JPH0273522A - 記録媒体の製造法 - Google Patents
記録媒体の製造法Info
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- JPH0273522A JPH0273522A JP22537388A JP22537388A JPH0273522A JP H0273522 A JPH0273522 A JP H0273522A JP 22537388 A JP22537388 A JP 22537388A JP 22537388 A JP22537388 A JP 22537388A JP H0273522 A JPH0273522 A JP H0273522A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 24
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 64
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000828 alnico Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、記録媒体の製造法に係り、特にスパッタ手法
による磁気ディスクの下地膜及び/又は磁性膜の成膜技
術によって、かかる磁性膜の磁化容易軸を円周方向に効
果的に配向せしめ得る方法に関するものである。
による磁気ディスクの下地膜及び/又は磁性膜の成膜技
術によって、かかる磁性膜の磁化容易軸を円周方向に効
果的に配向せしめ得る方法に関するものである。
(背景技術)
近年、磁性膜を用いた記録媒体の一つとして、下地膜で
ある金属薄膜や記録媒体である磁性薄膜を、スパッタ法
にて所定のディスク基板上に成膜してなるスパッタ型記
録媒体が開発されており、そしてそのような記録媒体を
製造するに際しては、例えば、円形のディスク基板とス
パッタ・ターゲットとを同軸的に所定路離隔てて静止対
向せしめ、環状スパッタを行なうようにしたマグネトロ
ン・スパッタ装置を用い、目的とする金属薄膜を形成せ
しめることが試みられている。ここでは、特にCo基金
属を用いた磁気ディスクを例として、以下説明する。
ある金属薄膜や記録媒体である磁性薄膜を、スパッタ法
にて所定のディスク基板上に成膜してなるスパッタ型記
録媒体が開発されており、そしてそのような記録媒体を
製造するに際しては、例えば、円形のディスク基板とス
パッタ・ターゲットとを同軸的に所定路離隔てて静止対
向せしめ、環状スパッタを行なうようにしたマグネトロ
ン・スパッタ装置を用い、目的とする金属薄膜を形成せ
しめることが試みられている。ここでは、特にCo基金
属を用いた磁気ディスクを例として、以下説明する。
而して、これまでの静止対向方式のマグネトロン・スパ
ッタ手法を用いて製造された通常の磁気ディスクにおい
ては、その下地膜であるCr膜の膜厚は3000〜40
00人程度、また磁性膜であるCo−Nt膜は700〜
800人程度であるが、その保磁力(HC)は80 Q
Oe程度、角型比(Sl)は0.75程度に過ぎない
のであって、静磁気特性や電磁変換特性は充分に満足す
るものではなかったのである。
ッタ手法を用いて製造された通常の磁気ディスクにおい
ては、その下地膜であるCr膜の膜厚は3000〜40
00人程度、また磁性膜であるCo−Nt膜は700〜
800人程度であるが、その保磁力(HC)は80 Q
Oe程度、角型比(Sl)は0.75程度に過ぎない
のであって、静磁気特性や電磁変換特性は充分に満足す
るものではなかったのである。
このため、特開昭62−82516号公報には、スパッ
タ・ターゲットとディスク基板との間に、中心孔を有す
るシールド板を配置し、スパッタ・ターゲットからのス
パッタ粒子が該シールド板の中心孔を通じてのみディス
ク基板に飛来せしめられるようにして、該基板上に被着
せしめられるようにしたスパッタ手法が明らかにされ、
また特開昭62−82517号公報には、スパッタ・タ
ーゲットをディスク基板の内周縁部よりも内側(中心側
)に位置せしめて、ターゲットのエロージョン部が、か
かる基板の磁性膜記録部より内側に位置するようにした
スパッタ手法が明らかにされ、これによって磁気異方性
を有する磁性膜を形成せしめ、以て電磁変換特性に優れ
た磁気ディスクを製造しようとされている。
タ・ターゲットとディスク基板との間に、中心孔を有す
るシールド板を配置し、スパッタ・ターゲットからのス
パッタ粒子が該シールド板の中心孔を通じてのみディス
ク基板に飛来せしめられるようにして、該基板上に被着
せしめられるようにしたスパッタ手法が明らかにされ、
