CN105118927A - 一种oled薄膜封装结构及其封装方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 18
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 16
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 12
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRAUUMZPHJHNBS-UHFFFAOYSA-N C(C)S(=O)(=O)CC.C1=CC=CC=C1 Chemical compound C(C)S(=O)(=O)CC.C1=CC=CC=C1 GRAUUMZPHJHNBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N Ferrous sulfide Chemical compound [Fe]=S MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACOGMWBDRJJKNB-UHFFFAOYSA-N acetic acid;ethene Chemical group C=C.CC(O)=O ACOGMWBDRJJKNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- MMXSKTNPRXHINM-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Ce+3].[Ce+3] MMXSKTNPRXHINM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHBMMJGTJFPEQY-UHFFFAOYSA-N sulfanylidene(sulfanylidenestibanylsulfanyl)stibane Chemical compound S=[Sb]S[Sb]=S IHBMMJGTJFPEQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWNBZGLDODTKEM-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenenickel Chemical compound [Ni]=S WWNBZGLDODTKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- CFJRPNFOLVDFMJ-UHFFFAOYSA-N titanium disulfide Chemical compound S=[Ti]=S CFJRPNFOLVDFMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种OLED薄膜封装结构及其封装方法、显示装置，该封装结构包括：衬底基板；位于衬底基板上的OLED器件；覆盖OLED器件的第一钝化层；其中，第一钝化层上远离OLED器件的一面包括至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的厚度。通过上述方式，本发明能够增强柔性OLED器件封装部分的弯折性能。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示领域，特别是涉及一种OLED薄膜封装结构及其封装方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管又称为有机电激光显示(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)，是新一代的显示器，通过在OLED基板上制作有机薄膜，其中有机薄膜被包在阴极和阳极金属之间，给两电极加电压，则有机薄膜会发光。OLED显示器有诸多优点，其中包括可实现柔性显示。如以可绕曲的塑胶基板等为载体，再配合薄膜封装制程，即可实现可绕曲的OLED面板。
目前OLED薄膜封装主要采用钝化层和缓冲层叠层的结构，钝化层一般采用无机材料，如SiNx；缓冲层常采用有机或偏有机类材料。
因整体薄膜封装厚度为微米级，且无机膜厚时应力较大，在弯折时易发生断裂，水氧气会透过这个断裂处老化OLED器件，使得柔性OLED器件封装部分的耐弯折性能变差。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种OLED薄膜封装结构及其封装方法、显示装置，能够增强柔性OLED器件封装部分的弯折性能。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种OLED器件封装结构，封装结构包括：衬底基板；位于衬底基板上的OLED器件；覆盖OLED器件的第一钝化层；其中，第一钝化层上远离OLED器件的一面包括至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的厚度。
其中，减薄区包括多条纵横交错的带状区域。
其中，减薄区包括多个间隔交替设置的矩形区域。
其中，封装结构还包括覆盖第一钝化层的第二钝化层；第二钝化层上远离OLED器件的一面包括至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第二钝化层的厚度。
其中，第一钝化层的减薄区与第二钝化层的减薄区间隔交错设置。
其中，第一钝化层和第二钝化层之间还包括缓冲层，缓冲层靠近OLED器件的一面包括至少一个加厚区，用于与第一钝化层的减薄区贴合。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，显示装置包括如上任一项的OLED器件封装结构。
为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种OLED器件封装方法，封装方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上制作一OLED器件；在OLED器件上覆盖一第一钝化层；在第一钝化层上形成至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的正常厚度。
其中，在第一钝化层上形成至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的正常厚度的步骤之后，还包括：在第一钝化层上形成一缓冲层；在缓冲层上形成一第二钝化层；在第二钝化层上形成至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第二钝化层的正常厚度。
其中，第一钝化层的减薄区与第二钝化层的减薄区间隔交错设置。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明公开的封装结构包括衬底基板、位于衬底基板上的OLED器件以及覆盖OLED器件的第一钝化层；其中，第一钝化层上远离OLED器件的一面包括至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的厚度。通过上述方式，使得整个封装结构在弯折时第一钝化层不会因为本身的应力较大而产生断裂，保证了柔性OLED耐弯折性。
