TWI771083B - 具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，包括一腔室主體、一承載盤及一對開式遮蔽構件，其中承載盤及部分的對開式遮蔽構件位於腔室主體內。腔室主體包括一反應腔體及兩個感測區，其中兩個感測區連接反應腔體，且感測區的厚度小於反應腔體。對開式遮蔽構件包括一第一遮蔽板、一第二遮蔽板及一驅動裝置，其中驅動裝置驅動第一及第二遮蔽板朝相反方向擺動。在進行沉積製程時第一及第二遮蔽板會相互遠離，其中部分的第一及第二遮蔽板位於感測區內。在進行清潔製程時第一及第二遮蔽板會相互靠近，並切換為遮蔽狀態以遮蔽承載盤。

Description

具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備
本發明有關於一種具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，主要透過對開式遮蔽構件遮擋承載盤，以避免在清潔處理腔室的過程中汙染承載盤。
化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)及原子層沉積(ALD)皆是常用的薄膜沉積設備，並普遍被使用在積體電路、發光二極體及顯示器等製程中。
沉積設備主要包括一腔體及一晶圓承載盤，其中晶圓承載盤位於腔體內，並用以承載至少一晶圓。以物理氣相沉積為例，腔體內需要設置一靶材，其中靶材面對晶圓承載盤上的晶圓。在進行物理氣相沉積時，可將惰性氣體及/或反應氣體輸送至腔體內，分別對靶材及晶圓承載盤施加偏壓，並透過晶圓承載盤加熱承載的晶圓。
腔體內的惰性氣體因為高壓電場的作用，形成離子化的惰性氣體，離子化的惰性氣體會受到靶材上的偏壓吸引而轟擊靶材。從靶材濺出的靶材原子或分子受到晶圓承載盤上的偏壓吸引，並沉積在加熱的晶圓的表面，以在晶圓的表面形成薄膜。
在經過一段時間的使用後，腔體的內表面會形成沉積薄膜，因此需要週期性的清潔腔體，以避免沉積薄膜在製程中掉落，進而汙染晶圓。此外靶材的表面亦可能形成氧化物或其他汙染物，因此同樣需要週期性的清潔靶材。一般而言，通常會透過預燒(burn-in)製程，以電漿離子撞擊腔體內的靶材，以去除靶材表面的氧化物或其他汙染物。
在進行上述清潔腔體及靶材時，需要將腔體內的晶圓承載盤及晶圓取出，或者隔離晶圓承載盤，以避免清潔過程中汙染晶圓承載盤及晶圓。
一般而言，薄膜沉積設備在經過一段時間的使用後，通常需要進行清潔，以去除腔室內沉積的薄膜及靶材上的氧化物或氮化物。在清潔的過程中產生的微粒會汙染承載盤，因此需要隔離承載盤及汙染物。本發明提出一種具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，主要透過驅動裝置帶動兩個遮蔽板朝相反方向擺動，使得兩個遮蔽板操作在一開啟狀態及一遮蔽狀態。操作在遮蔽狀態的遮蔽板可用以遮蔽承載盤，以避免清潔腔體或靶材時產生的微粒汙染承載盤。
本發明的一目的，在於提供一種具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，主要包括一腔室主體、一承載盤及一對開式遮蔽構件，其中承載盤及部分的對開式遮蔽構件位於腔室主體內。腔室主體包括一反應腔體及兩個感測區，兩個感測區連接反應腔體，其中兩個感測區的感測空間流體連接反應腔體的容置空間。
對開式遮蔽構件包括一驅動裝置及兩個遮蔽板，其中驅動裝置連接並驅動兩個遮蔽板分別朝相反方向擺動，使得兩個遮蔽板操作在一開啟狀態及一遮蔽狀態。在清潔反應腔體時，驅動裝置帶動兩個遮蔽板以擺動的方式相互靠近，使得兩個遮蔽板相連接並遮擋容置空間內的承載盤，以避免清潔過程中使用的電漿或產生的污染接觸承載盤及/或其承載的基板。在進行沉積製程時，驅動裝置帶動兩個遮蔽板以擺動的方式相互遠離，並可對反應腔體內的基板進行薄膜沉積。
操作在開啟狀態的兩個遮蔽板會相互遠離，其中部分遮蔽板會進入腔室主體的兩個感測區。兩個感測區內分別設置至少一位置感測單元，分別用以感測進入感測區的遮蔽板，以確定兩個遮蔽板操作在開啟狀態。
本發明的一目的，在於提供一種具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，主要透過兩個遮蔽板構成一個完整的遮蔽件，可縮小收納遮蔽板需要的空間。在本發明一實施例中，兩個遮蔽板可以在腔室主體內進行相反方向的擺動或轉動，其中腔室主體包括一反應腔體及兩個感測區。操作在遮蔽狀態的兩個遮蔽板會位在反應腔體的容置空間內，並用以遮擋容置空間內的承載座。操作在開啟狀態的兩個遮蔽板則會部份進入感測區，並可透過設置在感測區內的位置感測單元感測遮蔽板，以確認兩個遮蔽板操作在開啟狀態。
在確定兩個遮蔽板皆操作在開啟狀態後，才會驅動承載盤朝靶材的方向位移，並對承載盤上的基板進行薄膜沉積。透過上述的動作可確保承載盤朝靶材位移時不會碰撞遮蔽板，以避免造成承載盤及遮蔽板的損壞。
本發明的一目的，在於提供一種具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，主要透過兩個遮蔽板構成一個完整的遮蔽件，可縮小收納遮蔽板需要的空間，並可簡化腔室主體的構造及縮小腔室主體的體積。
本發明的一目的，在於提供一種具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，其中驅動裝置透過兩個連接臂分別連接及承載兩個遮蔽板，以降低連接臂的負重。此外亦可進一步使用厚度較大的遮蔽板，以防止遮蔽板在清潔薄膜沉積設備時發生高溫變形，並有利於提高遮蔽板遮擋承載盤的效果。
