JP2001014664A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 成膜速度が速く、膜厚分布が均一で、面内に
一様な円周方向の異方性を持つ、磁気特性の良好な強磁
性層を有する磁気記録媒体を得る。 【解決手段】 スパッタ法を用いて、被着すべき位置に
おいて基板の半径に垂直な方向から飛来する磁性材料粒
子を選択的に被着させるか、あるいは基板の外周方向か
ら中心方向へ飛来する磁性材料粒子を選択的に被着させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録装置に用
いられる磁気記録媒体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体の記録密度向上
のために、磁気記録媒体の成膜の際、被着する粒子飛来
の方向を制御することにより、磁気記録媒体の磁化容易
軸方向を円周方向に備える方法が試みられている。

【０００３】このような方法として、例えば非磁性基板
とターゲットとの間に、非磁性基板の仮想中心線を越え
て飛来する粒子のみを被着させることにより、磁性層の
結晶配向に円周方向への異方性をつけることが提案され
ている。

【０００４】図１６に、従来の磁気記録媒体の製造方法
を説明するための図を示す。

【０００５】図示するように、この方法では、互いに対
向して設けられたターゲット３と基板１との間に、中央
に貫通孔４を有するマスク２が配置された構成を有する
装置を用いる。この装置を用いてスパッタリングを行う
と、図中、矢印で示すように、ターゲット３から貫通孔
４を通過して基板１の仮想中心線５を越えて飛来する粒
子のみを基板１上に被着させることができる。

【０００６】しかしながら、上述の方法では、仮想中心
線を越えて飛来する磁性材料粒子のみを使用するので、
スパッタの効率が著しく悪く、面内でスパッタレートが
均一になるように成膜を制御することは困難であった。
また、それと関連して、実際に、一定入射角度に粒子を
飛来させ、面内に十分に一様な磁気的異方性をつけるこ
とは困難であった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
鑑みてなされたもので、その成膜速度が速く、膜厚分布
が均一で、面内に一様な円周方向の異方性を持つ、磁気
特性の良好な強磁性層を有する磁気記録媒体を製造する
方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、非磁
性円形基板に、下地層、磁性層を環状スパッタ法を用い
て形成するようにした磁気記録媒体の製造方法におい
て、少なくとも１層の形成工程は、ターゲットより飛来
する粒子の被着が行われる前記基板上の各基準領域にお
いて、該円形基板の半径に垂直な方向から飛来する粒子
を選択的に被着させることを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法を提供する。

【０００９】本発明は、第２に、非磁性円形基板に、下
地層、磁性層を環状スパッタ法を用いて形成するように
した磁気記録媒体の製造方法において、少なくとも１層
の形成工程は、ターゲットより飛来する粒子の被着が行
われる前記基板上の各基準領域において、該円形基板の
仮想中心線を越えずに該円形基板の外側より中心を向く
方向へ飛来する粒子を選択的に被着させることを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法を提供する。

【００１０】本発明は、第３に、円形基板と、該円形基
板上に設けられ、スパッタ法により、被着が行われる前
記基板上の各基準領域において、該円形基板の半径に垂
直な方向から飛来する粒子を選択的に被着させた層とを
具備する磁気記録媒体を提供する。

【００１１】本発明は、第４に、円形基板と、該円形基
板上に設けられ、スパッタ法により、被着が行われる前
記基板上の各基準領域において、少なくとも該円形基板
の仮想中心線を越えずに該基板の外側より中心を向く方
向へ飛来する粒子を選択的に被着させた磁性層とを具備
することを特徴とする磁気記録媒体を提供する。

【００１２】

【発明の実施の形態】第１の発明は、スパッタ法を用い
て、円形基板上にターゲットから飛来する粒子を被着さ
せて成膜を行い、成膜する工程を含む磁気記録媒体の製
造方法であって、被着が行われる基板上の部分を各々基
準領域と考えた場合に、円形基板とターゲットとの間
に、円形基板の半径に垂直な方向から飛来する粒子を選
択的に被着させる遮蔽手段を設けることにより、円周方
向に異方性を有する磁性層を形成する。

【００１３】また、第２の発明では、同様のスパッタ法
を使用し、遮蔽手段として、少なくとも円形基板の外周
方向から中心方向へ飛来する粒子を選択的に被着させる
遮蔽手段を用いる。

