JP2785272B2 - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度記録に対応する垂直磁気記録媒体の
製造方法に関するものであり、特にCo−Ｏ系磁性層を垂
直磁化膜とする垂直磁気記録媒体の製造方法に関するも
のである。
製造方法に関するものであり、特にCo−Ｏ系磁性層を垂
直磁化膜とする垂直磁気記録媒体の製造方法に関するも
のである。
本発明は、Co−Ｏ系磁性層を垂直磁化膜とする垂直磁
気記録媒体の製造方法において、酸素濃度の高い表面層
の厚さを所定の範囲に規定することにより、充分な耐久
性を有するとともに、スペーシングロスが少なく良好な
電磁変換特性を有する垂直磁気記録媒体を提供しようと
するものである。
気記録媒体の製造方法において、酸素濃度の高い表面層
の厚さを所定の範囲に規定することにより、充分な耐久
性を有するとともに、スペーシングロスが少なく良好な
電磁変換特性を有する垂直磁気記録媒体を提供しようと
するものである。
近年、磁気記録における短波長化と狭トラック化によ
る記録密度の向上は目覚ましく、光記録に匹敵する面記
録密度の達成がいわゆる垂直磁化膜を利用した垂直磁気
記録媒体を用いることで期待されている。このような状
況にあって、成膜の容易さ等の観点から、例えば特開昭
60−193123号広報に記載されるように垂直磁化膜として
Co−Ｏ系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録媒体が提案さ
れている。
る記録密度の向上は目覚ましく、光記録に匹敵する面記
録密度の達成がいわゆる垂直磁化膜を利用した垂直磁気
記録媒体を用いることで期待されている。このような状
況にあって、成膜の容易さ等の観点から、例えば特開昭
60−193123号広報に記載されるように垂直磁化膜として
Co−Ｏ系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録媒体が提案さ
れている。
このCo−Ｏ系垂直磁化膜は、通常真空雰囲気中に若干
の酸素ガスを導入し、Coを蒸発源として真空蒸着するこ
とで非磁性支持体上に成膜されるものであって、磁気特
性，成膜性，機械的強度等の点で数々の優れた特徴を有
している。
の酸素ガスを導入し、Coを蒸発源として真空蒸着するこ
とで非磁性支持体上に成膜されるものであって、磁気特
性，成膜性，機械的強度等の点で数々の優れた特徴を有
している。
ところで、従来のCo−Ｏ系垂直磁気記録媒体では、Co
濃度が低く酸素濃度が高い層（以下、表面層と称す
る。）がかなり厚くなっていることが知られている。本
発明者等が確認したところでは、表面層の厚さは磁性層
全体の厚さの20％以上にも達している。
濃度が低く酸素濃度が高い層（以下、表面層と称す
る。）がかなり厚くなっていることが知られている。本
発明者等が確認したところでは、表面層の厚さは磁性層
全体の厚さの20％以上にも達している。
この表面層は、当然酸素濃度が高いため非磁性層とな
っており、したがって前述のように表面層の厚さが厚い
と、高密度磁気記録における記録再生時のスペーシング
ロスが大きくなり、電磁変換特性上非常に不利である。
っており、したがって前述のように表面層の厚さが厚い
と、高密度磁気記録における記録再生時のスペーシング
ロスが大きくなり、電磁変換特性上非常に不利である。
特に、Co−Ｏ系垂直磁気記録媒体では、高密度記録を
達成するために短波長域において高出力を得ることが必
要で、前記スペーシングロスを極力小さくすることが要
求される。
達成するために短波長域において高出力を得ることが必
要で、前記スペーシングロスを極力小さくすることが要
求される。
そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案され
たものであって、スペーシングロスを軽減を図ると同時
に耐久性を確保も可能となし、電磁変換特性に優れ充分
な耐久性を有する垂直磁気記録媒体を製造することが可
能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的
とする。
たものであって、スペーシングロスを軽減を図ると同時
に耐久性を確保も可能となし、電磁変換特性に優れ充分
な耐久性を有する垂直磁気記録媒体を製造することが可
能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的
とする。
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと長期に亘
り鋭意検討を重ねた結果、Co−Ｏ系垂直磁化膜の表面層
の厚さ並びに酸素濃度の最適値を見出すに至った。
り鋭意検討を重ねた結果、Co−Ｏ系垂直磁化膜の表面層
の厚さ並びに酸素濃度の最適値を見出すに至った。
本発明は、このような知見に基づいて完成されたもの
であって、非磁性支持体上にCo−Ｏ系垂直磁化膜を形成
する垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記Co−Ｏ
