JP3466607B2 - スパッタリング装置 - Google Patents

スパッタリング装置

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JP3466607B2
JP3466607B2 JP08379490A JP8379490A JP3466607B2 JP 3466607 B2 JP3466607 B2 JP 3466607B2 JP 08379490 A JP08379490 A JP 08379490A JP 8379490 A JP8379490 A JP 8379490A JP 3466607 B2 JP3466607 B2 JP 3466607B2
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vacuum chamber
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、例えば光ディスク等を製造するにあたっ
て、光ディスク基板へのスパッタリング処理を連続的に
行うスパッタリング装置に関し、さらにはこの装置を用
いたスパッタリング処理システムに関するものである。
【０００２】
【発明の概要】
本発明は、例えば光ディスク等を製造する際に用いら
れるスパッタリング装置において、ディスク基板等の被
スパッタリング処理部材が出し入れされる開口部とスパ
ッタリング処理部とを有する真空槽内に、被スパッタリ
ング処理部材を載置させ、これら開口部とスパッタリン
グ処理部とに亘って移送操作する一対の回動アームを設
けることにより、真空槽の構成の簡素化及び小型化を可
能となすとともに、単位時間当たりの生産数量の増加を
図ろうとするものである。
【０００３】 さらに本発明は、上記スパッタリング装置を少なくと
も２以上並べて設け、一方の装置でスパッタリング処理
が終了し次のスパッタリング処理が行われる間に、他の
スパッタリング装置でスパッタリング処理を行うような
構成とすることにより、各スパッタリング装置のスパッ
タリング電源等の共通機器を兼用可能なものとなし、装
置のコストの低減を図るとともに、単位時間当たりの生
産数量のより一層の向上を図ろうとするものである。
【０００４】
【従来の技術】
従来より、音響信号や画像信号等の所定の情報信号が
記録再生できるように構成された光ディスクが提案され
ている。光ディスクは、例えばポリカーボネートやアク
リル等の材料からなりピットやグループ等が形成された
ディスク基板上にアルミニウム等の金属材料が反射膜と
して被着されることにより構成されている。
【０００５】 ところで、金属材料をディスク基板上に被着させるに
は、蒸着法やイオンプレーティング法、あるいはスパッ
タリング法等が挙げられる。
【０００６】 蒸着処理は、真空槽中で金属材料（蒸発源）を加熱す
ることによって該金属を蒸発せしめ、この金属蒸気中に
上記ディスク基板を配置することにより、金属材料を基
板上に被着させるものである。
【０００７】 この蒸着処理においては、金属材料が十分に蒸発する
までは処理を開始することができないことから、単位時
間あたりの光ディスクの製造枚数を増加させるために
は、複数枚のディスク基板を収納できる大きな真空槽を
用いて上記金属材料の一度の蒸発によって複数枚の光デ
ィスクを製造する，いわゆるバッチ方式が採用されてい
る。このため、装置構成が複雑化するばかりか、装置自
体が大型化され、設置スペースに制約を受ける。また、
連続処理が行えないため、処理時間の短縮化が難しく、
大幅な生産性の向上が望めない。
【０００８】 一方、イオンプレーティング処理は、上述の蒸着処理
と同様に真空槽中で金属材料を蒸発させるとともに、こ
の真空槽中にアルゴン等の放電用ガスを低圧状態に封入
し、電界を印加することにより上記放電用ガス及び金属
蒸気をディスク基板に向かう方向に加速させて、上記金
属材料を上記ディスク基板に被着させる処理である。こ
のイオンプレーティング処理においても、上記金属材料
を蒸発させるのに上述の蒸着処理と同様の時間を要する
ため、単位時間あたりの光ディスクの製造枚数を増加さ
せるにはバッチ方式を採用せざるを得ず、処理装置の小
型化及び処理時間の短縮化は難しい。