【００１４】本発明の磁気記録媒体の製造方法によれ
ば、従来のようなターゲットから仮想中心線を越えて飛
来する粒子のみを使用する方法と異なり、効率良くスパ
ッタを行うことが可能であり、膜厚分布が均一で、面内
に一様な円周方向の異方性を持つ磁性層を容易に形成す
ることができる。

【００１５】第３の発明は、第１の発明に係る方法によ
って形成される磁気記録媒体を提供するもので、円形基
板と、該円形基板上に設けられ、スパッタ法により、被
着が行われる前記基板上の各基準領域において、該円形
基板の半径に垂直な方向から飛来する粒子を選択的に被
着させた磁性層とを具備する。

【００１６】第４の発明は、第２の発明に係る方法によ
って形成される磁気記録媒体を提供するものであって、
円形基板と、該円形基板上に設けられ、スパッタ法によ
り、被着が行われる前記基板上の各基準領域において、
少なくとも該円形基板の円周方向から中心方向へ飛来す
る粒子を選択的に被着させた磁性層とを具備する。

【００１７】このような磁性層を有する磁気記録媒体
は、静磁気特性、及びＲ／Ｗ特性が良好である。

【００１８】また、該飛来する粒子を被着させて層を形
成する際に、粒子の基板面に対する入射角度が２０〜７
０度で一定であることが好ましい。

【００１９】

【実施例】以下、図面を参照して本発明を具体的に説明
する。

【００２０】まず、第１の発明に係る磁気記録媒体の製
造方法について例を挙げて説明する。

【００２１】実施例１ 図１は、第１の発明に用いられる装置の構成の一例を説
明するための図を示す。図２は、図１に示すマスクの正
面図、及び図３は、図２の斜視図を各々示す。

【００２２】この装置では、１×１０^-5（Pa）の真空度
に引いた真空チャンバー内に、図１に示すように、円板
状Ｃｒターゲット１１と、円板状Ｃｒターゲット１１の
中心軸と、その中心軸が重なるように並列してガラス基
板１２を設置した。ターゲット１１とガラス基板１２と
の間には、同様にその中心線が重なり、ターゲット１１
及びガラス基板１２に平行になる様な位置に固定して、
マスク１３を設けた。

【００２３】マスク１３は、図２及び図３に示すような
プロペラ型をしており、図２に示すように、各羽根は、
正面から見ると隙間のない配置をしており、図３に示す
ように、すべて一様に、中心軸に垂直な面に対してマス
ク面より４５度傾けて取り付けられている。さらに、別
のＣｒターゲット及びマスクを、ガラス基板１２のもう
一方の面に、前述のＣｒターゲット１１、スリット１３
と対称な位置になるよう、もう１枚ずつ設けた。

【００２４】上述のような構成を有する製造装置を用い
て、以下の条件で磁気記録媒体を作成した。

【００２５】真空チャンバー内にＡｒガスを１０（scc
m）の流量で流し、用意した２枚のＣｒターゲット１１
をDC600（Ｗ）で放電し、６０（nm）の厚さにＣｒ下地
層を成膜した。さらに、真空を保ったまま、次なる同様
な真空度の真空チャンバーに移動し、Ａｒ流量 ３０
（sccm）、Ａｒ＋Ｏ₂流量 ２（sccm）でガスを流した
雰囲気下において、CoPtCrターゲットをDC500（Ｗ）で
放電し、Ｃｒ下地層の上に２０（nm）の厚さにCoPtCrO
磁性層を成膜した。

【００２６】次に、同様な真空度のチャンバーで、Ａｒ
ガスを２０（sccm）の流量で流した雰囲気下で、Ｃター
ゲットをDC800（Ｗ）で放電させ、Ｃ保護層を３（nm）
の厚さに成膜した。

【００２７】最後に、ディップ法により、ＰＦＰＥ（パ
ーフルオロポリエーテル）よりなる潤滑層を１（nm）の
厚さに塗布成膜し、磁気記録媒体を得た。

【００２８】得られた磁気記録媒体の構成を表す断面図
を図４に示す。

【００２９】図示するように、この磁気記録媒体３０
は、ガラス基板１２上に、Ｃｒ下地層２１、ＣｏＰｔＣ
ｒ磁性層２２、Ｃ保護層２３、及びＰＦＰＥ潤滑層２４
を順に積層した構成を有する。

【００３０】得られた磁気記録媒体３０について、その
一部を切り取り、この磁気記録媒体３０の半径方向と円
周方向、それぞれについて、円周方向保磁力Ｈｃ、半径
方向磁力Ｈｃ、Ｍｒｔ等の静磁気特性、及びＲ／Ｗ特性
を測定した。その結果を表１に示す。