また特開昭62−82517号公報には、スパッタ・タ
ーゲットをディスク基板の内周縁部よりも内側(中心側
)に位置せしめて、ターゲットのエロージョン部が、か
かる基板の磁性膜記録部より内側に位置するようにした
スパッタ手法が明らかにされ、これによって磁気異方性
を有する磁性膜を形成せしめ、以て電磁変換特性に優れ
た磁気ディスクを製造しようとされている。
しかしながら、かかる特開昭62−82516号公報に
開示のスパッタ手法では、シールド板が必要となって、
これが量産プロセスにおいて新たな問題を惹起すること
となるのである。即ち、量産プロセスでは、シールド板
に付着する膜片がディスク基板に付着して、エラーの原
因となったり、またシールド板があるため、スパッタ速
度が小さく、スループント、即ち単位時間当りのディス
クの生産量が悪い等という問題を内在しているのである
。また、特開昭62−82517号公報に開示のスパッ
タ手法では、小径のターゲットが用いられることとなる
ところから、かかるターゲットの消費速度が速く、直ぐ
に取り換える必要が生じたり、更にはスパッタ速度が小
さく、スループットも悪い等という問題を内在している
。加えて、スパッタ粒子の斜め入射の効果が基板の内周
部と外周部とで著しく異なり、基板外周部では顕著とな
るものの、その内周部ではそれほど大きくないところに
も問題があった。
開示のスパッタ手法では、シールド板が必要となって、
これが量産プロセスにおいて新たな問題を惹起すること
となるのである。即ち、量産プロセスでは、シールド板
に付着する膜片がディスク基板に付着して、エラーの原
因となったり、またシールド板があるため、スパッタ速
度が小さく、スループント、即ち単位時間当りのディス
クの生産量が悪い等という問題を内在しているのである
。また、特開昭62−82517号公報に開示のスパッ
タ手法では、小径のターゲットが用いられることとなる
ところから、かかるターゲットの消費速度が速く、直ぐ
に取り換える必要が生じたり、更にはスパッタ速度が小
さく、スループットも悪い等という問題を内在している
。加えて、スパッタ粒子の斜め入射の効果が基板の内周
部と外周部とで著しく異なり、基板外周部では顕著とな
るものの、その内周部ではそれほど大きくないところに
も問題があった。
(解決諜H)
ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景にして為さ
れたものであって、その解決すべき課題とするところは
、スパッタ型磁気ディスクの電磁変換特性を高めると共
に、量産レベルでの品質を向上せしめ、また生産性を向
上せしめることにある。
れたものであって、その解決すべき課題とするところは
、スパッタ型磁気ディスクの電磁変換特性を高めると共
に、量産レベルでの品質を向上せしめ、また生産性を向
上せしめることにある。
(解決手段)
そして、本発明は、かかる課題解決のために、所定の円
盤状ディスク基板上に下地膜及び/又は磁性膜をマグネ
トロン・スパッタ法によって形成して、磁気ディスクを
製造するに際して、実質的に前記基板とスパッタ・ター
ゲットとを同軸的に静止対向させて配置せしめると共に
、ターゲット表面からの飛来源領域、換言すればエロー
ジョン領域をリング状にして、そのリングの幅を狭くし
て、スパッタ成膜することを特徴とする記録媒体の製造
法を、その要旨とするものである。すなわち、本発明に
あっては、ディスク基板とターゲットとを静止対向させ
たマグネトロン・スパッタ手法において、かかるターゲ
ットのエロージョン領域をリング状と為すと共に、ター
ゲット面での表面磁束の面内成分が600ガウス(G)
以上の極大値を持つように、且つ、その極大点の周囲で
半径方向の表面磁束分布を2、峻と為すべく、その半価
幅が25mm以内となるようにして、スパッタ成膜する
ようにしたのである。
盤状ディスク基板上に下地膜及び/又は磁性膜をマグネ
トロン・スパッタ法によって形成して、磁気ディスクを
製造するに際して、実質的に前記基板とスパッタ・ター
ゲットとを同軸的に静止対向させて配置せしめると共に
、ターゲット表面からの飛来源領域、換言すればエロー
ジョン領域をリング状にして、そのリングの幅を狭くし
て、スパッタ成膜することを特徴とする記録媒体の製造
法を、その要旨とするものである。すなわち、本発明に
あっては、ディスク基板とターゲットとを静止対向させ
たマグネトロン・スパッタ手法において、かかるターゲ
ットのエロージョン領域をリング状と為すと共に、ター
ゲット面での表面磁束の面内成分が600ガウス(G)
以上の極大値を持つように、且つ、その極大点の周囲で
半径方向の表面磁束分布を2、峻と為すべく、その半価
