JPS6390026A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6390026A JPS6390026A JP23458786A JP23458786A JPS6390026A JP S6390026 A JPS6390026 A JP S6390026A JP 23458786 A JP23458786 A JP 23458786A JP 23458786 A JP23458786 A JP 23458786A JP S6390026 A JPS6390026 A JP S6390026A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録に用いる記録媒体、とくに高密度記録
に好適な記録媒体に関する。
に好適な記録媒体に関する。
磁気記録に用いる記録媒体として、従来磁性粉を基板上
に塗布したものが用いられてきたが、最近、高密度記録
が可能な記録媒体として、Ｃ０−Ｎｉスパッタ膜やＣ０
−Ｐメッキ膜等のいワユル連続膜を用いた媒体が実用化
されつつある。
に塗布したものが用いられてきたが、最近、高密度記録
が可能な記録媒体として、Ｃ０−Ｎｉスパッタ膜やＣ０
−Ｐメッキ膜等のいワユル連続膜を用いた媒体が実用化
されつつある。
これらの連続膜媒体は例えばアイ・イー・イー・イ〜・
トランザクション オン マグネテックス、エム ニー
ジー１８ （１９８２）第１２１５頁〜１２２０頁（
ＩＥＥＥ、 Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ＭＡ
Ｇ１８（１９８２）Ｉ）ｐ１２１５〜１２２０）や昭和
６０年度電子通信学会総合全国大会講演論文集１−２２
７において報告されている。
トランザクション オン マグネテックス、エム ニー
ジー１８ （１９８２）第１２１５頁〜１２２０頁（
ＩＥＥＥ、 Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ＭＡ
Ｇ１８（１９８２）Ｉ）ｐ１２１５〜１２２０）や昭和
６０年度電子通信学会総合全国大会講演論文集１−２２
７において報告されている。
しかしながら、連続磁性膜を用いた記録媒体は高密度記
録を行なった場合に雑音が大きいという欠点を有してい
た。
録を行なった場合に雑音が大きいという欠点を有してい
た。
本発明は、連続磁性膜を用いて雑音の少ない高密度記録
を達成しうる磁気記録媒体を提供するものである。
を達成しうる磁気記録媒体を提供するものである。
本発明者等は、雑音が少なく高記録密度達成が可能な記
録媒体としては、磁化容易軸方向が膜面垂直方向に配向
した磁性膜上に磁化容易軸方向が膜面内に配向した磁性
膜を設けたものが適していることを見出した。
録媒体としては、磁化容易軸方向が膜面垂直方向に配向
した磁性膜上に磁化容易軸方向が膜面内に配向した磁性
膜を設けたものが適していることを見出した。
磁化容易軸方向の異なる磁性膜を作製する方法としては
、材質の異なる２種類の磁性膜を用いる方法や、同質の
磁性膜を用いても、スパッタ法によシ作製する際のＤＣ
バイアス電圧を変化させる方法がある。
、材質の異なる２種類の磁性膜を用いる方法や、同質の
磁性膜を用いても、スパッタ法によシ作製する際のＤＣ
バイアス電圧を変化させる方法がある。
なお、磁化容易軸方向が膜面垂直方向に配向した磁性膜
を作製する際には、該磁性膜と基板との間に、Ｃ，Ｇｅ
、３ｉのうち一種類以上の元素を含有する材料からなる
薄膜を設けることが望ましい。
を作製する際には、該磁性膜と基板との間に、Ｃ，Ｇｅ
、３ｉのうち一種類以上の元素を含有する材料からなる
薄膜を設けることが望ましい。
連続磁性膜を用いた場合の雑音は、第２図に示すような
鋸歯状磁区によ磁化ずるものと思われる。
鋸歯状磁区によ磁化ずるものと思われる。
この鋸歯状磁区は、例えばアイ・イー・イー・イー・ト
ランザクション オブ マグネティクスエムニー ジー
