JPS6237369A - スパツタリングタ−ゲツト材 - Google Patents
スパツタリングタ−ゲツト材Info
- Publication number
- JPS6237369A JPS6237369A JP17451985A JP17451985A JPS6237369A JP S6237369 A JPS6237369 A JP S6237369A JP 17451985 A JP17451985 A JP 17451985A JP 17451985 A JP17451985 A JP 17451985A JP S6237369 A JPS6237369 A JP S6237369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering target
- film
- target material
- substrate
- distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はイオン衝突等を利用した薄膜製造装置の蒸発源
として利用されるスパッタリングターゲット材に関する
ものである。
として利用されるスパッタリングターゲット材に関する
ものである。
従来の技術
従来から、超ＬＳＩや磁気記録媒体、薄膜ヘッド等の薄
膜作製にはス＞り、ツタリング法が用いられ、その蒸発
源であるスノくツタリングターゲ・ノド材は円板形や角
型などの形状を有したものが市販されている。これらの
スパッタリングターゲ・ノド材は被スパツタリング面が
平面であり、基板上に成膜を行った場合膜厚に分布を持
っていた。（例えば「ハンドブック オブ スイン フ
ィルム テクノロジーＪ （Ｌ、 １． Ｍ＆１ｓｅｅ
ｌ、 Ｒ，Ｇｌａｎｇｅｄ’Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ
Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｅ“。
膜作製にはス＞り、ツタリング法が用いられ、その蒸発
源であるスノくツタリングターゲ・ノド材は円板形や角
型などの形状を有したものが市販されている。これらの
スパッタリングターゲ・ノド材は被スパツタリング面が
平面であり、基板上に成膜を行った場合膜厚に分布を持
っていた。（例えば「ハンドブック オブ スイン フ
ィルム テクノロジーＪ （Ｌ、 １． Ｍ＆１ｓｅｅ
ｌ、 Ｒ，Ｇｌａｎｇｅｄ’Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ
Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｅ“。
（１９７０年）、ＭｃＧｒａｗＨｉｌｌ、Ｐ、 １−５
７））近年、大面積の基板上に均一な膜厚を有する膜を
作製する場合、ターゲツト材に対する基板の運動や、膜
厚分布の補正用のマスクを用いる等の方法により膜厚分
布補正を行っていた。
７））近年、大面積の基板上に均一な膜厚を有する膜を
作製する場合、ターゲツト材に対する基板の運動や、膜
厚分布の補正用のマスクを用いる等の方法により膜厚分
布補正を行っていた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、基板の運動の方法では、駆動部の磨滅に
伴う塵埃の発生、マスクを用いた方法では、マスク上に
付着した膜の剥離などのために、作製した膜中にピンホ
ール等の欠陥が生じるという問題点を有していた。
伴う塵埃の発生、マスクを用いた方法では、マスク上に
付着した膜の剥離などのために、作製した膜中にピンホ
ール等の欠陥が生じるという問題点を有していた。
そこで、膜厚分布を均一にし、しかも作製した膜中ば欠
陥が生じない薄膜の作製法の開発が望まれていた。
陥が生じない薄膜の作製法の開発が望まれていた。
本発明は上記従来技術に鑑みてなされたもので、欠陥の
発生が無く、しかも膜厚分布の均一性が良好な膜を作る
ことができるスパッタリングターゲット材を提供するも
のである。
発生が無く、しかも膜厚分布の均一性が良好な膜を作る
ことができるスパッタリングターゲット材を提供するも
のである。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明のスパッタリングタ
ーゲット材は、その被スパツタリング面が例えば凸部平
面、凹部平面及び斜面等を有するもので、内周から外周
に向かって肉厚が連続的に変化する構成となっている。
ーゲット材は、その被スパツタリング面が例えば凸部平
面、凹部平面及び斜面等を有するもので、内周から外周
に向かって肉厚が連続的に変化する構成となっている。
作用
本発明は、被スパツタ粒子は余弦則に従った角度分布を
持ってターゲツト材から射出され、そこで、この射出角
度を膜厚が薄くなる部分に多く粒子が付着するように設
定すれは膜厚の均一性を向上できる特性に着目し、斜面
部の傾き角と面積をある値に設定することにより、被ス
パツタ粒子の射出角度が変わり、基板上に付着する膜の
膜厚分布の均一性が向上することとなる。
持ってターゲツト材から射出され、そこで、この射出角
度を膜厚が薄くなる部分に多く粒子が付着するように設
