JPS5880134A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS5880134A JPS5880134A JP17884481A JP17884481A JPS5880134A JP S5880134 A JPS5880134 A JP S5880134A JP 17884481 A JP17884481 A JP 17884481A JP 17884481 A JP17884481 A JP 17884481A JP S5880134 A JPS5880134 A JP S5880134A
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性層に垂直方向に磁化容易軸を有する、
いわゆる垂直記録用の磁気記録媒体の製造方法に関し、
真空蒸着又はイオンブレーティング法により、Ｃ軸配向
性の優れた垂直磁化膜を高速で得る方法の提供を目指す
ものである。
いわゆる垂直記録用の磁気記録媒体の製造方法に関し、
真空蒸着又はイオンブレーティング法により、Ｃ軸配向
性の優れた垂直磁化膜を高速で得る方法の提供を目指す
ものである。
近年磁気記録の高密度化の進歩は著しく、高分子成形物
上に、Ｃｏ −Ｎ ｉ系の強磁性層を形成した面内に異
方性を有する金属薄膜形の磁気記録媒体は、−一部蒸着
テープとして実用段階に入っている。
上に、Ｃｏ −Ｎ ｉ系の強磁性層を形成した面内に異
方性を有する金属薄膜形の磁気記録媒体は、−一部蒸着
テープとして実用段階に入っている。
一方Ｃｏ−０ｒ系に代表される、面に垂直方向に異方性
を有する金属薄膜形の磁気記録媒体は、さらに挑密度化
に対応できる可能性があるとし各方面で研究されており
、実用化の鍵をにぎる課題のひとつに、媒体の製造技術
の確立があげられる。
を有する金属薄膜形の磁気記録媒体は、さらに挑密度化
に対応できる可能性があるとし各方面で研究されており
、実用化の鍵をにぎる課題のひとつに、媒体の製造技術
の確立があげられる。
現在、工業規模で、垂直記録用の媒体を得ることのでき
る可能性を有する技術に′は、スパッタリング法、イオ
ンブレーティング法、電界蒸着法、真空蒸着法がある。
る可能性を有する技術に′は、スパッタリング法、イオ
ンブレーティング法、電界蒸着法、真空蒸着法がある。
ここで膜の形成速度について相互比較を行うと、真空蒸
着、電界蒸着、イオンブレーティングがスパッタリング
に比べて圧倒的に優勢であるが、特性面、特ＫＣ軸配向
性の面ではスパッタリング法により得られる膜が一歩リ
ードしている。
着、電界蒸着、イオンブレーティングがスパッタリング
に比べて圧倒的に優勢であるが、特性面、特ＫＣ軸配向
性の面ではスパッタリング法により得られる膜が一歩リ
ードしている。
本発明は、かかる応答鑑み、高速で且つＣ軸配向性の優
れた膜を得るためになされたもので、以下に図面を用い
その実施例を説明する。
れた膜を得るためになされたもので、以下に図面を用い
その実施例を説明する。
実施例１
第１図は本発明の実施例１において用いた蒸着装置の要
部を示す図である。以降の説明でことわらない限り、蒸
着は、イオンブレーティング・電界蒸着を含むものとす
る。
部を示す図である。以降の説明でことわらない限り、蒸
着は、イオンブレーティング・電界蒸着を含むものとす
る。
第１図は回転キャンが２ケの場合を示しているが、２ケ
黄上であれば本発明は達成されることは後述する。
黄上であれば本発明は達成されることは後述する。
図に示すように、ポリエチレンテレフタレート、ポリア
ミド、ポリイミド等の高分子成形物基板１は送り出し軸
６より、第１の回転キャン３に沿って移動し、ローラ７
を介し、第２回転キャン４を経て、捲き取シ軸６にて捲
き取られる。
ミド、ポリイミド等の高分子成形物基板１は送り出し軸
６より、第１の回転キャン３に沿って移動し、ローラ７
を介し、第２回転キャン４を経て、捲き取シ軸６にて捲
き取られる。
回転キャン３，４は等連か、キャン４がキャン３に対し
て増速状態で回転するよう制御されるのが普通である。