幅が25mm以内となるようにして、スパッタ成膜する
ようにしたのである。
要するに、かかる本発明は、円周方向が磁化容易軸とな
る磁性膜を持つ磁気ディスクが、等方磁性膜を用いた磁
気ディスクより優れた特性を示すとの知見に基づいて、
磁気ディスクの磁性膜が円周方向に効果的に配向するよ
うに磁性膜をスパッタするには、どのようにして行なえ
ばよいかの研究を進めた結果、完成されたものである。
る磁性膜を持つ磁気ディスクが、等方磁性膜を用いた磁
気ディスクより優れた特性を示すとの知見に基づいて、
磁気ディスクの磁性膜が円周方向に効果的に配向するよ
うに磁性膜をスパッタするには、どのようにして行なえ
ばよいかの研究を進めた結果、完成されたものである。
従って、例えばCo基合金を磁性膜とする磁気ディスク
の製造において、静止対向方式のマグネトロン・スパッ
タ手法を用いて、下地膜であるCr膜を成膜する場合に
、表面磁束密度の極大値が600G以上となるように、
またその半価幅が251111以下となるようにして、
その極大点の周囲で半径方向の表面磁束分布を急峻と為
すことにより、スパッタ・ターゲットのリング状エロー
ジョン領域の幅が25mm以下となるようにして、且つ
充分に磁場を大きくして、スパッタ成膜を行ない、そし
てこの得られたCr下地膜上に、続いて、同様なスパッ
タリング手法により或いは他の通常のスパッタリング手
法等により、所定の磁性膜を成膜することによって、当
該磁性膜に円周方向の磁化容易軸を効果的に付与せしめ
ることが出来、また優れた記録特性を示す磁気ディスク
を得ることが出来ることとなったのである。なお、かか
る下地Cr膜の代わりに、磁性膜を、上記のようにスパ
ッタ成膜しても、同様に優れた記録特性を得ることが出
来る。
の製造において、静止対向方式のマグネトロン・スパッ
タ手法を用いて、下地膜であるCr膜を成膜する場合に
、表面磁束密度の極大値が600G以上となるように、
またその半価幅が251111以下となるようにして、
その極大点の周囲で半径方向の表面磁束分布を急峻と為
すことにより、スパッタ・ターゲットのリング状エロー
ジョン領域の幅が25mm以下となるようにして、且つ
充分に磁場を大きくして、スパッタ成膜を行ない、そし
てこの得られたCr下地膜上に、続いて、同様なスパッ
タリング手法により或いは他の通常のスパッタリング手
法等により、所定の磁性膜を成膜することによって、当
該磁性膜に円周方向の磁化容易軸を効果的に付与せしめ
ることが出来、また優れた記録特性を示す磁気ディスク
を得ることが出来ることとなったのである。なお、かか
る下地Cr膜の代わりに、磁性膜を、上記のようにスパ
ッタ成膜しても、同様に優れた記録特性を得ることが出
来る。
より具体的には、第1図に示されるように、マグネトロ
ン・スパッタ装置の真空チャンバ4内に、円環状のディ
スク基板1を適当な保持具5で保持して、円板形態のス
パッタ・ターゲット3に対して同軸的に所定距離を隔て
て配置せしめ、そしてかかるターゲット3上のエロージ
ョン領域2の幅が25mm以下となるように、半価幅を
規制して、且つ表面磁束密度の面内成分の極大値が60
0G以上である状態において、スパッタ成膜が行なわれ
、以てエロージョン領域2から叩き出されたスパッタリ
ング粒子がディスク基板lに被着せしめられ、目的とす
る下地膜6や磁性膜7の少なくとも何れか一方が所定厚
さで形成されるのである。
ン・スパッタ装置の真空チャンバ4内に、円環状のディ
スク基板1を適当な保持具5で保持して、円板形態のス
パッタ・ターゲット3に対して同軸的に所定距離を隔て
て配置せしめ、そしてかかるターゲット3上のエロージ
ョン領域2の幅が25mm以下となるように、半価幅を
規制して、且つ表面磁束密度の面内成分の極大値が60
0G以上である状態において、スパッタ成膜が行なわれ
、以てエロージョン領域2から叩き出されたスパッタリ
ング粒子がディスク基板lに被着せしめられ、目的とす
る下地膜6や磁性膜7の少なくとも何れか一方が所定厚
さで形成されるのである。
なお、かかる第1図においては、ディスク基板1上に下
地膜6が成膜され、更にその上に磁性膜7が形成される
ようになっている。
地膜6が成膜され、更にその上に磁性膜7が形成される
ようになっている。
そして、このようなエロージョン部2の配置によって、
基板l内周部における斜め入射の効果が有利に高められ
、以て当該部位の磁気異方性の向上、ひいては高密度記
録の改善が達成されることとなるのである。これは、エ
ロージョン領域の幅が狭く、且つその部分での表面磁束
密度が大きいと、その直上でのプラズマ密度が大きくな
り、エロージョン領域から叩き出されたターゲット原子
の飛ぶ角度の径方向分散が小さくなる傾向になるため、
