JP7418306B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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Description
11;SiN膜
12;SiO2膜
13;芯材
14a;第1のライン材
14b;第2のライン材
15;マスク材
16;充填材
17;SOG層
18;レジスト層
19;ラインマスク
19a;ホール
20;STI溝形成用パターン
100;成膜装置
110;チャンバ
112;ターゲットホルダ
114;電源
118;スパッタ粒子遮蔽板
118a;通過孔
120;排気装置
122;ガス導入部
124;ターゲット
W;基板
Claims (14)
- 基板にパターンを形成するパターン形成方法であって、
基体上に、凸状かつライン状に設けられた複数の芯材と、前記芯材の一方側および他方側にそれぞれ凸状かつライン状に設けられた第1のライン材および第2のライン材とが形成された基板を準備することと、
異方的な成膜を含む処理により、前記第1のライン材および前記第2のライン材のいずれかに選択的にマスク材を形成することと、
ラインカットする領域に対応する部分にライン状のホールを有するラインマスクを用いたエッチングを含む処理により、当該領域における前記第1のライン材および前記第2のライン材のうち、前記マスク材が形成されていない側をエッチング除去することと、
前記芯材を除去することと、
を有し、
前記第1のライン材および前記第2のライン材のいずれかに選択的にマスク材を形成することは、
前記異方的な成膜により、前記第1のライン材および前記第2のライン材のいずれか、および前記芯材上にマスク材を形成することと、
全面に充填材を形成した後、エッチバックまたはCMPにより前記芯材上のマスク材を除去し、前記第1のライン材および前記第2のライン材のいずれかのみに前記マスク材を残存させることと、
を含む、パターン形成方法。 - 前記第1のライン材および前記第2のライン材のうち、前記マスク材が形成されていない側をエッチングすることは、
全面に充填材および第1のマスク層および第2のマスク層を形成することと、
前記ラインマスクを用いたエッチングにより、前記ラインカットする領域の前記第2のマスク層をエッチング除去することと、
前記第2のマスク層をマスクとして、前記ラインカットする領域の前記第1のマスク層、前記充填材、および前記第1のライン材および前記第2のライン材のいずれかをエッチング除去することと、
を含む、請求項1に記載のパターン形成方法。 - 基板にパターンを形成するパターン形成方法であって、
基体上に、凸状かつライン状に設けられた複数の芯材と、前記芯材の一方側および他方側にそれぞれ凸状かつライン状に設けられた第1のライン材および第2のライン材とが形成された基板を準備することと、
異方的な成膜を含む処理により、前記第2のライン材に選択的にマスク材を形成することと、
前記第1のライン材をラインカットする領域に対応する部分にライン状のホールを有するラインマスクを用いたエッチングを含む処理により、当該領域における前記第1のライン材をエッチング除去することと、
異方的な成膜を含む処理により、前記第1のライン材に選択的にマスクを形成することと、
前記第2のライン材のラインカットする領域に対応する部分にライン状のホールを有するラインマスクを用いたエッチングを含む処理により、当該領域における前記第2のライン材をエッチング除去することと、
前記芯材を除去することと、
を有し、
前記第2のライン材に選択的にマスクを形成することは、
前記異方的な成膜により、前記第2のライン材および前記芯材上にマスク材を形成することと、
全面に充填材を形成した後、エッチバックまたはCMPにより前記芯材上のマスク材を除去し、前記第2のライン材のみに前記マスク材を残存させることと、
を含む、パターン形成方法。 - STI溝形成用のパターンを形成する、請求項3に記載のパターン形成方法。
- 前記第1のライン材をエッチング除去することは、
全面に充填材および第1のマスク層および第2のマスク層を形成することと、
前記ラインマスクを用いたエッチングにより、前記第1のライン材をラインカットする領域の前記第2のマスク層をエッチング除去することと、
前記第2のマスク層をマスクとして、前記第1のライン材をラインカットする領域の前記第1のマスク層、前記充填材、および前記第1のライン材をエッチング除去することと、
を含む、請求項3または請求項4に記載のパターン形成方法。 - 前記第1のライン材に選択的にマスクを形成することは、
前記異方的な成膜により、前記第1のライン材および前記芯材上にマスク材を形成することと、
全面に充填材を形成した後、エッチバックまたはCMPにより前記芯材上のマスク材を除去し、前記第1のライン材のみに前記マスク材を残存させることと、
を含む、請求項3から請求項5のいずれか一項に記載のパターン形成方法。 - 前記第2のライン材をエッチング除去することは、
全面に充填材および第1のマスク層および第2のマスク層を形成することと、
前記ラインマスクを用いたエッチングにより、前記第2のライン材をラインカットする領域の前記第2のマスク層をエッチング除去することと、
前記第2のマスク層をマスクとして、前記第2のライン材をラインカットする領域の前記第1のマスク層、前記充填材、および前記第2のライン材をエッチング除去することと、
を含む、請求項3から請求項6のいずれか一項に記載のパターン形成方法。 - 前記異方的な成膜は、基板に対して斜め方向に成膜粒子を供給する斜め成膜である、請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
- 前記斜め成膜は、傾斜して配置されたターゲットから斜めに放出されるスパッタ粒子を、移動する基板上に堆積させるスパッタリングである、請求項8に記載のパターン形成方法。
- 前記芯材、前記第1および第2のライン材、ならびに前記マスク材として、Si、Ti、Zr、Al、W、WC、WSi、Hf、SiC、C、Ta、これらの酸化物、窒化物からなる群から適宜選択されたものが用いられる、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
- 前記芯材、前記第1および第2のライン材、ならびに前記マスク材として、SiO2、SiN、Si、TiN、W、WSi、WCからなる群から選択されたものが用いられる、請求項10に記載のパターン形成方法。
- 前記芯材はSiで形成され、前記第1および第2のライン材はSiNで形成され、前記マスク材はTiNまたはSiO2で形成されている、請求項11に記載のパターン形成方法。
- 前記芯材、前記第1のライン材、および前記第2のライン材は、前記基体上に転写層を介して設けられる、請求項1から請求項12のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
- 前記転写層として、SiN膜およびSiO2膜を有する、請求項13に記載のパターン形成方法。
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