JPH0334611B2 - - Google Patents
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- JPH0334611B2 JPH0334611B2 JP198582A JP198582A JPH0334611B2 JP H0334611 B2 JPH0334611 B2 JP H0334611B2 JP 198582 A JP198582 A JP 198582A JP 198582 A JP198582 A JP 198582A JP H0334611 B2 JPH0334611 B2 JP H0334611B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高分子成形物基板上にCrを含有す
る磁性層を形成することで磁気記録媒体を製造す
る方法に係わり、蒸発源の改良により、合金膜の
特性の向上を図る目的を有している。
る磁性層を形成することで磁気記録媒体を製造す
る方法に係わり、蒸発源の改良により、合金膜の
特性の向上を図る目的を有している。
近年、短波長記録に適した金属薄膜形の記録媒
体は一部実用に供されるに至つた蒸着テープ(こ
れは、面内記録媒体ともいうべきものである。)
と、研究室規模で検討されている、基板面に垂直
に磁化容易軸のある、いわゆる垂直記録用媒体と
に分けられ、それぞれ特長を生かす開発が進めら
れている。
体は一部実用に供されるに至つた蒸着テープ(こ
れは、面内記録媒体ともいうべきものである。)
と、研究室規模で検討されている、基板面に垂直
に磁化容易軸のある、いわゆる垂直記録用媒体と
に分けられ、それぞれ特長を生かす開発が進めら
れている。
磁性材料としては、Ce、Fe、CoNi合金、
CoCr合金、CoNiCr合金等が検討されているが、
Crを含有する合金が耐蝕性に優れ、有望とされ
ているが、例えばCrとCoは蒸気圧が極端に異な
るため、いわゆる二元蒸着で処理する必要がある
が安定な特性の磁性層の形成にはスパツタリング
技術がむしろ有利であるといわれている。しか
し、実用規模で媒体を作るためには成膜速度の極
端に小さい、スパツタリング技術よりも、二元蒸
着の問題解決の方が工業上価値が大きいといえ
る。
CoCr合金、CoNiCr合金等が検討されているが、
Crを含有する合金が耐蝕性に優れ、有望とされ
ているが、例えばCrとCoは蒸気圧が極端に異な
るため、いわゆる二元蒸着で処理する必要がある
が安定な特性の磁性層の形成にはスパツタリング
技術がむしろ有利であるといわれている。しか
し、実用規模で媒体を作るためには成膜速度の極
端に小さい、スパツタリング技術よりも、二元蒸
着の問題解決の方が工業上価値が大きいといえ
る。
その問題点とは別々の位置より例えばCrとCo
が蒸発し基板に向うため、蒸発源と基板の距離を
実現不可能な程度に離さないと、磁性層の深さ方
向にCrとCoの成分比が異なることが起るため抗
磁力の制御に不安定性が生じることが挙げられ
る。
が蒸発し基板に向うため、蒸発源と基板の距離を
実現不可能な程度に離さないと、磁性層の深さ方
向にCrとCoの成分比が異なることが起るため抗
磁力の制御に不安定性が生じることが挙げられ
る。
蒸発源として、電子ビーム蒸発源を用い、回転
支持体に沿つて移動する基板上に蒸着することの
できる真空蒸着装置を基本の系とする。
支持体に沿つて移動する基板上に蒸着することの
できる真空蒸着装置を基本の系とする。
蒸発源は、第1図に断面を示すように中央に例
えば、Co、CoNi、CoFe等の蒸発材料1と蒸発
容器2を配し、蒸発源と平行に、Cr3を配した
水冷銅ハース4,5を両側に配設する。
えば、Co、CoNi、CoFe等の蒸発材料1と蒸発
容器2を配し、蒸発源と平行に、Cr3を配した
水冷銅ハース4,5を両側に配設する。
電子ビーム6にて蒸発材料1とCr3を蒸発せ
しめるよう設定する。7は受台である。電子ビー
ムによる走査は第2図にビームの軌跡の例を示す
ような走査にて行われる。第2図に示すように基
板の移動方向(矢印P)に対し、蒸発源の長軸が
直交するよう配設され、蒸発材料8と両サイドの
Cr蒸発源9に軌跡10で模式的に示される電子
ビームにて走査(例えば点Sより出発して矢印の
向きに走査を続けSに戻りそれをくり返す。)す
る。勿論、成分比を一定に保持するために、走査
は時間配分スポツト径等を設計し行われるのは当
然である。
しめるよう設定する。7は受台である。電子ビー
ムによる走査は第2図にビームの軌跡の例を示す
ような走査にて行われる。第2図に示すように基
板の移動方向(矢印P)に対し、蒸発源の長軸が
直交するよう配設され、蒸発材料8と両サイドの
Cr蒸発源9に軌跡10で模式的に示される電子
ビームにて走査(例えば点Sより出発して矢印の
向きに走査を続けSに戻りそれをくり返す。)す
る。勿論、成分比を一定に保持するために、走査
は時間配分スポツト径等を設計し行われるのは当
然である。
