JPH11217669A - マグネトロン装置及びスパッタリング装置 - Google Patents
マグネトロン装置及びスパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH11217669A JPH11217669A JP1712198A JP1712198A JPH11217669A JP H11217669 A JPH11217669 A JP H11217669A JP 1712198 A JP1712198 A JP 1712198A JP 1712198 A JP1712198 A JP 1712198A JP H11217669 A JPH11217669 A JP H11217669A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnet assemblies
- magnetron
- magnetron device
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリングプロセスに対応した磁場を容
易に作り出すことのできるマグネトロン装置を提供する
こと。 【解決手段】 本発明は、スパッタリング装置１０にお
ける円盤状のターゲット１８の裏面側に配置されるマグ
ネトロン装置２４であって、形成される磁場がそれぞれ
相違する複数の磁石アセンブリ２６，２８と、これらの
磁石アセンブリを支持すると共に、ターゲットと同軸に
配置される回転軸線を中心として回転可能である支持ユ
ニット３０と、支持ユニットを回転駆動する第１の駆動
源４０とを備え、支持ユニットは、複数の磁石アセンブ
リのいずれか一つを選択的にターゲットの裏面に対向配
置することができるよう、磁石アセンブリを遠隔的に位
置変更可能に支持していることを特徴としている。この
ような構成においては、処理プロセスが変わる毎に磁石
アセンブリを切り替えればよく、マグネトロン装置全体
を交換する必要がない。
易に作り出すことのできるマグネトロン装置を提供する
こと。 【解決手段】 本発明は、スパッタリング装置１０にお
ける円盤状のターゲット１８の裏面側に配置されるマグ
ネトロン装置２４であって、形成される磁場がそれぞれ
相違する複数の磁石アセンブリ２６，２８と、これらの
磁石アセンブリを支持すると共に、ターゲットと同軸に
配置される回転軸線を中心として回転可能である支持ユ
ニット３０と、支持ユニットを回転駆動する第１の駆動
源４０とを備え、支持ユニットは、複数の磁石アセンブ
リのいずれか一つを選択的にターゲットの裏面に対向配
置することができるよう、磁石アセンブリを遠隔的に位
置変更可能に支持していることを特徴としている。この
ような構成においては、処理プロセスが変わる毎に磁石
アセンブリを切り替えればよく、マグネトロン装置全体
を交換する必要がない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス等
の製造に用いられるマグネトロン方式のスパッタリング
装置及びそのためのマグネトロン装置に関する。
の製造に用いられるマグネトロン方式のスパッタリング
装置及びそのためのマグネトロン装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング装置は、プラズマ中にお
いて処理ガスの正イオン、通常はアルゴンイオンを陰極
であるターゲットの表面に衝突させ、そこからスパッタ
されるターゲット原子を陽極側の基板、例えば半導体ウ
ェハ上に堆積させて成膜を行うものである。
いて処理ガスの正イオン、通常はアルゴンイオンを陰極
であるターゲットの表面に衝突させ、そこからスパッタ
されるターゲット原子を陽極側の基板、例えば半導体ウ
ェハ上に堆積させて成膜を行うものである。
【０００３】このようなスパッタリング装置において
は、ターゲットの表面近傍のプラズマ密度を高めてスパ
ッタ効率を上げるために、いわゆるマグネトロン方式が
広く採用されている。この方式では、複数の磁石から構
成された磁石アセンブリを有するマグネトロン装置をタ
ーゲットの裏面側に配置し、ターゲット表面近傍に磁場
を発生させることとしている。この磁場は、多くの場
合、ターゲットとウェハとの間の電界と交差するため、
ターゲットからの電子はターゲット近傍領域で閉じ込め
られ、当該領域のプラズマ密度が高められる。
は、ターゲットの表面近傍のプラズマ密度を高めてスパ
ッタ効率を上げるために、いわゆるマグネトロン方式が
広く採用されている。この方式では、複数の磁石から構
成された磁石アセンブリを有するマグネトロン装置をタ
ーゲットの裏面側に配置し、ターゲット表面近傍に磁場
を発生させることとしている。この磁場は、多くの場