【０００９】 これに対してスパッタリング処理は、短時間で処理が
完了し連続処理が可能でしかも個々のディスク基板に対
して同一条件で成膜することができるという利点を有
し、大量生産や多品種生産に好適である。
【００１０】 上記スパッタリング処理は、ディスク基板と例えばア
ルミニウム等の金属材料（ターゲット）が収納された真
空槽中に、例えばアルゴン等の放電用ガスを低圧状態に
封入し、当該真空槽中に電界を印加することにより放電
ガスをイオン化し、イオン化された上記放電用ガスで金
属材料の原子・分子を叩き出すというものである。すな
わち、真空槽中においては、上記放電用ガスがイオン化
されて上記金属材料に衝突し該金属材料が飛散され、こ
の金属材料が上記ディスク基板に被着されて薄膜を形成
する。
【００１１】 このスパッタリング処理を行うスパッタリング装置と
しては、例えば図14に示すように、いわゆるロードロッ
ク式のスパッタリング装置がある。このスパッタリング
装置は、真空槽101を有し、この真空槽101の略中央部の
上方側にスパッタリング処理部102が設けられてなる。
上記真空槽101には、ディスク基板103が当該真空槽101
に搬入される搬入口101aと上記ディスク基板103がこの
真空槽101より搬出される搬出口101bとが相対向する側
に設けられている。
【００１２】 そして、このスパッタリング装置には、上記ディスク
基板103を搬送する搬送装置104が設けられている。この
搬送装置104は、図14中矢印ｘで示すように、上記ディ
スク基板103を上記真空槽101の外方より上記搬入口101a
を通して該真空槽101内に搬入するとともに、該ディス
ク基板103を上記スパッタリング処理部102に対向する位
置を経て上記搬出口101bを介して上記真空槽101の外方
に搬出するように構成されている。
【００１３】 また、上記真空槽101内には、複数の開閉バルブ105が
設けられている。これら開閉バルブ105は、上記真空槽1
01内を上記ディスク基板103の搬送方向についてそれぞ
れ密閉された複数の小部屋に分割するように構成されて
いる。この開閉バルブ105は、上記スパッタリング処理
部102に対応する部分を高い真空度に維持するためのも
のであり、上記ディスク基板103の搬送操作に伴って適
宜開閉操作される。これにより、上記真空槽101内の各
小部屋が所定の気圧に保たれる。すなわち、上記真空槽
101内においては、上記搬入口101a及び搬出口101bに近
接する部分は比較的真空度が低く、中央部のスパッタリ
ング処理部102が最も高い真空度となされている。
【００１４】 上記スパッタリング処理部102内には、上記ディスク
基板103に被着される金属材料106が配置されるととも
に、放電用のガスが低圧状態に封入されている。また、
このスパッタリング処理部102には、電界を印加するた
めの図示しない電界印加装置が配設されている。
【００１５】 このスパッタリング装置においては、上記ディスク基
板103は、上記搬入口101aより真空槽101内に搬入され、
この真空槽101内を順次搬送されて真空度の最も高いス
パッタリング処理部102に対向する位置に送られる。こ
こで、上述したスパッタリング処理が行われて、上記デ
ィスク基板103上に上記金属材料の薄膜が形成される。
このスパッタリング処理は、例えば２秒ないし３秒程度
で終了する。そして、薄膜が形成された光ディスクは、
順次真空度の低い部分に搬送されて、上記搬出口101bを
通して上記真空槽101の外方に搬出される。
【００１６】 またこの他、スパッタリング装置としては、図15及び
図16に示すように、円筒状をなす真空槽107中に支軸108
aにより支持され、複数枚のディスク基板103が載置され
て回転操作される搬送テーブル108を有してなるものが
ある。上記真空槽107の上面側には、上記ディスク基板1
03の外形寸法よりやや大径の円形状のディスク入出口10
7aと、このディスク入出口107aに上記支軸108aを介して
略対向する位置に上述したスパッタリング装置と同様の
スパッタリング処理部102が設けられている。
【００１７】 すなわち、上記搬送テーブル108は、図15及び図16中
矢印ｒで示すように回転操作されることにより、上記デ