附图说明
图1是本发明OLED器件封装结构第一实施方式的结构示意图；
图2是本发明OLED器件封装结构第二实施方式的结构示意图；
图3是本发明OLED器件封装结构第二实施方式中第一钝化层的俯视结构示意图；
图4是本发明OLED器件封装结构第二实施方式中第二钝化层的俯视结构示意图；
图5是本发明OLED器件封装结构第二实施方式中第一钝化层制作过程中掩膜板的结构示意图；
图6是本发明OLED器件封装结构第二实施方式中第一钝化层制作过程中掩膜板中半镂空区的结构示意图；
图7是本发明OLED器件封装结构第二实施方式中第一钝化层的另一俯视结构示意图；
图8是本发明OLED器件封装方法第一实施方式的流程图；
图9是本发明OLED器件封装方法第二实施方式的流程图；
图10是本发明显示装置一实施的结构示意图。
具体实施方式
参阅图1，本发明OLED器件封装结构第一实施方式的结构示意图，该封装结构包括：衬底基板110；位于衬底基板110上的OLED器件120；覆盖OLED器件120的第一钝化层130；其中，第一钝化层130上远离OLED器件120的一面包括至少一个减薄区131，减薄区131的厚度小于第一钝化层130的厚度。
其中，衬底基板110一般是玻璃基板，在制作柔性的OLED面板时，也可以采用可弯折的塑料基板。
该OLED器件120包括阳极、阴极以及该阳极和阴极之间的电致发光材料，当阳极和阴极通电时，发光材料发光显示。
该第一钝化层130一般采用金属氧化物、金属硫化物或金属氮化物等无机材料制作，例如金属氧化物包括氧化钙、五氧化二钽、二氧化钛、二氧化锆、氧化铜、氧化锌、三氧化二铝、三氧化二铬、二氧化锡、氧化镍、五氧化二锑；金属硫化物包括二硫化钛、硫化铁、三硫化二铬、硫化铜、硫化锌、二硫化锡、硫化镍、三硫化二钴、三硫化二锑、硫化铅、三硫化二镧、硫化铈、二硫化锆等，金属氮化物包括氮化硅、氮化铝等。
第一钝化层130可以是采用真空蒸镀、离子束溅射、磁控溅射沉积、化学气相沉积或原子层沉积等制备方法形成，在制作过程中，入射粒子流与衬底基板的法线的夹角为可以根据其实情况设定，当夹角为0°时，第一钝化层130的表面平滑、排列致密。
减薄区131可以是在制作好第一钝化层130后，在第一钝化层130的上表面利用光刻和刻蚀的工艺形成的，也可以是通过改良掩膜板，在形成第一钝化层130的过程中就额外形成一部分较薄的钝化层以形成减薄区131。
当然，该减薄区131可以不仅仅是如图1中所示的形状和数量，也可以增加减薄区131的数量并改变减薄区131的外形；另外，钝化层和缓冲层的数量也不限于本实施方式列举的层数，还可以根据实际情况再增加多层钝化层和缓冲层都是可以的。
由于第一钝化层130上有部分减薄区131，在弯曲时边缘部分不会产生挤压，导致整个封装结构在弯折时第一钝化层130不会因为本身的应力较大而产生断裂。
区别于现有技术，本实施方式公开的封装结构包括衬底基板、位于衬底基板上的OLED器件以及覆盖OLED器件的第一钝化层；其中，第一钝化层上远离OLED器件的一面包括至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的厚度。通过上述方式，使得整个封装结构在弯折时第一钝化层不会因为本身的应力较大而产生断裂，保证了柔性OLED耐弯折性。
参阅图2，本发明OLED器件封装结构第二实施方式的结构示意图，该封装结构包括：衬底基板210；位于衬底基板210上的OLED器件220；覆盖OLED器件220的第一钝化层230；覆盖第一钝化层230的缓冲层240；覆盖缓冲层240的第二钝化层250。
其中，第一钝化层230上远离OLED器件220的一面包括至少一个减薄区231，减薄区231的厚度小于第一钝化层230的厚度；第二钝化层250上远离OLED器件220的一面包括至少一个减薄区251，减薄区251的厚度小于第二钝化层250的厚度。
其中，缓冲层240一般是有机材料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚砜(PSO)、聚对苯二乙基砜(PES)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚硅氧烷(Silicone)、聚酰胺(PA)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、乙烯～醋酸乙烯共聚物(EVA)、乙烯～乙烯醇共聚物(EVAL)、聚丙烯腈(PAN)、聚乙酸乙烯酯(PVAC)、聚对二甲苯基(Parylene)、聚脲(Polyurea)或聚四氟乙烯(PTFE)、环氧树脂(epoxyresin)等。
同时参阅图3及图4，第一钝化层230的减薄区231为多条纵横交错的带状区域，其他部分称之为正常区232；同样，第二钝化层250的减薄区251为多条纵横交错的带状区域，其他部分称之为正常区252。
在第一钝化层230的制作过程中，可以采用如图5所示的掩膜板500，该掩膜板500包括框架510、非镂空区520、半镂空区530及镂空区540。在采用该掩膜板500镀膜时，框架510和非镂空区520对应的区域不成膜，半镂空区530对应的区域形成减薄区231，镂空区540对应的区域形成正常区232。
如图6所示，由于半镂空区530包括通孔区531及非通孔区532，即只有通孔区531能通过镀膜材料，而镂空区540能够全部通过镀膜材料，因此在半镂空区530形成的减薄区231比在镂空区540形成的正常区232要薄。
第二钝化层250的制作过程同理，这里不再赘述。
另外，第一钝化层230和第二钝化层250中的减薄区和正常区的分布也可以是其他形状，如图7所示，第一钝化层700的减薄区701也可以是多个间隔交替设置的矩形区域。当然，掩膜板的形状也可以根据减薄区701的分布而改进。
同时参阅图2、图3及图4，在一种实施方式中，第一钝化层230的减薄区231与第二钝化层250的减薄区251间隔交错设置。即第一钝化层230的减薄区231与第二钝化层250的正常区252对应，第二钝化层250的减薄区251与第一钝化层230的正常区232对应。
区别于现有技术，本实施方式通过在OLED器件上依次覆盖第一钝化层、缓冲层及第二钝化层，并且第一钝化层和第二钝化层上的减薄区间隔交错设置，使得封装结构区域上减薄区域增多，考虑到更多的弯折点，能够更好的保证柔性OLED的耐弯折性，使封装结构在弯折时钝化层不会因为本身的应力较大而产生断裂。
参阅图8，本发明OLED器件封装方法第一实施方式的流程图，该方法包括：
步骤801：提供一衬底基板；
步骤802：在衬底基板上制作一OLED器件；
步骤803：在OLED器件上覆盖一第一钝化层；
步骤804：在第一钝化层上形成至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的正常厚度。
参阅图9，本发明OLED器件封装方法第二实施方式的流程图，该方法包括：
步骤901：提供一衬底基板；
步骤902：在衬底基板上制作一OLED器件；
步骤903：在OLED器件上覆盖一第一钝化层；