合、ターゲットとウェハとの間の電界と交差するため、
ターゲットからの電子はターゲット近傍領域で閉じ込め
られ、当該領域のプラズマ密度が高められる。
【０００４】従来一般のマグネトロン装置は、ターゲッ
トの裏面側にターゲットに対して平行に且つ同軸に配置
された円形の支持板と、この支持板の下面に固定された
磁石アセンブリとから構成されている。また、支持板は
回転駆動されるよう駆動源に連結されており、磁石アセ
ンブリにより形成される磁場が周方向に移動するように
している。
トの裏面側にターゲットに対して平行に且つ同軸に配置
された円形の支持板と、この支持板の下面に固定された
磁石アセンブリとから構成されている。また、支持板は
回転駆動されるよう駆動源に連結されており、磁石アセ
ンブリにより形成される磁場が周方向に移動するように
している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、マグネトロ
ン方式のスパッタリング装置においては、そのプロセス
性能は基本的に磁石アセンブリの配置や、磁石アセンブ
リを構成する各磁石の配列が大きく影響している。この
ため、従来においては、異なるプロセスに対しては、そ
れぞれ専用のマグネトロン装置を用意していた。そし
て、複数のプロセスを同一のスパッタリング装置で行う
場合には、プロセス毎にマグネトロン装置を交換しなけ
ればならなかった。また、同一材料を成膜するプロセス
であっても厚さや膜質が異なる場合、或は成膜面の形状
が異なる場合等にも、各条件に対応したマグネトロン装
置が必要であった。
ン方式のスパッタリング装置においては、そのプロセス
性能は基本的に磁石アセンブリの配置や、磁石アセンブ
リを構成する各磁石の配列が大きく影響している。この
ため、従来においては、異なるプロセスに対しては、そ
れぞれ専用のマグネトロン装置を用意していた。そし
て、複数のプロセスを同一のスパッタリング装置で行う
場合には、プロセス毎にマグネトロン装置を交換しなけ
ればならなかった。また、同一材料を成膜するプロセス
であっても厚さや膜質が異なる場合、或は成膜面の形状
が異なる場合等にも、各条件に対応したマグネトロン装
置が必要であった。
【０００６】このように多種類のマグネトロン装置が存
在することは、交換作業や管理に負担をかけ、また、コ
スト的にも問題である。
在することは、交換作業や管理に負担をかけ、また、コ
スト的にも問題である。
【０００７】本発明は、かかる問題点を解決することを
目的としてなされたものである。
目的としてなされたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、スパッタリング装置における円盤状のタ
ーゲットの裏面側に配置されるマグネトロン装置であっ
て、形成される磁場がそれぞれ相違する複数の磁石アセ
ンブリと、これらの磁石アセンブリを支持すると共に、
ターゲットと同軸に配置される回転軸線を中心として回
転可能である支持ユニットと、支持ユニットを回転駆動
する第１の駆動源とを備え、支持ユニットは、複数の磁
石アセンブリのいずれか一つを選択的にターゲットの裏
面に対向配置することができるよう、磁石アセンブリを
遠隔的に位置変更可能に支持していることを特徴として
いる。
に、本発明は、スパッタリング装置における円盤状のタ
ーゲットの裏面側に配置されるマグネトロン装置であっ
て、形成される磁場がそれぞれ相違する複数の磁石アセ
ンブリと、これらの磁石アセンブリを支持すると共に、
ターゲットと同軸に配置される回転軸線を中心として回
転可能である支持ユニットと、支持ユニットを回転駆動
する第１の駆動源とを備え、支持ユニットは、複数の磁
石アセンブリのいずれか一つを選択的にターゲットの裏
面に対向配置することができるよう、磁石アセンブリを
遠隔的に位置変更可能に支持していることを特徴として
いる。
【０００９】このような構成においては、実行する複数
の処理プロセスに対応して複数の磁石アセンブリを組み
込んでおけば、処理プロセスが変わる毎に磁石アセンブ
リを切り替えればよく、マグネトロン装置全体を交換す
る必要がない。
の処理プロセスに対応して複数の磁石アセンブリを組み
込んでおけば、処理プロセスが変わる毎に磁石アセンブ
リを切り替えればよく、マグネトロン装置全体を交換す
る必要がない。
【００１０】複数の磁石アセンブリを遠隔的に位置変更
可能に支持する支持ユニットとしては、ターゲットと同
軸に配置され前記第１の駆動源により回転駆動される回
転筒と、この回転筒内に同軸に配置された第１の回転シ
ャフトと、回転筒に固定され第１の回転シャフトを回転
駆動する第２の駆動源と、回転筒に回転可能に支持され
