TW202012659A - 成膜裝置、成膜系統及成膜方法 - Google Patents

成膜裝置、成膜系統及成膜方法 Download PDF

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Abstract

[課題] 提供一種能以斜成膜為基礎而進行自由度高的濺鍍成膜之成膜裝置、成膜系統及成膜方法。 [解決手段] 成膜裝置，係具備有：處理腔室；第1濺鍍粒子放出部及第2濺鍍粒子放出部，在處理腔室的處理空間中，分別具有使濺鍍粒子往彼此不同之傾斜方向放出的靶材；濺鍍粒子遮蔽板，具有濺鍍粒子通過的通過孔；基板支撐部，支撐基板；基板移動機構，使基板直線地移動；及控制部。控制部，係一面以使基板直線地移動的方式進行控制，一面控制來自第1濺鍍粒子放出部及第2濺鍍粒子放出部之濺鍍粒子的放出，從第1濺鍍粒子放出部及第2濺鍍粒子放出部所放出的濺鍍粒子，係通過通過孔而沈積於基板上。

Description

成膜裝置、成膜系統及成膜方法
本揭示，係關於成膜裝置、成膜系統及成膜方法。
在半導體元件這樣的電子元件之製造中，係進行在基板上形成膜的成膜處理。作為使用於成膜處理之成膜裝置，係已知濺鍍裝置。
在專利文獻1中，係作為用以實現將濺鍍粒子入射方向與基板上的圖案對齊之指向性高之成膜的技術，提出一種使濺鍍粒子相對於基板斜向地入射的技術。
記載於專利文獻1之成膜裝置，係具有：真空容器；基板保持台，被設置於真空容器內；靶材保持器，保持靶材；及遮蔽組件，被設置於靶材保持器與基板保持台之間，且具有開口(通過孔)。而且，一面藉由移動機構使基板保持台移動，一面使從靶材所釋放之濺鍍粒子通過遮蔽組件的開口，且使濺鍍粒子以預定角度入射至基板上。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2015-67856號公報
[本發明所欲解決之課題]
本揭示，係提供一種能以斜成膜為基礎而進行自由度高的濺鍍成膜之成膜裝置、成膜系統及成膜方法。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣之成膜裝置，係具備有：處理腔室，規定對基板進行成膜處理的處理空間；第1濺鍍粒子放出部及第2濺鍍粒子放出部，在前述處理空間中，分別具有使濺鍍粒子往彼此不同之傾斜方向放出的靶材；濺鍍粒子遮蔽板，具有前述濺鍍粒子通過的通過孔，該前述濺鍍粒子，係從前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部所放出；基板支撐部，隔著前述處理空間之前述濺鍍粒子遮蔽板，被設置於與前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部相反的一側，且支撐基板；基板移動機構，使被支撐於前述基板支撐部之基板直線地移動；及控制部，控制前述第1濺鍍粒子放出部、前述第2濺鍍粒子放出部及前述基板移動機構，前述控制部，係一面以藉由前述基板移動機構來使前述基板直線地移動的方式進行控制，一面控制來自前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部之濺鍍粒子的放出，從前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部所放出的前述濺鍍粒子，係通過前述通過孔而沈積於前述基板上。 [發明之效果]
根據本揭示，能以斜成膜為基礎而進行自由度高的濺鍍成膜。
以下，參閱附加圖面，具體地說明關於實施形態。
＜第1實施形態＞ 一開始，說明關於第1實施形態。
[成膜裝置] 圖1，係表示在第1實施形態中使用之成膜裝置的縱剖面圖；圖2，係依圖1之II-II線的水平剖面圖。
成膜裝置1，係藉由濺鍍，在基板W上形成膜者。成膜裝置1，係具有：處理腔室10；第1及第2濺鍍粒子放出部12a、12b；基板支撐部14；基板移動機構16；濺鍍粒子遮蔽板18；及排氣裝置20。作為基板W，係例如可列舉出半導體晶圓，但不限定於此。
處理腔室10，係具有：腔室本體10a，上部呈開口；及蓋體10b，被設置成堵塞腔室本體10a之上部開口。蓋體10b，係側面成為傾斜面。處理腔室10之內部，係成為進行成膜處理的處理空間S。
在處理腔室10之底部，係形成有排氣口21，上述排氣裝置20，係被連接於該排氣口21。排氣裝置20，係包含有壓力控制閥及真空泵，處理空間S可藉由排氣裝置20被真空排氣至預定真空度。
在處理腔室10之頂部，係插入有用以將氣體導入至處理空間S內的氣體導入埠22。來自氣體供給部(未圖示)之濺鍍氣體例如惰性氣體從氣體導入埠22被導入至處理空間S內。
在處理腔室10之側壁，係形成有用以搬入搬出基板W的搬入搬出口23。搬入搬出口23，係藉由閘閥24進行開關。處理腔室10，係鄰接設置於搬送腔室50，藉由閘閥24被開啟的方式，處理腔室10與搬送腔室50可連通。搬送腔室50內，係被保持為預定真空度，在其中設置有用以對處理腔室10搬入搬出基板W的搬送裝置(未圖示)。
濺鍍粒子遮蔽板18，係被構成為大致板狀之構件，且被水平地配置於處理空間S之高度方向的中間位置。濺鍍粒子遮蔽板18之緣部，係被固定於腔室本體10a的側壁。濺鍍粒子遮蔽板18，係將處理空間S區隔成第1空間S1與第2空間S2。第1空間S1，係濺鍍粒子遮蔽板18之上方的空間，第2空間S2，係濺鍍粒子遮蔽板18之下方的空間。
在濺鍍粒子遮蔽板18，係形成有使濺鍍粒子通過之呈狹縫狀的通過孔19。通過孔19，係沿濺鍍粒子遮蔽板18的板厚方向(Z方向)貫通。通過孔19，係將圖中之水平的一方向即Y方向設成為長邊方向且細長地形成。通過孔19之Y方向的長度，係被形成為比基板W的直徑長。
第1濺鍍粒子放出部12a，係具有：靶材保持器26a；靶材30a，被保持於靶材保持器26a；及電源28a，將電壓施加至靶材保持器26a。又，第2濺鍍粒子放出部12b，係具有：靶材保持器26b；靶材30b，被保持於靶材保持器26b；及電源28b，將電壓施加至靶材保持器26b。