為了達到上述的目的，本發明提出一種具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，包括：一腔室主體，包括：一反應腔體，包括一容置空間；兩個感測區，連接反應腔體，並分別包括一感測空間流體連接容置空間，其中兩個感測區的厚度小於反應腔體；一承載盤，位於容置空間內，並用以承載至少一基板；及一對開式遮蔽構件，包括：一第一遮蔽板；一第二遮蔽板；及一驅動裝置，連接第一遮蔽板及第二遮蔽板，並分別驅動第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反的方向擺動，使得第一遮蔽板及第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換，其中操作在開啟狀態的部分第一遮蔽板及部分第二遮蔽板分別位於兩個感測區的感測空間，而操作在遮蔽狀態的第一遮蔽板及第二遮蔽板則位於容置空間內，並用以遮擋承載盤。
所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，其中驅動裝置包括一軸封裝置及至少一驅動馬達，驅動馬達透過軸封裝置連接第一遮蔽板及第二遮蔽板。
所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，其中軸封裝置包括一外管體及一軸體，外管體包括一空間用以容置軸體，驅動馬達透過外管體連接第一遮蔽板，透過軸體連接第二遮蔽板，並同步驅動軸體及外管體朝相反的方向轉動。
所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，包括一第一連接臂及一第二連接臂，外管體透過第一連接臂連接第一遮蔽板，而軸體則透過第二連接臂連接第二遮蔽板。
所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，包括兩個位置感測單元分別設置於兩個感測區，並分別用以感測進入兩個感測空間的第一遮蔽板及第二遮蔽板。
所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，其中位置感測單元包括一發射器及一接收器，分別設置在感測區相面對的兩個表面，並用以感測進入感測空間的第一遮蔽板及第二遮蔽板。
所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，其中第一遮蔽板及第二遮蔽板操作在開啟狀態，且位於感測空間內的第一遮蔽板及第二遮蔽板的面積小於位於容置空間內的第一遮蔽板及第二遮蔽板的面積。
所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，其中第一遮蔽板及第二遮蔽板操作在遮蔽狀態，部分第一遮蔽板與部分第二遮蔽板重疊。
所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，包括一靶材設置在容置空間內並面對承載盤，處在遮蔽狀態的第一遮蔽板及第二遮蔽板位於靶材及承載盤之間。
所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，其中對開式遮蔽構件的驅動裝置設置在容置空間的一頂角。
10:具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備
100:對開式遮蔽構件
11:腔室主體
110:反應腔體
111:擋件
112:開口
113:感測區
12:容置空間
120:感測空間
121:清潔空間
13:承載盤
141:第一連接臂
143:第二連接臂
15:遮蔽件
151:第一遮蔽板
152:間隔空間
153:第二遮蔽板
161:靶材
163:基板
17:驅動裝置
171:驅動馬達
173:軸封裝置
1731:外管體
1732:空間
1733:軸體
19:位置感測單元
191:發射器
193:接收器
[圖1]為本發明具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備操作在遮蔽狀態一實施例的側面剖面示意圖。
[圖2]為本發明薄膜沉積設備的對開式遮蔽構件操作在開啟狀態一實施例的立體示意圖。
[圖3]為本發明薄膜沉積設備的對開式遮蔽構件操作在遮蔽狀態一實施例的立體示意圖。
[圖4]為本發明對開式遮蔽構件的驅動裝置一實施例的立體剖面示意圖。
[圖5]為本發明薄膜沉積設備操作在開啟狀態一實施例的俯視圖。
[圖6]為本發明薄膜沉積設備操作在遮蔽狀態一實施例的俯視圖。
[圖7]為本發明薄膜沉積設備的對開式遮蔽構件操作在開啟狀態一實施例的剖面示意圖。
[圖8]為本發明薄膜沉積設備的對開式遮蔽構件操作在遮蔽狀態一實施例的剖面示意圖。
[圖9]為本發明薄膜沉積設備操作在開啟狀態又一實施例的俯視圖。
請參閱圖1，為本發明具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備操作在遮蔽狀態一實施例的側面剖面示意圖。如圖所示，具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備10主要包括一腔室主體11、一承載盤13及一對開式遮蔽構件100，其中腔室主體11包括一反應腔體110及兩個感測區113，且兩個感測區113連接反應腔體110。