第3図は長尺の媒体の製造を目指す場合に工夫
された蒸発源の一例を示す。
された蒸発源の一例を示す。
蒸発材料11と両サイドのCr蒸発源12上に
照射される電子ビームの軌道を模式的に13,1
4,15で示した。両サイドのCr蒸発源12は
昇華性であるため、それぞれ両端(矢印A,B方
向にみて。)に材料供給機構(矢印Mで材料供給
を示す。)を有し、かつ、予備的加熱(脱ガスが
主目的である。)のための偏向タイプの電子ビー
ムガン16,17,18,19を同様に端部に配
設する。勿論Co蒸発材料11ついても供給機構
必要に応じて設けるべきである。
照射される電子ビームの軌道を模式的に13,1
4,15で示した。両サイドのCr蒸発源12は
昇華性であるため、それぞれ両端(矢印A,B方
向にみて。)に材料供給機構(矢印Mで材料供給
を示す。)を有し、かつ、予備的加熱(脱ガスが
主目的である。)のための偏向タイプの電子ビー
ムガン16,17,18,19を同様に端部に配
設する。勿論Co蒸発材料11ついても供給機構
必要に応じて設けるべきである。
又、予備加熱は、偏向タイプでなくて、回転タ
イプのピアスガンでもいいが、予備加熱による脱
ガスは特性向上に不可欠である。
イプのピアスガンでもいいが、予備加熱による脱
ガスは特性向上に不可欠である。
Cr蒸発源には夫々矢印A,Bで示したように
ゆつくり往復運動できるよう構成され、性能のす
ぐれた長尺媒体の製造を達成するものである。
ゆつくり往復運動できるよう構成され、性能のす
ぐれた長尺媒体の製造を達成するものである。
次に具体的に本発明の実施例を説明する。
実施例 1
基板:ポリアミドフイルム(厚さ9.8μm)
Co蒸発源:短軸5cm、長軸80cm、MgO容器、
Cr蒸発源:短軸5cm、長軸80cm、水冷銅ハー
ス、電子ビーム(30KV、2.6A、スポツト径10
mm)をCo照射の滞在平均時間T1,Cr照射の滞在
平均時間T2とするとT1=6T2に設定。
ス、電子ビーム(30KV、2.6A、スポツト径10
mm)をCo照射の滞在平均時間T1,Cr照射の滞在
平均時間T2とするとT1=6T2に設定。
蒸着長さ1000mの範囲で、厚み0.28μm、垂直
抗磁力は910±5〔Oe〕に制御された。
抗磁力は910±5〔Oe〕に制御された。
一方市販の270°偏向電子鏡による水冷銅ハース
を2台準備して、同様に製膜したCoCr磁性層
(厚さ0.28μm)の垂直抗磁力は450m長内で830±
70〔Oe〕で、本発明の効果は明らかである。
を2台準備して、同様に製膜したCoCr磁性層
(厚さ0.28μm)の垂直抗磁力は450m長内で830±
70〔Oe〕で、本発明の効果は明らかである。
実施例 2
基板:ポリエチレンテレフタレートフイルム
(厚さ11.5μm)CoNi蒸発源(Co80%Ni20%):
短軸5cm、長軸70cmMgO容器 Cr蒸発源:短軸5cm、長軸70cm、水冷銅ハー
ス、電子ビーム(30KV、2.3A、スポツト径8
mm)をCoNi照射を滞在平均時間T1、Cr照射の滞
在平均時間T2としたとき、T1=7T2と設定し、
入射角46°以上で斜方蒸着して得たCoNi層(厚み
0.33μm)の抗磁力は780±6〔Oe〕、角形比0.97±
0.03であつたのに対し、実施例1において説明し
たのと同様の従来方式によるCoNi層(厚み0.33μ
m)の抗磁力は720±35〔Oe〕、角形比は0.9±0.1
であつた。
(厚さ11.5μm)CoNi蒸発源(Co80%Ni20%):
短軸5cm、長軸70cmMgO容器 Cr蒸発源:短軸5cm、長軸70cm、水冷銅ハー
ス、電子ビーム(30KV、2.3A、スポツト径8
mm)をCoNi照射を滞在平均時間T1、Cr照射の滞
在平均時間T2としたとき、T1=7T2と設定し、
入射角46°以上で斜方蒸着して得たCoNi層(厚み
0.33μm)の抗磁力は780±6〔Oe〕、角形比0.97±
0.03であつたのに対し、実施例1において説明し
たのと同様の従来方式によるCoNi層(厚み0.33μ
m)の抗磁力は720±35〔Oe〕、角形比は0.9±0.1
であつた。
実施例 3
基板:ポリイミドフイルム(厚み25μm、長さ
4000m) Co蒸発源:短軸6cm、長軸95cm、MgO容器 Cr蒸発源:短軸5cm、長軸180cm、水冷銅ハー
ス A←→、B←→移動速度:5mm/min 予熱ガン:10KV、5KW(270°偏向)4式供給
速度40g/min(Crはフレーク状) 電子ビーム:30KV、2.5A(スポツト径9mm)
Co照射の滞在平均時間T1、Cr照射の滞在平均時
間T2としたとき、T1=8T2 以上の条件により得られたCoCr層(厚み0.2μ
m)の垂直抗磁力は、4000mの長さにわたつて、
制御された。
4000m) Co蒸発源:短軸6cm、長軸95cm、MgO容器 Cr蒸発源:短軸5cm、長軸180cm、水冷銅ハー
ス A←→、B←→移動速度:5mm/min 予熱ガン:10KV、5KW(270°偏向)4式供給
速度40g/min(Crはフレーク状) 電子ビーム:30KV、2.5A(スポツト径9mm)
Co照射の滞在平均時間T1、Cr照射の滞在平均時
間T2としたとき、T1=8T2 以上の条件により得られたCoCr層(厚み0.2μ
m)の垂直抗磁力は、4000mの長さにわたつて、
制御された。
一方実施例1で説明した従来方式に加えるに
Coの1.5mm径のワイヤを準備して供給し、Crをフ
レーク状(細かく砕いて使用)で供給することで
長尺蒸着を試みた。
Coの1.5mm径のワイヤを準備して供給し、Crをフ
レーク状(細かく砕いて使用)で供給することで
長尺蒸着を試みた。
これにより2500mの長さにわたる蒸着を実施し
た。得られたCoCr層の垂直磁力は720±190〔Oe〕
であつた。
た。得られたCoCr層の垂直磁力は720±190〔Oe〕
であつた。
なお媒体の形状はテープに限らず、デイスク、
シートでもよい。
シートでもよい。
本発明は、前記実施例の他にCrを含む他の合
金、例えばCo−Cr−Rh、Fe−Cr等の磁性材料に
ついても類似の効果を確認している。又イオンプ
レーテイングとの組み合わせについても有効であ
り、また必要なガス導入を行いガス中蒸着を行う
時にも有効であり、さらには高分子基板上に直接
磁性層を形成する場合に限らず、非磁性層を介し
ても全く同様の効果を発揮できるものである。
金、例えばCo−Cr−Rh、Fe−Cr等の磁性材料に
ついても類似の効果を確認している。又イオンプ
レーテイングとの組み合わせについても有効であ
り、また必要なガス導入を行いガス中蒸着を行う
時にも有効であり、さらには高分子基板上に直接
磁性層を形成する場合に限らず、非磁性層を介し
ても全く同様の効果を発揮できるものである。
以上のように本発明によると抗磁力が大でしか
もその抗磁力の変動が小さいなど性能のすぐれた
磁気録媒体を容易に得ることができ、その工業的
有価値性は極めて大きい。
もその抗磁力の変動が小さいなど性能のすぐれた
磁気録媒体を容易に得ることができ、その工業的
有価値性は極めて大きい。
第1図は本発明の実施例において用いられる蒸
発源の断面図、第2図は上記蒸発源を走査する電
子ビームの軌跡の例を示す図、第3図は本発明の
実施例において用いられ長尺の磁気記録媒体を製
造するに適した蒸発源の構成を示す図である。 1,9,11……蒸発材料、2……蒸発容器、
4,5……水冷銅ハース、6……電子ビーム、
9,12……Cr蒸発源。
発源の断面図、第2図は上記蒸発源を走査する電
子ビームの軌跡の例を示す図、第3図は本発明の
実施例において用いられ長尺の磁気記録媒体を製
造するに適した蒸発源の構成を示す図である。 1,9,11……蒸発材料、2……蒸発容器、
4,5……水冷銅ハース、6……電子ビーム、
9,12……Cr蒸発源。
Claims (1)
- 1 支持体に沿つて移動する高分子成形物基板上
にクロムを含有する合金磁性層を蒸着にて形成す
る際、上記基板の移動方向に平行な方向にクロム
蒸発源とクロムと合金を形成させるべき金属の蒸
発源とを並べて配置し、上記両蒸発源を同一電子
ビームで走査し加熱することを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP198582A JPS58121133A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP198582A JPS58121133A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58121133A JPS58121133A (ja) | 1983-07-19 |
JPH0334611B2 true JPH0334611B2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=11516784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP198582A Granted JPS58121133A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58121133A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59148137A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP2728498B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体 |
-
1982
- 1982-01-08 JP JP198582A patent/JPS58121133A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58121133A (ja) | 1983-07-19 |
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