靶材保持器26a、26b，係由具有導電性之材料所構成，被配置於濺鍍粒子遮蔽板18的上方，並經由絕緣性之構件，被安裝於處理腔室10之蓋體10b的傾斜面之彼此不同的位置。在本例中，靶材保持器26a、26b，雖係隔著通過孔19，被設置於彼此相對向的位置，但並不限於此，可設置於任意位置。靶材保持器26a、26b，係以使靶材30a、30b相對於通過孔19而位於斜上方的方式，保持該靶材30a、30b。靶材30a、30b，係由包含有欲進行成膜之膜之構成元素的材料所構成，亦可為導電性材料或亦可為介電質材料。
電源28a、28b，係分別被電性連接於靶材保持器26a、26b。在靶材30a、30b為導電性材料的情況下，電源28a、28b，係亦可為直流電源，在靶材30a、30b為介電性材料的情況下，電源28a、28b，係亦可為高頻電源。在電源28a、28b為高頻電源的情況下，係經由匹配器被連接於靶材保持器26a、26b。藉由對靶材保持器26a、26b施加電壓的方式，濺鍍氣體會在靶材30a、30b的周圍解離。而且，經解離的濺鍍氣體中之離子撞擊靶材30a、30b，其構成材料的粒子即濺鍍粒子從靶材30a、30b被放出。
如上述般，在第1及第2濺鍍粒子放出部12a、12b中，係由於靶材保持器26a、26b被設置於彼此不同的位置(在本例中，係彼此相對向的位置)，因此，濺鍍粒子會從該些所保持之靶材30a、30b沿彼此不同的傾斜方向(在本例中，係相反方向)被放出。而且，所放出的濺鍍粒子中之通過了通過孔19者會斜向地入射至基板W並沈積。
靶材保持器26a、26b之靶材30a、30b的配置位置及朝向為任意，因應被形成於基板W的圖案來設定。
另外，在本例中，從靶材30a、30b所放出的濺鍍粒子，雖係被構成為皆通過通過孔19，但如圖3所示般，亦可使其分別通過通過孔。亦即，可設成為如下述：在濺鍍粒子遮蔽板18設置2個通過孔19a、19b，並在通過孔19a、19b之周圍設置具有準直功能的翼片35a、35b，藉此，從靶材30a、30b所放出的濺鍍粒子分別通過通過孔19a、19b。
基板支撐部14，係被設置於處理腔室10的腔室本體10a內，可經由支撐銷31水平地支撐基板W。基板支撐部14，係可藉由基板移動機構16，沿水平的一方向即X方向直線地移動。因此，支撐於基板支撐部14之基板W，係藉由基板移動機構16，在水平面內直線移動。基板移動機構16，係具有多關節臂部32與驅動部33，藉由以驅動部33來驅動多關節臂部32的方式，可使基板支撐部14沿X方向移動。
成膜裝置1，係更具備有控制部40。控制部40，係由電腦所構成，控制成膜裝置1之各構成部例如電源28a、28b、排氣裝置20、驅動部33等。控制部40，係實際上具有由進行該些控制之CPU所構成的主控制部與輸入裝置、輸出裝置、顯示裝置、記憶裝置。在記憶裝置，係記憶有成膜裝置1中所執行之各種處理的參數，又，安裝有記憶媒體，該記憶媒體，係儲存有用以控制成膜裝置1中所執行之處理的程式亦即處理配方。控制部40之主控制部，係讀出被記憶於記憶媒體的預定處理配方，並根據其處理配方，使成膜裝置1執行預定處理。
[成膜方法] 其次，說明關於如以上所構成之第1實施形態的成膜裝置中之成膜方法。
首先，在對處理腔室10內之處理空間S進行排氣後，將濺鍍氣體例如惰性氣體從氣體導入埠22導入至處理空間S而調壓成預定壓力。
其次，使基板支撐部14位於基板收授位置，並開啟閘閥24，藉由搬送腔室50之搬送裝置(未圖示)，將基板W載置於基板支撐部14(支撐銷31上)。其次，使搬送裝置返回到搬送腔室50，並關閉閘閥24。
其次，一面使基板支撐部14上之基板W沿水平方向的一方向即X方向移動，一面使濺鍍粒子從第1及第2濺鍍粒子放出部12a、12b的靶材30a、30b斜向地放出。
此時之濺鍍粒子的放出，係藉由下述方式來進行：將電壓從電源28a、28b施加至靶材保持器26a、26b，在靶材30a、30b之周圍解離的濺鍍氣體中之離子撞擊靶材30a、30b。
從第1及第2濺鍍粒子放出部12a、12b之靶材30a、30b所斜向地放出的濺鍍粒子，係通過被形成於濺鍍粒子遮蔽板18的通過孔19而斜向地入射至基板W，並沈積於基板W上。
如以往般，在一面掃描基板，一面使濺鍍粒子從一個濺鍍粒子放出部之靶材斜向地放出而進行成膜的情況下，雖係可進行指向性高之成膜，但可對應之成膜態樣有限。
對此，在本實施形態中，係一面掃描基板W，一面使濺鍍粒子從被裝設於2個濺鍍粒子放出部12a、12b的靶材30a、30b斜向地放出。 藉此，可藉由「使濺鍍粒子從2個靶材同時或交互地放出，又，調整靶材之朝向或通過孔之數量、翼片之角度等的參數」的方式，以各種成膜態樣進行成膜。因此，可實現自由度極高的濺鍍成膜。
以下，具體地進行說明。
(1)第1實施形態中之成膜方法的第1例 在第1例中，係藉由上述成膜裝置1，交互地使用第1濺鍍粒子放出部12a與第2濺鍍粒子放出部12b而進行成膜。
圖4A~4D，係用以說明本例之方法的實施狀態之示意圖。 一開始，如圖4A所示般，將基板W收授至位於退避位置的基板支撐部14。其次，如圖4B所示般，一面使基板支撐部14上之基板W往沿著X方向的圖中A方向移動，一面使濺鍍粒子P僅從第2濺鍍粒子放出部12b的靶材30b斜向地放出。藉此，濺鍍粒子P從一方向斜向地入射至基板W上，並沈積於基板上(第1成膜)。
如圖4C所示般，在基板W全部通過濺鍍粒子遮蔽板18的通過孔19後，停止來自第2濺鍍粒子放出部12b之靶材30b的濺鍍粒子。
其次，如圖4D所示般，一面使基板支撐部14上之基板W沿與A方向相反的B方向移動，一面使濺鍍粒子P僅從第1濺鍍粒子放出部12a的靶材30a斜向地放出。藉此，濺鍍粒子從與先前之一方向相反方向斜向地入射至基板W上，並沈積於基板上(第2成膜)。
交互地重複如以上般的第1成膜與第2成膜1次以上。
像這樣的成膜方法，係適於下述情形：對於如圖5所示般之具有交互地形成了凸部51與凹部(溝槽)52之溝槽圖案的基板W，在凸部51上選擇性而大致垂直地形成膜。