て増速状態で回転するよう制御されるのが普通である。
蒸発源２は、電子ビーム加熱を甲いるのが好ましいが、
単一蒸発源であるか、ＣｏとＣｒ の二元とするかは、
本発明と本質的にかかわるものではなく、いずれにより
実施することもできる〇の横断面の中心（図で６と示し
である。）と、第１、第２回転キャンの回転軸の中心Ｐ
１．Ｐ２とを結ん−だ ＯＦ２．Ｑｐ２に沿った蒸気流
とそれに近い蒸気流のみで成膜されるように、しゃへい
板８゜９及び１０．１１により、それぞれスリットｓ１
・Ｓ２−を構成する。
単一蒸発源であるか、ＣｏとＣｒ の二元とするかは、
本発明と本質的にかかわるものではなく、いずれにより
実施することもできる〇の横断面の中心（図で６と示し
である。）と、第１、第２回転キャンの回転軸の中心Ｐ
１．Ｐ２とを結ん−だ ＯＦ２．Ｑｐ２に沿った蒸気流
とそれに近い蒸気流のみで成膜されるように、しゃへい
板８゜９及び１０．１１により、それぞれスリットｓ１
・Ｓ２−を構成する。
ここで重要なのは、スリットＳ、で最初に成膜すること
である。即ち、矢印入方向に基板を移動させながらスリ
ットＳ１での成膜速度をスリットｓ２での成膜速度より
小さく選んで成膜することである。
である。即ち、矢印入方向に基板を移動させながらスリ
ットＳ１での成膜速度をスリットｓ２での成膜速度より
小さく選んで成膜することである。
蒸発源からの距離、蒸気分布の指向性とからスリットＳ
１とＳ２での成膜速度の差は任意に選べる。
１とＳ２での成膜速度の差は任意に選べる。
本発明の幼児を顕著たらしめるには、おおむねスリット
Ｓ１とＳ２での成膜速度比を十〜門の範囲に選べるよう
、装置を構成するのがよい。この範囲はキャンの温度に
よっても異なるし、成膜速度の絶対値の大小によっても
異なるが、一応の目安とすべき値といえる。一 回転キャン３，４の直径をそれぞれｓｏｍとし、回転キ
ャンの中心と蒸発源との距離ＯＰ１．ＯＰ２をそれぞれ
３６ｃｍ、４６備とし、角度Ｐ２０Ｐ、を６０°とし、
高分子成形物基板の幅を１６ω、スリットＳ１で制限さ
れる入射角を第３＠に定義するＦｉｎ、 Ｆｏｕｊ
ｆそれぞれパラメータとし、次の表に示すような結果を
得た。なお第３図において、２は蒸発源、２２はしやへ
い板、２３は基板である。またＳはスリット、Ａは基板
の移動方向を示す。
Ｓ１とＳ２での成膜速度比を十〜門の範囲に選べるよう
、装置を構成するのがよい。この範囲はキャンの温度に
よっても異なるし、成膜速度の絶対値の大小によっても
異なるが、一応の目安とすべき値といえる。一 回転キャン３，４の直径をそれぞれｓｏｍとし、回転キ
ャンの中心と蒸発源との距離ＯＰ１．ＯＰ２をそれぞれ
３６ｃｍ、４６備とし、角度Ｐ２０Ｐ、を６０°とし、
高分子成形物基板の幅を１６ω、スリットＳ１で制限さ
れる入射角を第３＠に定義するＦｉｎ、 Ｆｏｕｊ
ｆそれぞれパラメータとし、次の表に示すような結果を
得た。なお第３図において、２は蒸発源、２２はしやへ
い板、２３は基板である。またＳはスリット、Ａは基板
の移動方向を示す。
以下余白
この表に示した従来例との比較よシ明らかなように、同
一膜厚を得るに必要な基板の移動速度は１０倍に高めら
れることがわかる。
一膜厚を得るに必要な基板の移動速度は１０倍に高めら
れることがわかる。
同一速度で成膜すれば、性能の・良い、即ちＣ軸配向性
の艮、い垂直磁化膜が得られるし、その傾向は１４倍違
例しても保持される。
の艮、い垂直磁化膜が得られるし、その傾向は１４倍違
例しても保持される。
なお前記表におけるΔθ６０は、Ｃ軸配向性の良否を示
すもので、（００２）面に関するロッキングカーブの半
値幅であり、１００以下ならＣｏ−Ｃｒ蒸着膜は垂直磁
化膜になることを示している。
すもので、（００２）面に関するロッキングカーブの半
値幅であり、１００以下ならＣｏ−Ｃｒ蒸着膜は垂直磁
化膜になることを示している。
従来法として真空蒸着法を取りあげているが、これと同
等の垂直磁化膜を°得るスパッタリング条件で公表され
たもののうちで最も高速の場合であっても、基板の移動