（ＩＥｇＥ Ｔｒａｎｓ、 ＭａｇｎｅｔｉｃｓＭＡＧ
） １０ （１９７４年）第６７４頁から第６７７頁に
記載されている。尚、第２図の２本線で示した矢印は磁
化の方向を表すものである。この鋸歯状磁区は、互いに
向き合った磁区の境界における磁極の発生を減少させる
ために生じるものと考えられる。
ランザクション オブ マグネティクスエムニー ジー
（ＩＥｇＥ Ｔｒａｎｓ、 ＭａｇｎｅｔｉｃｓＭＡＧ
） １０ （１９７４年）第６７４頁から第６７７頁に
記載されている。尚、第２図の２本線で示した矢印は磁
化の方向を表すものである。この鋸歯状磁区は、互いに
向き合った磁区の境界における磁極の発生を減少させる
ために生じるものと考えられる。
一方、本発明による磁区構造は第１図に示す通シである
が、下層に設けた垂直磁化層によ多磁極の発生が低減さ
れるため、鋸歯状磁区はほとんどあられれない。
が、下層に設けた垂直磁化層によ多磁極の発生が低減さ
れるため、鋸歯状磁区はほとんどあられれない。
以下１本発明を実施例によシ詳しく説明する。
実施例１
外径１３０ｍφ、内径４０ｍφ、厚さ１．９ ｗａのＡ
ｔ円板上に１厚さ１５μｍのＮｉＰ膜を設けたものを基
板として用い、この基板上に厚さ０．００５μｍ（５０
人）のＣ（カーボン）膜を設け、ひき続き膜厚０．０３
μｍのＣ０５ｏ Ｃｒ Ｓｏ膜を設けた。つぎに、膜厚
０．０３μｍのＣ０ｔｏＮｆｓｏ膜を設けた後、その上
に膜厚０，０２μｍのＣＩ［ｔ−設けた。各薄膜は、す
べてＤＣバイアス電圧零の状態で、マグネトロンスパッ
タ法によシ作製した。
ｔ円板上に１厚さ１５μｍのＮｉＰ膜を設けたものを基
板として用い、この基板上に厚さ０．００５μｍ（５０
人）のＣ（カーボン）膜を設け、ひき続き膜厚０．０３
μｍのＣ０５ｏ Ｃｒ Ｓｏ膜を設けた。つぎに、膜厚
０．０３μｍのＣ０ｔｏＮｆｓｏ膜を設けた後、その上
に膜厚０，０２μｍのＣＩ［ｔ−設けた。各薄膜は、す
べてＤＣバイアス電圧零の状態で、マグネトロンスパッ
タ法によシ作製した。
各薄膜を作製するためのターゲット径はすべて２００閤
φであ夛、スパッタ時のＡｒ圧は５ｅｍ’ｌ’ｏｒｒ
、スパッタ電力は１ｋＷとした。
φであ夛、スパッタ時のＡｒ圧は５ｅｍ’ｌ’ｏｒｒ
、スパッタ電力は１ｋＷとした。
上記のようにして作製した記録媒体とギャップ長０．２
μｍ、）ラック幅１００μｍ１巻数１２ターンのＭｎＺ
ｎフェライトヘッドを用い、ヘッド浮上量０．２０μｍ
、ヘラド媒体間相対速度２０ｍ／（６）で記録再生実験
を行った。
μｍ、）ラック幅１００μｍ１巻数１２ターンのＭｎＺ
ｎフェライトヘッドを用い、ヘッド浮上量０．２０μｍ
、ヘラド媒体間相対速度２０ｍ／（６）で記録再生実験
を行った。
この結果、記録周波数０．１ＭＨ２における再生出力は
２．２５ｍＶｐｐであシ、０．１ＭＨ２における再生出
力の１／２の再生出力を与える記録密度Ｉ）ｓｏは２８
ｋ ｆｃｉであった。また、記録周波数１０ＭＨｚＫ
おける雑音の大きさは３．６μＶｒｍｓであった。
２．２５ｍＶｐｐであシ、０．１ＭＨ２における再生出
力の１／２の再生出力を与える記録密度Ｉ）ｓｏは２８
ｋ ｆｃｉであった。また、記録周波数１０ＭＨｚＫ
おける雑音の大きさは３．６μＶｒｍｓであった。
なお、本実施例において用いた基板と同様の基板上に厚
さ０．００５μｍのＣ膜を設け、ひき続き膜厚０．０３
μｍのＣ０ＩＩＩＩ ｃｒ鵞ｏ膜を設けた試料の磁気ト
ルク曲−よシ、このＣ０５ｏ ｃｒ２Ｇ膜の容易軸は膜
面垂直方向を向いていることがわかった。さらに、この
Ｃｏ Ｓｏ Ｃｒ、ｏ膜の磁化曲線を用い、本実施例の
Ｃｏｒｅ Ｎ１ａｏ ／ ＣｏＩＩｅ Ｃｒ ｓｏ膜の
磁化曲線よｔ） Ｃｏｔｏ Ｎｉ３６膜の磁化曲線を求
めたところ、膜面内の角型比は０．９０．保磁力は７５
００ｅ、膜面垂直方向の角屋比は０．１０．保磁力は１
１００ｅ・であ）、磁化容易軸は膜面内に向いているこ
とがわかった。
さ０．００５μｍのＣ膜を設け、ひき続き膜厚０．０３