在對具有圖5之圖案的基板，進行了使用第2濺鍍粒子放出部12b的第1成膜之際，係如圖6A所示般，在凸部51之右側形成懸垂(overhang)的第1膜53。但是，即便維持從第2濺鍍粒子放出部12b繼續濺鍍粒子的放出而進行成膜，懸垂亦變得劇烈，垂直方向之膜成長是困難的。
對此，在進行第1成膜後，進行使用了第1濺鍍粒子放出部12a的第2成膜，藉此，如圖6B般，在凸部51之左側形成懸垂的第2膜54，並形成朝垂直方向進行膜成長的基底。藉此，可進一步朝垂直方向進行成膜。
如此一來，一面巧妙地利用懸垂，一面交互地重複第1成膜與第2成膜，藉此，如圖6C所示般，可使其在大致垂直方向進行膜成長。在膜為結晶的情況下，係可使其在大致垂直方向結晶成長。
此時，改變第1成膜之際的第2濺鍍粒子放出部12b的輸出與第2成膜之際的第1濺鍍粒子放出部12a的輸出，藉此，可改變膜成長(結晶成長)的方向。例如，藉由將第2濺鍍粒子放出部12b設成為比第1濺鍍粒子放出部12a更高輸出的方式，如圖7所示般，第1膜53會比第2膜54更成長，可從凸部51往圖中右側稍微斜向地膜成長(結晶成長)。在第1膜53的成膜之際與第2膜54的成膜之際，使基板W的移動速度(掃描速度)產生差異，藉此，可獲得相同效果。
又，亦可如圖8所示般，具有2個通過孔19a、19b與該些周圍的翼片35a、35b，使用翼片35a、35b之角度不同的濺鍍粒子遮蔽板18，進行如上述般的交互成膜。在該情況下，係從第2濺鍍粒子放出部12b之靶材30b所放出的濺鍍粒子通過通過孔19b，從第1濺鍍粒子放出部12a所放出的濺鍍粒子通過通過孔19a。藉此，可使從第1濺鍍粒子放出部12a所放出而入射至基板W之濺鍍粒子的角度與從第2濺鍍粒子放出部12b所放出而入射至基板W之濺鍍粒子的角度不同。圖8，係將翼片35b之角度設成為比翼片35a更高角的例子。藉此，可控制第1成膜及第2成膜的結晶成長方向。
具體而言，係如圖9所示般，在第1成膜之際，濺鍍粒子以高角方向被照射至基板W，第1膜53沿高角方向成長，在第2成膜之際，濺鍍粒子以低角方向被照射至基板W，第2膜54沿低角方向成長。即便使靶材30a、30b的角度不同，亦可獲得相冋效果。
又，在如本例般之交互成膜的情況下，係由不同材料構成靶材30a、30b，在重複第1成膜與第2成膜之際，亦可使第1膜53與第2膜54的材料不同。例如，使蝕刻選擇性在第1膜53與第2膜54不同，藉此，可作選擇性地蝕刻。具體而言，係可列舉出如下述材料的情形，該材料，係在與圖6C相同之第1膜53與第2膜54的層積構造中，在預定蝕刻條件下，第2膜54比第1膜53更容易被蝕刻。如圖10A示意地表示般，當以上述預定之蝕刻條件來對與圖6C相同的層積構造進行蝕刻時，則如圖10B所示般，選擇性地蝕刻第2膜54。因此，難以被蝕刻之第1膜53成為光罩，凸部51之第2膜54的底層之部分被蝕刻。在由配線材料構成第1膜53時，係可比較輕易地形成寬度比凸部51之寬度更狹窄的配線。
(2)第1實施形態中之成膜方法的第2例 在第2例中，係藉由上述成膜裝置1，同時使用第1濺鍍粒子放出部12a與第2濺鍍粒子放出部12b而進行成膜。
具體而言，係如圖11所示般，一面使基板支撐部14上之基板W沿與X方向平行的方向即A方向或B方向移動，一面使濺鍍粒子從第1濺鍍粒子放出部12a的靶材30a及第2濺鍍粒子放出部12b的靶材30b斜向地放出。藉此，濺鍍粒子從兩方向斜向地入射至基板上W上，並沈積於基板W上。雖然亦可在沿A方向或B方向掃描基板W1次的期間結束成膜，但亦可一面沿A方向及B方向交互地進行掃描，一面從靶材30a、30b放出濺鍍粒子而進行成膜。
如此一來，從雙方向對基板W照射濺鍍粒子，藉此，可在一次成膜下，在如圖12所示般之溝槽圖案之凸部51的上部，於兩側形成懸垂之狀態的膜55。
此時，藉由使用如圖3所示般之濺鍍粒子遮蔽板18的方式，亦可輕易地進行濺鍍粒子之入射角度的調整，該濺鍍粒子遮蔽板18，係設置有2個通過孔19a、19b與該些周圍的翼片35a、35b。亦即，藉由調整翼片35a、35b之角度的方式，可調整濺鍍粒子的入射角度，且調整被形成於凹部51之上部之膜55的形狀等。
又，藉由改變2個靶材之配置或角度的方式，可對「濺鍍粒子相對於基板W之的平面角度及入射角度」進行各種變更，並可因應被形成於基板W的圖案進行各種膜形成。
例如，如圖13A般，將2個靶材30a、30b配置成與基板W之掃描方向垂直且彼此平行，藉此，可進行如圖12般的成膜。又，如圖13B般，將2個靶材30a、30b配置成相對於與基板W之掃描方向平行的線斜向且對稱，藉此，可將濺鍍粒子從基板之移動方向之一方側的2方向照射至基板W而進行成膜。
如以上般，藉由通過孔周圍的翼片所致之入射角度的調整與適當地調整靶材之配置及角度的方式，可進行成膜之控制。亦即，可對基板W的各種圖案，任意地控制形成膜的位置或膜的形狀等。
＜第2實施形態＞ 其次，說明關於第2實施形態。 圖14，係表示第2實施形態之成膜系統之一例的概略構成圖；圖15，係表示其第1成膜裝置的剖面圖。 該成膜系統100，係具有多角形的真空搬送室101。在真空搬送室101中，係經由閘閥G，彼此相對向地連接有第1成膜裝置102a及第2成膜裝置102b，在第1及第2成膜裝置102a、102b之間連接有基板旋轉室103。又，在真空搬送室101之基板旋轉室103的相反側，係經由閘閥G1連接有2個裝載鎖定室104。隔著真空搬送室101，在2個裝載鎖定室104之相反側，係設置有大氣搬送室105。2個裝載鎖定室104，係經由閘閥G2被連接於大氣搬送室105。裝載鎖定室104，係在大氣搬送室105與真空搬送室101之間搬送基板W之際，在大氣壓與真空之間進行壓力控制者。
在大氣搬送室105之與裝載鎖定室104的安裝壁部相反側之壁部，係具有3個載體安裝埠106，該載體安裝埠106，係安裝收容基板W的載體(FOUP等)C。又，在大氣搬送室105之側壁，係設置有旋轉基板W且進行對位的對位腔室107。在大氣搬送室105內，係形成有潔淨空氣之下降流。108，係載體C的平台。