対向する基板上において、ターゲット原子の飛来方向の
分散が小さくなり、そしてこのために、斜め入射の効果
が顕著となって、下地膜または磁性膜の結晶配向が生じ
易くなることによるがらである。
基板l内周部における斜め入射の効果が有利に高められ
、以て当該部位の磁気異方性の向上、ひいては高密度記
録の改善が達成されることとなるのである。これは、エ
ロージョン領域の幅が狭く、且つその部分での表面磁束
密度が大きいと、その直上でのプラズマ密度が大きくな
り、エロージョン領域から叩き出されたターゲット原子
の飛ぶ角度の径方向分散が小さくなる傾向になるため、
対向する基板上において、ターゲット原子の飛来方向の
分散が小さくなり、そしてこのために、斜め入射の効果
が顕著となって、下地膜または磁性膜の結晶配向が生じ
易くなることによるがらである。
また、スパッタ・ターゲット3としては、ディスク基板
1上に形成される薄膜の種類により、即ち、それら下地
膜6若しくは磁性膜7を与える材質のものが選定される
こととなるが、本発明にあっては、一般に、下地膜とし
てはCr膜が用いられ、また磁性膜としてはCo−Nt
、Co−Ni−Cr、Co−Cr、Co−PC等の、従
来がら公知のCo系合金膜が有利に用いられる。尤も、
本発明は、そのような下地膜や磁性膜の材質に限定され
るものでは決してなく、従来から知られている下地膜と
磁性膜の各種の組合せにおいて、適当な材質が適宜に選
定されることとなる。
1上に形成される薄膜の種類により、即ち、それら下地
膜6若しくは磁性膜7を与える材質のものが選定される
こととなるが、本発明にあっては、一般に、下地膜とし
てはCr膜が用いられ、また磁性膜としてはCo−Nt
、Co−Ni−Cr、Co−Cr、Co−PC等の、従
来がら公知のCo系合金膜が有利に用いられる。尤も、
本発明は、そのような下地膜や磁性膜の材質に限定され
るものでは決してなく、従来から知られている下地膜と
磁性膜の各種の組合せにおいて、適当な材質が適宜に選
定されることとなる。
さらに、本発明にあっては、かくの如く、下地膜及び/
又は磁性膜をスパッタ成膜するために、従来から知られ
ている各種のマグネトロン・スパッタ手法が採用され得
るものであり、例えば、直流二極マグネトロン・スパッ
タ法、高周波マグネトロン・スパッタ法等の手法が適宜
に用いられることとなる。なお、それぞれのスパッタ法
における操作や条件は、何れも、本発明において同様に
適用され得るものであることは、言うまでもないところ
である。
又は磁性膜をスパッタ成膜するために、従来から知られ
ている各種のマグネトロン・スパッタ手法が採用され得
るものであり、例えば、直流二極マグネトロン・スパッ
タ法、高周波マグネトロン・スパッタ法等の手法が適宜
に用いられることとなる。なお、それぞれのスパッタ法
における操作や条件は、何れも、本発明において同様に
適用され得るものであることは、言うまでもないところ
である。
(実施例)
以下に、本発明の効果を更に具体的に明らかにするため
に、本発明の代表的な実施例を示すが、本発明が、その
ような具体例や前記した本発明の構成に係る具体的な説
明によって、何等限定的に解釈されるものでは決してな
いこと、言うまでもないところであり、また本発明が、
本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識
に基づいて種々なる変更、修正、改良等を加えた形態に
おいて実施され得るものであって、そのような実施形態
の何れもが、本発明の範晴に属するものであることも、
理解されるべきである。
に、本発明の代表的な実施例を示すが、本発明が、その
ような具体例や前記した本発明の構成に係る具体的な説
明によって、何等限定的に解釈されるものでは決してな
いこと、言うまでもないところであり、また本発明が、
本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識
に基づいて種々なる変更、修正、改良等を加えた形態に
おいて実施され得るものであって、そのような実施形態
の何れもが、本発明の範晴に属するものであることも、
理解されるべきである。
実施例 1
本例は、下地スパッタに、本発明手法を適用した例であ
る。先ず、ディスク基板として、N1−Pメツキを施し
てなる円環状のアルミニウム円盤を用いる一方、下地膜
を形成するためのスパッタ・ターゲットとしてCr円板
ターゲットを用いて、静止対向型のマグネトロン・スパ
ッタ装置に、第2図に示される如く、内側及び外側の二
つのリング状磁石8.9を設置して、それらをヨーク1
0で連結した構造のカソードを取り付けた。なお、それ
ら内側及び外側の磁石8,9としては、ターゲット面で