ィスク入出口107aより上記真空槽107内に搬入されたデ
ィスク基板103を、上記スパッタリング処理部102に対向
する位置まで搬送させ、ここで一旦停止してスパッタリ
ング処理を行わせ、スパッタリング処理終了後、再び上
記ディスク入出口107aに対応する位置まで搬送するよう
になされている。
【００１８】 なお、上記ディスク基板103は、上記搬送テーブル108
に形成された凹部に嵌合配設されるディスク載置台108b
上に載置されている。また、上記ディスク入出口107aに
は、真空槽107の真空状態を保持するための蓋部111が設
けられている。
【００１９】 このスパッタリング装置においては、上記ディスク入
出口107aは、真空槽107の底面より内部に突出して設け
られる突き上げ軸109,110の操作により、上記ディスク
載置台108bと上記蓋部111との少なくともいずれか一方
により閉蓋された状態となされる。したがって、上記真
空槽107内への大気の侵入を防止した状態で上記ディス
ク基板103の上記真空槽107への搬入及び搬出を行うこと
ができる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のような図14により示したスパッタリ
ング装置においては、スパッタリング処理自体の処理時
間を短縮しても、ディスク基板をスパッタリング装置に
搬入して搬出されるまでの時間が非常に長く、装置内で
の滞留時間を短縮することが難しい。また、スパッタリ
ング処理に要する時間に対して滞留時間が長いと、装置
内に多くのディスク基板が滞留することとなり、装置自
体が大型化し、設置ペースに問題を生ずる。さらには、
真空槽の容積が増大するため、良好なスパッタリング処
理を行う必要性から大きな排気ポンプを使用しなければ
ならず、どうしてもコストが高くなる。
【００２１】 また、このスパッタリング装置においては、複数の開
閉バルブを用いて真空槽内の真空度を維持しているた
め、装置構成が複雑で該装置の製造が困難となる他、バ
ルブ等の耐久性が低下し装置の保守が煩雑となる。例え
ば、上記開閉バルブは、10万回程度の開閉操作を行った
後には交換する必要を生じる。
【００２２】 また、上記図15及び図16に示したスパッタリング装置
においても、上記第図14に示したスパッタリング装置と
同様に、ディスクの搬入から搬出までの時間を短縮する
ことが困難であるとともに、装置の小型化が望めないば
かりか、製作コストの低下が図れない。
【００２３】 そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案され
たものであり、装置構成が簡素であり製造、保守が容易
な小型化されたスパッタリング装置を提供するととも
に、単位時間当たりの生産数量の大幅な増加が望める生
産性に優れたスパッタリング装置を提供することを目的
とする。
【００２４】 さらに本発明は、各スパッタリング装置のスパッタリ
ング電源等の共通機器を兼用可能なものとなし、装置の
コストの低減が図れるとともに、単位時間当たりの生産
数量のより一層の増加が望める極めて生産性の高いスパ
ッタリング処理システムを提供することを目的とするも
のである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明は、真空槽に、
被スパッタリング処理部材を出し入れする入出口と、前
記被スパッタリング処理部材に対してスパッタリング処
理するスパッタリング処理部と、一端に回転中心を有し
て往復回動し、他端に載置された前記被スパッタリング
処理部材を前記入出口と前記スパッタリング処理部とに
運搬する回動アームとを有するスパッタリング装置であ
って、前記回動アームが、前記入出口の中心と前記スパ
ッタリング処理部との中心を結ぶ中心線を挟む両側に前
記回転中心を有して一対設けられ、且つ、一対の前記回
動アームが上下に交差して往復運動するとともに、交互
に前記被スパッタリング処理部材を前記入出口と前記ス
パッタリング処理部とに運搬するよう構成されたもので
ある。
【００２６】 また、本発明は、真空槽に、被スパッタリング処理部
材を出し入れする入出口と、前記被スパッタリング処理
部材に対してスパッタリング処理するスパッタリング処