在真空搬送室101內，係設置有第1基板搬送機構110。藉由真空搬送室101與第1基板搬送機構110構成基板搬送模組。第1基板搬送機構110，係對第1成膜裝置102a、第2成膜裝置102b、基板旋轉室103及裝載鎖定室104搬送基板W。
在大氣搬送室105內，係設置有第2基板搬送機構111。第2基板搬送機構111，係可對載體C、裝載鎖定室104、對位腔室107搬送晶圓W。
第1成膜裝置102a，係如圖15所示般，僅設置有濺鍍粒子放出部12a作為濺鍍粒子放出部，除了未設置濺鍍粒子放出部12b以外，其餘與第1實施形態的成膜裝置1相同構成。第2成膜裝置102b亦具有相同構成。
基板旋轉室103，係作為「使基板W在水平面內旋轉且變更基板之朝向的基板旋轉機構」而發揮功能者，具有與對位腔室107相同構成。
成膜系統100，係具有由電腦所構成的整體控制部115。整體控制部115，係具有：主控制部(CPU)，控制第1及第2成膜裝置102a、102b、基板旋轉室103、裝載鎖定室104、真空搬送室101、第1及第2基板搬送機構110、111、閘閥G、G1、G2的驅動系統等。又，整體控制部115，係具有輸入裝置、輸出裝置、顯示裝置、記憶裝置(記憶媒體)。整體控制部115之主控制部，係例如根據被記憶於記憶裝置之記憶媒體的處理配方，使成膜系統100執行預定動作。
在像這樣所構成的成膜系統100中，係使用第1及第2成膜裝置102a、102b，在凸部的兩側進行濺鍍成膜。
首先，藉由第2搬送機構111，從載體C取出基板W，在經由對位腔室107後，將其基板W搬入至任一個裝載鎖定室104內。而且，對其裝載鎖定室104內進行真空排氣。而且，藉由第1搬送機構110，將裝載鎖定室104內之基板W搬入至第1成膜裝置102a的腔室內。
在第1成膜裝置102a中，係一面使基板支撐部14上之基板W在腔室內沿水平方向的一方向移動，一面使濺鍍粒子從第1濺鍍粒子放出部12a的靶材30a斜向地放出。藉此，濺鍍粒子從一方向斜向地入射至基板W，如上述的圖6A所示般，在基板W之凸部51的一方側形成第1膜53。
其次，藉由第1搬送機構110，從第1成膜裝置102a之腔室搬出基板W，並搬送至基板旋轉室103，使基板W旋轉例如180°。
其次，藉由第1搬送機構110，將旋轉後之基板W搬入至第2成膜裝置102b的腔室內。
在第2成膜裝置102b中，係相同地，一面使基板支撐部14上之基板W在腔室內沿水平方向的一方向移動，一面使濺鍍粒子從第1濺鍍粒子放出部12a的靶材30a斜向地放出。藉此，濺鍍粒子從一方向斜向地入射至基板W。此時，由於基板W，係被旋轉(反轉)180°，因此，如上述的圖6B所示般，在凸部51之與第1膜53相反側形成有第2膜54。
交互地重複如以上般的第1成膜裝置102a所致之成膜與第2成膜裝置102b所致之成膜，藉此，如圖6C所示般，可使其在大致垂直方向進行膜成長。
如此一來，在本實施形態中，成膜系統，係具有：複數個處理裝置，可在腔室內，從至少一方向對基板斜向地進行濺鍍；搬送機構，在複數個處理裝置的腔室間搬送基板；及基板旋轉機構，使基板在面內旋轉。可藉由像這樣的構成，以1個成膜裝置對溝槽圖案之凸部的單側進行濺鍍，並以其他成膜裝置對凸部的另一方側進行濺鍍。藉此，可實現對溝槽圖案之凸部交互地進行濺鍍。
基板W之旋轉，係不必非要在真空搬送室101設置基板旋轉室103而進行，亦可在任一個成膜裝置的腔室內設置基板旋轉機構，或亦可藉由真空系統外的例如對位腔室107，使基板W旋轉。
又，基板旋轉室103等所致之基板W的旋轉角度，係不限於180°，可設定成任意角度。藉此，由於可使被形成於基板W上之圖案凸部的任意部位與成膜裝置之靶材對向，因此，可輕易地進行濺鍍部位的調整，且可提高膜之覆蓋力的自由度。因此，與固定配置有複數個調整了設置角度之靶材的情形相比，在調整寬度寬而且佔置空間或成本這樣的方面亦有利。
例如，可進行如圖16A、圖16B所示般的成膜。首先，如圖16A所示般，一面使基板W在平面視圖下往垂直之方向旋轉180°，一面對溝槽圖案的凸部61進行交互成膜，在長邊側形成膜62。其次，如圖16B所示般，使基板在基板旋轉室103旋轉90°，接著，一面使基板W在平面視圖下往平行之方向旋轉180°，一面對溝槽圖案的凸部61進行交互成膜，在短邊側形成膜62。藉此，可在凸部61整面進行成膜。
另外，在上述例中，雖係表示了關於「藉由第1成膜裝置102a，在凸部之一方側形成膜後，使基板在基板旋轉室103旋轉，並藉由第2成膜裝置102b，在凸部之另一方側形成膜」的情形，但在本實施形態中，係成膜裝置亦可為一個。例如，亦可僅設置第1成膜裝置102a作為成膜裝置。在該情況下，係可成為：藉由第1成膜裝置102a，在凸部之一方側形成膜後，使基板在基板旋轉室103旋轉，並再次藉由第1成膜裝置102a，在凸部之另一方側形成膜。
＜第3實施形態＞ 其次，說明關於第3實施形態。 圖17，係表示第3實施形態之成膜系統之一例的概略構成圖；圖18，係表示其第2成膜裝置的剖面圖。 該成膜系統100a，雖係基本上與使用於圖14所示之第2實施形態的成膜系統100相同，但不存在基板旋轉室103該點及具有不同於第2實施形態之第2成膜裝置102b’該點，係與成膜系統100不同。
第2成膜裝置102b’，係如圖18所示般，僅設置有濺鍍粒子放出部12b作為濺鍍粒子放出部，除了未設置濺鍍粒子放出部12a以外，其餘與第1實施形態的成膜裝置1相同構成。亦即，第2成膜裝置102b’，係濺鍍粒子可從與第1成膜裝置102a相反側的濺鍍粒子放出部被放出。
如此一來，使其在濺鍍粒子放出部的腔室內混合載置有複數個配置彼此相反的成膜裝置，並在該些之間搬送基板，藉此，不使基板旋轉即可對溝槽圖案的凸部實現交互濺鍍。藉此，可有助於成膜系統構成的簡單化、低佔置空間化、低成本化。