反應腔體110包括一容置空間12用以容置承載盤13及部分的對開式遮蔽構件100，而兩個感測區113則分別包括一感測空間120，其中兩個感測區113的感測空間120流體連接反應腔體110的容置空間12。
承載盤13位於反應腔體110的容置空間12內，並用以承載至少一基板163。以具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備10為物理氣相沉積腔體為例，反應腔體110的容置空間12內設置一靶材161，其中靶材161面對基板163及承載盤13。例如靶材161可設置在反應腔體110的上表面，並朝向位於容置空間12內的承載盤13及/或基板163。
請配合參閱圖2及圖3，對開式遮蔽構件100包括一第一遮蔽板151、一第二遮蔽板153及一驅動裝置17，其中對開式遮蔽構件100連接反應腔體110。第一遮蔽板151及第二遮蔽板153位於容置空間12內，部分驅動裝置17亦位於容置空間12內。驅動裝置17連接第一遮蔽板151及第二遮蔽板153，並分別驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動，使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153在開啟狀態及遮蔽狀態之間切換，例如第一遮蔽板151及第二遮蔽板153以驅動裝置17為軸心同步擺動。
在本發明一實施例中，驅動裝置17連接一第一連接臂141及一第二連接臂143，並透過第一連接臂141及一第二連接臂143分別連接第一遮蔽 板151及第二遮蔽板153，其中驅動裝置17分別透過第一連接臂141及第二連接臂143帶動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動或轉動。
第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可為板體，其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積及形狀可為相近，例如第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可為半圓形的板體。當驅動裝置17帶動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽狀態時，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153會相靠近形成一圓板狀的遮蔽件15，其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153構成的遮蔽件15會位於反應腔體110的容置空間12內，並用以遮擋承載盤13及/或基板163。
本發明實施例所述的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽狀態或第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相連接，可被定義為第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互靠近，直到兩者之間的間距小於一門檻值，例如小於1mm。具體而言，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153並不會直接接觸，以防止第一遮蔽板151及第二遮蔽板153在接觸過程中產生微粒，而汙染反應腔體11的容置空間12及/或承載盤13。
在本發明一實施例中，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可設置在不同的高度，例如第一遮蔽板151高於第二遮蔽板153，當第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽狀態時，部分的第一遮蔽板151會與部分的第二遮蔽板153重疊，可提高遮蔽件15的遮擋效果。
上述第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積及形狀相近，並為半圓形的板體僅為本發明一實施例，並非本發明權利範圍的限制。在實際應用時，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可以是具有不同面積及形狀的板體，亦可為方形、橢圓形或任意幾何形狀的板體，例如第一遮蔽板151的面 積可大於第二遮蔽板153的面積。只要遮蔽件15是由第一遮蔽板151及第二遮蔽板153所構成，其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153閉合時，可以達到遮擋承載盤13及/或基板163的目的都屬於本發明的權利範圍。