理部と、一端に回転中心を有して往復回動し、他端に載
置された前記被スパッタリング処理部材を前記入出口と
前記スパッタリング処理部とに運搬する回動アームとを
有するスパッタリング装置であって、前記回動アーム
が、同一の軸心に前記回転中心を有し、且つ、上下に交
差して往復回動するとともに、交互に前記被スパッタリ
ング処理部材を前記入出口と前記スパッタリング処理部
とに運搬するよう一対設けるようにしたものである。
【００２７】
【作用】
本発明に係るスパッタリング装置は、移送手段により
回動アームが回転駆動されると、回動アームの一端側に
設けられた被スパッタリング処理部材が載置される載置
部が、開口部又はスパッタリング処理部のいずれか一方
の位置に位置される。
【００２８】 そして、一端側にそれぞれ載置部を有する一対の回動
アームが設けられることにより、これら一対の回動アー
ムが移送手段によって交互に回動されることにより、一
対の回動アームの各載置部が開口部とスパッタリング処
理部とのいずれか一方の位置に交互に位置される。
【００２９】
【実施例】
以下、本発明を適用した具体的な実施例について図面
を参照しながら説明する。なお本実施例は、本発明に係
るスパッタリング装置を、ポリカーボネートやアクリル
の如き合成樹脂により形成されたディスク基板にアルミ
ニウムの如き金属材料からなる薄膜をスパッタリングに
より形成して光ディスクを製造する光ディスク製造装置
に適用した例である。
【００３０】 本実施例は、被スパッタリング処理部材をディスク入
出口とスパッタリング処理部とに亘り移送操作させる回
動アームを２本用い、これを回動軸方向に所定距離離間
して配設し、これら回動アームの移送操作によりディス
ク基板に対してスパッタリング処理を連続的に行うよう
に構成した例である。
【００３１】 この光ディスク製造装置は、図１に示すように、方形
状の筐体１内に真空槽２と、該真空槽２の下に設けられ
る真空ポンプ（図示は省略する。）等を備えてなる排気
系とを収容してなっている。
【００３２】 上記真空槽２は、図２及び図３に示すように、真空ポ
ンプにより内部が所定の真空度に維持されるように構成
されている。この真空槽２には、上面部に被スパッタリ
ング処理部材となるディスク基板が該真空槽２内に出し
入れされる開口部であるディスク入出口３と、上記ディ
スク基板に対してスパッタリング処理を行うスパッタリ
ング処理部４とが、並列配置されている。
【００３３】 上記ディスク入出口３は、スパッタリング処理後のデ
ィスク基板とスパッタリング処理前のディスク基板を前
記真空槽２内へ出し入れするための供給口として形成さ
れるものであり、上記ディスク基板の形状に対応して該
ディスク基板の外形寸法よりもやや大径の円形状に形成
されている。このディスク入出口３の上方側には、該デ
ィスク入出口３を開閉自在となす円盤状の蓋体５が設け
られている。この蓋体５は、図２中矢印Ａで示すよう
に、図示しない支持機構により上記真空槽２に対して接
離操作されるように支持されており、上記真空槽２側に
移動されて上記ディスク入出口３の開口周縁部を圧接支
持することにより、該ディスク入出口３を閉塞するとと
もに、上記真空槽２より離間されることにより、該ディ
スク入出口３を開放するようになっている。また、蓋体
５は、ディスク入出口５と対向する面に吸着パッド5bが
取付けられており、この吸着パッド5bでディスク基板を
吸着してディスク入出口５への該ディスク基板の出し入
れを行うようになっている。
【００３４】 なお、上記蓋体５の下面部の周縁側には、この蓋体５
の周縁部が上記ディスク入出口３の開口周縁部に当接さ
れたときに上記真空槽２内が気密状態に保たれるよう
に、いわゆるＯ−リング等の密閉部材5aが取付けられて
いる。
【００３５】 上記スパッタリング処理部４は、上記ディスク入出口
３と同様に形成されたディスク処理口６と、このディス
ク処理口６の上方側を覆うように上記真空槽２に取付け
られて当該真空槽２内を気密状態に保つ処理部７を有し
てなっている。この処理部７は、上端が閉塞された円筒
状として形成され、スパッタリング処理に用いられる金
属材料（ターゲット）８を収納支持し、内部にはスパッ
タリング処理に必要なアルゴン等の放電用のガスが低圧
