JPH0363933A - 磁気ディスク製造用ターゲット及び磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

磁気ディスク製造用ターゲット及び磁気ディスクの製造方法

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JPH0363933A
JPH0363933A JP19892589A JP19892589A JPH0363933A JP H0363933 A JPH0363933 A JP H0363933A JP 19892589 A JP19892589 A JP 19892589A JP 19892589 A JP19892589 A JP 19892589A JP H0363933 A JPH0363933 A JP H0363933A
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JP
Japan
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target
magnetic disk
sputter
magnetic
shaped grooves
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Pending
Application number
JP19892589A
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English (en)
Inventor
Fumiaki Beppu
史章 別府
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度記録特性に優′れた金属薄膜磁気記録
媒体であるスパッタ磁気ディスク媒体を製造するために
用いるターゲット、及びスパッタ磁気ディスク媒体の製
造方法に関するものである。
従来の技術 良好な高密度記録を得るためには、記録媒体の薄膜化、
高保磁力化、高残留磁束密度化が必要とされている。
この条件を満たす磁性体として、Co系合金磁性膜が注
目され、スパッタリングによってCr下地膜を形成し、
その上にCoNiCr @を形成したものが主流となっ
ている。筐た、スパッタ磁気ディスク媒体の製造は量産
性に優れた基板移動型連続スパッタ装置を用いて行われ
る場合が多い。この基板移動型連続スパッタ装置は、2
つ以上設置されたターゲットの前を、磁気ディスク用基
板が一定の速度で動いて行の構造のものであジ、多層喚
の膜構成を必要とするスパッタ磁気ディスク媒体の製造
に広く用いられる。また、スパッタ用ターゲットは一般
にその表面が平坦に加入されて釦り、基板移動型連続ス
パッタ装置の場合もその表面が平坦なものが用いられる
。この平坦に加工されたターゲットを用いてスパッタ磁
気ディスク媒体を製造する時の上面から見た装置内の様
子を第6図に示す。2の方向に動いて来る磁気ディスク
用基板1に、ターゲット3のエロージヲン領域5から飛
び出して来るスパッタ粒子6,7.8が付着し、膜形成
がなされる。そして、次のターゲットにかいても同様な
ことがなされ、多層膜が形成される。な釦4はマグネト
ロンスパッタを行うための永久磁石である。
発明が解決しようとする課題 ところで、上記したターゲットの表面は平坦であるため
、ターゲットにほぼ垂直に衝突する粒子(例えばアルゴ
ンイオン)によって、はじき出されるスパッタ原子の放
出角度分布はcosθ則に従う(θはターゲット表面の
法線に対する角度であり、900〜90°である)。こ
のため、第5図に示すように移動する磁気ディスク用基
板に膜形成する場合、斜め入射して飛んで来るスパッタ
粒子6によって初期層が形成される。
又、一般に斜め入射で形成される磁性膜は異方性が生じ
ることが知られているが、Crを形成し、その上にCo
NiCrを形成する場合は、Crの初期層が斜め入射で
形成されるとその上に形成される磁性膜は異方性を生じ
る。このため、第5図に示すような基板移動型連続スパ
ッタ原子を用いて製造される磁気ディスク媒体は面内で
異方性を生じる。この異方性の様子は第6図の磁気ディ
スク媒体(第5図の磁気ディスク基板1を横から見たも
の)のA、Bに於ける磁気特性かられかる。これらの磁
気特性を表1に示す。
表    1 A、Bそれぞれの磁気特性は、磁気ディスクの円周方向
と半径方向で異なシ、この磁気ディスクは異方性を生じ
ている。この異方性の容易方向は、Aではディスクの半
径方向、Bではディスクの円周方向、すなわち、基板の
移動方向2と直角の方向である。
又、ディスクの特性は、ディスクの円周方向の磁気特性
で決筐るため、この磁気ディスクは優れた特性を持った
B、劣った特性を持つAが混在する不均一なディスクと
なっている。このため、高密度記録の限界が劣った特性
を持つAで規定さ九より高い高密度記録を行なえないと
いう問題点があった。又、電磁変換特性を見た場合、こ
の磁気ディスク媒体の再生出力波形は二山上のエンベロ
ーグモジュレーシプンとなう、信号系の回路設計等が複
雑になるという問題点があった。
課題を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するため、ターゲット表面
に基板移動方向と直角方向に複数のV状の溝を形成した
作  用 上記構成により、本ターゲットにほぼ垂直に衝突する粒
子(例えばアルゴンイオン)によってはじき出されるス
パッタ原子の放出角度はcos (θ−φ)則になる。
(θはターゲット表面に対する角度であり一900〜9