以第一遮蔽板151及第二遮蔽板153為半圓形的板體為例，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153分別具有一直線的側邊及一半圓形或弧形的側邊，其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的直線側邊彼此面對。當驅動裝置17驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互靠近時，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的直線側邊會相靠近，並形成圓形的遮蔽件15。上述第一遮蔽板151及第二遮蔽板153透過直線的側邊相靠近僅為本發明一實施例，並非本發明權利範圍的限制。在實際應用時，上述第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的直線側邊亦可以是對應的曲線或鋸齒狀側邊，只要第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可以形成遮蔽件15，都可以有效遮擋承載盤13。
在本發明一實施例中，如圖4所示，驅動裝置17包括至少一驅動馬達171及一軸封裝置173，其中驅動馬達171透過軸封裝置173連接第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。驅動馬達171位於反應腔體110的容置空間12外，而軸封裝置173則穿過並設置在反應腔體110，其中部分的軸封裝置173位於反應腔體110的容置空間12內。
軸封裝置173包括一外管體1731及一軸體1733。外管體1731包括一空間1732用以容置軸體1733，其中外管體1731及軸體1733同軸設置，外管體1731固定在反應腔體110上，且外管體1731及軸體1733可相對轉動。外管體1731連接第一連接臂141，並經由第一連接臂141連接並帶動第一遮蔽 板151擺動。軸體1733連接第二連接臂143，並經由第二連接臂143連接並帶動第二遮蔽板153擺動。
軸封裝置173可以是一般常見的軸封，主要用以隔離反應腔體110的容置空間12與外部的空間，以維持容置空間12的真空。在本發明另一實施例中，軸封裝置173可以是磁流體軸封，並包括複數個軸承、至少一永久磁鐵、至少一磁極片及至少一磁性流體。例如軸承可套設在軸體1733的外表面，並位於軸體1733及外管體1731之間，使得軸體1733及外管體1731可相對轉動。永久磁鐵設置在外管體1731的內表面，並位於兩個軸承之間。兩個磁極片設置在外管體1731的內表面，並分別位於永久磁鐵及兩個軸承之間。磁極片與軸體1733的外表面之間具有一間隙，並將磁性流體設置在間隙內。上述關於磁流體軸封的構造僅為本發明一實施例，並非本發明權利範圍的限制。
在本發明一實施例中，如圖4所示，驅動馬達171的數量可為兩個，兩個驅動馬達171分別連接軸封裝置173的外管體1731及軸體1733，並分別驅動外管體1731及軸體1733朝相反方向同步轉動，以透過外管體1731及軸體1733分別帶動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝不同方向擺動。
在本發明另一實施例中，驅動馬達171的數量可為一個，並透過一連動機構分別經由外管體171及軸體173分別連接及驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向同步擺動。
具體而言，本發明的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備10及/或對開式遮蔽構件100可操作在兩種狀態，分別是開啟狀態遮蔽狀態。如圖2及圖5所示，驅動裝置17可驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方 向擺動，使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互遠離，並操作在開啟狀態。操作在開啟狀態的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153之間會形成一間隔空間152，使得靶材161與承載盤13及基板163之間不存在第一遮蔽板151及第二遮蔽板153，其中靶材161經由間隔空間152面對承載盤13。
此外，當第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在開啟狀態時，部分的第一遮蔽板151及部分的第二遮蔽板153會分別進入流體連接容置空間12的兩個感測空間120，其中位於感測空間120內的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積小於位於容置空間12內的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積。
在本發明一實施例中，如圖1所示，反應腔體110的容置空間12可設置一擋件111，其中擋件111的一端連接反應腔體110，而擋件111的另一端則形成一開口112。承載盤13朝靶材161靠近時，會進入或接觸擋件111形成的開口112。反應腔體110、承載盤13及擋件111會在容置空間12內區隔出一反應空間，並在反應空間內的基板163表面沉積薄膜，可防止在反應空間外的反應腔體110及承載盤13的表面形成沉積薄膜。