状態で封入されるとともに、所定の電界が印加されるよ
うに構成されている。
【００３６】 そして、上記真空槽２内には、移送手段を構成する対
をなす第１及び第２の回動アーム9,10が設けられてい
る。これら回動アーム9,10は、それぞれの基端側を対を
なす第１及び第２の回動軸11,12に支持されて、当該回
動軸11,12の軸方向と略直交する水平方向に回動自在と
なされている。これら回動軸11,12は、それぞれ上記デ
ィスク入出口３と上記スパッタリング処理部４とから等
距離となる位置に、相対向して配置され、軸方向が略垂
直となされている。これら回動軸11,12は、それぞれ上
記真空槽２の底面部に設けられた挿通孔（図示は省略す
る。）を介して該真空槽２の下方側に突出されており、
この下方側の部分を図示しない駆動装置により回動操作
されて、上記各回動アーム9,10とともに軸回り方向に回
動操作される。そして、上記各回動アーム9,10は、互い
に上記各回動軸11,12の軸方向に、それぞれが回動され
たときに互いに当接しない程度の距離だけ離間させられ
て設けられている。すなわち、これら回動アーム9,10が
回動操作されるとき、それぞれの回動アーム9,10の移動
軌跡が互いに各回動軸11,12の軸方向に離間させられて
いるので、これら回動アーム9,10は、回動途中において
互いに当接することがない。
【００３７】 なお、上記回動軸11,12と上記挿通孔との間には、真
空槽２内の気密状態を維持するために、いわゆるＯ−リ
ング等の気密部材が設けられている。したがって、上記
真空槽２内の真空状態が保持される。
【００３８】 上記回動アーム9,10の自由端側となる先端側の上面部
には、ディスク基板を載置させるための円形状の位置決
め凹部9a,10aが形成されている。この凹部9a,10aには、
ディスク基板のセンター孔を固定することで該ディスク
基板を位置決め固定する載置台13,14が嵌合載置される
ようになっている。上記載置台13,14は、ディスク基板
の外形寸法よりやや大径の円盤状として形成され、中央
部に上記ディスク基板のチャッキング用のセンター孔を
挿通させることで固定させる位置決め突起13a,14aが突
設されてなっている。したがって、上記ディスク基板
は、載置台13,14に固定された状態で上記位置決め凹部9
a,10aに嵌合し、上記各回動アーム9,10に対して位置決
めされて載置される。
【００３９】 また、上記各位置決め凹部9a,10aの底部の中央部に
は、上記載置台13,14を突き上げるための突き上げ軸を
挿通させる突き上げ軸挿通孔9b,10bが穿設されている。
したがって、これら突き上げ軸挿通孔9b,10bを介して、
上記各回動アーム9,10に載置された各載置台13,14の底
面部の中央部が、上記各回動アーム9,10の下方側に臨ま
されている。これら載置台13,14は、上記回動アーム9,1
0が、図３中に矢印θで示す例えば90゜程度の角度で回
動操作されることにより、上記ディスク入出口３の下方
の位置と上記スパッタリング処理部４の下方の位置とに
亘り移動操作されるようになされている。
【００４０】 そして、上記真空槽２の底面部には、上記ディスク入
出口３及び上記ディスク処理口６にそれぞれ対向するよ
うに、移送手段を構成する入出口側及び処理口側の一対
の突き上げ装置15,16が取付けられている。これら突き
上げ装置15,16は、それぞれ突き上げ軸15a,16aを略垂直
に支持してなり、これら突き上げ軸15a,16aを上記真空
槽２の底面部に設けられた透口（図示は省略する。）を
介して該真空槽２内に臨ませている。これら突き上げ装
置15,16は、図示しない制御手段に制御されることによ
り、上記各突き上げ軸15a,16aを、図２中矢印Ｂで示す
ように、上下方向に進退操作するように構成されてい
る。上記各突き上げ軸15a,16aは、上記各回動アーム9,1
0の先端側がそれぞれ上記ディスク入出口３及び上記デ
ィスク処理口６に対向する位置となされているときに、
上記突き上げ装置15,16により突出操作され、上記突き
上げ軸挿通孔9b,10bを介して上記各載置台13,14の底面
部に先端部を当接させる。
【００４１】 これら突き上げ軸15a,16aがさらに突出操作される