0°である。又、φは本ターゲットのV状の溝の角度で
決筐る値である。)このように本ターゲットでは、φを
変化させてスパッタ原子の放出角度分布を変化させるこ
とができる。
従って、移動する磁気ディスク基板に膜形成する場合、
φを適当な値にすることによりスパッタ原子の°放出角
度分布を変化させて、垂直に入射して飛んで来るスパッ
タ原子によって初期層を形成することができる。初期層
が垂直に入射して来た粒子で形成された磁気ディスク媒
体は、面内では異方性を生じず、円周方向の磁気特性が
均一なものとなる。
実施例 以下本発明の一実施例を説明する。
第1図は、本発明の一実施例のスパッタ磁気ディスク用
ターゲットを示す図であり、(−図はその平面図を、(
8図は断面図を示している。(at図に示しているよう
にターゲットは一方向に複数のV状の溝1が形成されて
いる。又、(b)図に示しているようにターゲットの縦
断面図形状が鋸歯状となるように前記のV状の溝は形成
されている。このV状の溝を第2図のイオン9が勾配角
3o0の傾斜面13に対して30°の入射角で入射した
時のスパッタ原子の放出角度分布はcos (θ−30
)則に従い、スパッタ粒子10,11.12のように飛
び出す。
第3図に本発明のV状の溝を有するターゲットを用いて
スパッタ磁気ディスク媒体を製造する時の配置を示す。
第3図に於て、V状の溝の方向は基板移動方向と直角に
なっている。そして、図示しているように磁気ディスク
基板1を2の方向に移動させて、スパッタを行い、膜形
成する場合、基板移動速度、スパッタ電力を理論計算し
てやれば磁気ディスク用基板にほぼ垂直に入射して飛ん
で来るスパッタ原子10で初期層を形成することができ
る。このように初期層が垂直に入射して飛んで来たスパ
ッタ原子で形成された磁性薄膜は、面内では異方性を生
じず、円周方向の磁気特性がディスク内のどの部分でも
均一な磁気ディスク媒体となる。
ここで、第1図に示したターゲットと従来のターゲット
(表面が平坦なターゲット)を用いて、磁気ディスク用
基板にスパッタを行い、得られた磁気ディスク媒体の電
磁変換特性を調べた。その時の再生波形のエンベロープ
モジュレーションを第4図に示す。なか、磁気ディスク
媒体はNi −Pが施されたアルミ基板にCr膜を30
00人。
CO−r oN l 20 Cr 1o膜を600人、
C膜を300A形威したものを用いた。又、磁気ヘッド
はギャップ長0.9〔μm〕、トラック幅20〔μm〕
のMn −Znフェライトを用いた。第4図かられかる
ように、本ターゲットを用いて製造された磁気ディスク
媒体ノエンペロープモジュレーションハ、従来のターゲ
ットを用いて製造された磁気ディスクのエンベロープモ
ジュレーション(二山状)とは違い、平ら状になってい
る。このようなエンベロープモジュレーションは、信号
系の回路設計を容易にする。
第2表 第2表に低密度記録時の再生出力の2分の1の出力にな
る記録密度を示すD5゜の値を示す。
般に、−枚のディスクとして高密度記録の限界を評価す
る場合、ディスク内で一番特性が悪い所を評価するのが
妥当であり、この評価によれば第2表に示すように、本
ターゲットを用いて製造された磁気ディスクは、従来の
ものと比べて、高密度記録に適した媒体となっている。
発明の効果 本発明は、ターゲット表面に基板移動方向と直角方向に
複数のV状の溝を形成したターゲットを用いることによ
シ、移動する磁気ディスク用基板に成膜される初期層を
直角入射して来る粒子によって形成するものである。こ
うして得られた磁気ディスク媒体は、面内では異方性を
生じず、円周方向の磁気特性がディスク内のどの部分で
も均一な媒体となる。このような磁気ディスク媒体は、
信号系の回路設計等が容易になるという長所を持つ。又
、高密度記録に関しても、従来の製造方法で得られた磁
気ディスク媒体に比べて、よシ高い高密度記録を行うこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明の一実施例のスパッタ磁気ディス
ク媒体製造用ターゲットの平面図、同図(b)はその断
面図、第2図は第1図(b)の要部拡大図、第3図は本
実施例のターゲットを用いて磁気ディスク要基板にスパ
ッタする際のスパッタ装置内部を上から見た概略図、第
4図(−) 、 (b)は本実施例のターゲットを用い
てスパッタを行って得た磁気ディスクと、従来のターゲ
ットを用いてスパッタを行って得た磁気ディスクの電磁
変換特性を示す再生出力波形図、第6図は従来のターゲ
ットを用いて磁気ディスク要基板にスパッタする際のス
パッタ装置の内部を上面から見た概略図、第6図は第5
図の磁気ディスク用基板を横から見た図である。 1・・・・・・溝、10〜12・・・・・・スパッタ粒
子。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ターゲット表面の一方向に複数のV状の溝を形成
    したことを特徴とする磁気ディスク製造用ターゲット。
  2. (2)縦断面形状が鋸歯状となるように複数のV状の溝
    が形成されてなる特許請求の範囲第1項に記載の磁気デ
    ィスク製造用ターゲット。
  3. (3)特許請求の範囲第1項記載の磁気ディスク媒体製
    造用ターゲットを用い、このターゲットの前記V状の溝
    の方向を磁気ディスク用基板の移動方向と直角になるよ
    うに配置し、移動する磁気ディスク用基板にスパッタを
    行うことを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
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