速度は１ｍ／ｍｉｎ以下であり、本発明の生産性改善効
果は極めて大きい。
等の垂直磁化膜を°得るスパッタリング条件で公表され
たもののうちで最も高速の場合であっても、基板の移動
速度は１ｍ／ｍｉｎ以下であり、本発明の生産性改善効
果は極めて大きい。
前記表に、キャン温度条件も示したが、本発明において
も、初期成長時の温度が高い方がややＣ軸配向性に優位
であることがもえるが、膜形成速度の関係はどに顕著で
はない。
も、初期成長時の温度が高い方がややＣ軸配向性に優位
であることがもえるが、膜形成速度の関係はどに顕著で
はない。
しかし、第１キヤンの温度設定により、本発明明らかで
、基板の受ける熱劣化を考慮して、高い方に条件設定す
るのが好ましい。
、基板の受ける熱劣化を考慮して、高い方に条件設定す
るのが好ましい。
次に本発明をさらに発展させた実施例として、４ケの回
転キャンを用いた場合について説明する。
転キャンを用いた場合について説明する。
実施例２
第２図は１ケの蒸発源１２に対して、４ケの回転キャン
１３〜１６ｔ−配設した場合を示す。
１３〜１６ｔ−配設した場合を示す。
この場合、回転キャンのそれぞれの回転軸の中心ｐ３．
ｐ４．ｐ６．ｐ６は、蒸発面の中心０から等距離とした
が、これにこだわらないのは勿論である。
ｐ４．ｐ６．ｐ６は、蒸発面の中心０から等距離とした
が、これにこだわらないのは勿論である。
中心軸としたスリットＳ３．Ｓ４．Ｓ６．Ｓ６が設けら
れ、垂直に近い蒸気流成分のみで成膜が行えるようにし
である。
れ、垂直に近い蒸気流成分のみで成膜が行えるようにし
である。
送り出し軸１７より高分子成形物基板２１は第１の回転
キャン１３に沿って移動し、ローラ２゜を介して、第２
の回転キャン１４、第３の回転キャン１６、第４の回転
キャン１６へと移動し、捲き暇り軸１８で捲き取られる
。
キャン１３に沿って移動し、ローラ２゜を介して、第２
の回転キャン１４、第３の回転キャン１６、第４の回転
キャン１６へと移動し、捲き暇り軸１８で捲き取られる
。
各回転キャンの直径は２５ｃｎ＋で、ＯＰ３ の長さは
６２ｃＩｎとし、スリットＳ３．Ｓ４．Ｓ６．Ｓ６での
成膜速度は、Ｓでの成膜速度を小さくすることで、Ｓ４
、Ｓ５．Ｓ６での成膜速度を大きくできる。
６２ｃＩｎとし、スリットＳ３．Ｓ４．Ｓ６．Ｓ６での
成膜速度は、Ｓでの成膜速度を小さくすることで、Ｓ４
、Ｓ５．Ｓ６での成膜速度を大きくできる。
Ｓ を真上に持ってきて、／Ｐ６０Ｐ５＝３０° 。
／Ｐ ＯＰ ＝３０°、／Ｐ４０Ｐ３＝３０°としてＣ
ｏ８６ ％ ４ Ｃｒ１５％ を電子ビーム加熱にて蒸発させ、スリッ
トＳ３でのＦｉｎ＝５°Ｆｏｕｔ＝５°とし、Ｓ４での
Ｆｉｎ＝Ｆｏｕｔ＝１００．Ｓ６でのＦｉｎ＝Ｆｏｕｔ
＝１６゜した＃１と同様の磁性層０．３μをポリエチレ
ンテレフタレート２５μ上に形成するのに、フィルム移
動速度は２７ｍ／ｍｉｎにすることができた。なおキャ
ン１３〜１６はそれぞれ９０℃、６０℃。
ｏ８６ ％ ４ Ｃｒ１５％ を電子ビーム加熱にて蒸発させ、スリッ
トＳ３でのＦｉｎ＝５°Ｆｏｕｔ＝５°とし、Ｓ４での
Ｆｉｎ＝Ｆｏｕｔ＝１００．Ｓ６でのＦｉｎ＝Ｆｏｕｔ
＝１６゜した＃１と同様の磁性層０．３μをポリエチレ
ンテレフタレート２５μ上に形成するのに、フィルム移
動速度は２７ｍ／ｍｉｎにすることができた。なおキャ
ン１３〜１６はそれぞれ９０℃、６０℃。
６０℃、６０℃である。
実施例１，２とも回転 ヤン径は同一であったが、これ
が 限定要件ではないのは勿論である。
が 限定要件ではないのは勿論である。
又、配置の相対関係についても膜の形成速度に関する以
外の限定はない。
外の限定はない。
又、高分子成形物基板上に直接垂直記録用の磁性層をｈ
己した例を説明したが、面内に異方性を有するパーマロ
イ膜などの軟磁性層を配した上に本発明を適用できるこ
とも当然である。
己した例を説明したが、面内に異方性を有するパーマロ
イ膜などの軟磁性層を配した上に本発明を適用できるこ
とも当然である。
又、垂直方向に異方性を有する、他の強磁性層について
