JPH04214866A - スパッタリング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば光ディスク等を
製造するにあたって、ディスク基板に対するスパッタリ
ング処理を連続的に行うことを可能とするスパッタリン
グ装置に関する。

【００２】

【従来の技術】従来、音響信号や画像信号等の所定の情
報信号が記録再生できるように構成された光ディスクが
提案されている。この種の光ディスクは、例えばポリカ
ーボネートやアクリル等の材料からなりピットやグルー
ブ等が形成されたディスク基板上にアルミニウム等の金
属材料を反射膜として被着することにより構成されてい
る。

【００３】ところで、金属材料をディスク基板上に被着
させる手法としては、蒸着法やイオンプレーティング法
、あるいはスパッタリング法等が挙げられる。

【００４】蒸着法とイオンプレーティング法は、真空槽
中で金属材料（蒸発源）を加熱して該金属を蒸発せしめ
、金属蒸気中にディスク基板を配置することにより、該
金属材料を基板上に被着させるものである。これらの手
法で光ディスクを大量に生産しようとすると、複数枚の
ディスク基板を一括して収容できる大きな真空槽を用い
て上記金属材料の一度の蒸発によって複数枚の光ディス
クを製造する，いわゆるバッチ方式に頼らざるを得ない
。このため、装置構成が複雑化し大型になるばかりか、
真空槽内の場所によってはムラが発生する。

【００５】これに対してスパッタリング法は、短時間で
処理が完了し連続処理が可能でしかも個々のディスク基
板に対して同一条件で成膜することができるという利点
を有している。したがって、この手法を採用すれば、ム
ラのない均一な膜とすることができるとともに、大量生
産や多品種生産等にも十分対応できる。

【００６】上記スパッタリング処理は、ディスク基板と
例えばアルミニウム等の金属材料（ターゲット）が収納
された真空槽中に、例えばアルゴン等の放電用ガスを低
圧状態に封入し、当該真空槽中に電界を印加することに
より放電ガスをイオン化し、イオン化された上記放電用
ガスで金属材料の原子・分子を叩き出すというものであ
る。すなわち、真空槽中においては、上記放電用ガスが
イオン化されて上記金属材料に衝突し該金属材料が飛散
され、この金属材料が上記ディスク基板に被着されて薄
膜を形成する。

【００７】このスパッタリング処理を行うスパッタリン
グ装置としては、例えば図１４に示すように、複数枚の
ディスク基板を円周方向に配列させた円盤状の搬送テー
ブルを回転操作させることにより、これらディスク基板
に対して連続的にスパッタリング処理を行うように構成
されたものが提案されている。

【００８】このスパッタリング装置は、内部が所定の真
空度に保持されるように構成されるとともに、ディスク
基板１００の出し入れを行うディスク入出口１０１とス
パッタリング処理を行うスパッタリング処理部１０２が
形成された真空槽１０３を有している。上記ディスク入
出口１０１には、上記真空槽１０３内の真空度を保持す
るための蓋体１０４が当該真空槽１０３に対して接離操
作されるように支持されて設けられている。

【００９】一方、スパッタリング処理部１０２は、上記
ディスク入出口１０１と同様に形成されたディスク処理
口１０５を有するとともに、このディスク処理口１０５
の上方を覆うように前記真空槽１０３に取付けられる円
筒状の処理部１０６を有してなっている。この処理部１
０６には、上記ディスク基板１００に対してスパッタリ
ングを行う金属材料　　（ターゲット）１０７が収容さ
れるとともに、アルゴンガス等が低圧状態で封入されて
いる。

【０１０】そして、上記真空槽１０３内には、複数枚の
ディスク基板１００を順次前記ディスク入出口１０１よ
りスパッタリング処理部１０２に亘り搬送させる円盤状
の搬送テーブル１０８が配設されている。この搬送テー
ブル１０８は、真空槽１０３内に突出して設けられる回
動軸１０８ａに支持され、図示しない駆動手段により軸
回り方向に回動操作されるようになされている。また、
この搬送テーブル１０８の上面側には、ディスク基板１
００を位置決め載置した受皿１０９が位置決めされて載
置される位置決め凹部１０８ｂが形成されている。この
位置決め凹部１０８ｂに嵌合される如くして載置される
受皿１０９は、ディスク基板１００の外形寸法より若干
大径の円盤状として形成され、その略中央部には上記デ
ィスク基板１００の中心部に穿設されたセンター孔００
ａに挿通係合する係合突起１０９ａが突設されている。 また、上記搬送テーブル１０８の位置決め凹部１０８ｂ
の略中央部には、上記受皿１０９を突き上げるための突
き上げ軸１１０，１１１が挿通する挿通孔１０８ｃが穿
設されている。