第１の回転シャフトに伝動機構を介して連結された第２
の回転シャフトと、第２の回転シャフトに取り付けられ
複数の磁石アセンブリを支持する支持体とから構成され
るものが好適である。
可能に支持する支持ユニットとしては、ターゲットと同
軸に配置され前記第１の駆動源により回転駆動される回
転筒と、この回転筒内に同軸に配置された第１の回転シ
ャフトと、回転筒に固定され第１の回転シャフトを回転
駆動する第２の駆動源と、回転筒に回転可能に支持され
第１の回転シャフトに伝動機構を介して連結された第２
の回転シャフトと、第２の回転シャフトに取り付けられ
複数の磁石アセンブリを支持する支持体とから構成され
るものが好適である。
【００１１】この支持ユニットでは、回転筒を回転する
ことで、支持体が回転筒と一体的に回転し、磁石アセン
ブリもターゲットの裏面に沿って回転することができ
る。また、第２の駆動源を動作させると、第２の回転シ
ャフト及び支持体が回転筒に対して回転し、磁石アセン
ブリの位置が切り替えられる。
ことで、支持体が回転筒と一体的に回転し、磁石アセン
ブリもターゲットの裏面に沿って回転することができ
る。また、第２の駆動源を動作させると、第２の回転シ
ャフト及び支持体が回転筒に対して回転し、磁石アセン
ブリの位置が切り替えられる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明が適用されたマグ
ネトロン方式のスパッタリング装置の一実施形態を示し
ている。このスパッタリング装置１０は、内部で半導体
ウェハ等の基板１２に対してスパッタリング処理を行う
処理チャンバ１４を備えている。処理チャンバ１４内に
は、基板１２を保持するためのペディスタル１６が設け
られている。また、処理チャンバ１４の上部には、基板
１２表面に堆積される材料から成る円盤状のターゲット
１８が配置されており、その下面はペディスタル１６の
上面に対向し且つ平行となっている。ターゲット１８と
ペディスタル１６とにはそれぞれ直流電源２０の陰極と
陽極が接続されている。更に、処理チャンバ１２には、
内部を真空引きするための真空ポンプ（図示せず）が接
続され、また、プラズマ発生用の処理ガス、通常はアル
ゴンガスを内部に導入するためのガス供給源（図示せ
ず）が接続されている。更に、ターゲット１８の外縁部
にはカバー２２が液密に取り付けられており、このカバ
ー２２とターゲット１８との間で空間を形成している。
空間には冷却媒体が通され、スパッタリング処理時に高
温となるターゲット１８の冷却が図られている。
ネトロン方式のスパッタリング装置の一実施形態を示し
ている。このスパッタリング装置１０は、内部で半導体
ウェハ等の基板１２に対してスパッタリング処理を行う
処理チャンバ１４を備えている。処理チャンバ１４内に
は、基板１２を保持するためのペディスタル１６が設け
られている。また、処理チャンバ１４の上部には、基板
１２表面に堆積される材料から成る円盤状のターゲット
１８が配置されており、その下面はペディスタル１６の
上面に対向し且つ平行となっている。ターゲット１８と
ペディスタル１６とにはそれぞれ直流電源２０の陰極と
陽極が接続されている。更に、処理チャンバ１２には、
内部を真空引きするための真空ポンプ（図示せず）が接
続され、また、プラズマ発生用の処理ガス、通常はアル
ゴンガスを内部に導入するためのガス供給源（図示せ
ず）が接続されている。更に、ターゲット１８の外縁部
にはカバー２２が液密に取り付けられており、このカバ
ー２２とターゲット１８との間で空間を形成している。
空間には冷却媒体が通され、スパッタリング処理時に高
温となるターゲット１８の冷却が図られている。
【００１３】このような構成において、真空ポンプによ
り所定の圧力に減圧された処理チャンバ１４内にガス供
給源からアルゴンガスを導入し、ターゲット１８とペデ
ィスタル１６との間に電圧を印加すると、プラズマが発
生する。この時、プラズマ中のアルゴンイオンがターゲ
ット１８の下面に衝突し、ターゲット原子をはじき出
し、このターゲット原子が基板１２上に堆積して薄膜が
形成されるのである。
り所定の圧力に減圧された処理チャンバ１４内にガス供
給源からアルゴンガスを導入し、ターゲット１８とペデ
ィスタル１６との間に電圧を印加すると、プラズマが発
生する。この時、プラズマ中のアルゴンイオンがターゲ
ット１８の下面に衝突し、ターゲット原子をはじき出
し、このターゲット原子が基板１２上に堆積して薄膜が
形成されるのである。
【００１４】ターゲット１８の裏面側、即ちターゲット
１８の上方には、処理チャンバ１４内で発生したプラズ
マの密度を高めるために、本発明によるマグネトロン装
置２４が配置されている。図示のマグネトロン装置２４
