JPS6089809A - 磁気抵抗効果型ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘツドおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6089809A JPS6089809A JP19757483A JP19757483A JPS6089809A JP S6089809 A JPS6089809 A JP S6089809A JP 19757483 A JP19757483 A JP 19757483A JP 19757483 A JP19757483 A JP 19757483A JP S6089809 A JPS6089809 A JP S6089809A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- layer
- magnetic
- film layer
- ferrite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁気ディスク、磁気テープなどの磁気記録媒
体からの信号磁界を検出する、磁気抵抗効果を利用した
薄膜ヘッドおよびその製造方法に関するものである。
体からの信号磁界を検出する、磁気抵抗効果を利用した
薄膜ヘッドおよびその製造方法に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドは、再
生出力が記録媒体の速度に依存しないことや、出力が比
較的大きいことがら、ＰＣＭ信号などの再生ヘッドに用
いられているが、磁気抵、抗の変化が外部磁界に対して
非線形であるため、直線性の良い領域に動作点をバイア
スする必要がある。
生出力が記録媒体の速度に依存しないことや、出力が比
較的大きいことがら、ＰＣＭ信号などの再生ヘッドに用
いられているが、磁気抵、抗の変化が外部磁界に対して
非線形であるため、直線性の良い領域に動作点をバイア
スする必要がある。
従来、バイアス磁界印加方法とＬ７ては磁気抵抗効果素
子（以下、ＭＲ素子という。ンに隣接した導電体に電流
を流す方法や、永久磁石薄膜による方法があった。しか
し、前者は短波長再生のだめの狭ギヤツプ構造の場合、
磁性体基板とＭＲ素子間のギャップ中に充分なバイアス
磁界を発生させる電流を流せるだけの導電体層を確保で
きないという問題があり、後者は、バイアス用の永久磁
石による記録媒体磁化の消磁の問題があシ、良好な正再
生特性が得られなかった。
子（以下、ＭＲ素子という。ンに隣接した導電体に電流
を流す方法や、永久磁石薄膜による方法があった。しか
し、前者は短波長再生のだめの狭ギヤツプ構造の場合、
磁性体基板とＭＲ素子間のギャップ中に充分なバイアス
磁界を発生させる電流を流せるだけの導電体層を確保で
きないという問題があり、後者は、バイアス用の永久磁
石による記録媒体磁化の消磁の問題があシ、良好な正再
生特性が得られなかった。
これらの欠点を除去するために、ＭＲ素子の膜面に凹凸
を形成し、凹凸の深さ、ピッチによってＭＲ素子の膜の
異方性磁界をコントロールして、無信号磁界の時にＭＲ
素子の磁化方向を一定方向に揃え、バイアス磁界を与え
たのと同等の効果により良好な再生特性を有する磁気抵
抗効果型ヘッドが提案された。
を形成し、凹凸の深さ、ピッチによってＭＲ素子の膜の
異方性磁界をコントロールして、無信号磁界の時にＭＲ
素子の磁化方向を一定方向に揃え、バイアス磁界を与え
たのと同等の効果により良好な再生特性を有する磁気抵
抗効果型ヘッドが提案された。
第１図はこの型の従来のヘッドの断面図を示すもので、
表面に凹凸が形成された磁性体基板１上に絶縁層５ｉ０
２２がスパッタ蒸着され、その上にＭＲ素子３が形成さ
れている。４はＭＲ素子に電流を流すだめの電極、５は
絶縁層ＳｉＯ□のカバーである。′この型のヘッドにお
いては磁性体基板１の表面にホログラフィックグレーテ
ィングおよびイオンエツチングにより縞状の凹凸を形成
し、絶縁層Ｓ＋０２２を介してＭＲ素子３を形成してい
るが、磁性体基板表面の凹凸の形状が５ｉ０２のスパッ
タによって変化するため、５ｉ０２面上の凹凸上に形成
されるＭＲ素子の異方性磁界の大きさは、ＳｌＯ□膜、
スパッタ条件によって変化する。このため、ＭＲ素子の
異方性磁界を再現性良くコントロールレすることが難し
いという欠点があった。
表面に凹凸が形成された磁性体基板１上に絶縁層５ｉ０
２２がスパッタ蒸着され、その上にＭＲ素子３が形成さ
れている。４はＭＲ素子に電流を流すだめの電極、５は
絶縁層ＳｉＯ□のカバーである。′この型のヘッドにお
いては磁性体基板１の表面にホログラフィックグレーテ
ィングおよびイオンエツチングにより縞状の凹凸を形成
し、絶縁層Ｓ＋０２２を介してＭＲ素子３を形成してい
るが、磁性体基板表面の凹凸の形状が５ｉ０２のスパッ
タによって変化するため、５ｉ０２面上の凹凸上に形成
されるＭＲ素子の異方性磁界の大きさは、ＳｌＯ□膜、
スパッタ条件によって変化する。このため、ＭＲ素子の
異方性磁界を再現性良くコントロールレすることが難し
いという欠点があった。
（発明の目的）
本発明は上記の欠点を除去するもので、縞状の凹凸を有
するＭＲ素子の異方性磁界の大きさを再現性良くコント
ロールできるようにし、低歪再生を可能にした磁気抵抗
効果型ヘッドを提供することを目的とするものである。
するＭＲ素子の異方性磁界の大きさを再現性良くコント
ロールできるようにし、低歪再生を可能にした磁気抵抗
効果型ヘッドを提供することを目的とするものである。
