JPH0363933A - 磁気ディスク製造用ターゲット及び磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
磁気ディスク製造用ターゲット及び磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH0363933A JPH0363933A JP19892589A JP19892589A JPH0363933A JP H0363933 A JPH0363933 A JP H0363933A JP 19892589 A JP19892589 A JP 19892589A JP 19892589 A JP19892589 A JP 19892589A JP H0363933 A JPH0363933 A JP H0363933A
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- shaped grooves
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度記録特性に優′れた金属薄膜磁気記録
媒体であるスパッタ磁気ディスク媒体を製造するために
用いるターゲット、及びスパッタ磁気ディスク媒体の製
造方法に関するものである。
媒体であるスパッタ磁気ディスク媒体を製造するために
用いるターゲット、及びスパッタ磁気ディスク媒体の製
造方法に関するものである。
従来の技術
良好な高密度記録を得るためには、記録媒体の薄膜化、
高保磁力化、高残留磁束密度化が必要とされている。
高保磁力化、高残留磁束密度化が必要とされている。
この条件を満たす磁性体として、Co系合金磁性膜が注
目され、スパッタリングによってCr下地膜を形成し、
その上にCoNiCr @を形成したものが主流となっ
ている。筐た、スパッタ磁気ディスク媒体の製造は量産
性に優れた基板移動型連続スパッタ装置を用いて行われ
る場合が多い。この基板移動型連続スパッタ装置は、2
つ以上設置されたターゲットの前を、磁気ディスク用基
板が一定の速度で動いて行の構造のものであジ、多層喚
の膜構成を必要とするスパッタ磁気ディスク媒体の製造
に広く用いられる。また、スパッタ用ターゲットは一般
にその表面が平坦に加入されて釦り、基板移動型連続ス
パッタ装置の場合もその表面が平坦なものが用いられる
。この平坦に加工されたターゲットを用いてスパッタ磁
気ディスク媒体を製造する時の上面から見た装置内の様
子を第6図に示す。2の方向に動いて来る磁気ディスク
用基板1に、ターゲット3のエロージヲン領域5から飛
び出して来るスパッタ粒子6,7.8が付着し、膜形成
がなされる。そして、次のターゲットにかいても同様な
ことがなされ、多層膜が形成される。な釦4はマグネト
ロンスパッタを行うための永久磁石である。
目され、スパッタリングによってCr下地膜を形成し、
その上にCoNiCr @を形成したものが主流となっ
ている。筐た、スパッタ磁気ディスク媒体の製造は量産
性に優れた基板移動型連続スパッタ装置を用いて行われ
る場合が多い。この基板移動型連続スパッタ装置は、2
つ以上設置されたターゲットの前を、磁気ディスク用基
板が一定の速度で動いて行の構造のものであジ、多層喚
の膜構成を必要とするスパッタ磁気ディスク媒体の製造
に広く用いられる。また、スパッタ用ターゲットは一般
にその表面が平坦に加入されて釦り、基板移動型連続ス
パッタ装置の場合もその表面が平坦なものが用いられる
。この平坦に加工されたターゲットを用いてスパッタ磁
気ディスク媒体を製造する時の上面から見た装置内の様
子を第6図に示す。2の方向に動いて来る磁気ディスク
用基板1に、ターゲット3のエロージヲン領域5から飛
び出して来るスパッタ粒子6,7.8が付着し、膜形成
がなされる。そして、次のターゲットにかいても同様な
ことがなされ、多層膜が形成される。な釦4はマグネト
ロンスパッタを行うための永久磁石である。
発明が解決しようとする課題
ところで、上記したターゲットの表面は平坦であるため
、ターゲットにほぼ垂直に衝突する粒子(例えばアルゴ
ンイオン)によって、はじき出されるスパッタ原子の放
出角度分布はcosθ則に従う(θはターゲット表面の
法線に対する角度であり、900〜90°である)。こ
のため、第5図に示すように移動する磁気ディスク用基
板に膜形成する場合、斜め入射して飛んで来るスパッタ
粒子6によって初期層が形成される。
、ターゲットにほぼ垂直に衝突する粒子(例えばアルゴ
ンイオン)によって、はじき出されるスパッタ原子の放
出角度分布はcosθ則に従う(θはターゲット表面の
法線に対する角度であり、900〜90°である)。こ
のため、第5図に示すように移動する磁気ディスク用基