の表面磁束密度が異なるように、表面磁束密度が500
ガウス(G)以下ではアルニコ化 四つの実験例を、下記第1表に示す。また、第3〜5図
は、それぞれ実験例No、1.2及び3に対応する磁束
密度の分布図であり、何れの実験例においても、基板と
ターゲットの間隔は1100nであった。
る。先ず、ディスク基板として、N1−Pメツキを施し
てなる円環状のアルミニウム円盤を用いる一方、下地膜
を形成するためのスパッタ・ターゲットとしてCr円板
ターゲットを用いて、静止対向型のマグネトロン・スパ
ッタ装置に、第2図に示される如く、内側及び外側の二
つのリング状磁石8.9を設置して、それらをヨーク1
0で連結した構造のカソードを取り付けた。なお、それ
ら内側及び外側の磁石8,9としては、ターゲット面で
の表面磁束密度が異なるように、表面磁束密度が500
ガウス(G)以下ではアルニコ化 四つの実験例を、下記第1表に示す。また、第3〜5図
は、それぞれ実験例No、1.2及び3に対応する磁束
密度の分布図であり、何れの実験例においても、基板と
ターゲットの間隔は1100nであった。
このようにして4種のスパッタ成膜を行なうことによっ
て、かかるディスク基板上に約3000人の膜厚のCr
下地膜を成膜し、次いで、このC「下地膜上に、通常の
マグネトロン・スパッタ法にて、Co−Ni磁性膜を約
500〜700人の膜厚でスパッタ成膜した。
て、かかるディスク基板上に約3000人の膜厚のCr
下地膜を成膜し、次いで、このC「下地膜上に、通常の
マグネトロン・スパッタ法にて、Co−Ni磁性膜を約
500〜700人の膜厚でスパッタ成膜した。
このようにして得られた4種の磁気ディスクの特性を調
べた結果を第1表に示すが、この第1表より明らかなよ
うに、本発明に従う条件下で得られた磁気ディスク(N
α3)においては、保磁力(He)が12500e以上
、角型比(So)が0.88であり、また24ターンの
バルクヘッドを用いて電磁変換特性を調べた結果、分解
能が90%、孤立再生波形の半値幅(W S。)力月、
7μm、密度特性(D、。)が21KPCIであり、極
めて優れた特性を示した。
べた結果を第1表に示すが、この第1表より明らかなよ
うに、本発明に従う条件下で得られた磁気ディスク(N
α3)においては、保磁力(He)が12500e以上
、角型比(So)が0.88であり、また24ターンの
バルクヘッドを用いて電磁変換特性を調べた結果、分解
能が90%、孤立再生波形の半値幅(W S。)力月、
7μm、密度特性(D、。)が21KPCIであり、極
めて優れた特性を示した。
また、かくして得られた実験例Nα3の磁気ディスクは
、従来の如くシールド板を用いていないところから、ゴ
ミの付着によるエラーの発生も何等認められず、更には
Crの成膜速度が2000〜4000人/minである
ため、良好なスループットを有するものであることが認
められた。
、従来の如くシールド板を用いていないところから、ゴ
ミの付着によるエラーの発生も何等認められず、更には
Crの成膜速度が2000〜4000人/minである
ため、良好なスループットを有するものであることが認
められた。
実施例 2
ここでは、磁性体スパッタに本発明手法を適用した例を
、以下に示す。
、以下に示す。
先ず、ディスク基板として、N1−Pメツキ層を10μ
mの厚さで施した後、円周方向に溝が形成されてなる円
盤状のAn−Mg合金板を用いる一方、下地膜を形成す
るためのスパッタ・ターゲットとしてCr平板ターゲッ
トを用いて、通常のマグネトロン・スパッタ法にてスパ
ッタ成膜を行なうことにより、かかるディスク基板上に
約3000人の膜厚のCr下地膜を成膜した。
mの厚さで施した後、円周方向に溝が形成されてなる円
盤状のAn−Mg合金板を用いる一方、下地膜を形成す
るためのスパッタ・ターゲットとしてCr平板ターゲッ
トを用いて、通常のマグネトロン・スパッタ法にてスパ
ッタ成膜を行なうことにより、かかるディスク基板上に
約3000人の膜厚のCr下地膜を成膜した。
次いで、このようにして形成されたCr下地膜上に、実
施例1と同様にして、スパッタ成膜した。
施例1と同様にして、スパッタ成膜した。
即ち、かかるCr下地形成ディスク基板を、静止対向型
のマグネトロン・スパッタ装置に、第1図の如くセット
せしめて、面内磁束密度の極大値が800G、その半価
幅が20mmとなるようにして、C0bz、sN Lo
Crv、sの磁性膜を、約1000人の膜厚でスパッタ
成膜した。
のマグネトロン・スパッタ装置に、第1図の如くセット
せしめて、面内磁束密度の極大値が800G、その半価
幅が20mmとなるようにして、C0bz、sN Lo
Crv、sの磁性膜を、約1000人の膜厚でスパッタ