作為適宜的例子，可列舉出以下的例子。在靶材(濺鍍粒子放出部)被配置於基板之搬入搬出口(閘閥G)的相反側之第1成膜裝置102a中，係從搬入搬出口側往靶材側掃描基板W。另一方面，在靶材(濺鍍粒子放出部)被配置於搬入搬出口(閘閥G)側的第2成膜裝置102b’中，係從靶材側往搬入搬出口側掃描基板。藉由交互地進行該些的方式，不使用基板旋轉室即可對溝槽圖案的凸部進行適宜之交互成膜。亦即，第1成膜裝置102a與第2成膜裝置102b’，係基板W之掃描方向設成為彼此相對於搬入搬出口成相反方向較佳。
＜第4實施形態＞ 其次，說明關於第4實施形態。 圖19，係表示在第4實施形態中使用之成膜系統之一例的概略構成圖。 該成膜系統100b，雖係基本上與使用於圖14所示之第2實施形態的成膜系統100相同，但設置進行除了濺鍍成膜以外之處理的處理裝置120以代替第2成膜裝置102b該點，係與成膜系統100不同。
作為處理裝置120，係可列舉出加熱裝置、冷卻裝置、蝕刻裝置等。
如此一來，即便成膜裝置僅為一個第1成膜裝置102a，亦可在凸部之一方側進行成膜後，在基板旋轉室103旋轉基板W，並將基板W再次搬入至第1成膜裝置102a，在凸部之另一方側進行成膜。又，藉由設置了處理裝置120的方式，亦可在濺鍍處理前、處理中、處理後，因應所需來實施加熱、冷卻、蝕刻這樣的濺鍍成膜以外之處理。
另外，在本實施形態中，雖係成膜裝置及處理裝置只要為至少1個即可，但亦可設置複數個。在處理裝置為複數個的情況下，係亦可設置具有分別不同功能者。
＜第5實施形態＞ 其次，說明關於第5實施形態。 本實施形態之成膜系統，係具有複數個成膜裝置、直列設置的複數個真空搬送室(搬送模組)及設置於複數個真空搬送室之間的基板旋轉室(基板旋轉機構)，且串列地搬送基板者。
圖20，係表示在第5實施形態中使用之成膜系統之一例的概略構成圖。 該成膜系統100c，係與第2實施形態之成膜系統100相同地，具有安裝3個載體C的大氣搬送室105，在大氣搬送室105，係設置有2個裝載鎖定室104a、104b及對位腔室107。在大氣搬送室105內，係設置有第2搬送機構111。
裝載鎖定室104a、104b，係經由閘閥G1被連接於第1真空搬送室131a。又，在第1真空搬送室131a，係經由第1~第3基板旋轉室133a、133b及133c，串聯連接有第2真空搬送室131b、第3真空搬送室131c、第4真空搬送室131d。在第1~第4真空搬送室131a~131d內，係與成膜系統100之真空搬送室101相同地，設置有第1搬送機構110。
在第1真空搬送室131a，係於其兩側，經由閘閥G連接有2個成膜裝置132a、132b。又，第1基板旋轉室133a，係經由閘閥G3被連接於成膜裝置132a、132b，且經由閘閥G4被連接於第2真空搬送室131b。
在第2真空搬送室131b，係於其兩側，經由閘閥G連接有2個成膜裝置132c、132d。又，第2基板旋轉室133b，係經由閘閥G3被連接於成膜裝置132c、132d，且經由閘閥G4被連接於第3真空搬送室131c。
在第3真空搬送室131c，係於其兩側，經由閘閥G連接有2個成膜裝置132e、132f。又，第3基板旋轉室133c，係經由閘閥G3被連接於成膜裝置132e、132f，且經由閘閥G4被連接於第4真空搬送室131d。
在第4真空搬送室131d，係於其兩側，經由閘閥G連接有2個成膜裝置132g、132h。
另外，成膜裝置132a~132h，係皆具有相同構造，例如具有與第2實施形態之第1成膜裝置102a相同的構造。又，成膜裝置與基板旋轉室133a~133c之間的基板W之搬送，係亦可藉由第1搬送機構110來進行，或亦可在基板旋轉室133a~133c設置搬送機構而藉由其搬送機構來進行。而且，成膜系統100c，係具有與成膜系統100相同的整體控制部115。
在像這樣所構成的成膜系統100c中，係首先，藉由第2搬送機構111，從載體C取出基板W，並在經由對位腔室107後，將其基板W搬入至裝載鎖定室104a內。其次，對裝載鎖定室104a內進行真空排氣。而且，藉由第1真空搬送室131a的第1搬送機構110，將裝載鎖定室104a內之基板W搬入至成膜裝置132a的腔室內，進行一方側之成膜。其後，將基板W搬送至第1基板旋轉室133a，使基板W在第1基板旋轉室133a進行面內旋轉。其後，藉由第2真空搬送室131b的第1搬送機構110，以成膜裝置132c進行相反側之成膜。
如此一來，如圖20的虛線箭頭般，對複數個成膜裝置串列地搬送基板W且重複成膜處理。若成膜裝置132b中之成膜結束後，則藉由第1真空搬送室131a的第1搬送機構110，將基板W搬送至裝載鎖定室104b。而且，在使裝載鎖定室104回復至大氣壓後，藉由第2搬送機構111返回到載體C。
如此一來，一面夾著基板之旋轉，一面對複數個成膜裝置串列地搬送基板而進行成膜，藉此，可在凸部的兩側進行交互成膜。
藉由像這樣進行成膜的方式，由於各成膜裝置，係只要對溝槽圖案之凸部的單側進行濺鍍成膜即可，因此，各成膜裝置中之處理時間，係變得比對凸部之兩側進行濺鍍成膜的情形更短。因此，可抑制串列地搬送基板W之際之基板W的滯留。
另外，亦可將基板旋轉室之一部分置換成進行加熱裝置、冷卻裝置、蝕刻裝置等的處理裝置。例如，亦可將第3基板旋轉室133c置換成加熱裝置，且在某成膜裝置中的成膜與後續之成膜裝置中的成膜之間進行加熱處理。
＜其他應用＞ 以上，雖說明了關於實施形態，但此次所揭示之實施形態，係所有的要點均為例示，不應被認為限制性之內容。上述之實施形態，係亦可不脫離添附之申請專利範圍及其主旨，以各種形態進行省略、置換、變更。
例如，上述實施形態之使濺鍍粒子放出的手法為例示，亦可藉由其他方法來使濺鍍粒子放出。
又，在第1實施形態中，雖係表示了設置有2個靶材(濺鍍粒子放出部)的例子，但亦可為3個以上。在上述第1實施形態中，雖係表示了「當交互成膜之際，在將基板沿一方向移動的期間，濺鍍粒子從一個靶材放出」的情形，但亦可一面使基板沿一方向移動，一面使濺鍍粒子從2個靶材交互地放出。而且，在上述第1實施形態中，雖係使用了多關節臂機構作為基板移動機構，但並不限於此，只要為皮帶運送機等、可直線地移動基板者即可。在使用了皮帶運送機的情況下，係皮帶運送機兼作為基板支撐部與基板移動機構。