と、これら突き上げ軸15a,16aは、上記各載置台13,14を
上方に移動させて、これら載置台13,14の上面部の周縁
を上記ディスク入出口３及び上記ディスク処理口６の開
口周縁に圧接支持させる。これら載置台13,14の上面部
の周縁側には、いわゆるＯ−リング等の密閉部材13b,14
bが設けられており、これら載置台13,14の上面部の周縁
が上記ディスク入出口３及び上記ディスク処理口６の開
口周縁に圧接されたときに、上記真空槽２内及び上記ス
パッタリング処理部４内の気密状態が維持されるように
なされている。
【００４２】 このように構成された光ディスク製造装置において
は、ディスク基板のディスク入出口３とディスク処理口
６とに亘る移送操作を２本の回動アーム9,10によりその
振り角を小さなものとして行うため、真空槽２を小型化
することができる。したがって、設置面積を小さなもの
とすることができる他、真空槽２内の容積をより小さな
ものとすることができる。また、これにより排気を行う
真空ポンプを小型化することができるとともに、その排
気時間も短縮される。
【００４３】 上記光ディスク製造装置により、光ディスクを製造す
るには、次のようにして行う。
【００４４】 先ず、図４に示すように、前記各突き上げ装置15,16
により、同図中矢印Ｃで示すように、上記載置台13,14
を上方に移動させ、これら載置台13,14により上記ディ
スク入出口３及び上記ディスク処理口６を閉塞するよう
にする。
【００４５】 そして、上記蓋体５を上記真空槽２より離間させて、
上記第１の載置台13の上面側を上記ディスク入出口３を
通して上方に臨ませ、第１のディスク基板D1を上記第１
の載置台13上に位置決めして載置する。
【００４６】 次に、図５に示すように、上記蓋体５を下方に移動さ
せて当該蓋体５により上記ディスク入出口３を閉蓋し、
これと同時に真空ポンプを作動して真空槽２内を所定の
真空度に保つ。
【００４７】 このとき、本例の装置においては、真空槽２の容積が
小さなものとなっているため、瞬時に所定の真空状態と
なる。
【００４８】 そして、上記突き上げ軸15a,16aを、同図中矢印Ｅで
示すように、上記各突き上げ装置15,16側に没入させ
て、上記各載置台13,14を下方に移動させ、これら載置
台13,14を上記各回動アーム9,10の先端側に載置させ
る。
【００４９】 上記各載置台13,14が上記各回動アーム9,10の先端側
に載置されたならば、これら回動アーム9,10を、図３中
矢印Ｆ及び矢印Ｇで示すように、互いに重なり合う方向
に回動させる。そして、図６に示すように、上記第１の
載置台13に載置された第１のディスク基板D1を上記ディ
スク処理口６の下方に位置させるとともに、上記第２の
載置台14を上記ディスク入出口３の下方に位置させる。
【００５０】 上記各載置台13,14がそれぞれ所定の位置に位置決め
されたならば、図７に示すように、上記各突き上げ装置
15,16により、同図中矢印Ｈで示すように、上記各載置
台13,14を上方に移動させて、これら載置台13,14により
上記ディスク処理口６及び上記ディスク入出口３を閉塞
するようにする。このとき、上記第１のディスク基板D1
は、上記ディスク処理口６を介して上記スパッタリング
処理部４に臨んでいる。
【００５１】 ここで、上記第１のディスク基板D1に対するスパッタ
リング処理が開始される。
【００５２】 一方、上記第１のディスク基板D1に対するスパッタリ
ング処理が行われているとき、上記ディスク入出口３側
では、上記蓋体５を上記真空槽２より離間させて上記第
２の載置台14の上面側を上記ディスク入出口３を介して
上方に臨ませ、新たな第２のディスク基板D2を上記第２
の載置台14の上面に位置決めして載置する。そして、上
記蓋体５により上記ディスク入出口３を閉蓋して上記真
空槽２内を所定の真空度に保つために真空ポンプを作動
させる。これらの操作は、上記第１のディスク基板D1に
対するスパッタリング処理の終了と略同時に終了する。
【００５３】 上記第１のディスク基板D1に対するスパッタリング処
理が終了したならば、図８に示すように、上記各突き上
げ軸15a,16aを、同図中矢印Ｉで示すように、上記各突
き上げ装置15,16側に没入させて、上記各載置台13,14を