此外，如圖3及圖6所示，驅動裝置17可驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動，使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互靠近，並操作在遮蔽狀態。閉合的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153不會直接接觸，兩者之間可存在微小的間隙，或者是兩者可設置在不同高度，並於兩者之間形成一重疊區域。閉合的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153會形成遮蔽件15，其中遮蔽件15會位在靶材161與承載盤13或開口112與承載盤13之間，並用以遮蔽承載盤13以隔離靶材161及承載盤13。
遮蔽件15可在容置空間12內區隔一清潔空間121，其中清潔空間121與反應空間的區域部分重疊或相近。可在清潔空間121內進行預燒(burn-in)製程，以清潔靶材161及清潔空間121內的反應腔體110及/或擋件111，並去除靶材161表面的氧化物、氮化物或其他汙染物，及反應腔體110及/或擋件111表面沉積的薄膜。
在清潔具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備10的過程中，承載盤13及/或基板163會被遮蔽件15遮擋或隔離，以避免清潔過程中產生的物質汙染或沉積在承載盤13及/或基板163的表面。
具體而言，本發明透過第一遮蔽板151及第二遮蔽板153構成遮蔽件15，並透過第一連接臂141及第二連接臂143分別承載第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的重量，可降低第一連接臂141及第二連接臂143的負擔。
透過使用兩個連接臂141/143分別承載部分遮蔽板151/153的重量，可進一步增加第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的厚度或重量。較為厚重的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可避免在清潔具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備10的過程中發生高溫變形，並可防止清潔過程中的電漿或汙染通過變形的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153接觸下方的承載盤13或基板163。
此外將遮蔽件15區分成兩個可相互連接及分離的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153，更有利於縮小開啟狀態下的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153需要的收納空間，並可簡化或調整反應腔體110的構造。
在本發明一實施例中，如圖5及圖6所示，反應腔體110可為四方體，而兩個感測區113的分別設置在反應腔體110相面對的兩的側表面。如 圖5及圖7所示，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在開啟狀態，其中部分的第一遮蔽板151及部分的第二遮蔽板153分別位於兩個感測區113的感測空間120內。
在本發明一實施例中，可進一步在兩個感測區113上分別設置至少一位置感測單元19，並透過兩個感測區113的位置感測單元19分別用以感測進入感測空間120的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。當位置感測單元19感測到第一遮蔽板151及第二遮蔽板153時，便可判斷第一遮蔽板151及第二遮蔽板153進入感測空間120並操作在開啟狀態。而後才會驅動承載盤13及基板163朝靶材161的方向靠近，並透過容置空間12內的氣體，例如惰性氣體，撞擊靶材161，以在基板163的表面沉積薄膜。
若第一遮蔽板151及第二遮蔽板153未完全處在開啟狀態，承載盤13便朝靶材161的方向位移，可能導致承載盤13碰撞第一遮蔽板151及第二遮蔽板153，而造成承載盤13、第一遮蔽板151及/或第二遮蔽板153的損壞。
在實際應用時，感測區113可以是反應腔體110的延伸，其中感測區113的厚度小於反應腔體110的厚度，或感測空間120的高度小於容置空間12的高度。感測區113具有相面對的兩個表面，例如上表面及下表面，而位置感測單元19則設置在感測區113相面對的兩個表面上。具體而言，位置感測單元19可包括一發射器191及一接收器193，其中發射器191及接收器193分別設置在感測區113相面對的兩個表面上，使得接收器193可接收發射器191發射的訊號，例如位置感測單元19可以是光感測單元。
如圖7所示，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在開啟狀態，並進入感測區113的感測空間120內，其中位於感測空間120內的第一遮蔽板 151及第二遮蔽板153會遮擋光發射器發射的訊號，使得光接收器無法接收到光發射器發出的訊號，並判斷第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在開啟狀態。
反之，如圖6及圖8所示，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽狀態，其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153會離開感測空間120，使得光接收器可接收光發射器產生的訊號，並判斷第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽狀態或未操作在開啟狀態。此時便不能驅動承載盤13朝靶材161的方向位移，以避免承載盤13碰撞第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。