【００３１】比較例１ 図１６に示す装置を用い、実施例１と同様な真空チャン
バー内に、Ｃｒターゲット３とその中心線が一致する位
置にガラス基板１を置き、Ｃｒターゲットの中心線を超
えて飛来する粒子のみを被着させるように、Ｃｒターゲ
ット３のエロージョン位置から、ガラス基板の中心位置
を結ぶ線よりも外殻の線分をすべて遮断するマスク２を
設けた。

【００３２】以上のような構成を有する装置を用いて、
実施例１と同様の条件で、ガラス基板上にＣｒ下地層を
６０（nm）の厚さに成膜した。

【００３３】さらに、実施例１と同様にして、CoPtCrO
磁性層を２０（nm）の厚さに、Ｃ保護層を３（nm）の厚
さに、さらにディップ法により、ＰＦＰＥ（パーフルオ
ロポリエーテル）よりなる潤滑層を１（nm）の厚さに塗
布成膜し、磁気記録媒体を得た。

【００３４】得られた磁気記録媒体について実施例１と
同様にして磁気特性を測定した。その結果を表１に示
す。

【００３５】比較例２ さらに、マスクを用いないこと以外は、実施例１と同様
にして磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につ
いて、実施例１と同様にして磁気特性を測定した。その
結果を表１に示す。

【００３６】実施例２ 図５は、第１の発明に用いられる装置の構成の他の一例
を説明するための図を示す。図６は、図５に示すマスク
の正面図である。

【００３７】１×１０^-5（Pa）の真空度に引いた真空チ
ャンバー内に、図５に示すように、円板状のＶターゲッ
ト１１、及び円板状のＶターゲット１１の中心軸とその
中心軸が重ならない、且つ平行な位置に、ガラス基板１
２を回転可能に設置した。ガラス基板１２の前面には、
図６に示すように、その一半径近傍にスリットを有する
円形の遮蔽板からなるマスク３３を、隙間がＶターゲッ
ト１１の中心からガラス基板１２の中心を結ぶ線分に垂
直な方向となる様な位置に固定した。ガラス基板１２の
位置は、中心線がターゲットのエロージョンのリングと
直に対向する位置よりも外殻よりであることが望まし
い。また、別のＶターゲットを、ガラス基板に対して前
述のＶターゲット１１と対称な位置で、双方のＶターゲ
ットの中心線が重なる位置にもう１枚配置した。同様
に、別のマスクを双方のマスクの中心線が重なる位置に
もう１枚配置した。

【００３８】上述のような構成を有する製造装置を用い
て、Ｃｒターゲットの代わりにＶターゲットを用いる以
外は実施例１と同様の条件で、磁気記録媒体を作成し
た。

【００３９】得られた磁気記録媒体について、静磁気特
性、及びＲ／Ｗ特性を測定した。その結果を下記表１に
示す。

【００４０】

【表１】

【００４１】上記表１に示す通り、マスクを設けた実施
例１の媒体と比較例１の媒体は、半径の方向と円周の方
向で保磁力Ｈｃが異なり、すなわち円周方向に容易軸を
持つように異方性がついたことが分かった。しかしなが
ら、比較例１の媒体に比べて実施例１の媒体では、その
差がよりはっきりと現れ、また、円周方向の保磁力がよ
り大きかった。残留磁化の値Ｍｒｔについては、実施例
の媒体と比較例の媒体で差は無かった。

【００４２】また、これら３つの媒体については、媒体
自身の持つ規格化信号とノイズの比であるＳＯ／Ｎｍ
は、実施例１の媒体が際立って大きな値を示し、記録分
解能も優れていることが分かった。

【００４３】このようにして実施例１では、磁化を損な
うことなく、より円周方向に高い異方性を持ち、その結
果、記録分解能が優れた磁気記録媒体を得ることができ
た。

【００４４】また、実施例２についても、表１に示す通
り、実施例１と同様な効果が得られた。これより、本発
明により、図６のようなマスクを用いた場合でも、磁化
を損なうことなく、より円周方向に高い異方性を持ち、
その結果、記録分解能が優れた磁気記録媒体が得られる
ことがわかった。