而且，關於上述第2~第5實施形態之成膜系統亦只是例示。例如，在第2實施形態中，係只要成膜裝置為至少1個即可，又，在第3實施形態中，係亦可為第1成膜裝置102a與第2成膜裝置102b’的任一或兩者為2個以上。而且，在第4實施形態中，係亦可為成膜裝置的任一或兩者為2個以上。再者，在上述第2~第5實施形態中，雖係表示了「一個用以斜向地進行成膜之濺鍍粒子放出部作為成膜裝置」的情形，但濺鍍粒子放出部亦可為複數個。
1:成膜裝置 10:處理腔室 12a，12b:濺鍍粒子放出部 14:基板支撐部 16:基板移動機構 18:濺鍍粒子遮蔽板 19，19a，19b:通過孔 22:氣體導入埠 30a，30b:靶材 35a，35b:翼片 40:控制部 100，100a，100b，100c:成膜系統 101，101a~101d:真空搬送室 102a，102b、102b’，132a~132h:成膜裝置 103:基板旋轉室(基板旋轉機構) 110:第1基板搬送機構 120:處理裝置 W:基板
[圖1]表示一實施形態之成膜裝置的縱剖面圖。 [圖2]依圖1之II-II線的水平剖面圖。 [圖3]表示濺鍍粒子遮蔽板之其他例的剖面圖。 [圖4A]用以說明使用了一實施形態之成膜裝置之成膜方法之第1例之實施狀態的示意圖。 [圖4B]用以說明使用了一實施形態之成膜裝置之成膜方法之第1例之實施狀態的示意圖。 [圖4C]用以說明使用了一實施形態之成膜裝置之成膜方法之第1例之實施狀態的示意圖。 [圖4D]用以說明使用了一實施形態之成膜裝置之成膜方法之第1例之實施狀態的示意圖。 [圖5]表示可應用於成膜方法之具有溝槽圖案之基板的剖面圖。 [圖6A]表示在成膜方法的第1例中，對具有圖5之溝槽圖案的基板進行了第1成膜之際之狀態的剖面圖。 [圖6B]表示對進行第1成膜後之圖6A之狀態的基板進行了第2成膜之際之狀態的剖面圖。 [圖6C]表示在成膜方法的第1例中，重複第1成膜與第2成膜而於垂直方向進行膜成長之狀態的剖面圖。 [圖7]表示在成膜方法的第1例中，在重複第1成膜與第2成膜之際，使第1成膜時的輸出大於第2成膜時的輸出之際之膜成長之狀態的剖面圖。 [圖8]表示具有2個通過孔與被設置於該些周圍且角度彼此不同之2個翼片之遮蔽板的剖面圖。 [圖9]表示使用圖8之遮蔽板，重複第1成膜與第2成膜而進行成膜之狀態的剖面圖。 [圖10A]示意地表示以蝕刻選擇性不同之材料構成2個靶材，並以不同之材料形成了與圖6C相同的層積構造之情形的剖面圖。 [圖10B]表示從圖10A的構造進行蝕刻，將難以被蝕刻之一方之材料的膜作為光罩，對另一方之材料的膜及凸部的一部分進行了蝕刻之狀態的剖面圖。 [圖11]用以說明使用了一實施形態之成膜裝置之成膜方法之第2例之實施狀態的示意圖。 [圖12]表示藉由成膜方法的第2例，對具有圖5之溝槽圖案的基板形成了膜之狀態的剖面圖。 [圖13A]表示2個靶材之配置之一例的圖。 [圖13B]表示2個靶材之配置之其他例的圖。 [圖14]表示第2實施形態之成膜系統之一例的概略構成圖。 [圖15]表示圖14之成膜系統之第1成膜裝置的剖面圖。 [圖16A]表示在第2實施形態中，改變基板之旋轉角度而進行了成膜之例子的圖。 [圖16B]表示在第2實施形態中，改變基板之旋轉角度而進行了成膜之例子的圖。 [圖17]表示第3實施形態之成膜系統之一例的概略構成圖。 [圖18]表示圖17之成膜系統之第2成膜裝置的剖面圖。 [圖19]表示第4實施形態之成膜系統之一例的概略構成圖。 [圖20]表示第5實施形態之成膜系統之一例的概略構成圖。
1:成膜裝置
10:處理腔室
10a:腔室本體
10b:蓋體
12a:第1濺鍍粒子放出部
12b:第2濺鍍粒子放出部
14:基板支撐部
16:基板移動機構
18:濺鍍粒子遮蔽板
19:通過孔
20:排氣裝置
21:排氣口
22:氣體導入埠
23:搬入搬出口
24:閘閥
26a:靶材保持器
26b:靶材保持器
28a:電源
28b:電源
30a:靶材
30b:靶材
31:支撐銷
32:多關節臂部
33:驅動部
40:控制部
50:搬送腔室
S:處理空間
S1:第1空間
S2:第2空間
W:基板

Claims (36)

  1. 一種成膜裝置，其特徵係，具備有： 處理腔室，規定對基板進行成膜處理的處理空間； 第1濺鍍粒子放出部及第2濺鍍粒子放出部，在前述處理空間中，分別具有使濺鍍粒子往彼此不同之傾斜方向放出的靶材； 濺鍍粒子遮蔽板，具有前述濺鍍粒子通過的通過孔，該前述濺鍍粒子，係從前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部所放出； 基板支撐部，隔著前述處理空間之前述濺鍍粒子遮蔽板，被設置於與前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部相反的一側，且支撐基板； 基板移動機構，使被支撐於前述基板支撐部之基板直線地移動；及 控制部，控制前述第1濺鍍粒子放出部、前述第2濺鍍粒子放出部及前述基板移動機構， 前述控制部，係一面以藉由前述基板移動機構來使前述基板直線地移動的方式進行控制，一面控制來自前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部之濺鍍粒子的放出， 從前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部所放出的前述濺鍍粒子，係通過前述通過孔而沈積於前述基板上。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中，更具有： 氣體導入部，將濺鍍氣體導入至前述處理腔室內， 前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部，係分別具有保持前述靶材的靶材保持器與將電壓施加至前述靶材保持器的電源，藉由從前述電源將電壓施加至前述靶材保持器的方式，前述濺鍍氣體解離所形成之離子會撞擊前述靶材而放出濺鍍粒子。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之成膜裝置，其中， 前述濺鍍粒子遮蔽板，係具有：第1通過孔，使從前述第1濺鍍粒子放出部所放出的濺鍍粒子通過；第2通過孔，使從前述第2濺鍍粒子放出部所放出的濺鍍粒子通過；第1翼片，被設置於前述第1通過孔的周圍，且以預定角度導引濺鍍粒子；及第2翼片，被設置於前述第2通過孔的周圍，且以預定角度導引濺鍍粒子。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之成膜裝置，其中， 前述控制部，係以交互地進行第1成膜與第2成膜1次以上的方式來進行控制，該第1成膜，係使濺鍍粒子從前述第1濺鍍粒子放出部放出，在基板上形成第1膜，該第2成膜，係使濺鍍粒子從前述第2濺鍍粒子放出部放出，在基板上形成第2膜。