は、複数の磁石アセンブリ２６，２８と、これらの磁石
アセンブリ２６，２８を支持する支持ユニット３０から
構成されている。
１８の上方には、処理チャンバ１４内で発生したプラズ
マの密度を高めるために、本発明によるマグネトロン装
置２４が配置されている。図示のマグネトロン装置２４
は、複数の磁石アセンブリ２６，２８と、これらの磁石
アセンブリ２６，２８を支持する支持ユニット３０から
構成されている。
【００１５】支持ユニット３０は、カバー２２の中央を
貫通して鉛直方向に延びる略円筒形の回転筒３２を有し
ている。回転筒３２は、その中心軸線がターゲット１８
の鉛直方向に延びる中心軸線と一致するように配置さ
れ、また、該中心軸線を中心として回転し得るよう、ス
ラスト・ラジアル軸受３４を介してカバー２２に支持さ
れている。回転筒３２の上端には歯車３６が一体的に取
り付けられており、この歯車３６は、カバー２２の上面
にブラケット３８を介して設置された第１の駆動モータ
４０により回転される歯車４２と噛み合っている。従っ
て、駆動モータ４０を作動させると、回転筒３２がそれ
自体の中心軸線を中心として回転される。勿論、駆動モ
ータ４０の駆動力を伝動する機構は歯車機構に限られ
ず、タイミングベルトを用いたベルト伝動機構等、他の
型式の伝動機構であってもよい。
貫通して鉛直方向に延びる略円筒形の回転筒３２を有し
ている。回転筒３２は、その中心軸線がターゲット１８
の鉛直方向に延びる中心軸線と一致するように配置さ
れ、また、該中心軸線を中心として回転し得るよう、ス
ラスト・ラジアル軸受３４を介してカバー２２に支持さ
れている。回転筒３２の上端には歯車３６が一体的に取
り付けられており、この歯車３６は、カバー２２の上面
にブラケット３８を介して設置された第１の駆動モータ
４０により回転される歯車４２と噛み合っている。従っ
て、駆動モータ４０を作動させると、回転筒３２がそれ
自体の中心軸線を中心として回転される。勿論、駆動モ
ータ４０の駆動力を伝動する機構は歯車機構に限られ
ず、タイミングベルトを用いたベルト伝動機構等、他の
型式の伝動機構であってもよい。
【００１６】歯車３６の上面には第２の駆動モータ４４
が固定されている。この駆動モータ４４の回転シャフト
４６は、歯車３６を貫通し、回転筒３２内を同軸に延び
ている。回転シャフト４６の下端には傘歯車４８が取り
付けられている。
が固定されている。この駆動モータ４４の回転シャフト
４６は、歯車３６を貫通し、回転筒３２内を同軸に延び
ている。回転シャフト４６の下端には傘歯車４８が取り
付けられている。
【００１７】また、第２の回転シャフト５０が回転筒３
２の下部側壁を貫通して、ターゲット１８の裏面に対し
て所定の傾斜角度をもって延びている。この回転シャフ
ト５０は、スラスト・ラジアル軸受５２によって回転筒
３２に対して回転可能に支持されている。回転筒３２内
に位置する回転シャフト５０の端部には傘歯車５４が取
り付けられており、この傘歯車５４は第１の回転シャフ
ト４６の傘歯車４８と噛み合っている。従って、第２の
駆動モータ４４を作動させた場合には、その駆動力は第
１の回転シャフト４６から傘歯車４８，５４を経て第２
の回転シャフト５０に伝動され、回転シャフト５０は回
転筒３２に対して回転される。
２の下部側壁を貫通して、ターゲット１８の裏面に対し
て所定の傾斜角度をもって延びている。この回転シャフ
ト５０は、スラスト・ラジアル軸受５２によって回転筒
３２に対して回転可能に支持されている。回転筒３２内
に位置する回転シャフト５０の端部には傘歯車５４が取
り付けられており、この傘歯車５４は第１の回転シャフ
ト４６の傘歯車４８と噛み合っている。従って、第２の
駆動モータ４４を作動させた場合には、その駆動力は第
１の回転シャフト４６から傘歯車４８，５４を経て第２
の回転シャフト５０に伝動され、回転シャフト５０は回
転筒３２に対して回転される。
【００１８】なお、第２の駆動モータから第２の回転シ
ャフト５０へ駆動力を伝える伝動機構としては、上述の
ように傘歯車を用いたものの他、ユニバーサルジョイン
トを利用した伝動機構等、種々考えられる。
ャフト５０へ駆動力を伝える伝動機構としては、上述の
ように傘歯車を用いたものの他、ユニバーサルジョイン
トを利用した伝動機構等、種々考えられる。
【００１９】また、回転シャフト５０が通る回転筒３２
の貫通孔、及び、回転筒３２が通るカバー２２の貫通孔
には、冷却媒体が漏出しないよう、図示しないがメカニ
カルシール等のシール手段が設けられている。
の貫通孔、及び、回転筒３２が通るカバー２２の貫通孔
には、冷却媒体が漏出しないよう、図示しないがメカニ
カルシール等のシール手段が設けられている。
【００２０】第２の回転シャフト５０の他端には円錐形