下方に移動させ、これら載置台13,14を上記各回動アー
ム9,10の先端側に載置させる。
【００５４】 上記各載置台13,14が上記各回動アーム9,10の先端側
に載置されたならば、これら回動アーム9,10を互いに重
なり合う方向（先の操作方向と逆の操作方向）に回動さ
せる。そして、図９に示すように、アルミニウムよりな
る薄膜が形成された第１の載置台13に載置された第１の
ディスク基板D1を上記ディスク入出口３の下方に位置さ
せるとともに、上記第２の載置台14に載置された上記第
２のディスク基板D2を上記ディスク処理口６の下方に位
置させる。
【００５５】 上記各載置台13,14がそれぞれ所定の位置に位置決め
されたならば、図10に示すように、上記各突き上げ装置
15,16により、同図中矢印Ｊで示すように、上記各載置
台13,14を上方に移動させて、これら載置台13,14により
上記ディスク入出口３及び上記ディスク処理口６を閉塞
するようにする。このとき、上記第２のディスク基板D2
は、上記ディスク処理口６を介して上記スパッタリング
処理部４に臨んでいる。
【００５６】 ここで、上記第２のディスク基板D2に対するスパッタ
リング処理が開始される。
【００５７】 一方、上記第２のディスク基板D2に対するスパッタリ
ング処理が行われているときには、先に説明したように
上記ディスク入出口３側では、上記蓋体５を上記真空槽
２より離間させ、上記第１の載置台13に載置された上記
第１のディスク基板D1を上記ディスク入出口３を介して
上記真空槽２より取り出すとともに、新たな第３のディ
スク基板D3を上記第１の載置台13の上面に位置決めして
載置する。そして、上記蓋体５により上記ディスク入出
口３を閉蓋して上記真空槽２内を所定の真空度に保つた
めに真空ポンプを作動させる。これらの操作は、上記第
２のディスク基板D2に対するスパッタリング処理の終了
と略同時に終了する。
【００５８】 このようにして製造される光ディスクは、ディスク基
板を装置に投入してからスパッタリング処理されて取り
出されるまでにわずか６秒で製造される。したがって、
本実施例の光ディスク製造装置によれば、単位時間当た
りの製造数量を増加させることができ、大幅な生産性の
向上が期待できる。
【００５９】 なお、上述の光ディスク製造装置は、回動アーム9,10
を支持する回動軸11,12を軸方向で所定間隔に離間して
配設したが、例えば図11及び図12に示すように、上記各
回動アーム9,10を支持する回動軸17,18を同一軸上に設
けるようにしてもよい。この場合には、上記各回動アー
ム9,10を支持する各回動軸17,18のうち、一方を上記真
空槽２の下方側に延設し、他方を上記真空槽２の上方側
に延設するように構成する。この光ディスク製造装置に
おいても、上述した光ディスク製造装置と同様に、上記
真空槽２内に滞留するディスク基板が２枚となされるた
め、当該真空槽２の小型化が図れる。
【００６０】 またこの他、図13に示すように、回動軸19,20の一方
を中空状の円筒形状となし、この一方の回動軸20の中空
部に他方の回動軸19が嵌入配設されるように構成しても
よい。このように構成した光ディスク製造装置において
も、上述した光ディスク製造装置と同様に、上記真空槽
２の小型化を図ることができる。
【００６１】
【発明の効果】
上述したように、本発明に係るスパッタリング処理
は、真空槽内に設けた一端側に被スパッタリング処理部
材が載置される載置部を有する一対の回動アームを移送
手段によって上下に交差して往復回動することにより、
交互に被スパッタリング処理部材を開口部及びスパッタ
リング処理部のいずれか一方に位置させるようにするこ
とができるので、真空槽を回動アームの回動範囲の大き
さとすることができ、装置自体の小型化を図ることがで
きる。
【００６２】 また、被スパッタリング処理部材は、真空槽内に設け
た上下に交差する一対の回動アームの回動により開口部
とスパッタリング処理部との間を交互に移動されるの
で、これら開口部とスパッタリング処理部との間で迅速
な移動ができるとともに装置の小型化に伴い真空ポンプ
による排気時間も短縮できる。これにより、被スパッタ
リング処理部材は、効率のよいスパッタリング処理を行