  5. 如申請專利範圍第4項之成膜裝置，其中， 前述控制部，係在使濺鍍粒子從前述第1濺鍍粒子放出部放出的期間，使前述基板移動機構進行使前述基板沿第1方向移動，並在使濺鍍粒子從前述第2濺鍍粒子放出部放出的期間，使前述基板移動機構進行使前述基板沿與前述第1方向相反方向即第2方向移動。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之成膜裝置，其中， 前述控制部，係使濺鍍粒子的放出輸出在前述第1濺鍍粒子放出部與前述第2濺鍍粒子放出部不同。
  7. 如申請專利範圍第4~6項中任一項之成膜裝置，其中， 「從前述第1濺鍍粒子放出部所放出而入射至前述基板之濺鍍粒子」的角度與「從前述第2濺鍍粒子放出部所放出而入射至前述基板之濺鍍粒子」的角度不同。
  8. 如申請專利範圍第4~7項中任一項之成膜裝置，其中， 前述第1濺鍍粒子放出部之前述靶材與前述第2濺鍍粒子放出部之前述靶材，係由彼此不同的材料所形成，形成於前述基板上之前述第1膜與前述第2膜，係由不同的材料所形成。
  9. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之成膜裝置，其中， 前述控制部，係以下述方式來進行控制：使濺鍍粒子從前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部同時放出而進行成膜。
  10. 如申請專利範圍第9項之成膜裝置，其中， 藉由「調整前述第1濺鍍粒子放出部之前述靶材的配置及角度，和從前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部所放出而入射至前述基板之濺鍍粒子的角度」之方式，進行成膜的控制。
  11. 一種成膜方法，係藉由成膜裝置形成預定膜，該成膜方法，其特徵係， 前述成膜裝置，係具備有： 處理腔室，規定對基板進行成膜處理的處理空間； 第1濺鍍粒子放出部及第2濺鍍粒子放出部，在前述處理空間中，分別具有使濺鍍粒子往彼此不同之傾斜方向放出的靶材； 濺鍍粒子遮蔽板，具有前述濺鍍粒子通過的通過孔，該前述濺鍍粒子，係從前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部所放出； 基板支撐部，隔著前述處理空間之前述濺鍍粒子遮蔽板，被設置於與前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部相反的一側，且支撐基板；及 基板移動機構，使被支撐於前述基板支撐部之基板直線地移動， 並具有： 使基板支撐於前述基板支撐部的工程； 使前述基板直線地移動的工程； 在前述基板移動的期間，使濺鍍粒子從前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部放出的工程；及 使從前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部所放出之濺鍍粒子經由前述通過孔入射至前述基板而進行成膜的工程。
  12. 如申請專利範圍第11項之成膜方法，其中， 前述使濺鍍粒子放出之工程，係交互地進行「來自前述第1濺鍍粒子放出部之濺鍍粒子的放出與來自前述第2濺鍍粒子放出部之濺鍍粒子的放出」1次以上， 前述進行成膜之工程，係交互地進行第1成膜與第2成膜1次以上，該第1成膜，係藉由從前述第1濺鍍粒子放出部所放出的濺鍍粒子，在基板上形成第1膜，該第2成膜，係藉由從前述第2濺鍍粒子放出部所放出的濺鍍粒子，在基板上形成第2膜。
  13. 如申請專利範圍第12項之成膜方法，其中， 在使濺鍍粒子從前述第1濺鍍粒子放出部放出的期間，前述基板移動機構使前述基板沿第1方向移動，在使濺鍍粒子從前述第2濺鍍粒子放出部放出的期間，前述基板移動機構使前述基板沿與前述第1方向相反方向即第2方向移動。
  14. 如申請專利範圍第11~13項中任一項之成膜方法，其中， 使濺鍍粒子的放出輸出在前述第1濺鍍粒子放出部與前述第2濺鍍粒子放出部不同，並控制被形成於前述基板之前述第1膜及前述第2膜的成長方向。
  15. 如申請專利範圍第11~14項中任一項之成膜方法，其中， 使「從前述第1濺鍍粒子放出部所放出而入射至前述基板之濺鍍粒子」的角度與「從前述第2濺鍍粒子放出部所放出而入射至前述基板之濺鍍粒子」的角度不同，並控制被形成於前述基板之前述第1膜及前述第2膜的成長方向。
  16. 如申請專利範圍第11~15項中任一項之成膜方法，其中， 由彼此不同的材料形成前述第1濺鍍粒子放出部之前述靶材與前述第2濺鍍粒子放出部之前述靶材，並由不同的材料形成被形成於前述基板上之前述第1膜與前述第2膜。
  17. 如申請專利範圍第11項之成膜方法，其中， 前述使濺鍍粒子放出之工程，係同時進行「來自前述第1濺鍍粒子放出部之濺鍍粒子的放出與來自前述第2濺鍍粒子放出部之濺鍍粒子的放出」， 前述進行成膜之工程，係藉由從前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部所同時放出的濺鍍粒子，在基板上形成膜。