（発明の構成）
本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁性体基板上に非磁
性、非導電性の薄膜層を形成し、薄膜Ｊｚ上にポジ型の
フォトレジスト層を形成した後、ホログラフィックグレ
ーティングおよびイオンエツチングで簿膜層表面に縞状
の凹凸を形成し、その上に直接ＭＲ素子を形成したもの
であシ、５ｔｏ２スパッタ層による凹凸形状の変化の影
響を除去している。ここで、非磁性、非導電性の薄膜層
の栃料として、高硬度で耐磨耗性のある各・種の非磁性
、非導電性のフェライトまたはＴｉＯ２などのセラミッ
クとし、かつその屈折率をポジ型フォ、トレジストの屈
折率よシも太きいものが選択されておシ、ホログラフィ
ックグレーティングの際に、非磁性、非導電性のフェラ
イトまたはセラミックスとフォトレジストとの界面での
反射光と、入射光との干渉によって生じる定在波の節の
位置が、丁度フェライＩ−またはセラ１ノクスとフォト
レジストの界面になるため、現像後のレジストバター７
の形状の再現性が良くなる。
性、非導電性の薄膜層を形成し、薄膜Ｊｚ上にポジ型の
フォトレジスト層を形成した後、ホログラフィックグレ
ーティングおよびイオンエツチングで簿膜層表面に縞状
の凹凸を形成し、その上に直接ＭＲ素子を形成したもの
であシ、５ｔｏ２スパッタ層による凹凸形状の変化の影
響を除去している。ここで、非磁性、非導電性の薄膜層
の栃料として、高硬度で耐磨耗性のある各・種の非磁性
、非導電性のフェライトまたはＴｉＯ２などのセラミッ
クとし、かつその屈折率をポジ型フォ、トレジストの屈
折率よシも太きいものが選択されておシ、ホログラフィ
ックグレーティングの際に、非磁性、非導電性のフェラ
イトまたはセラミックスとフォトレジストとの界面での
反射光と、入射光との干渉によって生じる定在波の節の
位置が、丁度フェライＩ−またはセラ１ノクスとフォト
レジストの界面になるため、現像後のレジストバター７
の形状の再現性が良くなる。
（実施例の説明）
第２図は本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構成を示
す一実施例の断面図であり、フェライトなどの磁性基板
６の上に非磁性、非導電性のＺｎフェライト層７がスパ
ッタ蒸着され、そのＪ１ニＮｉ−ＦｅなどのＭＲ素子８
が形成され、Ａｕ＋ｃｒなとの非磁性導電材料よりなる
電極９が形成され、さらにその上に非磁性絶縁［’ｌＯ
が形成されている。
す一実施例の断面図であり、フェライトなどの磁性基板
６の上に非磁性、非導電性のＺｎフェライト層７がスパ
ッタ蒸着され、そのＪ１ニＮｉ−ＦｅなどのＭＲ素子８
が形成され、Ａｕ＋ｃｒなとの非磁性導電材料よりなる
電極９が形成され、さらにその上に非磁性絶縁［’ｌＯ
が形成されている。
Ｚｎフェライト層７の屈折率はポジ型）ｎｌ・レジスト
の屈折率（例えばＡＺ−１３５０Ｊ テｉｄ約１．６
） ｊ：りも大きく、例えばピッチが０４μｍの縞状の
凹凸のＶシストパターンを刊着性良く、かつ、形状の再
現性良く形成できる。このレジスト／＜ターンをマスク
としてイオンエツチングにより、ピッチが０．４μｍ１
深さが４００人の縞状の凹凸がＺｎフェライト層７の表
面に形成されている。この縞状の凹凸のためその上に形
成されたＭＲ素子８には凹凸に沼っだ方向に形状磁気異
方性に基づく異方性が生じる。この異方性の異方性磁界
１１には２００ｅであった。
の屈折率（例えばＡＺ−１３５０Ｊ テｉｄ約１．６
） ｊ：りも大きく、例えばピッチが０４μｍの縞状の
凹凸のＶシストパターンを刊着性良く、かつ、形状の再
現性良く形成できる。このレジスト／＜ターンをマスク
としてイオンエツチングにより、ピッチが０．４μｍ１
深さが４００人の縞状の凹凸がＺｎフェライト層７の表
面に形成されている。この縞状の凹凸のためその上に形
成されたＭＲ素子８には凹凸に沼っだ方向に形状磁気異
方性に基づく異方性が生じる。この異方性の異方性磁界
１１には２００ｅであった。
比較例として前記のＺｎフェライトハサ表面に５ｉ０２
を０３μｍおよび０．５μｍスパッタ蒸着してその」二
にＭＲ素子を形成したところ、これらのＭＲ素子の異方
性磁界Ｈｋはそれぞれ１５０ｅおよび１１０ｅであった
。寸だ、スパッタレートを変えてＳｉＯ□を形成したと
ころＨｋは０３μｍ厚て１２−１８０ｅ 、 ０．５μ
ｍ厚で８〜１５０ｅとばらつきを示した。このように縞
状の凹凸を形成した表面にＳｉＯ□を形成すると、その
膜厚、スパッタ条件によって異方性磁界Ｈｋの大きさを
再現性良くコントロールすることが難しくなる。この原
因は異方性の発生が形状磁気異方性に基づくため、５ｉ
Ｏ８層によって縞状の凹凸の形状が変化するためと考え
られる。
を０３μｍおよび０．５μｍスパッタ蒸着してその」二
にＭＲ素子を形成したところ、これらのＭＲ素子の異方
性磁界Ｈｋはそれぞれ１５０ｅおよび１１０ｅであった
。寸だ、スパッタレートを変えてＳｉＯ□を形成したと
ころＨｋは０３μｍ厚て１２−１８０ｅ 、 ０．５μ
ｍ厚で８〜１５０ｅとばらつきを示した。このように縞
状の凹凸を形成した表面にＳｉＯ□を形成すると、その
膜厚、スパッタ条件によって異方性磁界Ｈｋの大きさを
再現性良くコントロールすることが難しくなる。この原
因は異方性の発生が形状磁気異方性に基づくため、５ｉ
Ｏ８層によって縞状の凹凸の形状が変化するためと考え
られる。
第３図は本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構成を示