定すれは膜厚の均一性を向上できる特性に着目し、斜面
部の傾き角と面積をある値に設定することにより、被ス
パツタ粒子の射出角度が変わり、基板上に付着する膜の
膜厚分布の均一性が向上することとなる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。第１図は本発明の第１の実施例におけるスパ
ッタリングターゲット材の要部断面斜視図である。
説明する。第１図は本発明の第１の実施例におけるスパ
ッタリングターゲット材の要部断面斜視図である。
第１図において、１は中心から一定長の位置、即ち複数
の半径位置の肉厚が等しいム１ターゲｙト材、２は裏板
である。
の半径位置の肉厚が等しいム１ターゲｙト材、２は裏板
である。
このスパッタリングターゲット材を平行円板電極構造を
有するスパッタリング装置に組み込み、基板運動やマス
ク設置を行わずに薄膜作成を行った。ターゲットサイズ
はφ６インチであり、従来の平面状の被ターゲツト面を
有するターゲツト材に比べると、０〜φ１４０ｆｌまで
の膜厚分布が±２ｏ％から１８％に向上した。
有するスパッタリング装置に組み込み、基板運動やマス
ク設置を行わずに薄膜作成を行った。ターゲットサイズ
はφ６インチであり、従来の平面状の被ターゲツト面を
有するターゲツト材に比べると、０〜φ１４０ｆｌまで
の膜厚分布が±２ｏ％から１８％に向上した。
第２図は基板の半径方向の膜厚変化の様子を示したもの
である。第２図において、ａは本発明の・ユ実施例にお
けるスパッタリングターゲット材を用いた場合の膜厚分
布、ｂは従来のスパッタリングターゲット材を用いた場
合の膜厚分布である。
である。第２図において、ａは本発明の・ユ実施例にお
けるスパッタリングターゲット材を用いた場合の膜厚分
布、ｂは従来のスパッタリングターゲット材を用いた場
合の膜厚分布である。
以上のように本実施例によれば、スパッタリングターゲ
ット材の被スパツタリング面を凹凸及び斜面で形成する
ことにより、膜厚分布の均一性を向上する仁とができる
。また、基板運動やマスク設置は行わずに成膜できるだ
め、膜中の欠陥を増加させる要因も除去できる。
ット材の被スパツタリング面を凹凸及び斜面で形成する
ことにより、膜厚分布の均一性を向上する仁とができる
。また、基板運動やマスク設置は行わずに成膜できるだ
め、膜中の欠陥を増加させる要因も除去できる。
以下、本発明の第２の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。第３図は本発明の第２の実施例におけるス
パッタリングターゲット材の要部断面斜視図である。
ら説明する。第３図は本発明の第２の実施例におけるス
パッタリングターゲット材の要部断面斜視図である。
第３図において、３は肉厚が略三角形の回転体で形成さ
れた回転対称な円板形状のＴｂＦｅからなる合金ターゲ
ツト材、４は裏板である。本実施例では本発明の第１の
実施例と同様の平頭で薄膜作製を行った。第４図は基板
の半径方向の膜厚変化の様子を示したものである。第４
図においてｂは従来のスパッタリングターゲット材を用
いた場合の膜厚分布、Ｃは本発明の第２の実施例のスパ
ッタリングターゲット材を用いた場合の膜厚分布である
。基板径がＯ〜φ１４ｏＭＭまでの膜厚分布が±２ｏ％
から±１１チに向上した。
れた回転対称な円板形状のＴｂＦｅからなる合金ターゲ
ツト材、４は裏板である。本実施例では本発明の第１の
実施例と同様の平頭で薄膜作製を行った。第４図は基板
の半径方向の膜厚変化の様子を示したものである。第４
図においてｂは従来のスパッタリングターゲット材を用
いた場合の膜厚分布、Ｃは本発明の第２の実施例のスパ
ッタリングターゲット材を用いた場合の膜厚分布である
。基板径がＯ〜φ１４ｏＭＭまでの膜厚分布が±２ｏ％
から±１１チに向上した。
また、第６図は光磁気記録媒体ＴｂＦｅの保磁力の基板
の半径方向の分布である。第５図において、ｅは本発明
の第２の実施例のスパッタリングターゲット材を用いた
場合の保磁力分布、では従来のスパッタリングターゲッ
トを用いた場合の保磁力分布である。基板径が０〜φ１
４ＱＪｆｆの範囲で、従来保磁力２ＫＯθ〜７ＫＯｅま
で分布を持っていたものが、３ＫＯｅ〜５ＫＯｅの分布
におさえることができた。これは膜中のＴｂとＦｅ の
組成比の分布の均一性を良くしたことに他ならない。
の半径方向の分布である。第５図において、ｅは本発明
の第２の実施例のスパッタリングターゲット材を用いた
場合の保磁力分布、では従来のスパッタリングターゲッ
トを用いた場合の保磁力分布である。基板径が０〜φ１
４ＱＪｆｆの範囲で、従来保磁力２ＫＯθ〜７ＫＯｅま
で分布を持っていたものが、３ＫＯｅ〜５ＫＯｅの分布
におさえることができた。これは膜中のＴｂとＦｅ の
組成比の分布の均一性を良くしたことに他ならない。
以上のように本実施例によれば、膜厚分布の均一性のみ
ならず組成分布の均一性も向上することができる。
ならず組成分布の均一性も向上することができる。
なお、本実施例ではスパッタリングターゲット材をム１
およびＴｂＦｅとしたが、スパッタリングターゲット材
はＴｉ、 Ｏｒ、 Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃｕ、