【０１１】上記突き上げ軸１１０，１１１は、前記ディ
スク入出口１０１とスパッタリング処理部１０２とにそ
れぞれ対向する真空槽１０３の底面部に穿設される透口
を介して該真空槽１０３内に臨まされ、図示しない駆動
装置により上下方向に進退操作されるように構成されて
いる。すなわち、搬送テーブル１０８により搬送されて
きたディスク基板１００が、それぞれディスク入出口１
０１及びスパッタリング処理部１０２に対向した位置に
きたときに、それぞれの突き上げ軸１１０，１１１が突
出し、前記受皿１０９，１０９をディスク入出口１０１
及びディスク処理口１０５の開口周縁部に圧接支持させ
る。そして、ディスク入出口１０１側でディスク基板１
００の取り出し及びスパッタリング処理部１０２でスパ
ッタリング処理が終了したときに、それぞれの突き上げ
軸１１０，１１１が真空槽１０３の底部へ没入するよう
になっている。

【０１２】このように構成されたスパッタリング装置に
おいては、前記ディスク入出口１０１より供給された複
数枚のディスク基板１００が搬送テーブル１０８の回動
操作により順次スパッタリング処理部１０２に搬送され
、ここで連続的にスパッタリング処理が行われると同時
に、ディスク入出口１０１ではスパッタリング処理され
たディスク基板の取り出しと新たなディスク基板１００
の搬送テーブル１０８への供給が行われる。

【０１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、スパッタリ
ング処理されたディスク基板の取り出し及び新たなディ
スク基板１００の搬送テーブル１０８への供給は、前記
突き上げ軸１１０によって前記受皿１０９をディスク入
出口１０１の開口周縁部に圧接支持させている間に行わ
れる。なおこのとき、真空槽１０３は、上記受皿１０９
の外周縁に設けられたＯ−リング等の密閉部材によりシ
ールされ、当該真空槽１０３内に大気が入り込まないよ
うになされている。そして、これらの作業が終了したら
、蓋体１０４により上記ディスク入出口１０１を閉蓋し
、これと同時に真空ポンプを作動して当該真空槽１０３
内をスパッタリングするに際して好適な圧力に減圧する
。

【０１４】ところが、上記装置においては、搬送テーブ
ル１０８が円盤状であること、該搬送テーブル１０８の
上面と真空槽１０３との距離が極めて少ないことから、
特にディスク基板上部の排気が十分に行えず、当該真空
槽１０３内の真空度を均一なものとすることができない
。このように減圧が不足すると、ディスク基板１００に
残存する水やガス等の不純物が飛散してスパッタ電極等
に付着し、良好な成膜が行えなくなる虞れがある。した
がって、真空槽１０３内を所定の減圧状態とするために
は、大型の真空ポンプを使用しなければならず、装置の
大型化が避けられない。

【０１５】また、上記受皿１０９の重さがかなりあるこ
と、及びスパッタリング処理部１０２での圧力が約１３
０Ｋｇ／ｍ２　程度と高圧であることから、この受皿１
０９を支持する突き上げ軸１１１と真空槽１０３間をシ
ールするＯ−リング等のシール部材の劣化が著しいもの
となってしまう。

【０１６】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、真空槽内部と外部とのシールが
確実に行え、小型の真空ポンプで瞬時に所定の圧力に減
圧することができるとともに、該真空槽内の真空度を均
一なものとすることのできるスパッタリング装置を提供
することを目的とし、さらには良好なスパッタリング処
理が行えるスパッタリング装置を提供することを目的と
するものである。

【０１７】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係るスパッタリング装置においては、被
スパッタリング処理部材が出し入れされる供給口とスパ
ッタリング処理部とを有する真空槽と、上記供給口を閉
塞する蓋体と、略中央部に開口部が形成されるとともに
上記被スパッタリング処理部材が載置される受皿と、上
記供給口に向かって上下動自在とされ、上記受皿の開口
部を下方より閉塞する閉塞面を有する突き上げ軸と、上
記被スパッタリング処理部材を受皿に載置した状態で、
上記真空槽内において上記供給口と上記スパッタリング
処理部とに亘り移送操作する移送手段とを備えてなり、
スパッタリング処理時には上記真空槽の供給口が蓋体に
より閉塞されるとともに、被スパッタリング処理部材の
出し入れ時には上記真空槽の供給口が上記受皿と該受皿
の開口部を下方から閉塞する突き上げ軸の閉塞面により
閉塞されることを特徴とするものである。