うことができ、ディスク基板の真空槽内での滞留時間が
短縮され、単位時間あたりの生産数量を増加させること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本実施例の光ディスク製造装置を示す外観斜視図であ
る。
【図２】 上記光ディスク製造装置の真空槽の縦断面図である。
【図３】 上記光ディスク製造装置の真空槽の横断面図である。
【図４】 本実施例の光ディスク製造装置によりスパッタリング処
理を行う手順を順次示す真空槽の縦断面図であり、ディ
スク基板を投入する状態を示す。
【図５】 本実施例の光ディスク製造装置によりスパッタリング処
理を行う手順を順次示す真空槽の縦断面図であり、ディ
スク基板の投入の完了状態を示す。
【図６】 本実施例の光ディスク製造装置によりスパッタリング処
理を行う手順を順次示す真空槽の縦断面図であり、ディ
スク基板のスパッタリング処理部への搬送が完了した状
態を示す。
【図７】 本実施例の光ディスク製造装置によりスパッタリング処
理を行う手順を順次示す真空槽の縦断面図であり、ディ
スク基板のスパッタリング処理中の状態を示す。
【図８】 本実施例の光ディスク製造装置によりスパッタリング処
理を行う手順を順次示す真空槽の縦断面図であり、スパ
ッタリング処理の完了時の状態を示す。
【図９】 本実施例の光ディスク製造装置によりスパッタリング処
理を行う手順を順次示す真空槽の縦断面図であり、ディ
スク基板のディスク入出口への搬送が完了した状態を示
す。
【図１０】 本実施例の光ディスク製造装置によりスパッタリング処
理を行う手順を順次示す真空槽の縦断面図であり、ディ
スク基板を取出す状態を示す。
【図１１】 本実施例の光ディスク製造装置の真空槽の他の例を示す
横断面図である。
【図１２】 本実施例の光ディスク製造装置の真空槽の他の例を示す
縦断面図である。
【図１３】 本実施例の光ディスク製造装置の真空槽のさらに他の例
を示す縦断面図である。
【図１４】 従来のスパッタリング装置の一例を示す横断面図であ
る。
【図１５】 さらに従来のスパッタリング装置の他の例を示す横断面
図である。
【図１６】 上記従来のスパッタリング装置の他の例を示す縦断面図
である。
【符号の説明】
2,21……真空槽 ３……ディスク入出口 ４……スパッタリング処理部 9,10,22……回動アーム 15a,16a,25,26……突き上げ軸

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】真空槽に、 被スパッタリング処理部材を出し入れする入出口と、 前記被スパッタリング処理部材に対してスパッタリング
    処理するスパッタリング処理部と、 一端に回転中心を有して往復回動し、他端に載置された
    前記被スパッタリング処理部材を前記入出口と前記スパ
    ッタリング処理部とに運搬する回動アームとを有するス
    パッタリング装置であって、 前記回動アームが、 前記入出口の中心と前記スパッタリング処理部との中心
    を結ぶ中心線を挟む両側に前記回転中心を有して一対設
    けられ、 且つ、一対の前記回動アームが上下に交差して往復運動
    するとともに、交互に前記被スパッタリング処理部材を
    前記入出口と前記スパッタリング処理部とに運搬するよ
    う構成されていることを特徴とするスパッタリング装
    置。
  2. 【請求項２】真空槽に、 被スパッタリング処理部材を出し入れする入出口と、 前記被スパッタリング処理部材に対してスパッタリング
    処理するスパッタリング処理部と、 一端に回転中心を有して往復回動し、他端に載置された
    前記被スパッタリング処理部材を前記入出口と前記スパ
    ッタリング処理部とに運搬する回動アームとを有するス
    パッタリング装置であって、 前記回動アームが、 同一の軸心に前記回転中心を有し、 且つ、上下に交差して往復回動するとともに、交互に前
    記被スパッタリング処理部材を前記入出口と前記スパッ
    タリング処理部とに運搬するよう一対設けられているこ
    とを特徴とするスパッタリング装置。
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