μｍのＣ０ＩＩＩＩ ｃｒ鵞ｏ膜を設けた試料の磁気ト
ルク曲−よシ、このＣ０５ｏ ｃｒ２Ｇ膜の容易軸は膜
面垂直方向を向いていることがわかった。さらに、この
Ｃｏ Ｓｏ Ｃｒ、ｏ膜の磁化曲線を用い、本実施例の
Ｃｏｒｅ Ｎ１ａｏ ／ ＣｏＩＩｅ Ｃｒ ｓｏ膜の
磁化曲線よｔ） Ｃｏｔｏ Ｎｉ３６膜の磁化曲線を求
めたところ、膜面内の角型比は０．９０．保磁力は７５
００ｅ、膜面垂直方向の角屋比は０．１０．保磁力は１
１００ｅ・であ）、磁化容易軸は膜面内に向いているこ
とがわかった。
実施例２
実施例１と同じ形状のＡｔ円板上て厚さ１５μｍのＮｉ
Ｐ膜を設けたものを基板として用い、この基板上に厚さ
ｏ、ｏｏｓμｍのＣ膜を設けた。つぎに、膜厚０．Ｏ３
ｎｍのｃｏｓｏ ｃｒ ｓｏ膜をＤＣバイアス電圧を０
から一２００ｖまで連続的に変化させつつマグネトロン
スパッタ法によシ作製した後、ＤＣバイアス電圧を一２
００ｖに固定したまま。
Ｐ膜を設けたものを基板として用い、この基板上に厚さ
ｏ、ｏｏｓμｍのＣ膜を設けた。つぎに、膜厚０．Ｏ３
ｎｍのｃｏｓｏ ｃｒ ｓｏ膜をＤＣバイアス電圧を０
から一２００ｖまで連続的に変化させつつマグネトロン
スパッタ法によシ作製した後、ＤＣバイアス電圧を一２
００ｖに固定したまま。
膜厚０．０３μｍのｃｏｇ（ｌ Ｏｒ鵞０膜を作製した
。
。
このようにして作製した記録媒体の記録再生特性を、実
施例１と同一の磁気ヘッドを用い、実施例１と同一の条
件で測定した。その結果、記録周波数０．１ＭＨｚＫお
ける再生出力は２．２０ｍＶｐｐであシ、Ｄ、。は２９
ｋｆｃｉであった。また、記録周波数１０ＭＨ２におけ
る雑音の大きさは３．２μｖｒｍｓであった。
施例１と同一の磁気ヘッドを用い、実施例１と同一の条
件で測定した。その結果、記録周波数０．１ＭＨｚＫお
ける再生出力は２．２０ｍＶｐｐであシ、Ｄ、。は２９
ｋｆｃｉであった。また、記録周波数１０ＭＨ２におけ
る雑音の大きさは３．２μｖｒｍｓであった。
なお、上記工程でＤＣバイアス電圧を０から一１００Ｖ
まで連続的に変化させつつ作製した膜厚０．０１５μｍ
’Ｅ’ｃＯＣｏＨＯｒｓｏ膜の磁化容易軸は膜面垂直方
向に向いており、ＤＣバイアス電圧−２００Ｖ固定で作
製した膜厚０．０３μｍのｃｏｌｅ Ｃｒｚｏ膜の磁化
容易軸は膜面内にある。
まで連続的に変化させつつ作製した膜厚０．０１５μｍ
’Ｅ’ｃＯＣｏＨＯｒｓｏ膜の磁化容易軸は膜面垂直方
向に向いており、ＤＣバイアス電圧−２００Ｖ固定で作
製した膜厚０．０３μｍのｃｏｌｅ Ｃｒｚｏ膜の磁化
容易軸は膜面内にある。
比較例
実施例と同じ形状のＡｔ円板上に厚さ１５μｍのＮｉ２
膜を設けたものを基板として用い、この基板上に、厚さ
０．２μｍのＣｒ膜を設けた後、膜厚０．０６μｍのＣ
Ｏ７Ｃ０７６Ｎｉ膜を設け、更に、その上に膜厚０．０
２μｍのＣ膜を設けた。各薄膜はＤＣバイアス電圧を印
加しない条件下で、マグネトロンスパッタ法によシ作製
した。ターゲット径およびスパッタ条件は実施例１の場
合と同じである。
膜を設けたものを基板として用い、この基板上に、厚さ
０．２μｍのＣｒ膜を設けた後、膜厚０．０６μｍのＣ
Ｏ７Ｃ０７６Ｎｉ膜を設け、更に、その上に膜厚０．０
２μｍのＣ膜を設けた。各薄膜はＤＣバイアス電圧を印
加しない条件下で、マグネトロンスパッタ法によシ作製
した。ターゲット径およびスパッタ条件は実施例１の場
合と同じである。
実施例１と同じヘッド、同じ測定条件で、記録再生実験
を行ったところ、記録周波数０．１ＭＨｚにおける再生
出力は２．２４ｍＶＩ）ｐであＪ）、Ｄｓｏは２２ｋｆ
ｃｉ、また雑音は１７．８ ｔｔＶ ｒｍｓであった。
を行ったところ、記録周波数０．１ＭＨｚにおける再生
出力は２．２４ｍＶＩ）ｐであＪ）、Ｄｓｏは２２ｋｆ
ｃｉ、また雑音は１７．８ ｔｔＶ ｒｍｓであった。
以上述べてきたように１本発明によると、従来の記録媒
体にくらべて、記録密度特性が秀れかつ雑音の小さな記
録媒体が得られる。
体にくらべて、記録密度特性が秀れかつ雑音の小さな記