【０１８】

【作用】本発明に係るスパッタリング装置においては、
被スパッタリング処理部材を載置する受皿の略中央部に
開口部を有するとともに、この開口部を下方より閉塞す
る閉塞面を有した突き上げ軸を設けているので、被スパ
ッタリング処理部材の出し入れ時には、この受皿と該受
皿の開口部を下方より閉塞する突き上げ軸の閉塞面によ
り、前記真空槽の供給口が二重に閉塞される。したがっ
て、真空槽内部と外部とのシールが確実なものとなり、
当該真空槽内への大気の侵入が防止される。

【０１９】また、被スパッタリング処理部材の出し入れ
が終了すると、蓋体により真空槽の供給口が閉蓋される
と同時に突き上げ軸が没入して受皿が移送手段上に載置
されるとともに、真空ポンプにより排気が行われる。こ
のとき、上記受皿の中央部には開口部が形成されている
ので、この開口部を通してディスク基板上部の排気がな
されるとともに、該ディスク基板に含まれる水やガス等
も一緒に排気される。したがって、真空槽内の真空度が
均一となるとともに、これらガスの飛散によるスパッタ
電極への付着がなくなり、良好なスパッタリング処理が
行える。

【０２０】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら説明する。なお本実施例は、本
発明に係るスパッタリング装置を、ポリカーボネートや
アクリルの如き合成樹脂により形成されたディスク基板
にアルミニウムの如き金属材料からなる薄膜をスパッタ
リングにより形成して光ディスクを製造する光ディスク
製造装置に適用した例である。

【０２１】本実施例の光ディスク製造装置は、図１に示
すように、方形状の筐体１内に真空槽２と、該真空槽２
の下に設けられる真空ポンプ（図示は省略する。）等を
備えてなる排気系とを収容して構成されている。

【０２２】上記真空槽２は、図２及び図３に示すように
、真空ポンプにより内部が所定の減圧状態に維持される
ように構成されている。この真空槽２には、上面部に被
スパッタリング処理部材となるディスク基板が該真空槽
２内に出し入れされる供給口であるディスク入出口３と
、上記ディスク基板に対してスパッタリング処理を行う
スパッタリング処理部４とが並列配置されている。

【０２３】上記ディスク入出口３は、スパッタリング処
理後のディスク基板とスパッタリング処理前のディスク
基板を前記真空槽２内へ出し入れするための供給口とし
て形成されるものであり、上記ディスク基板の形状に対
応して該ディスク基板の外形寸法よりもやや大径の円形
に形成されている。このディスク入出口３の上方側には
、該ディスク入出口３を開閉自在となす円盤状の蓋体５
が設けられている。この蓋体５は、図示しない支持機構
により、図２中矢印Ａ１　及びＡ２　で示す方向移動可
能に支持され、上記真空槽２に対して接離操作される。 そして、上記蓋体５は、真空槽２側に移動操作されるこ
とにより、上記ディスク入出口３の開口周縁部を圧接支
持して該ディスク入出口３を閉塞するとともに、上記真
空槽２より離間操作されることにより、上記ディスク入
出口３を開放する。また、上記蓋体５は、ディスク入出
口３と対向する面に吸着パッド５ａが設けられ、この吸
着パッド５ａでディスク基板を吸着して上記ディスク入
出口３へのディスク基板の出し入れを行う。

【０２４】なお、上記蓋体５の下面部の周縁側には、こ
の蓋体５の周縁部が上記ディスク入出口３の開口周縁部
に当接されたときに上記真空槽２内が気密状態に保たれ
るように、いわゆるＯ−リング等のシール部材５ｂが取
付けられている。

【０２５】一方、スパッタリング処理部４は、上記ディ
スク入出口３と同様に形成されたディスク処理口６と、
このディスク処理口６の上方側を覆うように上記真空槽
２に取付けられて当該真空槽２内を気密状態に保つ処理
部７とを有している。この処理部７は、上端が閉塞され
た有底の円筒状として形成され、内部にはスパッタリン
グ処理に用いられる金属材料（ターゲット）８とスパッ
タリング処理に必要なアルゴン等の放電用のガスが低圧
状態で封入されるとともに、所定の電界が印加されるよ
うに構成されている。