【００４５】次に、第２及び第３の発明に係る磁気記録
媒体の製造方法について例をあげて説明する。

【００４６】実施例３ 図７は、第２の発明に用いられる装置の第１の例の構成
を説明するための図を示す。図８は、図７に示すマスク
の正面図である。

【００４７】図８に示すように、この装置に使用される
マスク４３は、ガラス基板１２の一直径周辺の領域に相
当するスリットを有する遮蔽板からなる。図７に示すよ
うに、この製造方法では、マスクの構成が異なる以外
は、実施例２と同様の構成を有する装置を使用できる。

【００４８】上述のような構成を有する製造装置を用い
て、実施例１と同様の条件で、磁気記録媒体を作成し
た。

【００４９】得られた磁気記録媒体について、静磁気特
性、及びＲ／Ｗ特性を測定した。その結果を下記表２に
示す。

【００５０】

【表２】

【００５１】表２に示す通り、比較例１に比べて、少な
くとも基板の円周方向から中心方向へ飛来する粒子を被
着させた実施例３の媒体でも、半径の方向と円周の方向
で保磁力Ｈｃが異なり、すなわち円周方向に容易軸を持
つように異方性がついたことが分かった。残留磁化の値
Ｍｒｔについては、本発明の媒体と従来の媒体で差は無
かった。

【００５２】また、実施例３の媒体についてＲ／Ｗ特性
を測定したが、表２に示すとおり、媒体自身の持つ規格
化信号とノイズの比であるＳ０／ｋｍは、実施例１，２
と同様、記録分解能も優れていることが分かった。

【００５３】これより、本発明により、磁化を損なうこ
となく、より効率的に、より円周方向に高い異方性を持
ち、その結果記録分解能が優れた磁気記録媒体を得るこ
とができた。

【００５４】実施例４ 図９は、第２の発明に用いられる装置の第２の例の構成
を説明するための図を示す。

【００５５】この装置では、図示するように、ガラス基
板１２を、Ｖターゲット３１面に対し、その表面が傾斜
した位置に設置した。ガラス基板１２とＶターゲット３
１との間には図８に示すマスク４３を、Ｖターゲット３
１面に対向して配置した。ガラス基板１２は、Ｖターゲ
ット３１の中心軸と重なる回転軸を有する駆動体により
回転可能に設置されている。なお、Ｖターゲット３１
は、ガラス基板１２と平行に設けることも可能である。

【００５６】上述のような構成を有する製造装置を用い
て、下地層がＶターゲット、磁性層がＣｏＰｔターゲッ
トである以外は、実施例３と同様の条件で、磁気記録媒
体を作成した。なお、この成膜に要した時間は、実施例
３の媒体よりもさらに短い１０秒であった。

【００５７】同様にして静磁気特性、Ｒ／Ｗ特性を測定
したところ、実施例１の本発明の媒体と同等な値が得ら
れた。

【００５８】実施例５ 図１０は、第２の発明に用いられる装置の第３の例の構
成を説明するための図を示す。

【００５９】図示するように、この装置では、ガラス基
板より明らかに直径の大きなＣｒターゲット４１と中心
線が一致する位置にガラス基板１２を設置し、Ｃｒター
ゲット４１とガラス基板１２との間に、ガラス基板１２
の中央領域を遮蔽し得る大きさの円形の遮蔽板からなる
マスク５３を、Ｃｒターゲット４１を放電させた際にタ
ーゲットの中心線を越えて飛来する粒子を遮断するよう
に設けた。

【００６０】上述のような構成を有する製造装置を用い
て、実施例１と同様の条件で、磁気記録媒体を作成し
た。

【００６１】得られた磁気記録媒体について、静磁気特
性、及びＲ／Ｗ特性を測定した。その結果を表４に示
す。

【００６２】

【表３】

【００６３】表４から明らかなように、この媒体は、円
周方向の異方性が実施例４の媒体よりも改善され、Ｒ／
Ｗ特性も改善された。

【００６４】実施例６ 図１１は、第２の発明に用いられる装置の第４の例を説
明するための図である。

【００６５】この装置に使用されるマスク７３は、その
中心領域の方向に傾斜して板厚方向に貫通された複数の
孔７４を有する遮蔽板からなる。この穴は、ターゲット
３１および基板の中心線に対して対称になっていること
が望ましい。図１１に示す構成を有する装置は、このよ
うなマスク７３を用いる以外は実施例１に用いられる装
置と同様の構成を有する。

