JPH01319133A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体に関し、特に、プレーナマグネ
トロン方式で形成する磁気記録媒体の磁気特性異方性を
制御し、均一な品質の磁気記録媒体を形成する製造方法
に関する。

〔従来技術〕

従来より、スパッタ法で薄膜を形成する技術の中には、
高速で、基板温度の上昇がない、プレーナマグネトロン
方式のスパッタリング法がある。

プレーナマグネトロン方式は、ターゲット後方に磁場印
加機構を設け、ターゲット表面のプラズマ密度を局部的
に高めて、効率よくスパッタリングを行なう方式である
。しかし、この方式は、スパッタリング速度、及び効率
は高いが、円形、楕円形の局部的な部分でのみスパッタ
リングが行われるため、ターゲットと基体の位置関係に
おいて、膜厚分布が発生するため、基体の有効面積に制
限を受けたり、これを改善するために、基体を回転、移
動する等の方法で膜厚分布の改善を行なっていた。

この方式において、磁気記録媒体等の機能膜を形成する
場合には、膜厚分布がなんらかの方法によって均一にで
きても、局部的な位置によってスパッタリングされてい
るため、基体上の位置によって、スパッタリングされた
粒子の基体への入射角度が均一とならない。即ち、基体
上のある部分ではスパッタ粒子の入射角が大きく、ある
部分では、入射角が小さいという状況で膜が形成される
。

この結果として、基体上に形成された磁気記録媒体は、
磁気特性の異方性、方向性に分布を生じることになる。

従来、このスパッタ粒子の入射角についての磁気特性異
方性分布について配慮されていなかった。なおこの種の
装置、製造に関するものに、例えば、特開昭６０−１９
７８７４号、同昭６．０−１９７８６９号、同昭６０−
２００９６２号等が挙げられる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術のプレーナマグネトロン方式スパッタリン
グで磁気記録媒体を形成する場合には、スパッタリング
された粒子が基体に入射する角度により、磁気特性が面
内で方向性を持ち、面内で異方性分布が生じる点につい
て配慮がされておらず、基体上に磁気記録媒体を形成せ
しめた場合において、基体上の位置によって磁気特性の
方向性が異なり、分布を持つという問題があった。この
問題は、磁気デスクの様な大面積基板に形成する磁気記
録媒体においては、磁気特性の均一性が確保できず、記
録再生特性がディスク面内で大きく分布をもち、記録メ
ディアとしての性能を大きく低下させる原因となる。

本発明の目的は、上記問題を解決し、磁気記録媒体を、
磁気特性方向性分布がない、又は、磁気特性方向性をあ
る一方向にもたせることについて、制御可能な磁気記録
媒体の製造方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、プレーナマグネトロン方式スパッタリング
法により磁気記録媒体を形成する場合において、スパッ
タリングターゲットと基体の間に設けた、スパッタ粒子
入射角度制御用マスクを用いて形成することにより、磁
気記録媒体の磁気特性方向性を無方向で均一にする。又
は一方向に均一にすることができる。

〔作用〕

第２図は、プレーナマグネトロン方式スパッタ装置の、
カソード断面と、基体位置関係を示す模式図である。マ
グネトロン方式は、ターゲット上に局部的にプラズマを
集中させて高速スパッタリングを行う方式である。一般
にスパッタリングされる粒子は゛′コサインθ則″に従
ってほぼ無方向にスパッタリングされるが、マグネトロ
ン方式の様に局部的な位置からしか粒子が放出されない
場合は、基板位置と、放出源の位置によって、スパッタ
粒子の基板への入射角度にムラが発生する。

即ち、第２図の、基板中心位置と、端部位置では。

放出源から基板に向かう粒子の入射角度性分範囲が異な
る。第１図は、入射角度制御用の格子状マスクである。

局部的な放出源と基板との間に、格子状のスパッタ粒子
入射角制御用マスクを設けることにより、特定の入射角
成分の粒子をトラップすることで、基板に形成する膜を
特定の入射角で飛来する粒子成分のみで形成、制御する
ことが可能となる。ａ。

ｂ、ｃ寸法を制御することにより、任意の入射角度成分
を選定可能である。

〔実施例〕

以下１、本発明の詳細な説明する。第３図は、本発明の
一実施例を示す円形ターゲットを使用したプレーナマグ
ネトロン成膜装置の断面構造図。

第４図は、一実施例の入射角制御格子状マスクの斜視図
。第３図において、１はＣｏ−Ｎｉ　（３０ｗｔ％）タ
ーゲット、２は磁場印加用マグネット、３は、基板、４
は、入射角制御マスク、５は、より−ジョン領域である
。４のＩＤ−ジョン部より放出されたスパッタ粒子は、
５の入射角度制御マスクに、入射角度を規正され、３の
基板に付着する。この時の形成条件は、Ａｒガス圧＝２
０ｍ”Ｉ”ｏｒｒ、投入パワー２Ｋｗで、Ｃｒ下地膜を
２０００人形成した基板上にＡｒガス圧＝２０ｍＴｏｒ
ｒｅ投入パワーＩＫｗでＣｏＣｏ−Ｎ１（３０％）膜を
７００人形成した。各層膜厚は静止対向スパッタのため
、シャッターに２時間制御して調整を行った。また、タ
ーゲラ１−−基板のキョリは７５ｎｎ、入射角度制御マ
スクの各寸法は、ａ＝４５６　ｂ＝４０ｍｃ＝５ｍ、Ｄ
＝４５ｎｍである。

第５図は、基板中心からの位置Ｒ（ｍ）における。

周方向、半径方向の保磁力比（周方向Ｈｃ　／　Ｒ方向
Ｈｅ）の関係である。保磁力は、ＶＳＭによる測定で求
めた値である。図中の破線（Δ）は、入射角制御マスク
がない場合で、実線（０）は、入射角制御マスクを設け
た場合の特性である。図かられかる様に、基板上位置に
よる、磁気特性の保磁力（Ｈｅ）異方性がなく、均一な
分布が得られていることがわかり、入射角度制御マスク
により、磁気特性異方性の制御が可能であったことがわ
かる。

もちろんこのマスクは、長方形ターゲットの正面を通過
しながら基板に成膜する方法のマグネトロンスパッタ装
置によっても可能である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、プレーナマグネトロン方式で磁気記録
媒体を形成せしめる場合において、スパッタ粒子の入射
角度制御マスクを設けることにより、スパッタ粒子の放
出源位置と、基板上の位置に関係なく、磁気特性の方向
性分布がない、または、磁気特性の方向性を一方向にも
たせることについて効果があり、磁気記録媒体の磁気特
性異方性を制御可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の格子状入射角制御マスク斜
視図、 第２図は、従来のプレーナマグネトロンスパッタ装置断
面構造図、 第３図は１本発明の一実施例である入射角制御マスクを
設けたスパッタ装置断面構造図、第４図は、入射角制御
マスク部分の斜視図、第５図は、基板位置と、保持力異
方性比の相関図である。 １−　Ｃｏ　−Ｎ　ｉ　　（３０ｗ　ｔ％）ターゲット
、２・・・磁場印加用マグネット、３・・・基板、４・
・・入射角度制御用マスク、５・・・ＩＤ−ジョン領域
。 躬２国 躬４０ 第　３１！］ 躬５０

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．基体上に、Ｃｏ系強磁性金属薄膜媒体をプレーナマ
   グネトロンスパッタリング法を用いて形成する磁気記録
   媒体において、基体とマグネトロンカソードの間に、ス
   パッタリング粒子の基体への入射角度制御マスクを設け
   て、形成する磁気記録媒体の磁気特性異方性を制御する
   ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。