の支持体５６が取り付けられている。支持体５６は、そ
の中心軸線が回転シャフト５０の中心軸線と一致するよ
うに配置されている。また、支持体５６の外周面、すな
わち円錐面の母線であって最下位置になるもの（ターゲ
ットの裏面に最も接近する母線）がターゲット１８の裏
面と平行となるよう、支持体５６の形状及び回転シャフ
ト５０の傾斜角度が適宜定められている。
の支持体５６が取り付けられている。支持体５６は、そ
の中心軸線が回転シャフト５０の中心軸線と一致するよ
うに配置されている。また、支持体５６の外周面、すな
わち円錐面の母線であって最下位置になるもの（ターゲ
ットの裏面に最も接近する母線）がターゲット１８の裏
面と平行となるよう、支持体５６の形状及び回転シャフ
ト５０の傾斜角度が適宜定められている。
【００２１】支持体５６の外周面には、前述した複数の
磁石アセンブリ２６，２８が支持されており、それぞ
れ、支持体５６の円錐面の母線に沿って配置されてい
る。図示実施形態では磁石アセンブリは２組あり、図２
に明示するように、支持体５６の中心軸線を基準として
対称的に配置されている。各磁石アセンブリ２６，２８
の構成については図１及び図２では明示していないが、
当該マグネトロン装置２４が設置されるスパッタリング
装置１０において実行される複数のプロセスのそれぞれ
に対応した磁場が形成されるよう構成されたものであ
る。例えば、膜全体の均一性を高めることが目的の場合
は、ターゲット全面をエロージョンする構成が考えら
れ、ボトムカバレージを向上させるためには、局部的な
エロージョンを強くする構成が考えられる。
磁石アセンブリ２６，２８が支持されており、それぞ
れ、支持体５６の円錐面の母線に沿って配置されてい
る。図示実施形態では磁石アセンブリは２組あり、図２
に明示するように、支持体５６の中心軸線を基準として
対称的に配置されている。各磁石アセンブリ２６，２８
の構成については図１及び図２では明示していないが、
当該マグネトロン装置２４が設置されるスパッタリング
装置１０において実行される複数のプロセスのそれぞれ
に対応した磁場が形成されるよう構成されたものであ
る。例えば、膜全体の均一性を高めることが目的の場合
は、ターゲット全面をエロージョンする構成が考えら
れ、ボトムカバレージを向上させるためには、局部的な
エロージョンを強くする構成が考えられる。
【００２２】以上のような構成において、第２の駆動モ
ータ４４を作動させると、支持体５６と一体的に磁石ア
センブリ２６，２８が回転し、磁石アセンブリ２６，２
８のいずれか一方を選択的にターゲット１８の裏面に対
向配置させることが可能となる。ここで、一方の磁石ア
センブリ２６をターゲット１８の裏面に対向させた状態
とし、スパッタリング装置１０を起動して処理チャンバ
１４内にプラズマを発生させると、磁石アセンブリ２６
により形成される磁場によって電子がターゲット１８の
近傍で捕捉され、その部分でのプラズマ密度が高くな
り、スパッタ効率が向上する。この際、第１の駆動モー
タ４０は別個独立に駆動され、回転筒３２は回転され
る。これにより、磁石アセンブリ２６は、ターゲット１
８の裏面に沿って旋回するため、磁場が移動し、プラズ
マ密度の偏りが一カ所に固定されるという弊害が防止さ
れる。そして、プロセスを変更して、使用される磁石ア
センブリ２６を磁石アセンブリ２８に切り替える場合
は、上述したように、第２の駆動モータ４４を作動さ
せ、支持体５６を１８０度回転すればよい。
ータ４４を作動させると、支持体５６と一体的に磁石ア
センブリ２６，２８が回転し、磁石アセンブリ２６，２
８のいずれか一方を選択的にターゲット１８の裏面に対
向配置させることが可能となる。ここで、一方の磁石ア
センブリ２６をターゲット１８の裏面に対向させた状態
とし、スパッタリング装置１０を起動して処理チャンバ
１４内にプラズマを発生させると、磁石アセンブリ２６
により形成される磁場によって電子がターゲット１８の
近傍で捕捉され、その部分でのプラズマ密度が高くな
り、スパッタ効率が向上する。この際、第１の駆動モー
タ４０は別個独立に駆動され、回転筒３２は回転され
る。これにより、磁石アセンブリ２６は、ターゲット１
８の裏面に沿って旋回するため、磁場が移動し、プラズ
マ密度の偏りが一カ所に固定されるという弊害が防止さ
れる。そして、プロセスを変更して、使用される磁石ア
センブリ２６を磁石アセンブリ２８に切り替える場合
は、上述したように、第２の駆動モータ４４を作動さ
せ、支持体５６を１８０度回転すればよい。
【００２３】以上、本発明の好適な実施形態について詳
細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない
ことはいうまでもない。例えば、上記実施形態では、磁
気アセンブリは２組としているが、それ以上の数であっ
てもよい。また、支持体の形状も円錐形に限られず、角
錐形状やその他の形状であってもよい。更に、磁石アセ
ンブリを遠隔的に切り替えるための機構としては、上記
実施形態以外にも種々の形態が考えられる。また、本発
明は、ＲＦ電力によりプラズマを生成する型式のスパッ
タリング装置にも適用可能である。
細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない
ことはいうまでもない。例えば、上記実施形態では、磁
気アセンブリは２組としているが、それ以上の数であっ
てもよい。また、支持体の形状も円錐形に限られず、角
錐形状やその他の形状であってもよい。更に、磁石アセ
ンブリを遠隔的に切り替えるための機構としては、上記
実施形態以外にも種々の形態が考えられる。また、本発
明は、ＲＦ電力によりプラズマを生成する型式のスパッ
タリング装置にも適用可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、マ
グネトロン装置の磁石アセンブリを容易に切り替えるこ
とができるため、同一のマグネトロン装置を用いたま
ま、埋込み用、膜均一性の向上用、Ｔｉ膜用、ＴｉＮ膜
用等、複数のプロセスを行うことが可能となる。従っ
て、スパッタリング作業効率が向上することになる。
グネトロン装置の磁石アセンブリを容易に切り替えるこ
とができるため、同一のマグネトロン装置を用いたま
ま、埋込み用、膜均一性の向上用、Ｔｉ膜用、ＴｉＮ膜
用等、複数のプロセスを行うことが可能となる。従っ
て、スパッタリング作業効率が向上することになる。
【００２５】また、マグネトロン装置を多数用意してお
く必要性を減じ、保管等に要する手間やコストが低減さ
れる。
く必要性を減じ、保管等に要する手間やコストが低減さ
れる。
【図１】本発明によるマグネトロン装置を用いたスパッ
タリング装置を概略的に示す図である。
タリング装置を概略的に示す図である。
【図２】図１のマグネトロン装置における支持体及び磁
石アセンブリの構成を示す図であり、図１のＡ方向に沿
っての矢視図である。
石アセンブリの構成を示す図であり、図１のＡ方向に沿
っての矢視図である。
１０…スパッタリング装置、１２…基板、１４…処理チ
ャンバ、１６…ペディスタル、１８…ターゲット、２０
…直流電源、２２…カバー、２４…マグネトロン装置、
２６，２８…磁石アセンブリ、３０…支持ユニット、３
２…回転筒、４０…第１の駆動モータ（駆動源）、４４
…第２の駆動モータ（駆動源）、４６…第１の回転シャ
フト、４８，５４…傘歯車（伝動機構）、５０…第２の
回転シャフト、５６…支持体。
ャンバ、１６…ペディスタル、１８…ターゲット、２０
…直流電源、２２…カバー、２４…マグネトロン装置、
２６，２８…磁石アセンブリ、３０…支持ユニット、３
２…回転筒、４０…第１の駆動モータ（駆動源）、４４
…第２の駆動モータ（駆動源）、４６…第１の回転シャ
フト、４８，５４…傘歯車（伝動機構）、５０…第２の
回転シャフト、５６…支持体。
Claims (3)
- 【請求項１】 スパッタリング装置における円盤状のタ
ーゲットの裏面側に配置されるマグネトロン装置であっ
て、 形成される磁場がそれぞれ相違する複数の磁石アセンブ
リと、 前記複数の磁石アセンブリを支持すると共に、前記ター
ゲットと同軸に配置される回転軸線を中心として回転可
能である支持ユニットと、 前記支持ユニットを回転駆動する第１の駆動源と、を備
え、前記支持ユニットは、前記複数の磁石アセンブリの
いずれか一つを選択的に前記ターゲットの裏面に対向配
置することができるよう、前記複数の磁石アセンブリを
遠隔的に位置変更可能に支持していることを特徴とする
マグネトロン装置。 - 【請求項２】 前記支持ユニットが、 前記ターゲットと同軸に配置され前記第１の駆動源によ
り回転駆動される回転筒と、 前記回転筒内に同軸に配置された第１の回転シャフト
と、 前記回転筒に固定され前記第１の回転シャフトを回転駆
動する第２の駆動源と、 前記回転筒に回転可能に支持され前記第１の回転シャフ
トの先端に伝動機構を介して連結された第２の回転シャ
フトと、 前記第２の回転シャフトに取り付けられ前記複数の磁石
アセンブリを支持する支持体と、を備えることを特徴と
する請求項１に記載のマグネトロン装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載のマグネトロン装