【００６６】上述のような構成を有する製造装置を用い
て、下地層がＶターゲットである以外は、実施例１と同
様の条件で、磁気記録媒体を作成した。

【００６７】その結果、得られた媒体は、実施例５と同
等な効果を示した。

【００６８】実施例７ 図１２及び図１３は、各々第２の発明の第５の例に使用
されるマスクを表す正面図である。

【００６９】図示するように、このマスク６３，６５
は、各々、第１の配列の複数の貫通孔を有する第１のパ
ンチングメタルと、第１のパンチングメタルを縮小した
相似形の第２のパンチングメタルとからなる。第５の例
に使用される装置は、ターゲット１１とガラス基板１２
との間には、同様にその中心線が重なり、ターゲット１
１及びガラス基板１２に平行になる様な位置に固定し
て、一組のマスク６３，６５を所定の間隔をおいて設け
る以外は、実施例１と同様の構成を有する。なお、一組
のマスク６３，６５として、同じ大きさ、形のパンチン
グメタルを、中心線は一致するが穴の位置が完全に重な
らないように設置することもできる。

【００７０】以上のような構成を有する装置を用いて、
実施例１と同様の条件で磁気記録媒体を作成した。得ら
れた磁気記録媒体は、実施例３と同等な効果を示した。

【００７１】実施例８ 図１４は、第２の発明の第６の例に用いられる装置の構
成を説明するための図である。図示するように、使用さ
れるマスク７３は、基板より小さい大きさを有し、中央
領域に開口を有する環状の遮蔽板からなり、ターゲット
１１に対し同じ中心軸を有するように対向して設けられ
たガラス基板１２との間に、同中心軸を有するように平
行して、ガラス基板１２の仮想中心線を越えて飛来する
粒子と、ガラス基板の円周方向から中心方向へ飛来する
粒子との両方を被着させるように配置した。この装置
は、このようなマスクを用いること以外は、実施例１に
用いられる装置と同様の構成を有する。

【００７２】上述のような構成を有する製造装置を用い
て、実施例１と同様の条件で、磁気記録媒体を作成し、
同様の測定を行った。

【００７３】その結果、円周方向保磁力Ｈｃは、４００
０Ｏｅ、半径方向Ｈｃ２５００Ｏｅ、Ｍｒｔ０．４５ｍ
ｅｍｕ／ｃｍ²となり、また、そのＳ０／Ｎｍは４５ｄ
Ｂであった。このことから、この媒体は、面内で一様に
良好な静磁気特性、Ｒ／Ｗ特性を示すことがわかった。

【００７４】また、マスク５３用いて成膜を行った場合
と、図１６に示すマスクを用いる以外は同条件で成膜を
行った場合とについて、その膜厚分布を、図１５に、グ
ラフ１０１及びグラフ１０２として示す。図示するよう
に、グラフ１０２では、基板の仮想中心線を越えて飛来
した粒子のみを被着したため、その膜厚分布に偏りがあ
るが、基板の仮想中心線を越えて飛来した粒子と、基板
の円周方向から中心方向へ飛来する粒子との両方を被着
した場合には、膜厚が均一な膜が得られることがわかっ
た。

【００７５】

【発明の効果】本発明によれば、従来のディスクの仮想
中心線を越えて飛来する粒子のみを被着させる場合に比
べ、その成膜速度が速く、膜厚分布が均一で、面内に一
様な円周方向の異方性を持ち、静磁気特性、及びＲ／Ｗ
特性が良好な磁気記録媒体が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明に係る製造方法の一例を説明するた
めの図

【図２】図１に示すマスクの正面図

【図３】図２の斜視図

【図４】第１の発明に係る磁気記録媒体の構成を表す断
面図

【図５】第１の発明に係る製造方法の他の一例を説明す
るための図

【図６】図５に示すマスクの正面図

【図７】第２の発明に用いられる装置の第１の例の構成
を説明するための図

【図８】図７に示すマスクの正面図

【図９】第２の発明に用いられる装置の第２の例の構成
を説明するための図

【図１０】第２の発明に用いられる装置の第３の例の構
成を説明するための図

【図１１】第２の発明に用いられる装置の第４の例を説
明するための図

【図１２】第２の発明の第５の例に使用されるマスクを
表す正面図

【図１３】第２の発明の第５の例に使用されるマスクを
表す正面図

【図１４】第２の発明の第６の例に用いられる装置の構
成を説明するための図

【図１５】第２の発明の第６の例に係る磁気記録媒体の
膜厚分布を表すグラフ図

【図１６】従来のマスクを用いた磁気記録媒体の製造装
置の構成を説明するための図

【符号の説明】 １１，３１，４１…ターゲット １２…ガラス基板 １３，３３，４３，５３，６３，６５，７３…マスク ２１…下地層 ２２…磁性層 ２３…保護層 ２４…潤滑層 ３０…磁気記録媒体 ７４…スリット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荻原 英夫 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 (72)発明者 及川 壮一 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 Ｆターム(参考） 5D112 AA03 AA05 FA04 FB24