【０２６】上記真空槽２内には、ディスク基板をディス
ク入出口３よりスパッタリング処理部４とに亘り移送操
作させる移送手段を構成する回動アーム９が設けられて
いる。この回動アーム９は、ディスク基板を載置する自
由端側の先端部分のみが円盤状とされ、基端側は細いア
ーム部なされている。そして、この回動アーム９は、基
端部が真空槽２内に突出して設けられる回動軸１０の先
端部にボルト止めされ、図示しない駆動装置により図３
中矢印Ｌ１　及び矢印Ｌ２　で示す軸回り方向に回動自
在となされている。例えば、この回動アーム９は、図３
中矢印θで示す９０°程度の角度範囲で回動操作され、
上記ディスク入出口３に対向する位置と上記スパッタリ
ング処理部４に対向する位置とに亘り回動操作される。

【０２７】なお、上記回動軸１０を真空槽２内に突出さ
せるため、上記真空槽２の底面部に穿設された上記回動
軸１０が挿通される貫通孔１０ａには、当該真空槽２内
の気密状態を維持するためのＯ−リング等のシール部材
が介在させられている。

【０２８】また、上記回動アーム９の自由端側となる先
端側の上面部には、ディスク基板を載置させるための円
形をなす位置決め凹部９ａが形成されている。この凹部
９ａの中央部には、後述する突き上げ軸１２，１３が挿
通される突き上げ軸挿通口９ｂが開設されている。この
凹部９ａには、ディスク基板が載置される受皿１１が嵌
合するように載置されることによって上記回動アーム９
に対する載置位置の位置決めが達成される。

【０２９】ところで、上記受皿１１は、図４に示すよう
に、ここに載置されて搬送されるディスク基板の外形寸
法よりやや大径の円盤状に形成され、前記ディスク入出
口３と対向する上面をディスク基板が載置されるディス
ク載置面２１としている。また、この受皿１１の外周縁
部には、ディスク載置面２１を囲むようにＯ−リング等
のリング状のシール部材１１ａが取付けられている。こ
のシール部材１１ａは、上記受皿１１の外周縁部が上記
ディスク入出口３の開口周縁部に下方から圧接支持され
たとき、前記真空槽２内を気密状態に保持するものであ
る。さらに、上記受皿１１の略中央部には、後述する突
き上げ軸１２，１３が嵌合するように臨まされる円形を
なす開口部１１ｂが形成されている。このように開口部
１１ｂが形成されることにより、ディスク基板が載置さ
れこのディスク基板とともに回動アーム９によって搬送
操作される受皿１１自体のの重量が軽減され、これを押
し上げる突き上げ軸１２の押上げ力を小さなものとする
ことができる。さらに、この突き上げ軸１２を真空槽２
内に突出させるため、上記真空槽２の底面部に穿設され
た上記突き上げ軸１２が挿通される貫通孔１２ａに介在
されるＯ−リング等のシール部材の耐久性を向上させる
ことができる。

【０３０】なお、上記開口部１１ｂは、受皿１１上面の
ディスク載置面２１に載置されるディスク基板が落ちな
い程度の大きさとされ、すなわち上記ディスク載置面２
１側の径を上記ディスク基板の径より稍々小さくして形
成されている。また、上記開口部１１ｂは、上記ディス
ク載置面２１側から下面側に亘って開口径を徐々に拡大
するようなテーパ状に形成されている。

【０３１】そして、上記真空槽２の底面部には、図示し
ない制御手段を備えた駆動装置により、図２中矢印Ｂ１
　及びＢ１　で示す上下方向に往復動自在とされた２つ
の突き上げ軸１２，１３が設けられている。そして、一
方の突き上げ軸１２は、ディスク入出口３に対応する位
置に設けられ、他方の突き上げ軸１３は、ディスク処理
口６に対応する位置に設けられている。

【０３２】そして、ディスク入出口３と対向して設けら
れる一方の突き上げ軸１２の先端部には、上記受皿１１
に形成された開口部１１ｂに係合し上記受皿１１を位置
決めする円形をなす位置決め部１４と、この位置決め部
１４の下に設けられ上記受皿１１の開口部１１ｂを下方
より閉塞する閉塞面１５ａを有する円形をなす受皿押上
部１５とが設けられている。