板に膜形成する場合、斜め入射して飛んで来るスパッタ
粒子6によって初期層が形成される。
又、一般に斜め入射で形成される磁性膜は異方性が生じ
ることが知られているが、Crを形成し、その上にCo
NiCrを形成する場合は、Crの初期層が斜め入射で
形成されるとその上に形成される磁性膜は異方性を生じ
る。このため、第5図に示すような基板移動型連続スパ
ッタ原子を用いて製造される磁気ディスク媒体は面内で
異方性を生じる。この異方性の様子は第6図の磁気ディ
スク媒体(第5図の磁気ディスク基板1を横から見たも
の)のA、Bに於ける磁気特性かられかる。これらの磁
気特性を表1に示す。
ることが知られているが、Crを形成し、その上にCo
NiCrを形成する場合は、Crの初期層が斜め入射で
形成されるとその上に形成される磁性膜は異方性を生じ
る。このため、第5図に示すような基板移動型連続スパ
ッタ原子を用いて製造される磁気ディスク媒体は面内で
異方性を生じる。この異方性の様子は第6図の磁気ディ
スク媒体(第5図の磁気ディスク基板1を横から見たも
の)のA、Bに於ける磁気特性かられかる。これらの磁
気特性を表1に示す。
表 1
A、Bそれぞれの磁気特性は、磁気ディスクの円周方向
と半径方向で異なシ、この磁気ディスクは異方性を生じ
ている。この異方性の容易方向は、Aではディスクの半
径方向、Bではディスクの円周方向、すなわち、基板の
移動方向2と直角の方向である。
と半径方向で異なシ、この磁気ディスクは異方性を生じ
ている。この異方性の容易方向は、Aではディスクの半
径方向、Bではディスクの円周方向、すなわち、基板の
移動方向2と直角の方向である。
又、ディスクの特性は、ディスクの円周方向の磁気特性
で決筐るため、この磁気ディスクは優れた特性を持った
B、劣った特性を持つAが混在する不均一なディスクと
なっている。このため、高密度記録の限界が劣った特性
を持つAで規定さ九より高い高密度記録を行なえないと
いう問題点があった。又、電磁変換特性を見た場合、こ
の磁気ディスク媒体の再生出力波形は二山上のエンベロ
ーグモジュレーシプンとなう、信号系の回路設計等が複
雑になるという問題点があった。
で決筐るため、この磁気ディスクは優れた特性を持った
B、劣った特性を持つAが混在する不均一なディスクと
なっている。このため、高密度記録の限界が劣った特性
を持つAで規定さ九より高い高密度記録を行なえないと
いう問題点があった。又、電磁変換特性を見た場合、こ
の磁気ディスク媒体の再生出力波形は二山上のエンベロ
ーグモジュレーシプンとなう、信号系の回路設計等が複
雑になるという問題点があった。
課題を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するため、ターゲット表面
に基板移動方向と直角方向に複数のV状の溝を形成した
。
に基板移動方向と直角方向に複数のV状の溝を形成した
。
作 用
上記構成により、本ターゲットにほぼ垂直に衝突する粒
子(例えばアルゴンイオン)によってはじき出されるス
パッタ原子の放出角度はcos (θ−φ)則になる。
子(例えばアルゴンイオン)によってはじき出されるス
パッタ原子の放出角度はcos (θ−φ)則になる。
(θはターゲット表面に対する角度であり一900〜9
0°である。又、φは本ターゲットのV状の溝の角度で
決筐る値である。)このように本ターゲットでは、φを
変化させてスパッタ原子の放出角度分布を変化させるこ
とができる。
0°である。又、φは本ターゲットのV状の溝の角度で
決筐る値である。)このように本ターゲットでは、φを
変化させてスパッタ原子の放出角度分布を変化させるこ
とができる。
従って、移動する磁気ディスク基板に膜形成する場合、
φを適当な値にすることによりスパッタ原子の°放出角
度分布を変化させて、垂直に入射して飛んで来るスパッ
タ原子によって初期層を形成することができる。初期層
が垂直に入射して来た粒子で形成された磁気ディスク媒
体は、面内では異方性を生じず、円周方向の磁気特性が
均一なものとなる。
φを適当な値にすることによりスパッタ原子の°放出角
度分布を変化させて、垂直に入射して飛んで来るスパッ
タ原子によって初期層を形成することができる。初期層
が垂直に入射して来た粒子で形成された磁気ディスク媒
体は、面内では異方性を生じず、円周方向の磁気特性が
均一なものとなる。
実施例
以下本発明の一実施例を説明する。
第1図は、本発明の一実施例のスパッタ磁気ディスク用
ターゲットを示す図であり、(−図はその平面図を、(
8図は断面図を示している。(at図に示しているよう
にターゲットは一方向に複数のV状の溝1が形成されて
いる。又、(b)図に示しているようにターゲットの縦
断面図形状が鋸歯状となるように前記のV状の溝は形成