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性円形基板に、下地層、磁性層を環
   状スパッタ法を用いて形成するようにした磁気記録媒体
   の製造方法において、少なくとも１層の形成工程は、タ
   ーゲットより飛来する粒子の被着が行われる前記基板上
   の各基準領域において、該円形基板の半径に垂直な方向
   から飛来する粒子を選択的に被着させることを特徴とす
   る磁気記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】 非磁性円形基板に、下地層、磁性層を環
   状スパッタ法を用いて形成するようにした磁気記録媒体
   の製造方法において、少なくとも１層の形成工程は、タ
   ーゲットより飛来する粒子の被着が行われる前記基板上
   の各基準領域において、該円形基板の仮想中心線を越え
   ずに該円形基板の外側より中心を向く方向へ飛来する粒
   子を選択的に被着させることを特徴とする磁気記録媒体
   の製造方法。
3. 【請求項３】 前記粒子の選択的な被着は、遮蔽手段を
   用いて行われることを特徴とする請求項１または２に記
   載の方法。
4. 【請求項４】 前記粒子の基板面に対する入射角度が２
   ０〜７０度で一定であることを特徴とする請求項１また
   は２に記載の方法。
5. 【請求項５】 前記遮蔽手段は、前記ターゲットと前記
   ターゲットに対向して設けられた円形基板との間に配置
   され、基板面に対し所定の角度で傾斜した複数枚の羽根
   を有するプロペラ状の遮蔽部材からなることを特徴とす
   る請求項１に記載の方法。
6. 【請求項６】 前記遮蔽手段は、前記ターゲットの仮想
   中心軸と、前記円形基板の仮想中心軸が平行かつ重なら
   ない位置に配置され、前記円形基板の一半径周辺の領域
   に相当するスリットを有する遮蔽板からなることを特徴
   とする請求項１に記載の方法。
7. 【請求項７】 前記遮蔽手段は、前記ターゲットの仮想
   中心軸と、前記円形基板の仮想中心軸が平行かつ重なら
   ない位置に配置されるか、あるいは前記ターゲットと前
   記ターゲット表面に対し傾斜して設けられた前記円形基
   板との間に配置される前記円形基板の一直径周辺の領域
   に相当するスリットを有する遮蔽板からなることを特徴
   とする請求項２に記載の方法。
8. 【請求項８】 前記遮蔽手段は、前記ターゲットと前記
   ターゲットに対向して設けられた円形基板との間に配置
   され、前記円形基板の中央領域を遮蔽し得る大きさの円
   形の遮蔽板からなることを特徴とする請求項２に記載の
   方法。
9. 【請求項９】 前記遮蔽基板は、前記ターゲットと前記
   ターゲットに対向して設けられた円形基板との間に配置
   され、その中心領域の方向に傾斜した複数の貫通孔を有
   する遮蔽板からなることを特徴とする請求項２に記載の
   方法。
10. 【請求項１０】 前記遮蔽手段は、前記ターゲットと前
    記ターゲットに対向して設けられた円形基板との間に並
    列して配置され、第１の配列の複数の貫通孔を有する第
    １の遮蔽板と、該第１の配列を縮小した第２の配列の複
    数の貫通孔を有する第２の遮蔽板とを具備することを特
    徴とする請求項２に記載の方法。
11. 【請求項１１】 前記遮蔽手段は、前記ターゲットと前
    記ターゲットに対向して設けられた円形基板との間に配
    置され、前記円形基板より小さい大きさを有し、中央領
    域に開口を有する環状の遮蔽板からなることを特徴とす
    る請求項２に記載の方法。
12. 【請求項１２】 円形基板と、該円形基板上に設けら
    れ、スパッタ法により、被着が行われる前記基板上の各
    基準領域において、該円形基板の半径に垂直な方向から
    飛来する粒子を選択的に被着させた層とを具備する磁気
    記録媒体。
13. 【請求項１３】 円形基板と、該円形基板上に設けら
    れ、スパッタ法により、被着が行われる前記基板上の各
    基準領域において、少なくとも該円形基板の仮想中心線
    を越えずに該基板の外側より中心を向く方向へ飛来する
    粒子を選択的に被着させた磁性層とを具備することを特
    徴とする磁気記録媒体。