【０３３】上記位置決め部１４は、外周面を基端側から
上面側に向かって徐々に縮径されるようなテーパ面とな
し上記受皿１１の開口部１１ｂの形状に対応する円錐台
状に形成されている。このように位置決め部１４は、テ
ーパ状に形成された開口部１１ｂに対する挿入側の先端
を細径としたテーパ状の外周面を備えてなることから、
上記開口部１１ｂへの挿入操作を確実且つ容易なものと
なす。また、上記位置決め部１４の上面部の略中央部に
は、受皿１１のディスク載置面２１に載置されたディス
ク基板のセンター孔に係合し、このディスク基板の位置
決めを行う円形状の突起１４ａが突設されている。そし
て、上記位置決め部１４の下に設けられる受皿押上部１
５は、前記回動アーム９の突き上げ軸挿通孔９ｂの内径
よりも小さく且つ前記受皿１１の開口部１１ｂの内径よ
りも大径の円盤として形成され、その略中央部上面側に
上記位置決め部１４を設けるようになっている。この受
皿押上部１５の外周縁と上記位置決め部１４との間の円
環状をなす面１５ａは、前記突き上げ軸１２を突出させ
て受皿１１の底面に当接させたときに当該受皿１１の開
口部１１ｂを閉塞する閉塞面となっている。また、この
受皿押上部１５の上面部の外周縁には、この受皿押上部
１５の周縁部が上記受皿１１の開口部１１ｂの開口周縁
部に当接されたときに上記真空槽２内が気密状態に保た
れるように、Ｏ−リング等のシール部材１５ｂが取付け
られている。

【０３４】一方、ディスク処理口６と対向して設けられ
る他方の突き上げ軸１３の先端部には、上記受皿１１の
上に載置されるディスク基板をディスク処理口６に向か
って押し上げるための円盤状の基板押上部１６が設けら
れている。上記基板押上部１６は、前記受皿１１の開口
部１１ｂの内径より小さく且つディスク基板のセンター
孔より大径の円盤として形成され、その上面にディスク
基板を載置させるようになっている。したがって、上記
突き上げ軸１３をディスク処理口６に向かって突出操作
した場合、前記受皿１１上に載置されるディスク基板の
みがこの基板押上部１６に載置された状態で押し上げら
れる。また、上記基板押上部１６の略中央部には、ディ
スク基板のセンター孔に係合しこのディスク基板の位置
決めを行う円形状の突起１６ａが突設され、上記ディス
ク基板の基板押上部１６への位置決めが図られる。

【０３５】なお、これら突き上げ軸１２，１３を真空槽
２内に突出させる上記真空槽２の底面部に穿設された透
孔１２ａ，１３ａには、真空槽２内の気密状態を保持す
るためのＯ−リング等のシール部材が介在させられる。

【０３６】このように形成された一方及び他方の突き上
げ軸１２，１３は、前記回動アーム９の先端側がそれぞ
れディスク入出口３とディスク処理口６に対向する位置
となされているときに突出操作されるようになされてい
る。すなわち、ディスク入出口３では、図５に示すよう
に、回動アーム９に設けられた突き上げ軸挿通孔９ａを
介して当該回動アーム９に載置されている受皿１１の開
口部１１ｂに突き上げ軸１２の位置決め部１４が下方か
ら挿入され、当該受皿１１が位置決めされるとともに、
該受皿１１の開口部１１ｂが突き上げ軸１２の受皿押上
部１５に設けられる閉塞面１５ａで閉塞される。そして
、突き上げ軸１２がさらに突出操作されると、上記受皿
１１の上面の周縁部が上記ディスク入出口３の開口周縁
部に圧接支持される。このとき、これら受皿１１及び受
皿押上部１５の周縁部にはそれぞれＯ−リング等のシー
ル部材１１ａ，１５ｂが設けられているので、上記ディ
スク入出口３は、上記受皿１１と該受皿の開口部１１ｂ
を下方から閉塞する受皿押上部１５の閉塞面１５ｂによ
って二重に閉塞され、当該真空槽２と外部とのシールが
確実なものとされている。

【０３７】一方、ディスク処理口６では、図８に示すよ
うに、回動アーム９の突き上げ軸挿通孔９ｂ及び受皿１
１の開口部１１ｂを介して当該受皿１１に載置されてい
るディスク基板のセンター孔に突き上げ軸１３の先端に
設けられる突起１６ａが係合し、当該ディスク基板を基
板押上部１６上に位置決めさせる。そして、突き上げ軸
１３がさらに突出操作されると、ディスク処理口６の近
傍位置にディスク基板が持ち上げられる。なおこのとき
、上記ディスク処理口６にはディスク基板のみが臨むよ
うになっているため、これらディスク基板とディスク処
理口６との間には隙間が設けられる。