されている。このV状の溝を第2図のイオン9が勾配角
3o0の傾斜面13に対して30°の入射角で入射した
時のスパッタ原子の放出角度分布はcos (θ−30
)則に従い、スパッタ粒子10,11.12のように飛
び出す。
ターゲットを示す図であり、(−図はその平面図を、(
8図は断面図を示している。(at図に示しているよう
にターゲットは一方向に複数のV状の溝1が形成されて
いる。又、(b)図に示しているようにターゲットの縦
断面図形状が鋸歯状となるように前記のV状の溝は形成
されている。このV状の溝を第2図のイオン9が勾配角
3o0の傾斜面13に対して30°の入射角で入射した
時のスパッタ原子の放出角度分布はcos (θ−30
)則に従い、スパッタ粒子10,11.12のように飛
び出す。
第3図に本発明のV状の溝を有するターゲットを用いて
スパッタ磁気ディスク媒体を製造する時の配置を示す。
スパッタ磁気ディスク媒体を製造する時の配置を示す。
第3図に於て、V状の溝の方向は基板移動方向と直角に
なっている。そして、図示しているように磁気ディスク
基板1を2の方向に移動させて、スパッタを行い、膜形
成する場合、基板移動速度、スパッタ電力を理論計算し
てやれば磁気ディスク用基板にほぼ垂直に入射して飛ん
で来るスパッタ原子10で初期層を形成することができ
る。このように初期層が垂直に入射して飛んで来たスパ
ッタ原子で形成された磁性薄膜は、面内では異方性を生
じず、円周方向の磁気特性がディスク内のどの部分でも
均一な磁気ディスク媒体となる。
なっている。そして、図示しているように磁気ディスク
基板1を2の方向に移動させて、スパッタを行い、膜形
成する場合、基板移動速度、スパッタ電力を理論計算し
てやれば磁気ディスク用基板にほぼ垂直に入射して飛ん
で来るスパッタ原子10で初期層を形成することができ
る。このように初期層が垂直に入射して飛んで来たスパ
ッタ原子で形成された磁性薄膜は、面内では異方性を生
じず、円周方向の磁気特性がディスク内のどの部分でも
均一な磁気ディスク媒体となる。
ここで、第1図に示したターゲットと従来のターゲット
(表面が平坦なターゲット)を用いて、磁気ディスク用
基板にスパッタを行い、得られた磁気ディスク媒体の電
磁変換特性を調べた。その時の再生波形のエンベロープ
モジュレーションを第4図に示す。なか、磁気ディスク
媒体はNi −Pが施されたアルミ基板にCr膜を30
00人。
(表面が平坦なターゲット)を用いて、磁気ディスク用
基板にスパッタを行い、得られた磁気ディスク媒体の電
磁変換特性を調べた。その時の再生波形のエンベロープ
モジュレーションを第4図に示す。なか、磁気ディスク
媒体はNi −Pが施されたアルミ基板にCr膜を30
00人。
CO−r oN l 20 Cr 1o膜を600人、
C膜を300A形威したものを用いた。又、磁気ヘッド
はギャップ長0.9〔μm〕、トラック幅20〔μm〕
のMn −Znフェライトを用いた。第4図かられかる
ように、本ターゲットを用いて製造された磁気ディスク
媒体ノエンペロープモジュレーションハ、従来のターゲ
ットを用いて製造された磁気ディスクのエンベロープモ
ジュレーション(二山状)とは違い、平ら状になってい
る。このようなエンベロープモジュレーションは、信号
系の回路設計を容易にする。
C膜を300A形威したものを用いた。又、磁気ヘッド
はギャップ長0.9〔μm〕、トラック幅20〔μm〕
のMn −Znフェライトを用いた。第4図かられかる
ように、本ターゲットを用いて製造された磁気ディスク
媒体ノエンペロープモジュレーションハ、従来のターゲ
ットを用いて製造された磁気ディスクのエンベロープモ
ジュレーション(二山状)とは違い、平ら状になってい
る。このようなエンベロープモジュレーションは、信号
系の回路設計を容易にする。
第2表
第2表に低密度記録時の再生出力の2分の1の出力にな
る記録密度を示すD5゜の値を示す。
る記録密度を示すD5゜の値を示す。
般に、−枚のディスクとして高密度記録の限界を評価す
る場合、ディスク内で一番特性が悪い所を評価するのが
妥当であり、この評価によれば第2表に示すように、本
ターゲットを用いて製造された磁気ディスクは、従来の
ものと比べて、高密度記録に適した媒体となっている。
る場合、ディスク内で一番特性が悪い所を評価するのが
妥当であり、この評価によれば第2表に示すように、本
ターゲットを用いて製造された磁気ディスクは、従来の
ものと比べて、高密度記録に適した媒体となっている。
発明の効果
本発明は、ターゲット表面に基板移動方向と直角方向に
複数のV状の溝を形成したターゲットを用いることによ
シ、移動する磁気ディスク用基板に成膜される初期層を
直角入射して来る粒子によって形成するものである。こ
うして得られた磁気ディスク媒体は、面内では異方性を
生じず、円周方向の磁気特性がディスク内のどの部分で
も均一な媒体となる。このような磁気ディスク媒体は、
信号系の回路設計等が容易になるという長所を持つ。又
、高密度記録に関しても、従来の製造方法で得られた磁
気ディスク媒体に比べて、よシ高い高密度記録を行うこ
とができる。
複数のV状の溝を形成したターゲットを用いることによ
シ、移動する磁気ディスク用基板に成膜される初期層を
直角入射して来る粒子によって形成するものである。こ
うして得られた磁気ディスク媒体は、面内では異方性を
生じず、円周方向の磁気特性がディスク内のどの部分で
も均一な媒体となる。このような磁気ディスク媒体は、
信号系の回路設計等が容易になるという長所を持つ。又
、高密度記録に関しても、従来の製造方法で得られた磁
気ディスク媒体に比べて、よシ高い高密度記録を行うこ
とができる。
第1図(a)は本発明の一実施例のスパッタ磁気ディス
ク媒体製造用ターゲットの平面図、同図(b)はその断
面図、第2図は第1図(b)の要部拡大図、第3図は本
実施例のターゲットを用いて磁気ディスク要基板にスパ
ッタする際のスパッタ装置内部を上から見た概略図、第
4図(−) 、 (b)は本実施例のターゲットを用い
てスパッタを行って得た磁気ディスクと、従来のターゲ
ットを用いてスパッタを行って得た磁気ディスクの電磁
変換特性を示す再生出力波形図、第6図は従来のターゲ
ットを用いて磁気ディスク要基板にスパッタする際のス
パッタ装置の内部を上面から見た概略図、第6図は第5
図の磁気ディスク用基板を横から見た図である。 1・・・・・・溝、10〜12・・・・・・スパッタ粒
子。
ク媒体製造用ターゲットの平面図、同図(b)はその断
面図、第2図は第1図(b)の要部拡大図、第3図は本
実施例のターゲットを用いて磁気ディスク要基板にスパ
ッタする際のスパッタ装置内部を上から見た概略図、第
4図(−) 、 (b)は本実施例のターゲットを用い
てスパッタを行って得た磁気ディスクと、従来のターゲ
ットを用いてスパッタを行って得た磁気ディスクの電磁
変換特性を示す再生出力波形図、第6図は従来のターゲ
ットを用いて磁気ディスク要基板にスパッタする際のス
パッタ装置の内部を上面から見た概略図、第6図は第5
図の磁気ディスク用基板を横から見た図である。 1・・・・・・溝、10〜12・・・・・・スパッタ粒
子。
Claims (3)
- (1)ターゲット表面の一方向に複数のV状の溝を形成
したことを特徴とする磁気ディスク製造用ターゲット。 - (2)縦断面形状が鋸歯状となるように複数のV状の溝
が形成されてなる特許請求の範囲第1項に記載の磁気デ
ィスク製造用ターゲット。 - (3)特許請求の範囲第1項記載の磁気ディスク媒体製
造用ターゲットを用い、このターゲットの前記V状の溝
の方向を磁気ディスク用基板の移動方向と直角になるよ
うに配置し、移動する磁気ディスク用基板にスパッタを
行うことを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19892589A JPH0363933A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 磁気ディスク製造用ターゲット及び磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19892589A JPH0363933A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 磁気ディスク製造用ターゲット及び磁気ディスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0363933A true JPH0363933A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=16399246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19892589A Pending JPH0363933A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 磁気ディスク製造用ターゲット及び磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0363933A (ja) |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP19892589A patent/JPH0363933A/ja active Pending
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