Ａｇ。
およびＴｂＦｅとしたが、スパッタリングターゲット材
はＴｉ、 Ｏｒ、 Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃｕ、
Ａｇ。
ムＵ等の単金属、あるいはＴｉｅ、ＮｉＣｒ、ＧｏＯｒ
。
。
ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ等の合金、ＳｉＯ２，Ｓｉ
、Ｎ４ＴｉＮ、ＺｎＳ、ＳＬＣ，ＴｉＣ等の化合物でも
ヨイ。
、Ｎ４ＴｉＮ、ＺｎＳ、ＳＬＣ，ＴｉＣ等の化合物でも
ヨイ。
発明の効果
本発明はスパッタリングターゲット材の被ターゲツト面
に例えば凸部平面、凹部平面及び斜面等を設け、内周か
ら外周に向かって肉厚が連続的に変化するように形成す
ることにより、作製した膜の膜厚分布を均一にすること
ができ、さらに化合物膜の作製の場合、組成分布も均一
にするという効果を得、さらに基板運動及びマスク設置
を行わないため膜中の欠陥発生を防止できるという優れ
たスパッタリングターゲット材を実現できるものである
。
に例えば凸部平面、凹部平面及び斜面等を設け、内周か
ら外周に向かって肉厚が連続的に変化するように形成す
ることにより、作製した膜の膜厚分布を均一にすること
ができ、さらに化合物膜の作製の場合、組成分布も均一
にするという効果を得、さらに基板運動及びマスク設置
を行わないため膜中の欠陥発生を防止できるという優れ
たスパッタリングターゲット材を実現できるものである
。
第１図は本発明の第１の実施例におけるスパッタリング
ターゲット材の要部断面斜視図、第２図は本発明の第１
の実施例における膜厚の基板半径方向の分布を示す特性
図、第３図は本発明の第２の実施例におけるスパッタリ
ングターゲット材の要部断面斜視図、第４図は本発明の
第２の実施例における膜厚の基板半径方向の分布を示す
特性図、第５図は本発明の第２の実施例における保磁力
の基板半径方向の分布を示す特性図である。 １・・・・・・Ａ１ターゲツト材、２，４・・・・・・
裏板、３・・・・・・ＴｂＦｅターゲツト材。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−ＡＩ！ター）Ｔ、７ト材 １］図 ２〜裏板 第２図 第３図
ターゲット材の要部断面斜視図、第２図は本発明の第１
の実施例における膜厚の基板半径方向の分布を示す特性
図、第３図は本発明の第２の実施例におけるスパッタリ
ングターゲット材の要部断面斜視図、第４図は本発明の
第２の実施例における膜厚の基板半径方向の分布を示す
特性図、第５図は本発明の第２の実施例における保磁力
の基板半径方向の分布を示す特性図である。 １・・・・・・Ａ１ターゲツト材、２，４・・・・・・
裏板、３・・・・・・ＴｂＦｅターゲツト材。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−ＡＩ！ター）Ｔ、７ト材 １］図 ２〜裏板 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）形状が円板状であり、内周から外周に向かって肉
厚が連続的に変化するスパッタリングターゲット材。 - （２）任意の半径位置では肉厚を等しく形成してなる特
許請求の範囲第１項記載のスパッタリングターゲット材
。 - （３）肉厚が略三角形の回転体で形成された回転対称な
形状を持つ特許請求の範囲第１項記載のスパッタリング
ターゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60174519A JPH0715144B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | スパツタリングタ−ゲツト材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60174519A JPH0715144B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | スパツタリングタ−ゲツト材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237369A true JPS6237369A (ja) | 1987-02-18 |
| JPH0715144B2 JPH0715144B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=15979937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60174519A Expired - Lifetime JPH0715144B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | スパツタリングタ−ゲツト材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715144B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6086735A (en) * | 1998-06-01 | 2000-07-11 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Contoured sputtering target |