録媒体が得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁化容易軸方向が膜面垂直方向に配向した磁性膜を
基板上に設けた後、磁化容易方向が膜面内に配向した磁
性膜を設けることを特徴とする磁気記録媒体。 ２、磁化容易軸方向が膜面垂直方向に配向した磁性膜を
基板上に設けた後、磁化容易方向が膜面内に配向した磁
性膜を設けてなる磁気記録媒体の製造方法において、磁
化容易軸方向が異なる２種類の磁性膜を設ける際に、と
もにスパッタ法を用い、ＤＣバイアス電圧を変化させる
ことにより、磁化容易軸方向を変化させることを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。 ３、磁化容易軸方向が膜面垂直方向に配向した磁性膜と
基板の間に、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｉのうち一種類以上の元素を
含有する材料からなる薄膜を設けてなることを特徴とす
る第１項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61234587A JP2515756B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61234587A JP2515756B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390026A true JPS6390026A (ja) | 1988-04-20 |
| JP2515756B2 JP2515756B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=16973356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61234587A Expired - Lifetime JP2515756B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2515756B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG93828A1 (en) * | 1998-03-26 | 2003-01-21 | Showa Denko Kk | Magnetic recording medium |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6025027A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-07 | Fujitsu Ltd | 磁気デイスク |
| JPS60261026A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61234587A patent/JP2515756B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6025027A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-07 | Fujitsu Ltd | 磁気デイスク |
| JPS60261026A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG93828A1 (en) * | 1998-03-26 | 2003-01-21 | Showa Denko Kk | Magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2515756B2 (ja) | 1996-07-10 |
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