【０３８】このように構成された光ディスク製造装置に
おいては、特にディスク基板の前記ディスク入出口３と
スパッタリング処理部４とに亘る移送操作を１本の回動
アーム９によりその振り角を小さなものとして行うよう
に構成されているため、真空槽２の小型化が図れるとと
もに、該真空槽２内の容積を極めて小さなものとするこ
とができる。したがって、排気を行う真空ポンプを小型
化することができるとともに、その排気時間も短縮する
ことができる。

【０３９】上記光ディスク製造装置により、光ディスク
を製造するには、次のようにして行う。

【０４０】先ず、図５に示すように、ディスク入出口３
に対応して設けられる突き上げ軸１２を、同図中矢印Ｂ
１　で示す方向に突出させ、前記回動アーム９上に載置
される受皿１１を上方に移動させて当該受皿１１の周縁
部を上記ディスク入出口３の開口周縁部に圧接支持する
。

【０４１】すると、上記ディスク入出口３は、上記受皿
１１と該受皿１１の開口部１１ｂを下方から閉塞する突
き上げ軸１２の先端に設ける受皿押上部１５の閉塞面１
５ａによって二重に閉塞される。このとき、これら受皿
１１と受皿押上部１５には、それぞれシール部材１１ａ
，１５ｂが設けられているので、真空槽２内部と外部と
のシールが確実なものとなり、当該真空槽２内への大気
の侵入が防止される。また、このとき、受皿１１には開
口部１１ｂが設けられているので、その重量が軽く、上
記突き上げ軸１２に大きな負荷を与えることがない。 したがって、この突き上げ軸１２を真空槽２内に突出さ
せる透孔１２ａに介在されるＯ−リングのシール部材の
耐久性が向上する。

【０４２】そして、この状態で上記蓋体５を真空槽２よ
り離間させて、受皿１１の上面を図５に示すように上記
ディスク入出口３に臨ませ、スパッタリング処理を行う
ディスク基板２００を上記受皿１１上に載置する。この
とき、上記受皿１１の上面には、突き上げ軸１２の先端
に設けられる突起１４ａが突出しているので、この突起
１４ａにディスク基板２００のセンター孔２０１が係合
させられる。したがって、上記ディスク基板２００は、
上記受皿１１上のディスク載置面２１に位置決めされた
状態で載置される。

【０４３】次に、図６に示すように、上記蓋体５を下方
に移動させて当該蓋体５により上記ディスク入出口３を
閉塞し、これと同時に真空ポンプを作動させることによ
り、ディスク入出口３の開閉操作で損なわれた真空槽２
内の減圧状態を回復させる。

【０４４】そして、上記突き上げ軸１２を、図６中矢印
Ｂ２　方向の真空ポンプ等が設けられる側に後退させて
上記受皿１１を真空槽２内の下方に移動せしめ、当該受
皿１１を上記回動アーム９の凹部９ａに嵌合させる如く
載置させる。

【０４５】このとき、上記受皿１１には中央部に開口部
１１ｂが形成されているため、上記ディスク基板２００
のセンター孔２０１を通して該ディスク基板２００上部
の排気がされる。したがって、ディスク基板２００上面
部の圧力が真空槽２内の他の部分と均一なものとなされ
るとともに、ディスク基板２００に含まれる水やガス等
も一緒に排気される。また、本実施例の真空槽２におい
ては、回動アーム９が１本であることから、排気を阻害
するものが少なく瞬時に所定の減圧状態とすることがで
きる。例えば、所定の減圧状態にするために必要な時間
は、僅か１秒足らずである。

【０４６】次に、受皿１１が回動アーム９の先端側に載
置されたならば、上記回動アーム９を、図３中矢印Ｌ１
　で示すスパッタリング処理部４方向へ回動させ、図７
に示すように、上記受皿１１に載置されたディスク基板
２００を上記ディスク処理口６の下方に位置させる。そ
して、受皿１１がディスク処理口６の下方位置位置決め
されたならば、図８に示すように、この受皿１１の下方
に設けられる他方の突き上げ軸１３を、図８中矢印Ｂ１
　で示す方向に移動操作させてスパッタリング処理部４
側に突出させ、前記ディスク基板２００をディスク処理
口６近傍部へ移動させる。

【０４７】ここでの他方の突き上げ軸１３は、基板押上
部１６が前記受皿１１の開口部１１ｂの内径より小さく
且つディスク基板２００のセンター孔２０１より大径の
円盤として形成されているため、回動アーム９の突き上
げ軸挿通孔９ｂ及び受皿１１の開口部１１ｂを介してデ
ィスク基板２００のみを持ち上げることになる。したが
って、突き上げ軸１３を持ち上げる力を小さなものとす
ることができる他、当該突き上げ軸１３を真空槽２内に
突出させるために設けられた上記突き上げ軸１３が挿通
される透孔１３ａに介在されるＯ−リング等のシール部
材の耐久性を向上させることができる。また、上記ディ
スク基板２００は、センター孔２０１がこの突き上げ軸
１３の先端に設けられる突起１６ａに係合されるため、
当該突き上げ軸１３に位置決めされた状態で保持される
。

【０４８】そして、ディスク基板２００のディスク処理
口６に対する位置が決まった時点で、上記ディスク基板
２００に対するスパッタリング処理が開始される。この
とき、上記ディスク基板２００とディスク処理口６との
間には間隙が設けられているので、ここからディスク基
板２００に含まれる水やガス等が真空槽２の底部へ搬出
される。したがって、これらガスが飛散してスパッタ電
極に付着することがなくなり、良好なスパッタリング処
理が行える。

【０４９】スパッタリング処理が終了したならば、図９
に示すように、上記突き上げ軸１３を、同図中矢印Ｂ２
　で示す方向の、真空ポンプ等が設けられる側に後退さ
せたれスパッタリング処理が行われたディスク基板２０
０を受皿１１上に載置させる。上記ディスク基板２００
が受皿１１上に載置されたならば、回動アーム９は図３
中矢印Ｌ２　で示すディスク入出口３方向へ回動させら
れる。そして、図１０に示すように、アルミニウムより
なる薄膜が形成されたディスク基板２００が載置された
受皿１１が上記ディスク入出口３の下方に位置させられ
る。

【０５０】そして、上記受皿１１がディスク入出口３の
下方側位置に位置決めされたならば、図１１に示すよう
に、一方突き上げ軸１２が同図中矢印Ｂ１　で示すよう
に突出させられる。そして、上記受皿１１は、ディスク
入出口３側に上昇移動させられ、当該受皿１１とこの受
皿１１の開口部１１ｂを下方から閉塞する突き上げ軸１
２に設けられる閉塞面１５ａによって、上記ディスク入
出口３を二重に閉塞する。

【０５１】そして、上記蓋体５を上記真空槽２より離間
させ、上記受皿１１に載置されたディスク基板２００を
上記ディスク入出口３を介して上記真空槽２より取り出
すとともに、新たなディスク基板２００を上記受皿１１
の上面側のディスク載置面２１に位置決めして載置する
。この後は、前述した工程を順次繰り返してディスク基
板を連続的にスパッタリングする。

【０５２】このように、本実施例の光ディスク製造装置
を用いて光ディスクを製造すれば、ディスク基板に含ま
れる水やガス等がスパッタ電極等に飛散することがない
ために、良好なスパッタリング処理が行え、これらガス
の含まれない品質の良い金属膜とすることができる。

【０５３】ところで、上述した実施例では、受皿１１の
ディスク載置面２１に載置されるディスク基板の位置決
めは、一方の突き上げ軸１２側に設けられた位置決め部
１４の中心部に突出させられた突起１４ａをディスク基
板のセンター孔に係合させるとによって行っているが、
上記受皿１１に載置されるディスク基板の外周側を維持
するように上記ディスク基板の位置決めを行うようにし
てもよい。すなわち、ディスク基板が載置される受皿１
１の上面側に、図１２に示すように、ここに載置される
ディスク基板の外周径に対応する大きさを有するディス
ク嵌合凹部５１，５２を形成する。この場合に、異径サ
イズのディスク基板がそれぞれ位置決め載置されるよう
に、各サイズに対応した大小２つのディスク嵌合凹部５
１，５２を深さを異ならして形成する。このようにディ
スク嵌合凹部５１，５２を形成することにより、受皿１
１に載置されるディスク基板は、その外周側を支持され
て上記ディスク嵌合凹部５１，５２に位置決め載置され
る。なお、上記ディスク嵌合凹部５１，５２は、受皿１
１に載置される各種のディスク基板に応じてさらに多段
状に形成するようにしてもよい。このようにディスク嵌
合凹部５１，５２を設けることにより、突き上げ軸１２
側にディスク基板の位置決めを達成するための上記ディ
スク基板のセンター孔に係合する突起１４ａを設ける必
要がなくなる。

【０５４】また、上述した実施例では、受皿１１に形成
された突き上げ軸１２側に設けられた位置決め部１４が
係合する開口部１１ｂをディスク載置面２１側から下面
側に亘って開口径を徐々に拡大するようなテーパ状に形
成されているが、図１３に示すようにディスク載置面２
１側から下面側に亘って均一な径を有する円筒状に形成
したものであってもよい。この場合には、上記開口部１
１ｂに係合する位置決め部１４も、この開口部１１ｂに
対応して外周面は均一な径を有する円筒状に形成される
。