| EP1087033A1 (en) * | 1999-09-23 | 2001-03-28 | Praxair Technology, Inc. | Extended life sputter targets |
| EP2236644A2 (en) | 2004-11-17 | 2010-10-06 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering target backing plate assembly and film deposition system |
| WO2011103693A1 (en) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Target shaping |
| JP2016509131A (ja) * | 2013-01-16 | 2016-03-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板プロセスチャンバのためのフィン付きシャッターディスク |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4981285A (ja) * | 1972-12-13 | 1974-08-06 | ||
| JPS5247308A (en) * | 1975-10-13 | 1977-04-15 | Japan Radio Co Ltd | Signal detection circuit |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP60174519A patent/JPH0715144B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4981285A (ja) * | 1972-12-13 | 1974-08-06 | ||
| JPS5247308A (en) * | 1975-10-13 | 1977-04-15 | Japan Radio Co Ltd | Signal detection circuit |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6086735A (en) * | 1998-06-01 | 2000-07-11 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Contoured sputtering target |
| EP1087033A1 (en) * | 1999-09-23 | 2001-03-28 | Praxair Technology, Inc. | Extended life sputter targets |
| SG97941A1 (en) * | 1999-09-23 | 2003-08-20 | Praxair Technology Inc | Extended life sputter targets |
| EP2236644A2 (en) | 2004-11-17 | 2010-10-06 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering target backing plate assembly and film deposition system |
| US9685307B2 (en) | 2004-11-17 | 2017-06-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target, sputtering target-backing plate assembly and deposition system |
| WO2011103693A1 (en) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Target shaping |
| CN102834543A (zh) * | 2010-02-23 | 2012-12-19 | Oc欧瑞康巴尔斯公司 | 标靶成形 |
| JP2016509131A (ja) * | 2013-01-16 | 2016-03-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板プロセスチャンバのためのフィン付きシャッターディスク |
| CN109599319A (zh) * | 2013-01-16 | 2019-04-09 | 应用材料公司 | 用于基板处理腔室的带鳍片的挡板盘 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715144B2 (ja) | 1995-02-22 |
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