KR101019529B1 - 성막 장치 및 성막 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명의 한 양태에 의하면, 성막 대상물의 유지부를 가지고 진공실 내에서 회전 가능하게 설치된 회전 테이블; 및 상기 회전 테이블에 의한 회전에 의해 이동하는 상기 유지부의 이동 경로에 대향하는 위치에 자전 가능하게 설치되고 복수의 타겟을 유지하는 스퍼터 소스를 포함하며, 상기 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 작은 경우에는, 상기 복수의 타겟이 상기 성막 대상물의 이동 방향으로 배치되도록 상기 스퍼터 소스의 선회 각도를 설정하고, 그리고 상기 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 큰 경우에는, 상기 복수의 타겟이 상기 성막 대상물의 이동 방향과 교차하는 방향으로 배치되도록 상기 스퍼터 소스의 선회 각도를 설정하는 것을 특징으로 하는 성막 장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 한 양태에 의하면, 성막 대상물의 유지부를 가지고 진공실 내에서 회전 가능하게 설치된 회전 테이블; 및 상기 회전 테이블에 의한 회전에 의해 이동하는 상기 유지부의 이동 경로에 대향하는 위치에 자전 가능하게 설치되고 타원 형상 또는 길이가 상이한 변을 가지는 다각형의 타겟을 유지하는 스퍼터 소스를 포함하며, 상기 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 작은 경우에는, 상기 타겟의 길이 방향이 상기 성막 대상물의 이동 방향에 대해 상대적으로 평행 또는 평행에 가까운 상태로 하도록 상기 스퍼터 소스의 선회 각도를 설정하고, 그리고 상기 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 큰 경우에는, 상기 타겟의 길이 방향이 상기 성막 대상물의 이동 방향에 대해 상대적으로 수직 또는 수직에 가까운 상태로 하도록 상기 스퍼터 소스의 선회 각도를 설정하는 것을 특징으로 하는 성막 장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 또다른 한 양태에 의하면, 진공실 내에 회전 가능하게 설치된 회전 테이블의 유지부 상에 성막 대상물을 유지하고 상기 회전 테이블의 회전에 의해 이동되는 상기 유지부의 이동 경로에 대향하는 위치에 자전 가능하게 설치된 스퍼터 소스를 사용하여 상기 성막 대상물에 성막을 수행하는 성막 방법으로서, 상기 스퍼터 소스에 복수의 타겟을 유지하고 상기 스퍼터 소스를 선회시켜 상기 성막 대상물의 이동 방향과 상기 복수의 타겟의 배치 방향 사이의 상대 각도를 변경하는 단계; 상기 유지부에 유지되는 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 작은 경우에는, 상기 복수의 타겟을 상기 성막 대상물의 이동 방향으로 배치하는 단계; 및 상기 유지부에 유지되는 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 큰 경우에는, 상기 복수의 타겟을 상기 성막 대상물의 이동 방향에 교차하는 방향으로 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 방법이 제공된다.
Claims (6)
- 성막 대상물의 유지부를 가지고 진공실 내에서 회전 가능하게 설치된 회전 테이블; 및상기 회전 테이블에 의한 회전에 의해 이동하는 상기 유지부의 이동 경로에 대향하는 위치에 자전 가능하게 설치되고 복수의 타겟을 유지하는 스퍼터 소스를 포함하며,상기 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 작은 경우에는, 상기 복수의 타겟이 상기 성막 대상물의 이동 방향으로 배치되도록 상기 스퍼터 소스의 선회 각도를 설정하고, 그리고상기 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 큰 경우에는, 상기 복수의 타겟이 상기 성막 대상물의 이동 방향과 교차하는 방향으로 배치되도록 상기 스퍼터 소스의 선회 각도를 설정하는, 성막 장치.
- 제1항에 있어서,상기 스퍼터 소스에 유지되는 적어도 1개의 타겟으로부터 상기 유지부에 대한 거리가 가변인, 성막 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 스퍼터 소스에 유지되는 복수의 타겟으로의 인가 전력을 각 타겟마다 제어 가능한, 성막 장치.
- 성막 대상물의 유지부를 가지고 진공실 내에서 회전 가능하게 설치된 회전 테이블; 및상기 회전 테이블에 의한 회전에 의해 이동하는 상기 유지부의 이동 경로에 대향하는 위치에 자전 가능하게 설치되고 타원 형상 또는 길이가 상이한 변을 가지는 다각형의 타겟을 유지하는 스퍼터 소스를 포함하며,상기 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 작은 경우에는, 상기 타겟의 길이 방향이 상기 성막 대상물의 이동 방향에 대해 상대적으로 평행 또는 평행에 가까운 상태로 하도록 상기 스퍼터 소스의 선회 각도를 설정하고, 그리고상기 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 큰 경우에는, 상기 타겟의 길이 방향이 상기 성막 대상물의 이동 방향에 대해 상대적으로 수직 또는 수직에 가까운 상태로 하도록 상기 스퍼터 소스의 선회 각도를 설정하는, 성막 장치.
- 진공실 내에 회전 가능하게 설치된 회전 테이블의 유지부 상에 성막 대상물을 유지하고 상기 회전 테이블의 회전에 의해 이동되는 상기 유지부의 이동 경로에 대향하는 위치에 자전 가능하게 설치된 스퍼터 소스를 사용하여 상기 성막 대상물에 성막을 수행하는 성막 방법에 있어서,상기 스퍼터 소스에 복수의 타겟을 유지하고 상기 스퍼터 소스를 선회시켜 상기 성막 대상물의 이동 방향과 상기 복수의 타겟의 배치 방향 사이의 상대 각도를 변경하는 단계;상기 유지부에 유지되는 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 작은 경우에는, 상기 복수의 타겟을 상기 성막 대상물의 이동 방향으로 배치하는 단계; 및상기 유지부에 유지되는 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 큰 경우에는, 상기 복수의 타겟을 상기 성막 대상물의 이동 방향에 교차하는 방향으로 배치하는 단계를 포함하는 성막 방법.
- 진공실 내에 회전 가능하게 설치된 회전 테이블의 유지부 상에 성막 대상물을 유지하고 상기 회전 테이블의 회전에 의해 이동되는 상기 유지부의 이동 경로에 대향하는 위치에 자전 가능하게 설치된 스퍼터 소스를 사용하여 상기 성막 대상물에 성막을 수행하는 성막 방법에 있어서,상기 스퍼터 소스에 타원 형상 또는 길이가 상이한 변을 가지는 다각형의 타겟을 유지하고 상기 스퍼터 소스를 선회시켜 상기 성막 대상물의 이동 방향과 상기 타겟의 길이 방향 사이의 상대 각도를 변경하는 단계;상기 유지부에 탑재되는 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 작은 경우에는, 상기 타겟의 길이 방향을 상기 성막 대상물의 이동 방향에 대하여 상대적으로 평행 또는 평행에 가까운 상태로 하는 단계; 및상기 유지부에 유지되는 성막 대상물이 상기 타겟에 대하여 상대적으로 큰 경우에는, 상기 타겟의 길이 방향을 상기 성막 대상물의 이동 방향에 대하여 상대적으로 직교 또는 직교에 가까운 상태로 하는 단계를 포함하는 성막 방법.
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
KR20160038809A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 성막 장치 및 성막 기판 제조 방법 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110201150A1 (en) * | 2008-10-16 | 2011-08-18 | Ulvac, Inc. | Sputtering Apparatus, Thin-Film Forming Method, and Manufacturing Method for a Field Effect Transistor |
US20100270147A1 (en) * | 2009-04-27 | 2010-10-28 | Nigel Williams | Transportable, miniature, chamberless, low power, micro metallizer |
TWI426557B (zh) * | 2009-08-18 | 2014-02-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 鍍膜裝置 |
JP5953994B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2016-07-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP6209286B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2017-10-04 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 成膜装置及び成膜ワーク製造方法 |
CN107313020B (zh) * | 2017-08-18 | 2019-09-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种磁控溅射镀膜装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004156122A (ja) | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Nobuyuki Takahashi | 成膜方法及びスパッタ装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58110671A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 混合薄膜スパツタリング方法及びその装置 |
TW250499B (en) * | 1993-04-16 | 1995-07-01 | Inst Of Nuclear Fnergy Atomic Energy Council | Device and process for multiple plasma source ion coating |
JP3935231B2 (ja) * | 1996-09-18 | 2007-06-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
JP2000239841A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-05 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング方法と装置 |
JP2003141719A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-16 | Anelva Corp | スパッタリング装置及び薄膜形成方法 |
JP2004010905A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Advantest Corp | スパッタリング装置 |
US20050133361A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-23 | Applied Materials, Inc. | Compensation of spacing between magnetron and sputter target |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004156122A (ja) | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Nobuyuki Takahashi | 成膜方法及びスパッタ装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160038809A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 성막 장치 및 성막 기판 제조 방법 |
KR102410186B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2022-06-20 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 성막 장치 및 성막 기판 제조 방법 |
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