置を備えるスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01712198A JP4005687B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | マグネトロン装置及びスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01712198A JP4005687B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | マグネトロン装置及びスパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11217669A true JPH11217669A (ja) | 1999-08-10 |
| JP4005687B2 JP4005687B2 (ja) | 2007-11-07 |
Family
ID=11935211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01712198A Expired - Fee Related JP4005687B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | マグネトロン装置及びスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4005687B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006063432A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Japan Science & Technology Agency | 成膜装置用マルチソース機構 |
| US20100006424A1 (en) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | Samsung Mobile Display Co. Ltd. | Magnetron unit moving apparatus for preventing magnetization and magnetron sputtering equipment having the same |
| CN110177898A (zh) * | 2017-11-01 | 2019-08-27 | 株式会社爱发科 | 溅射装置及成膜方法 |
| CN115241026A (zh) * | 2022-09-26 | 2022-10-25 | 陛通半导体设备(苏州)有限公司 | 旋转装置及磁控镀膜设备 |
| CN117565331A (zh) * | 2024-01-16 | 2024-02-20 | 南安京源中科信息技术有限公司 | 一种智能水表壳体成型装置 |
-
1998
- 1998-01-29 JP JP01712198A patent/JP4005687B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006063432A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Japan Science & Technology Agency | 成膜装置用マルチソース機構 |
| US20100006424A1 (en) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | Samsung Mobile Display Co. Ltd. | Magnetron unit moving apparatus for preventing magnetization and magnetron sputtering equipment having the same |
| US8882976B2 (en) * | 2008-07-09 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Magnetron unit moving apparatus for preventing magnetization and magnetron sputtering equipment having the same |
| CN110177898A (zh) * | 2017-11-01 | 2019-08-27 | 株式会社爱发科 | 溅射装置及成膜方法 |
| CN110177898B (zh) * | 2017-11-01 | 2021-01-01 | 株式会社爱发科 | 溅射装置及成膜方法 |
| US11056323B2 (en) * | 2017-11-01 | 2021-07-06 | Ulvac, Inc. | Sputtering apparatus and method of forming film |