【０５５】さらにまた、上述した実施例では、ディスク
基板をディスク入出口とスパッタリング処理部とに亘り
移送操作するのに回動アームを使用したが、例えば複数
枚のディスク基板を載置した円盤状の搬送テーブを用い
るようにしてもよい。

【０５６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係るスパッタリング装置においては、被スパッタリ
ング処理部材を載置する受皿の略中央部に開口部を形成
するとともに、この開口部を下方より閉塞する閉塞面を
有した突き上げ軸を設けているので、被スパッタリング
処理部材の出し入れ時には、この受皿と該受皿の開口部
を下方より閉塞する突き上げ軸の閉塞面により、当該真
空槽の供給口を二重に閉塞することができ、当該真空槽
内部と外部とのシールを確実なものとすることができる
。

【０５７】そして、真空槽内の排気に際しては、上記受
皿の中央部に形成された開口部よりディスク基板上部の
排気がなされるため、真空槽内の真空度を均一なものと
することができるとともに、この開口部を通してディス
ク基板に含まれる水やガス等も一緒に排気することがで
きる。したがって、小型の真空ポンプでも十分に排気が
行えるとともに、スパッタリング処理時にこれらガスが
飛散してスパッタ電極へ付着する虞れもなくなり、良好
なスパッタリング処理が行え、品質の高い金属膜を形成
することができる。

【０５８】また、本発明のスパッタリング装置において
は、受皿に開口部が形成されているため、その重量が軽
く、この受皿を押し上げる突き上げ軸に大きな負荷を与
えることがない。したがって、突き上げ軸を真空槽内に
臨ませる透口に設けられるＯ−リング等のシール部材の
耐久性を大幅に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光ディスク製造装置を示す外観斜
視図である。

【図２】本発明に係る光ディスク製造装置を構成する真
空槽の縦断面図である。

【図３】上記真空槽の横断面図である。

【図４】ディスク入出口側の真空槽を拡大して示す要部
拡大縦断面図である。

【図５】ディスク基板を真空槽内に投入する状態を示す
上記真空槽の縦断面図である。

【図６】ディスク基板を真空槽内に投入完了させた状態
を示す上記真空槽の縦断面図である。

【図７】ディスク基板を真空槽内のスパッタリング処理
部へ搬送させた状態を示す上記真空槽の縦断面図である
。

【図８】ディスク基板のスパッタリング処理中の状態を
示す真空槽の縦断面図である。

【図９】ディスク基板のスパッタリング処理を完了させ
た状態を示す真空槽の縦断面図である。

【図１０】ディスク基板をディスク入出口側に搬送させ
た状態を示す真空槽の縦断面図である。

【図１１】ディスク基板を真空槽から取出す状態を示す
上記真空槽の縦断面図である。

【図１２】本発明に係る光ディスク製造装置を構成する
受皿の他の実施例を示す縦断面図である。

【図１３】本発明に係る光ディスク製造装置を構成する
受皿のさらに他の実施例を示す縦断面図である。

【図１４】従来のスパッタリング装置の一例を示す縦断
面図である。

【符号の説明】

２・・・真空槽 ３・・・ディスク入出口 ４・・・スパッタリング処理部 ９・・・回動アーム １１・・・受皿 １１ｂ・・・開口部 １２，１３・・・突き上げ軸 １５ａ・・・閉塞面

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　被スパッタリング処理部材が出し入れ
   される供給口とスパッタリング処理部とを有する真空槽
   と、上記供給口を閉塞する蓋体と、略中央部に開口部が
   形成されるとともに上記被スパッタリング処理部材が載
   置される受皿と、上記供給口に向かって上下動自在とさ
   れ、上記受皿の開口部を下方より閉塞する閉塞面を有す
   る突き上げ軸と、上記被スパッタリング処理部材を受皿
   に載置した状態で、上記真空槽内において上記供給口と
   上記スパッタリング処理部とに亘り移送操作する移送手
   段とを備えてなり、スパッタリング処理時には上記真空
   槽の供給口が蓋体により閉塞されるとともに、被スパッ
   タリング処理部材の出し入れ時には上記真空槽の供給口
   が上記受皿と該受皿の開口部を下方から閉塞する突き上
   げ軸の閉塞面により閉塞されることを特徴とするスパッ
   タリング装置。