成膜した。
このようにして得られたる■気ディスクの特性を3Jl
ヘた結果、保磁力(H6)が13000e、角型比(
S“)が0.89であり、また24ターンのバルクヘッ
ドを用いて電磁変換特性を調べた結果、分解能が85%
、孤立再生波形の半値幅(W S。)が2.0 p m
、密度特性(DSG)が18KPCIであり、優れた特
性を示した。
ヘた結果、保磁力(H6)が13000e、角型比(
S“)が0.89であり、また24ターンのバルクヘッ
ドを用いて電磁変換特性を調べた結果、分解能が85%
、孤立再生波形の半値幅(W S。)が2.0 p m
、密度特性(DSG)が18KPCIであり、優れた特
性を示した。
(発明の効果)
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、得ら
れた下地膜上に形成される磁性膜の磁化容易軸を効果的
に円周方向に配向せしめることが出来、以てその特性を
有利に向上せしめ得ると共に、従来の方法において用い
られていたシールド板が不要となるところから、量産レ
ベルでの品質が良好で、また高い生産性も得られること
となったのであり、そこに、本発明の大きな工業的意義
が存するのである。
れた下地膜上に形成される磁性膜の磁化容易軸を効果的
に円周方向に配向せしめることが出来、以てその特性を
有利に向上せしめ得ると共に、従来の方法において用い
られていたシールド板が不要となるところから、量産レ
ベルでの品質が良好で、また高い生産性も得られること
となったのであり、そこに、本発明の大きな工業的意義
が存するのである。
第1図は、本発明に用いられるマグネトロン・スパッタ
装置を示す説明図であり、第2図は、本発明に係る実施
例に用いられるカソード構造を示す説明図であり、第3
〜5図は、それぞれ、実施例1の実験例Nα1,2及び
3における面内磁束密度の分布図である。 1:基板 3:ターゲット 5:保持具 7:磁性膜 9:外側磁石 :エロージョン領域 :真空チャンバー :下地膜 :内側磁石 :ヨーク
装置を示す説明図であり、第2図は、本発明に係る実施
例に用いられるカソード構造を示す説明図であり、第3
〜5図は、それぞれ、実施例1の実験例Nα1,2及び
3における面内磁束密度の分布図である。 1:基板 3:ターゲット 5:保持具 7:磁性膜 9:外側磁石 :エロージョン領域 :真空チャンバー :下地膜 :内側磁石 :ヨーク
Claims (1)
- 所定の円盤状ディスク基板上に下地膜及び/又は磁性膜
をマグネトロン・スパッタ法によって形成して、記録媒
体を製造するに際して、実質的に前記基板とスパッタ・
ターゲットとを同軸的に静止対向させて配置せしめると
共に、該ターゲットのエロージョン領域をリング状とし
て、ターゲット面での表面磁束の面内成分が600ガウ
ス以上の極大値を持つように、且つ、その極大点の周囲
で半径方向の表面磁束分布を急峻と為すべく、その半価
幅が25mm以内となるようにして、スパッタ成膜する
ことを特徴とする記録媒体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22537388A JPH0273522A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 記録媒体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22537388A JPH0273522A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 記録媒体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0273522A true JPH0273522A (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=16828334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22537388A Pending JPH0273522A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 記録媒体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0273522A (ja) |
-
1988
- 1988-09-08 JP JP22537388A patent/JPH0273522A/ja active Pending
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