| CN115241026A (zh) * | 2022-09-26 | 2022-10-25 | 陛通半导体设备(苏州)有限公司 | 旋转装置及磁控镀膜设备 |
| CN115241026B (zh) * | 2022-09-26 | 2022-11-29 | 陛通半导体设备(苏州)有限公司 | 旋转装置及磁控镀膜设备 |
| CN117565331A (zh) * | 2024-01-16 | 2024-02-20 | 南安京源中科信息技术有限公司 | 一种智能水表壳体成型装置 |
| CN117565331B (zh) * | 2024-01-16 | 2024-03-19 | 南安京源中科信息技术有限公司 | 一种智能水表壳体成型装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4005687B2 (ja) | 2007-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4037932B2 (ja) | 基板回転装置及び基板回転方法 | |
| JP4516199B2 (ja) | スパッタ装置及び電子デバイス製造方法 | |
| EP1146139A1 (en) | Sputtering apparatus | |
| JP4066044B2 (ja) | 成膜方法及びスパッタ装置 | |
| KR20150123266A (ko) | 구성가능한 가변 위치 폐쇄 트랙 마그네트론 | |
| JP2912864B2 (ja) | スパッタリング装置のマグネトロンユニット | |
| JP4321785B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JPH07166346A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JP4213777B2 (ja) | スパッタリング装置及び方法 | |
| JP2005187830A (ja) | スパッタ装置 | |
| JP4005687B2 (ja) | マグネトロン装置及びスパッタリング装置 | |
| JP2005336520A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JP2022108909A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JP3056222B2 (ja) | スパッタ装置およびスパッタ方法 | |
| JPH1046334A (ja) | スパッタ成膜装置 | |
| EP4419728A1 (en) | Tilted pvd source with rotating pedestal | |
| JPH11340165A (ja) | スパッタリング装置及びマグネトロンユニット | |
| JP4541014B2 (ja) | プラズマ支援スパッタ成膜装置 | |
| JP4392895B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS63243272A (ja) | マグネトロン・スパツタリング方法 | |
| US20240290593A1 (en) | Magnetron Design for Improved Bottom Coverage and Uniformity | |
| JP2009299191A (ja) | プラズマ支援スパッタ成膜装置 | |
| JP2003293129A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2646260B2 (ja) | スパッタ装置 | |
| WO2001044534A1 (fr) | Procede et appareil de depot de couches minces |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050117 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070810 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20070821 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070824 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |