JPH0226293B2 - - Google Patents
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- JPH0226293B2 JPH0226293B2 JP13904781A JP13904781A JPH0226293B2 JP H0226293 B2 JPH0226293 B2 JP H0226293B2 JP 13904781 A JP13904781 A JP 13904781A JP 13904781 A JP13904781 A JP 13904781A JP H0226293 B2 JPH0226293 B2 JP H0226293B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高分子成形物を基板とし、強磁性金
属薄膜層を記録層とする磁気記録媒体の製造方法
に関し、単一蒸発源で２種以上の媒体を同時に得
る方法に係り、更に具体的には、面内に磁化容易
軸を有する媒体と、基板面に垂直に磁化容易軸を
有する、いわゆる垂直磁化膜を同時に得る方法の
提供を目的としている。
属薄膜層を記録層とする磁気記録媒体の製造方法
に関し、単一蒸発源で２種以上の媒体を同時に得
る方法に係り、更に具体的には、面内に磁化容易
軸を有する媒体と、基板面に垂直に磁化容易軸を
有する、いわゆる垂直磁化膜を同時に得る方法の
提供を目的としている。
磁気記録の高密度化に対応して、磁気記録媒体
は絶えず改良を重ねてきたが、抗磁力の増大、磁
場配向の改良等では限界が生じ、酸化鉄の磁性粉
に代つて、鉄系の合金磁性粉を用いることが検討
されている。
は絶えず改良を重ねてきたが、抗磁力の増大、磁
場配向の改良等では限界が生じ、酸化鉄の磁性粉
に代つて、鉄系の合金磁性粉を用いることが検討
されている。
一方では、1960年代より研究の始まつた、いわ
ゆる金属薄膜形媒体は本質的に優れるとの情報が
各方面で確かめられているものの、実用に供して
いくには末解決の課題も多い。
ゆる金属薄膜形媒体は本質的に優れるとの情報が
各方面で確かめられているものの、実用に供して
いくには末解決の課題も多い。
さらに最近では反磁場による面内記録の限界を
破る新しい記録、再生方式として、垂直方向に記
録する、いわゆる垂直記録が話題をよんでいる。
しかし、垂直記録用の媒体はその製造方法面で難
点を有していたが、従来のRFスパツタリングに
比較して真空蒸着で極めて高速で垂直膜を得るこ
とが知られるようになり、実用化研究が活発化し
てきている。しかし垂直記録用の媒体の製法は、
蒸気流とりわけその基板への入射角に狭い範囲の
制限があり蒸着効率の面で改良が望まれていた。
破る新しい記録、再生方式として、垂直方向に記
録する、いわゆる垂直記録が話題をよんでいる。
しかし、垂直記録用の媒体はその製造方法面で難
点を有していたが、従来のRFスパツタリングに
比較して真空蒸着で極めて高速で垂直膜を得るこ
とが知られるようになり、実用化研究が活発化し
てきている。しかし垂直記録用の媒体の製法は、
蒸気流とりわけその基板への入射角に狭い範囲の
制限があり蒸着効率の面で改良が望まれていた。
本発明は強磁性材料の蒸発蒸気を磁気記録媒体
として利用するという観点から蒸着材料の利用効
率をあげることを目的とするもので、垂直記録用
媒体と面内記録用の媒体を同時に得ることのでき
る方法の提供を目指すものである。
として利用するという観点から蒸着材料の利用効
率をあげることを目的とするもので、垂直記録用
媒体と面内記録用の媒体を同時に得ることのでき
る方法の提供を目指すものである。
以下に図面を用い本発明の説明を行う。
図は本発明を実施するための装置の一例を示
す。先ず、回転キヤンかこれに代替し得る冷却支
持体が３組必要である。
す。先ず、回転キヤンかこれに代替し得る冷却支
持体が３組必要である。
本発明の変形として、例えば５組の冷却支持体
による実施態様もあるが、実用上３組が経済効果
面で一番優れていると考えられるので、その場合
について詳述する。１つの冷却支持体、（図では
回転キヤンで代表している）は垂直記録用媒体の
製造にあてられ他の２つの冷却支持体は、面内記
録用媒体の製造にあてられる。図において第１回
転キヤン４は加熱された媒体又は電気ヒーター等
により加熱できるよう構成される。第１回転キヤ
ン４に沿つて基板１は送り出し軸１０より捲き取
り軸１１へ捲き取られる。
による実施態様もあるが、実用上３組が経済効果
面で一番優れていると考えられるので、その場合
について詳述する。１つの冷却支持体、（図では
回転キヤンで代表している）は垂直記録用媒体の
製造にあてられ他の２つの冷却支持体は、面内記
録用媒体の製造にあてられる。図において第１回
転キヤン４は加熱された媒体又は電気ヒーター等
により加熱できるよう構成される。第１回転キヤ
ン４に沿つて基板１は送り出し軸１０より捲き取
り軸１１へ捲き取られる。
このキヤンと対向配設される蒸発源７は通常第
１キヤン４の真下に置かれる。垂直膜を形成する
必要条件のひとつは、蒸気流１６のうち基板に垂
直に近い角度で入射する成分で磁性膜を形成する
ことである。
１キヤン４の真下に置かれる。垂直膜を形成する
必要条件のひとつは、蒸気流１６のうち基板に垂
直に近い角度で入射する成分で磁性膜を形成する
ことである。
本発明では、蒸気の基板への入射制限を、通常
のスリツトを有するマスクで行うのではなく面内
記録用の媒体の製造を行うことで達成するもので
ある。
のスリツトを有するマスクで行うのではなく面内
記録用の媒体の製造を行うことで達成するもので
ある。
即ち、第２回転キヤン５と第３回転キヤン６を
それぞれ夫々Ｂ，Ｃで示した矢印の方向に回転さ
せかつ基板２，３を夫々のキヤンに沿つて移動さ
せながら、マスク８，９で制限した角度での斜方
蒸着を行うのである。１２，１４はそれぞれ基板
の送り出し軸１３，１５はそれぞれ捲き取り軸で
ある。
それぞれ夫々Ｂ，Ｃで示した矢印の方向に回転さ
せかつ基板２，３を夫々のキヤンに沿つて移動さ
せながら、マスク８，９で制限した角度での斜方
蒸着を行うのである。１２，１４はそれぞれ基板
の送り出し軸１３，１５はそれぞれ捲き取り軸で
ある。
蒸発源７は、電気ビーム加熱、誘導加熱、抵抗
加熱のいずれか又はそれらの組み合わせたものに
より加熱される。なおここでは単一蒸発源とし
て、二元素、それぞれ別々の蒸発源である場合も
含めて考える。即ち単一という意味は各キヤンに
対応して蒸発源を別に有するのではないというこ
とで使用している。
加熱のいずれか又はそれらの組み合わせたものに
より加熱される。なおここでは単一蒸発源とし
て、二元素、それぞれ別々の蒸発源である場合も
含めて考える。即ち単一という意味は各キヤンに
対応して蒸発源を別に有するのではないというこ
とで使用している。
本発明の実施態様の一例として、強磁性層以外
の蒸着を行う場合もあるが、ここでは強磁性層の
み形成するところを詳述している。必要な前処理
後処理についての説明は略してある。
の蒸着を行う場合もあるが、ここでは強磁性層の
み形成するところを詳述している。必要な前処理
後処理についての説明は略してある。
図中の系の置かれる真空槽の条件も上述したそ
れぞれの満たすべき条件により異なるのは当然で
ある。
れぞれの満たすべき条件により異なるのは当然で
ある。
以下に具体的に本発明の実施例を説明する。
実施例 １
蒸発源の中心をＳとする。
CoとCrを同一ルツボ内で溶解蒸発させる。第
１キヤンの直径30cm、第２、第３キヤンそれぞれ
の直径60cm。第１キヤンの温度250℃、第２、第
３キヤンそれぞれの温度０℃。
１キヤンの直径30cm、第２、第３キヤンそれぞれ
の直径60cm。第１キヤンの温度250℃、第２、第
３キヤンそれぞれの温度０℃。
1＝66cm、2＝3＝46cm、2 3＝70cm
第２、第３キヤンでのマスクによる入射角40゜
基板１：ポリアミドフイルム8μm
基板２：ポリエチレンテレクタレートフイルム
12μm 基板３：ポリエチレンテレフタレートフイルム
9.5μm 実験結果 基板１上に形成したCoCr層0.23μm厚（Cr19
％）の磁化容易軸は基板面に垂直方向で、その抗
磁力は750〔O¨e〕であつた。
12μm 基板３：ポリエチレンテレフタレートフイルム
9.5μm 実験結果 基板１上に形成したCoCr層0.23μm厚（Cr19
％）の磁化容易軸は基板面に垂直方向で、その抗
磁力は750〔O¨e〕であつた。
基板２上に形成したCoCr（Cr19％）層0.1μm、
および基板３上に形成したCoCr（Cr19％）層
0.2μmのそれぞれの抗磁力は700〔O¨e〕、600〔O¨e〕
で磁化容易軸は面内であつた。
および基板３上に形成したCoCr（Cr19％）層
0.2μmのそれぞれの抗磁力は700〔O¨e〕、600〔O¨e〕
で磁化容易軸は面内であつた。
実施例 ２
基板１：ポリイミドフイルム26μm
基板２：ポリアミドフイルム8μm
基板３：ポリエチレンテレフタレートフイルム
9.5μm 実施例１の場合と同じ系を用い、CoとCrを独
立したハースに入れて別々の電子ビームで加熱し
た。CoとCrのハースの中心間の距離は180mmで、
Coの中心がＳとなるように配設して蒸着した。
9.5μm 実施例１の場合と同じ系を用い、CoとCrを独
立したハースに入れて別々の電子ビームで加熱し
た。CoとCrのハースの中心間の距離は180mmで、
Coの中心がＳとなるように配設して蒸着した。
基板１にはあらかじめパーロイマ薄膜を0.9μm
厚に形成しておいて、その上にCoCr（Cr16％）層
0.2μmを形成した。得られた磁気特性は、抗磁力
780〔O¨e〕磁化容易軸は基板面に垂直であつた。
厚に形成しておいて、その上にCoCr（Cr16％）層
0.2μmを形成した。得られた磁気特性は、抗磁力
780〔O¨e〕磁化容易軸は基板面に垂直であつた。
基板２にはCoCr（Cr16％）層0.2μm、基板３に
はCoCr（Cr16％）層0.1μmを入射角45゜になるよう
にして（Coの入射角）蒸着した。
はCoCr（Cr16％）層0.1μmを入射角45゜になるよう
にして（Coの入射角）蒸着した。
この場合の磁化容易軸はそれぞれ面内にあり、
抗磁力はそれぞれ630〔O¨e〕、770〔O¨e〕であつた。
抗磁力はそれぞれ630〔O¨e〕、770〔O¨e〕であつた。
実施例 ３
第１キヤンの直径25cm、第２キヤン、第３キヤ
ンそれぞれの直径50cm。
ンそれぞれの直径50cm。
第１キヤンの温度160℃、第２キヤン、第３キ
ヤンそれぞれの温度50℃。
ヤンそれぞれの温度50℃。
1＝60cm、2＝3＝44cm、2 3＝56cm。
基板１：ポリアミドフイルム8μm
基板２：ポリアミドフイルム8μm
基板３：ポリエチレンテレフタレートフイルム
10.5μm Co80％Ni5％Cr15％を合金化し、蒸発させて
得た基板１上のCoNiCr層0.31μmは磁化容易軸が
基板に垂直で抗磁力は690〔O¨e〕であつた。
10.5μm Co80％Ni5％Cr15％を合金化し、蒸発させて
得た基板１上のCoNiCr層0.31μmは磁化容易軸が
基板に垂直で抗磁力は690〔O¨e〕であつた。
入射角50゜として得た基板２上のCoNiCr膜
0.15μmは抗磁力710〔O¨e〕、基板３上のCoNiCr層
0.2μmは抗磁力650〔O¨e〕で、それぞれの磁化容易
軸は共に面内にあつた。
0.15μmは抗磁力710〔O¨e〕、基板３上のCoNiCr層
0.2μmは抗磁力650〔O¨e〕で、それぞれの磁化容易
軸は共に面内にあつた。
実施例 ４
第１キヤンで（キヤン温度200℃）CoCr（Cr20
％）層をポリアミドフイルム8μm上に0.2μm厚に
形成し、第２、第３キヤンで（キヤン温度０℃）
マスクなしでポリエチレン5.9μm上に0.4μm厚に
形成した。
％）層をポリアミドフイルム8μm上に0.2μm厚に
形成し、第２、第３キヤンで（キヤン温度０℃）
マスクなしでポリエチレン5.9μm上に0.4μm厚に
形成した。
ポリアミドフイルム上のCoCr膜は、抗磁力760
〔O¨e〕の垂直磁化膜であつた。一方ポリエチレン
フイルム上に形成したCoCr層は溶解して回収し
た。
〔O¨e〕の垂直磁化膜であつた。一方ポリエチレン
フイルム上に形成したCoCr層は溶解して回収し
た。
この場合のCoCr投入量に対しての回収効率は
56％と極めて高かつた。
56％と極めて高かつた。
本発明によると、以上の説明で明らかなように
垂直磁化膜形成のための入射角利限が固定マスク
によるものでないためにマスクへの蒸着による寸
法変化からくる入射角変化がなく長尺の媒体を得
るに好都合であり、かつ面内記録用の高密度記録
媒体を同時に得ることもできる。これは、
CoCrCoNiCrに限らず、CoW、CoMo、CoCrRh
等の材料に無関係に利用でき本発明の工業的有価
値性は極めて大きい。
垂直磁化膜形成のための入射角利限が固定マスク
によるものでないためにマスクへの蒸着による寸
法変化からくる入射角変化がなく長尺の媒体を得
るに好都合であり、かつ面内記録用の高密度記録
媒体を同時に得ることもできる。これは、
CoCrCoNiCrに限らず、CoW、CoMo、CoCrRh
等の材料に無関係に利用でき本発明の工業的有価
値性は極めて大きい。
図は本発明を実施するための装置の一例を示す
図である。 １，２，３……基板、４……第１回転キヤン、
５……第２回転キヤン、６……第３回転キヤン、
７……蒸発源。
図である。 １，２，３……基板、４……第１回転キヤン、
５……第２回転キヤン、６……第３回転キヤン、
７……蒸発源。
Claims (1)
- １ 磁性材料蒸発源に共に対向するように配設し
た３つの冷却支持体の各々に沿つて第１、第２、
第３の高分子成形物基板をそれぞれ移動せしめる
とともに前記蒸発源からの蒸気流の前記第１の基
板上への入射を制限するマスク作用を前記第２、
第３の基板に行なわせることにより前記第１の基
板上に前記蒸気流のほぼ垂直成分のみを入射せし
めて膜面に垂直に磁化容易軸を有する磁性膜を形
成し、かつ、前記第２、第３の基板上に面内に磁
化容易軸を有する磁性膜を形成することを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13904781A JPS5841441A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13904781A JPS5841441A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5841441A JPS5841441A (ja) | 1983-03-10 |
| JPH0226293B2 true JPH0226293B2 (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=15236220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13904781A Granted JPS5841441A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5841441A (ja) |
-
1981
- 1981-09-02 JP JP13904781A patent/JPS5841441A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5841441A (ja) | 1983-03-10 |
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