もＧｏＯｒ−に限定することなく有効である。
もＧｏＯｒ−に限定することなく有効である。
以上゛のように本発明によると高速で垂直異方性にすぐ
れる磁性膜を形成することができ、その工業的価値は大
である。
れる磁性膜を形成することができ、その工業的価値は大
である。
第１図は本発明の実施例１において用いた蒸着装置の要
部を示す図、第２図は本発明の実施例２において甲いた
蒸着装置の要部を示す図、第３図は蒸気流の入射角を説
明するための図である。 １．２１．２３・・・・拳・基板、２，１２・・・・・
・蒸発源、３，４，１３，１４，１５，１６・・１１回
転キャン、８，１１．１９．２２・・・・・・しゃへい
板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
１１ｍ １１３Ｂ
部を示す図、第２図は本発明の実施例２において甲いた
蒸着装置の要部を示す図、第３図は蒸気流の入射角を説
明するための図である。 １．２１．２３・・・・拳・基板、２，１２・・・・・
・蒸発源、３，４，１３，１４，１５，１６・・１１回
転キャン、８，１１．１９．２２・・・・・・しゃへい
板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
１１ｍ １１３Ｂ
Claims (1)
- 蒸着法により、複数個の回転キャンに沿って移動する高
分子成形物上板に蒸発源からの蒸気流の垂直に近い入射
角成分を差し向けて蒸着物質を前記基板上に堆積せしめ
ることにより、前記基板面に垂直方向に磁化容易軸を有
する磁性膜を形成するとともに、前記磁性膜の形成に際
し前記蒸着物質の初期段階の堆積速度が後の段階のそれ
よりも小になるようにして前記磁性膜の雫成を行うこと
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17884481A JPS5880134A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17884481A JPS5880134A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880134A true JPS5880134A (ja) | 1983-05-14 |
| JPH0319619B2 JPH0319619B2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16055652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17884481A Granted JPS5880134A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880134A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57101663A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-24 | Olympus Optical Co Ltd | Apparatus for forming thin film |
-
1981
- 1981-11-06 JP JP17884481A patent/JPS5880134A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57101663A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-24 | Olympus Optical Co Ltd | Apparatus for forming thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0319619B2 (ja) | 1991-03-15 |
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