步骤904：在第一钝化层上形成至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的正常厚度。
步骤905：在第一钝化层上形成一缓冲层；
步骤906：在缓冲层上形成一第二钝化层；
步骤907：在第二钝化层上形成至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第二钝化层的正常厚度。
其中，第一钝化层的减薄区与第二钝化层的减薄区间隔交错设置。
以上方法均是基于本发明OLED器件封装结构的实施方式的一种方法，其技术原理相似，这里不再赘述。
参阅图10，本发明显示装置一实施的结构示意图，该显示装置包括如前所述各实施方式中的OLED封装结构，即衬底基板1010；位于衬底基板1010上的OLED器件1020；覆盖OLED器件1020的第一钝化层1030；其中，第一钝化层1030上远离OLED器件1020的一面包括至少一个减薄区1031，减薄区1031的厚度小于第一钝化层1030的厚度。其中，OLED器件1020包括有机薄膜，其中有机薄膜被包在阴极和阳极金属之间，给两电极加电压，则有机薄膜会发光。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种OLED器件封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的OLED器件；
覆盖所述OLED器件的第一钝化层；
其中，所述第一钝化层上远离所述OLED器件的一面包括至少一个减薄区，所述减薄区的厚度小于所述第一钝化层的厚度。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述减薄区包括多条纵横交错的带状区域。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述减薄区包括多个间隔交替设置的矩形区域。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括覆盖所述第一钝化层的第二钝化层；
所述第二钝化层上远离所述OLED器件的一面包括至少一个减薄区，所述减薄区的厚度小于所述第二钝化层的厚度。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一钝化层的减薄区与所述第二钝化层的减薄区间隔交错设置。
6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层之间还包括缓冲层，所述缓冲层靠近所述OLED器件的一面包括至少一个加厚区，用于与所述第一钝化层的减薄区贴合。
7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-6任一项所述的OLED器件封装结构。
8.一种OLED器件封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上制作一OLED器件；
在所述OLED器件上覆盖一第一钝化层；
在所述第一钝化层上形成至少一个减薄区，所述减薄区的厚度小于所述第一钝化层的正常厚度。
9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，在所述第一钝化层上形成至少一个减薄区，所述减薄区的厚度小于所述第一钝化层的正常厚度的步骤之后，还包括：
在所述第一钝化层上形成一缓冲层；
在所述缓冲层上形成一第二钝化层；
在所述第二钝化层上形成至少一个所述减薄区，所述减薄区的厚度小于所述第二钝化层的正常厚度。
10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述第一钝化层的减薄区与所述第二钝化层的减薄区间隔交错设置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510377349.1A CN105118927A (zh) | 2015-07-01 | 2015-07-01 | 一种oled薄膜封装结构及其封装方法、显示装置 |
| US14/776,832 US20170141348A1 (en) | 2015-07-01 | 2015-07-17 | Oled thin film packaging structure, packaging method thereof and display device thereof |
| PCT/CN2015/084324 WO2017000328A1 (zh) | 2015-07-01 | 2015-07-17 | 一种oled薄膜封装结构及其封装方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510377349.1A CN105118927A (zh) | 2015-07-01 | 2015-07-01 | 一种oled薄膜封装结构及其封装方法、显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105118927A true CN105118927A (zh) | 2015-12-02 |
Family
ID=54666865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510377349.1A Pending CN105118927A (zh) | 2015-07-01 | 2015-07-01 | 一种oled薄膜封装结构及其封装方法、显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170141348A1 (zh) |
| CN (1) | CN105118927A (zh) |
| WO (1) | WO2017000328A1 (zh) |
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- 2015-07-01 CN CN201510377349.1A patent/CN105118927A/zh active Pending
- 2015-07-17 US US14/776,832 patent/US20170141348A1/en not_active Abandoned
- 2015-07-17 WO PCT/CN2015/084324 patent/WO2017000328A1/zh active Application Filing
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|---|---|
| WO2017000328A1 (zh) | 2017-01-05 |
| US20170141348A1 (en) | 2017-05-18 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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|
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