す一実施例の斜視図であシ、１１は記録媒体を示し、そ
の他の符号は第２図で説明したものと同じである。
す一実施例の斜視図であシ、１１は記録媒体を示し、そ
の他の符号は第２図で説明したものと同じである。
ＭＲ素子８には電極９から磁気抵抗効果電流が流れてお
り、記録媒体Ｘ１からの信号磁界によるＭＲ素子の電気
抵抗の変化なＭＲ素子電極間の電圧変化として検出する
ものである。
り、記録媒体Ｘ１からの信号磁界によるＭＲ素子の電気
抵抗の変化なＭＲ素子電極間の電圧変化として検出する
ものである。
Ｚｎフェライトは通常ＺｎＯとＦｅ２Ｏ３の割合を変え
る事により磁気特性、導電特性が変化する。
る事により磁気特性、導電特性が変化する。
適当な組成比、作成条件に−より非磁性化、 作導電性
化が出来る。ここで、通常得られているＺｎフェライト
の比抵抗は数Ω・鑞〜数１０”Ω・ｃｍであり、本説明
ではこの程度の範囲を非導電性と考える。
化が出来る。ここで、通常得られているＺｎフェライト
の比抵抗は数Ω・鑞〜数１０”Ω・ｃｍであり、本説明
ではこの程度の範囲を非導電性と考える。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、縞状に形成した
ＭＲ素子の異方性磁界の大きさを再現性良くコントロー
ルでき、再生歪の小さい動作点に容易にバイアスできる
利点がある。
ＭＲ素子の異方性磁界の大きさを再現性良くコントロー
ルでき、再生歪の小さい動作点に容易にバイアスできる
利点がある。
第１図は従来のヘッドの断面図、第２図および第３図は
本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構成を示す一実施
例の断面図および斜視図である。 ６・・・・・・・・磁性体基板、 ７・・・・・・・・
・Ｚｎフェライト層、 ８ ・・・・・・・・磁気抵抗
効果素子（ＭＲ素子）、９・・・・・・・・電極、１０
・・・・・・・・・非磁性絶縁材、１１・・・・・・・
・・記録媒体。 特許出願人 松下電器産業株式会社 代理人 星野恒・司 第１図 第２図 第３図
本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構成を示す一実施
例の断面図および斜視図である。 ６・・・・・・・・磁性体基板、 ７・・・・・・・・
・Ｚｎフェライト層、 ８ ・・・・・・・・磁気抵抗
効果素子（ＭＲ素子）、９・・・・・・・・電極、１０
・・・・・・・・・非磁性絶縁材、１１・・・・・・・
・・記録媒体。 特許出願人 松下電器産業株式会社 代理人 星野恒・司 第１図 第２図 第３図
Claims (4)
- （１） 基板上にポジ型のフォトレジストよりも屈折率
が高い非磁性、非導電性の薄膜層を形成し、その薄膜層
上には縞状の凹凸が形成され、その凹凸上に強磁性薄膜
より成る磁気抵抗効果素子が積層され、その磁気抵抗効
果素子の抵抗変化を検出することを特徴とする磁気抵抗
効果型ヘッド。 - （２） 非磁性、非導電性の薄膜層がフェライトである
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の磁気
抵抗効果型ヘッド。 - （３） フェライトがＺｎＯ−Ｆｅ２Ｏ３であることを
特徴とする特許請求の範囲第Ｑ）項記載の磁気抵抗効果
型ヘッド。 - （４）基板上にポジ型のフォトレジストよりも屈折率が
高い非磁性、非導電性の薄膜層を形成し、その薄膜層に
はポジ型のフォトレジスト層ヲ形成した後、ホログラフ
ィックグレーティングおよびイオンエツチングで前記薄
膜層表面に縞状の凹凸を形成し、その凹凸上に強磁性薄
膜より成る磁気抵抗効果素子を堆積して成ることを特徴
とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19757483A JPS6089809A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 磁気抵抗効果型ヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19757483A JPS6089809A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 磁気抵抗効果型ヘツドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089809A true JPS6089809A (ja) | 1985-05-20 |
Family
ID=16376759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19757483A Pending JPS6089809A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 磁気抵抗効果型ヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089809A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5680091A (en) * | 1994-09-09 | 1997-10-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive device and method of preparing the same |
