JPS63127432A - スパツタリング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 ドーナツ状の磁気ディスク基板上に成膜するスパッタリ
ング装置であって、ディスク基板の外周より大きく且つ
放射状の溝が形成されたターゲットと基板の内周より小
さく且つ放射状の溝を有するターゲットを基板中心と同
心に配置したことにより高速スパッタ成膜を可能とした
。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、磁気ディスク装置に用いられる磁気記録媒体
を製造するスパッタ装置に関するものである。

磁気ディスク装置に用いられる磁気記録媒体は、その記
録容量の増大化に伴ない従来の塗布型の磁性膜から薄膜
磁性膜へと、変って来ている。この薄膜磁性膜としては
、γ−Ｆｅ、０．スパッタ膜やＣｏＮ　ｉなどのメタル
スパッタ膜が考えられるが、この内γ−Ｆｅ、０．スパ
ッタ膜は耐候性や耐摩耗性などでは有利であるという特
色をもっている。しかし通常のスパッタ装置ではｒ　−
ＦｅｚＯ＝　スパッタ膜の磁気特性は膜面内に等方向で
ある。そこでスパッタ膜の記録方向にそって磁化容易軸
を付与することにより角形比（残留磁束密度と磁束密度
との比）を向上できれば信号の高出力化、高分解能化、
高Ｓ／Ｎ化に有効である。

〔従来の技術〕

従来の反応スパッタのスパッタ装置の一例を第３図に示
す。図中１はＦｅを主成分としたターゲット、２は水冷
陰極、３はディスク基板であり０２雰囲気にてスパッタ
すると、鉄の酸化物は図中矢印の様にランダムな方向に
飛散し、ディスク基板上にα−Ｆｅ２０３膜として成膜
される。これを還元及び酸化するとｒ−Ｆｅ２０３スパ
ツタ媒体となるが、該スバフタ媒体ではスパッタ粒子が
ランダムな方向からディスク基）反に飛着することから
その磁気特性は等方向である。

また、飛散粒子の単一指向性が良好なスパッタ装置（対
向陰極スパッタ装置）を使用し、かつ、この指向性の高
い粒子の斜め成分を基板に入射せしめれば、その斜め入
射効果により磁気異方性を付与することができる。

〔発明が解決しようとした問題点〕

上記従来のスパッタ装置において、第３図に示す様なス
パッタ装置では量産性では優れているものの、基板への
飛散粒子がランダムな事から磁気異方性を付与できず、
特性向上は望めなかった。

一方、飛散粒子の指向性を高めたスパッタ装置では、磁
気異方性を付与して特性向上は図れるが、成膜速度が遅
く量産性に劣るという欠点があった。

本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、磁気
ディスクの記録媒体を磁気異方性を付与しながら量産性
良く成膜できるスパッタリング装置を提供することを目
的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

このため本発明においては、第１図に例示するように、
外径Ａ、内径Ｂ、幅Ｃなるドーナツ状のディスク基板１
０上に成膜するスパッタ装置において、外径Ｄ、内径Ｅ
、幅Ｆなるドーナツ状で、上記ディスク基板１０と、Ｅ
≧ＡかつＦ≧Ｃなる関係をもち、表面に中心から放射状
の溝１１ａを有する第１のターゲット１１と、外径Ｇな
る円板状で、前記ディスク基板１０とＧ≦Ｂなる関係を
もち、表面に中心から放射状の溝１２ａを有する第２の
ターゲット１２とを設け、上記第１のターゲット１１お
よび第２のターゲット１２を、その中心が前記ディスク
基板１０の中心と同軸となるように配置したことを特徴
としている。

〔作　用〕

ターゲット１１　、１２に溝１１ａ、１２ｂを形成した
ことにより溝の谷部からのスパッタ粒子が溝の山部に再
付着する確率を増すことから、溝形成方向と垂直方向へ
のスパッタ粒子の飛散が抑えられ、スパッタ飛散粒子の
溝形成方向への指向性が高まり、また基板真下にはター
ゲットが存在しないので、基板ｌＯへ入射するスパッタ
粒子は斜め成分であるので基板円周方向の異方性を付与
することが可能となる。