  18. 如申請專利範圍第17項之成膜方法，其中， 前述進行成膜之工程，係藉由「調整前述第1濺鍍粒子放出部之前述靶材的配置及角度，和從前述第1濺鍍粒子放出部及前述第2濺鍍粒子放出部所放出而入射至前述基板之濺鍍粒子的角度」之方式來控制。
  19. 一種成膜系統，其特徵係，具有： 至少一個成膜裝置，具有使濺鍍粒子斜向地放出的濺鍍粒子放出部，一面使基板沿一方向直線地移動，一面使濺鍍粒子從前述濺鍍粒子放出部放出，對基板進行濺鍍成膜； 基板搬送模組，將基板搬送至前述成膜裝置；及 基板旋轉機構，使基板在面內旋轉。
  20. 如申請專利範圍第19項之成膜系統，其中， 具有至少2個前述成膜裝置，在以前述成膜裝置中之一者進行成膜後，使基板在前述基板旋轉機構進行面內旋轉，並藉由前述基板搬送模組，搬送至前述成膜裝置中之另一者。
  21. 如申請專利範圍第19項之成膜系統，其中， 被構成為具有複數個前述成膜裝置，藉由前述搬送模組，對前述複數個成膜裝置串列地搬送基板，前述基板旋轉機構，係被構成為以交互地切換前述複數個成膜裝置所致之成膜的朝向之方式，使基板旋轉。
  22. 如申請專利範圍第19~21項中任一項之成膜系統，其中，更具有： 處理裝置，進行除了成膜以外的處理。
  23. 如申請專利範圍第19~22項中任一項之成膜系統，其中， 前述基板旋轉機構，係被連接於前述搬送模組。
  24. 如申請專利範圍第19~22項中任一項之成膜系統，其中， 前述基板旋轉機構，係被設置於前述成膜裝置內。
  25. 如申請專利範圍第19~24項中任一項之成膜系統，其中， 前述基板旋轉機構，係以使基板之旋轉角度成為180°的方式，使其旋轉。
  26. 如申請專利範圍第19~24項中任一項之成膜系統，其中， 前述基板旋轉機構，係以使基板之旋轉角度成為任意角度的方式，使其旋轉。
  27. 一種成膜系統，其特徵係，具有： 第1成膜裝置，具有使濺鍍粒子沿斜向之第1方向放出的第1濺鍍粒子放出部，一面使基板沿第3方向直線地移動，一面使濺鍍粒子從前述第1濺鍍粒子放出部放出，對基板進行濺鍍成膜； 第2成膜裝置，具有使濺鍍粒子沿與第1方向為反向之第2方向放出的第2濺鍍粒子放出部，一面使基板沿第4方向直線地移動，一面使濺鍍粒子從前述第2濺鍍粒子放出部放出，對基板進行濺鍍成膜；及 搬送模組，在前述第1成膜裝置與前述第2成膜裝置之間搬送基板。
  28. 如申請專利範圍第27項之成膜系統，其中， 前述第1成膜裝置之前述第3方向與前述第2成膜裝置之前述第4方向，係彼此相對於搬入搬出口成相反方向，該搬入搬出口，係藉由前述搬送模組，搬入及搬出基板。
  29. 一種成膜方法，係藉由成膜系統形成預定膜，該成膜方法，其特徵係， 前述成膜系統，係具有： 至少一個成膜裝置，具有使濺鍍粒子斜向地放出的濺鍍粒子放出部，一面使基板沿一方向直線地移動，一面使濺鍍粒子從前述濺鍍粒子放出部放出，對基板進行濺鍍成膜； 基板搬送模組，將基板搬送至前述成膜裝置；及 基板旋轉機構，使基板在面內旋轉， 更具有： 藉由前述成膜裝置，對基板進行第1成膜的工程； 藉由前述搬送模組，將前述基板從前述成膜裝置之腔室搬出的工程； 藉由前述基板旋轉機構，使前述基板進行面內旋轉的工程； 藉由前述搬送模組，將前述經面內旋轉之前述基板搬送至前述成膜裝置或其他成膜裝置的工程；及 藉由所搬送之前述成膜裝置，進行第2成膜的工程。
  30. 如申請專利範圍第29項之成膜方法，其中， 前述成膜系統，係具有至少2個前述成膜裝置，進行前述第1成膜之工程，係藉由前述成膜裝置中之一者來進行，進行前述第2成膜之工程，係藉由前述成膜裝置中之另一者來進行。
  31. 如申請專利範圍第29項之成膜方法，其中， 前述成膜系統，係被構成為具有複數個前述成膜裝置，藉由前述搬送模組，對前述複數個成膜裝置串列地搬送基板，前述基板旋轉機構，係被構成為以交互地切換前述複數個成膜裝置所致之成膜的朝向之方式，使基板旋轉。
  32. 如申請專利範圍第29~31項中任一項之成膜方法，其中， 前述成膜系統，係更具有：處理裝置，進行除了成膜以外的處理， 更具有如下述工程：在前述第1成膜工程及/或前述第2成膜工程之前、其中途或其後，藉由前述處理裝置，進行除了成膜以外的處理。
  33. 如申請專利範圍第29~32項中任一項之成膜方法，其中， 前述使基板進行面內旋轉之工程，係藉由前述基板旋轉機構，以使基板之旋轉角度成為180°的方式，使其旋轉。
  34. 如申請專利範圍第29~32項中任一項之成膜方法，其中， 前述使基板進行面內旋轉之工程，係藉由前述基板旋轉機構，以使基板之旋轉角度成為任意角度的方式，使其旋轉。
  35. 一種成膜方法，係藉由成膜系統形成預定膜，該成膜方法，其特徵係， 前述成膜系統，係具有： 第1成膜裝置，具有使濺鍍粒子沿斜向之第1方向放出的第1濺鍍粒子放出部，一面使基板沿第3方向直線地移動，一面使濺鍍粒子從前述第1濺鍍粒子放出部放出，對基板進行濺鍍成膜； 第2成膜裝置，具有使濺鍍粒子沿與第1方向為反向之第2方向放出的第2濺鍍粒子放出部，一面使基板沿第4方向直線地移動，一面使濺鍍粒子從前述第2濺鍍粒子放出部放出，對基板進行濺鍍成膜；及 搬送模組，在前述第1成膜裝置與前述第2成膜裝置之間搬送基板， 並具有： 「藉由前述第1成膜裝置，使基板沿第3方向直線地移動，一面使濺鍍粒子從前述第1濺鍍粒子放出部放出，對基板進行第1濺鍍成膜」的工程； 「藉由前述搬送模組，將基板搬送至前述第2成膜裝置」的工程；及 「藉由前述第2成膜裝置，使基板沿第4方向直線地移動，一面使濺鍍粒子從前述第2濺鍍粒子放出部放出，對基板進行第2濺鍍成膜」的工程。
  36. 如申請專利範圍第35項之成膜方法，其中， 前述第1成膜裝置之前述第3方向與前述第2成膜裝置之前述第4方向，係彼此相對於搬入搬出口成相反方向，該搬入搬出口，係藉由前述搬送模組，搬入及搬出基板。
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