| US5736921A (en) * | 1994-03-23 | 1998-04-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive element |
| US5738929A (en) * | 1993-10-20 | 1998-04-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistance effect element |
| US7227726B1 (en) * | 2002-11-12 | 2007-06-05 | Storage Technology Corporation | Method and system for providing a dual-stripe magnetoresistive element having periodic structure stabilization |
-
1983
- 1983-10-24 JP JP19757483A patent/JPS6089809A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5738929A (en) * | 1993-10-20 | 1998-04-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistance effect element |
| US5736921A (en) * | 1994-03-23 | 1998-04-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive element |
| US5680091A (en) * | 1994-09-09 | 1997-10-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive device and method of preparing the same |
| US7227726B1 (en) * | 2002-11-12 | 2007-06-05 | Storage Technology Corporation | Method and system for providing a dual-stripe magnetoresistive element having periodic structure stabilization |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2637911B2 (ja) | 磁気ヘッド、磁気テープ・データ記憶装置、薄膜磁気センサ・アセンブリを基板上に製造する方法、および、磁気抵抗（ｍｒ）ヘッドの製造方法 | |
| JP2870437B2 (ja) | Ｍｒヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH09106512A (ja) | 倒置型磁気抵抗ヘッドの製造方法 | |
| US4663683A (en) | Magnetoresistive thin film head | |
| JPS6089809A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPS5931771B2 (ja) | 薄膜磁気抵抗ヘツド | |
| JPS5911522A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JP2718242B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH04188418A (ja) | 複合薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2007172669A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH08185613A (ja) | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS5821328B2 (ja) | タソシジキヘツド | |
| JPH0719343B2 (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH044642B2 (ja) | ||
| JPS58100216A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPH05151533A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘツド | |
| JPH0440774B2 (ja) | ||
| JP3678434B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS5963019A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPS58189819A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPH0444323B2 (ja) | ||
| JPS61248214A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0444322B2 (ja) | ||
| JPH0375928B2 (ja) | ||
| JPS60136907A (ja) | 薄膜磁気ヘツド |