〔実施例〕

第１図は本発明の実施例を示す図であり、ａは斜視図、
ｂは平面図である。

本実施例は第１図に示すように、ドーナツ状の磁気ディ
スク基板１０の中心と同軸となるように配置されたドー
ナツ状の第１のターゲット１１と、円板状の第２のター
ゲット１２が設けられたもので、磁気ディスク基板１０
の外径をＡ、内径をＢ、幅をＣとし、第１のターゲット
１１の外径をＤ、内径をＥ、幅をＦとし、第２のターゲ
ット１２の外径をＧとしたとき、Ｅ≧Ａ、Ｆ≧Ｃ，Ｇ≦
Ｂなる関係をもち、且つ、それぞれの表面に中心からの
放射状の溝１１ａ、１２ａを設けたものである。なお溝
１１ａ、１２ａの深さ、及び第１のターゲット１１の最
内周でのピッチ、第２のターゲット１１の最外周でのピ
ッチはそれぞれ１１ｍ程度で、溝形状はＶ字状又はＵ字
状等何れでも良い。

このように構成されたターゲットを有する本実施例のス
パッタリング装置は、０２雰囲気中で第１のターゲット
１１および第２のターゲット１２を用いてスパッタを行
なう。この際ディスク基板１０は通常回転して成膜する
が静止状態でもよい。

また第１、第２のターゲソ）　１１　、１２はそれぞれ
単独で用いることもできる。

これにより、鉄の酸化物はターゲット１１，１２から矢
印の様に指向性よく飛散し、ディスク基板１０上にα−
Ｆｅ２０．膜として成膜される。このディスク基板１０
を還元及び酸化するとγ−Ｆｅｚｅｓ膜となるが、該ス
パッタ膜はスパッタ粒子が指向性よく、かつ斜めに入射
することから、その磁気特性は基板円周方向を容易軸と
した磁気異方性をもつ高性能磁気ディスクとなる。また
第１、第２の２つのターゲットを同時に用いることによ
り高速スパッタ成膜が可能となる。

第２図は本発明の他の実施例を示す図であり、ａは斜視
図、ｂは平面図である。

本実施例が前実施例（第１図）と異なるところは、第１
のターゲットを複数に分割し、その分割された各々をそ
の扇状に内接した矩形（円形又は他の形状でもよい）状
に形成し、ターゲツト群１３としたことである。

本実施例では大きなターゲツト材を必要としないのでコ
ストが安くなるが、効果は前実施例と全く同様である。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように、本発明によれば、第１、第２の
２つのターゲットから斜め入射効果を持つスパッタ成膜
が行なえることから、量産性よくディスク基板の円周方
向を容易軸とした異方性を付与した高性能ディスクを得
ることができ、実用的には極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す図、 第２図は本発明の他の実施例を示す図、第３図は従来の
スパッタリング装置を示す図である。 第１図、第２図において、 １０はディスク基板、１１は第１のターゲット、１２は
第２のターゲット、 １３はターゲツト群、ｌｌａ、１２ａは溝である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、外径Ａ、内径Ｂ、幅Ｃなるドーナツ状のディスク基
   板（１０）上に成膜するスパッタ装置において、 外径Ｄ、内径Ｅ、幅Ｆなるドーナツ状で、上記ディスク
   基板（１０）とＥ≧ＡかつＦ≧Ｃなる関係をもち、表面
   に中心から放射状の溝（１１ａ）を有する第１のターゲ
   ット（１１）と、 外径Ｇなる円板状で、前記ディスク基板（１０）とＧ≦
   Ｂなる関係をもち、表面に中心から放射状の溝（１２ａ
   ）を有する第２のターゲット（１２）とを設け、 上記第１のターゲット（１１）および第２のターゲット
   （１２）を、その中心が前記ディスク基板（１０）の中
   心と同軸となるように配置したことを特徴としたスパッ
   タリング装置。 ２、上記第１のターゲット（１１）を複数個に分割し、
   その各々を矩形又は円形等の形状にしたことを特徴とし
   た特許請求の範囲第１項記載のスパッタリング装置。