材料的框胶。
具体地,所述液态金属400的材料为铟和镓构成的二元共晶合金。优选地,所述铟和镓构成的二元共晶合金中铟和镓的质量比为1:3。
具体地,所述无机绝缘层500的宽度大于所述液态金属400的宽度。
需要说明的是,本发明的OLED面板的封装结构,在TFT基板100与封装盖板200之间于OLED器件600外侧设置框胶300将TFT基板100与封装盖板200连接,OLED器件600与框胶300之间设置了液态金属400,利用此封装结构,当外部水氧透过采用有机材料制作的框胶300侵入封装结构内部时,液态金属400会与侵入的氧气反应,在其表面产生液态金属氧化膜而形成致密的水氧阻隔层,能够有效地防止水氧侵入OLED器件600,封装效果好;并且由于在液态金属400与TFT基板100之间设置了无机绝缘层500,能够防止液态金属400与TFT基板100上的TFT阵列层之间发生短路,提升装置的可靠性。
综上所述,本发明的OLED面板的封装方法,在封装盖板上于框胶内侧设置一圈液态金属,从而在将封装盖板与TFT基板进行真空贴合得到封装结构后,当外部水氧透过采用有机材料制作的框胶侵入封装结构内部时,液态金属会与侵入的氧气反应,在其表面产生液态金属氧化膜而形成致密的水氧阻隔层,能够有效地防止水氧侵入OLED器件,封装效果好。本发明的OLED面板的封装结构,能够有效地防止水氧侵入OLED器件,封装效果好。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种OLED面板的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1、提供封装盖板(200);
步骤S2、在所述封装盖板(200)上涂布一圈框胶(300);
步骤S3、在所述封装盖板(200)上于框胶(300)内侧涂布一圈液态金属(400);
步骤S4、提供TFT基板(100),在所述TFT基板(100)上对应封装盖板(200)上的液态金属(400)形成无机绝缘层(500);
步骤S5、在TFT基板(100)上于无机绝缘层(500)内侧制作OLED器件(600);
步骤S6、将TFT基板(100)与封装盖板(200)进行真空贴合,使框胶(300)与TFT基板(100)接触,并使无机绝缘层(500)与液态金属(400)接触,固化框胶(300),完成OLED面板的封装。
2.如权利要求1所述的OLED面板的封装方法,其特征在于,所述步骤S3在涂布液态金属(400)后还在封装盖板(200)上于液态金属(400)内侧的区域内涂布填充胶(700);
所述步骤S5在制作OLED器件(600)后还在TFT基板(100)上形成覆盖OLED器件(600)的无机阻挡层(800);
所述步骤S6中在固化框胶(300)的同时将填充胶(700)固化;所述步骤S6之后填充胶(700)填充由封装盖板(200)、液态金属(400)、无机绝缘层(500)、TFT基板(100)、及无机阻挡层(800)所围的空间。
3.如权利要求2所述的OLED面板的封装方法,其特征在于,所述步骤S2、步骤S3及步骤S6均在氮气环境中进行。
4.如权利要求1所述的OLED面板的封装方法,其特征在于,所述无机绝缘层(500)的宽度大于所述步骤S6之后液态金属(400)的宽度。
5.如权利要求2所述的OLED面板的封装方法,其特征在于,
所述步骤S2中通过喷嘴涂布框胶(300);
所述步骤S3中通过喷嘴涂布液态金属(400);
所述步骤S3中通过喷涂的方式涂布填充胶(700);
所述步骤S5中通过低温等离子体增强化学气相沉积的方式形成无机阻挡层(800);
所述步骤S6中将框胶(300)及填充胶(700)固化的方式为紫外光照射固化、加热固化、或同时进行紫外光照射固化及加热固化。
6.如权利要求1所述的OLED面板的封装方法,其特征在于,所述液态金属(400)的材料为铟和镓构成的二元共晶合金。
7.一种OLED面板的封装结构,其特征在于,包括TFT基板(100)、设于所述TFT基板(100)上的OLED器件(600)、设于所述TFT基板(100)上方的封装盖板(200)、设于所述TFT基板(100)与封装盖板(200)之间位于OLED器件(600)外侧的框胶(300)、设于所述TFT基板(100)上位于OLED器件(600)与框胶(300)之间的无机绝缘层(500)、以及设于所述无机绝缘层(500)与封装盖板(200)之间的液态金属(400)。
8.如权利要求7所述的OLED面板的封装结构,其特征在于,还包括:设于所述TFT基板(100)上且覆盖OLED器件(600)的无机阻挡层(800)、及填充由所述封装盖板(200)、液态金属(400)、无机绝缘层(500)、TFT基板(100)、及无机阻挡层(800)所围的空间的填充胶(700)。
9.如权利要求7所述的OLED面板的封装结构,其特征在于,所述无机绝缘层(500)的宽度大于所述液态金属(400)的宽度。
10.如权利要求7所述的OLED面板的封装结构,其特征在于,所述液态金属(400)的材料为铟和镓构成的二元共晶合金。
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