在實際應用時可依據具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備10上其他機構或動線的配置，調整對開式遮蔽構件100在反應腔體110的位置。如圖9所示，對開式遮蔽構件100的驅動裝置17可設置在反應腔體110/或容置空間12的角落，而兩個感測區113的設置在反應腔體110相鄰的兩的側邊，以利於在反應腔11的側邊設置基板進料口及抽氣管線等機構。
以上所述者，僅為本發明之一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
10:具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備
100:對開式遮蔽構件
11:腔室主體
110:反應腔體
111:擋件
112:開口
113:感測區
12:容置空間
120:感測空間
121:清潔空間
13:承載盤
141:第一連接臂
143:第二連接臂
15:遮蔽件
151:第一遮蔽板
153:第二遮蔽板
161:靶材
163:基板
17:驅動裝置
19:位置感測單元
191:發射器
193:接收器

Claims (8)

  1. 一種具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，包括：一腔室主體，包括：一反應腔體，包括一容置空間；兩個感測區，連接該反應腔體，並分別包括一感測空間流體連接該容置空間，其中該兩個感測區的厚度小於該反應腔體；一承載盤，位於該容置空間內，並用以承載至少一基板；及一對開式遮蔽構件，包括：一第一遮蔽板；一第二遮蔽板；及一驅動裝置，連接該第一遮蔽板及該第二遮蔽板，並分別驅動該第一遮蔽板及該第二遮蔽板朝相反的方向擺動，使得該第一遮蔽板及該第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換，其中操作在該開啟狀態的部分該第一遮蔽板及部分該第二遮蔽板分別位於該兩個感測區的該感測空間，而操作在該遮蔽狀態的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板則位於該容置空間內，並用以遮擋該承載盤，其中該驅動裝置包括一軸封裝置及至少一驅動馬達，該驅動馬達透過該軸封裝置連接該第一遮蔽板及該第二遮蔽板，其中該軸封裝置包括一外管體及一軸體，該外管體包括一空間用以容置該軸體，該驅動馬達透過該外管體連接該第一遮蔽板，透過該軸體連接該第二遮蔽板，並同步驅動該軸體及該外管體朝相反的方向轉動。
  2. 如請求項1所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，包括一第一連接臂及一第二連接臂，該外管體透過該第一連接臂連接該第一遮蔽板，而該軸體則透過該第二連接臂連接該第二遮蔽板。
  3. 如請求項1所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，包括兩個位置感測單元分別設置於該兩個感測區，並分別用以感測進入該兩個感測空間的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板。
  4. 如請求項3所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，其中該位置感測單元包括一發射器及一接收器，分別設置在該感測區相面對的兩個表面，並用以感測進入該感測空間的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板。
  5. 如請求項1所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，其中該第一遮蔽板及該第二遮蔽板操作在該開啟狀態，且位於該感測空間內的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板的面積小於位於該容置空間內的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板的面積。
  6. 如請求項1所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，其中該第一遮蔽板及該第二遮蔽板操作在該遮蔽狀態，部分該第一遮蔽板與部分該第二遮蔽板重疊。
  7. 如請求項1所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，包括一靶材位於該容置空間內並面對該承載盤，操作在該遮蔽狀態的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板位於該靶材及該承載盤之間。
  8. 如請求項1所述的具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備，其中該對開式遮蔽構件的該驅動裝置設置在該容置空間的一頂角。
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