系垂直磁化膜を非磁性支持体走行方向の上流側より酸素
を導入しながら蒸着形成することにより、前記Co−Ｏ系
垂直磁化膜の表面に、表面に向かって次第に酸素濃度が
大となるようなCo−Ｏ系垂直磁化膜表面層を形成し、前
記Co−Ｏ系垂直磁化膜の膜厚を１、Co−Ｏ系垂直磁化膜
表面層の膜厚をｄとしたとき、これらが 0.015≦d/1≦0.1 なる関係を満足するとともに、前記Co−Ｏ系垂直磁化膜
表面層の最表面におけるCoのモル数をNCo、酸素のモル
数をNOとしたとき、これらが 0.05≦NO/（NCo＋NO）≦0.60 なる関係を満足するようにすることを特徴とするもので
ある。
であって、非磁性支持体上にCo−Ｏ系垂直磁化膜を形成
する垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記Co−Ｏ
系垂直磁化膜を非磁性支持体走行方向の上流側より酸素
を導入しながら蒸着形成することにより、前記Co−Ｏ系
垂直磁化膜の表面に、表面に向かって次第に酸素濃度が
大となるようなCo−Ｏ系垂直磁化膜表面層を形成し、前
記Co−Ｏ系垂直磁化膜の膜厚を１、Co−Ｏ系垂直磁化膜
表面層の膜厚をｄとしたとき、これらが 0.015≦d/1≦0.1 なる関係を満足するとともに、前記Co−Ｏ系垂直磁化膜
表面層の最表面におけるCoのモル数をNCo、酸素のモル
数をNOとしたとき、これらが 0.05≦NO/（NCo＋NO）≦0.60 なる関係を満足するようにすることを特徴とするもので
ある。
ここで、先ず表面層の膜層ｄであるが、これはスペー
シングロス及び耐久性の両者を満足せしめるべく決めら
れるものである。すなわち、スペーシングロスの観点か
らは前記表面層の膜厚ｄは少しでも小さい方が良いが、
耐久性の確保という点ではある程度の膜厚が必要であ
る。そこで、ここでは、Co−Ｏ系垂直磁化膜の膜厚を
ｌ、Co−Ｏ系垂直磁化膜表面層の膜厚をｄとしたとき
に、これらが0.015≦d/l≦0.1なる関係を満足するよう
に膜厚ｄを設定する。d/lが0.1を越えると表面層の厚さ
が厚すぎることとなり、スペーシングロスが問題とな
る。逆に、d/lが0.015未満では、耐久性の確保が難し
い。
シングロス及び耐久性の両者を満足せしめるべく決めら
れるものである。すなわち、スペーシングロスの観点か
らは前記表面層の膜厚ｄは少しでも小さい方が良いが、
耐久性の確保という点ではある程度の膜厚が必要であ
る。そこで、ここでは、Co−Ｏ系垂直磁化膜の膜厚を
ｌ、Co−Ｏ系垂直磁化膜表面層の膜厚をｄとしたとき
に、これらが0.015≦d/l≦0.1なる関係を満足するよう
に膜厚ｄを設定する。d/lが0.1を越えると表面層の厚さ
が厚すぎることとなり、スペーシングロスが問題とな
る。逆に、d/lが0.015未満では、耐久性の確保が難し
い。
一方、表面層の最表面における酸素濃度であるが、こ
ちらは主に機械的強度の観点から決められ、ここでは 0.05≦NO/（NCo＋NO）≦0.60 なる関係を満足するものとする。前記酸素濃度NO/（NCo
＋NO）が0.05未満では錆の問題等が発生し、逆に0.60を
越えると機械的耐久性が不足する。
ちらは主に機械的強度の観点から決められ、ここでは 0.05≦NO/（NCo＋NO）≦0.60 なる関係を満足するものとする。前記酸素濃度NO/（NCo
＋NO）が0.05未満では錆の問題等が発生し、逆に0.60を
越えると機械的耐久性が不足する。
上述の表面層の膜厚及び酸素濃度は、Co−Ｏ系垂直磁
化膜を真空蒸着する際のマスクの配置，酸素ガスの導入
方法等を変えることで適宜設定することができ、したが
ってこれらを調節して前記範囲内に入るようにすればよ
い。
化膜を真空蒸着する際のマスクの配置，酸素ガスの導入
方法等を変えることで適宜設定することができ、したが
ってこれらを調節して前記範囲内に入るようにすればよ
い。
Co−Ｏ系垂直磁化膜を成膜する際に適用される真空蒸
着法としては、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着、電子ビー
ム蒸着、イオンビーム蒸着、イオンプレーティング、レ
ーザービーム蒸着、アーク放電蒸着等の真空蒸着のいず
れもが実施可能であるが、磁気特性や生産性等の観点か
らは、電子ビーム蒸着法が適している。
着法としては、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着、電子ビー
ム蒸着、イオンビーム蒸着、イオンプレーティング、レ
ーザービーム蒸着、アーク放電蒸着等の真空蒸着のいず
れもが実施可能であるが、磁気特性や生産性等の観点か
らは、電子ビーム蒸着法が適している。
また、Co−Ｏ系垂直磁化膜は非磁性支持体表面に成膜
することで垂直磁気記録媒体とされるが、非磁性支持体
の材料としては、通常の磁気記録媒体の非磁性支持体と
して使用される材料であれば何れも使用可能である。特
に、加工性、成形性等の点で有機重合材料が適してお
り、なかでもポリエチレンテレフタレート，ホリエチレ
ンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン，ポリ
プロピレン等のポリオレフィン、ポリメチルメタクリレ
ート等のポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリス
ルフォン、ポリアミド、芳香族ポリアミド、ポリフェニ
レンスルフィド、ポリフェニレンオキサイド、ポリアミ
ドイミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエ
チレン、酢酸セルロース、メチルセルロース、エチルセ
ルロース、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、あるいはこれ
らの混合物、共重合体等が適している。さらには、Al基
板,Al合金基板，ガラス基板，剛性プラスチック基板，
セラミクス基板等を用いていわゆるハートディスクとし
てもよい。
することで垂直磁気記録媒体とされるが、非磁性支持体
の材料としては、通常の磁気記録媒体の非磁性支持体と
して使用される材料であれば何れも使用可能である。特
に、加工性、成形性等の点で有機重合材料が適してお
り、なかでもポリエチレンテレフタレート，ホリエチレ
ンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン，ポリ
プロピレン等のポリオレフィン、ポリメチルメタクリレ
ート等のポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリス
ルフォン、ポリアミド、芳香族ポリアミド、ポリフェニ
レンスルフィド、ポリフェニレンオキサイド、ポリアミ
ドイミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエ
チレン、酢酸セルロース、メチルセルロース、エチルセ
ルロース、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、あるいはこれ
らの混合物、共重合体等が適している。さらには、Al基
板,Al合金基板，ガラス基板，剛性プラスチック基板，
セラミクス基板等を用いていわゆるハートディスクとし
てもよい。
非磁性支持体の形状としては、ドラム状、ディスク
状、シート状、テープ状、カード状等の何れでも良い。
また、これら非磁性支持体は、Co−Ｏ系垂直磁化膜を成
膜するに先立ち、易接着化、平面性改良、着色、帯電防
止、耐摩耗性付与等の目的で表面処理や前処理が行われ
ていてもよい。
状、シート状、テープ状、カード状等の何れでも良い。
また、これら非磁性支持体は、Co−Ｏ系垂直磁化膜を成
膜するに先立ち、易接着化、平面性改良、着色、帯電防
止、耐摩耗性付与等の目的で表面処理や前処理が行われ
ていてもよい。
非磁性層である表面層の膜厚ｄを、Co−Ｏ系垂直磁化
膜の膜厚をｌとしたときに、0.015≦d/l≦0.1なる関係
を満足するように設定することで、記録再生時のスペー
シングロスが抑制され、同時に耐久性も確保される。
膜の膜厚をｌとしたときに、0.015≦d/l≦0.1なる関係
を満足するように設定することで、記録再生時のスペー
シングロスが抑制され、同時に耐久性も確保される。
また、表面層の最表面における酸素濃度を0.05≦NO/
（NCo＋NO）≦0.60とすることで、Co−Ｏ系垂直磁化膜
の機械的耐久性や耐蝕性が確保される。
（NCo＋NO）≦0.60とすることで、Co−Ｏ系垂直磁化膜
の機械的耐久性や耐蝕性が確保される。
以下、本発明を適用した具体的な実施例について説明
する。
する。
先ず、これら実施例の説明に先立って、Co−Ｏ系垂直
磁化膜を成膜するに使用される電子ビーム蒸着装置の構
成について説明する。
磁化膜を成膜するに使用される電子ビーム蒸着装置の構
成について説明する。
電子ビーム蒸着装置は、第１図に示すように、排気系
（５）と電子銃（８）を備えた真空チャンバ（６）内に
非磁性支持体（９）の供給ローラ（２），冷却キャン
（１），巻き取りローラ（３）９からなる長尺状非磁性
支持体（９）の走行系と、Coを蒸発源として収納したル
ツボ（４），酸素ガス導入管（７）からなる蒸着系とを
備えているものである。
（５）と電子銃（８）を備えた真空チャンバ（６）内に
非磁性支持体（９）の供給ローラ（２），冷却キャン
（１），巻き取りローラ（３）９からなる長尺状非磁性
支持体（９）の走行系と、Coを蒸発源として収納したル
ツボ（４），酸素ガス導入管（７）からなる蒸着系とを
備えているものである。
ここで、Co−Ｏ系垂直磁化膜が蒸着形成される非磁性
支持体（９）は、供給ローラ（２）から供給され、冷却
キャン（１）上でCo−Ｏ系垂直磁化膜が形成された後、
巻き取りローラ（３）によって巻き取られる。なお、Co
−Ｏ系垂直磁化膜を蒸着形成する冷却キャン（１）は、
その表面温度が０℃付近に制御されるように図示しない
冷却機能を有している。
支持体（９）は、供給ローラ（２）から供給され、冷却
キャン（１）上でCo−Ｏ系垂直磁化膜が形成された後、
巻き取りローラ（３）によって巻き取られる。なお、Co
−Ｏ系垂直磁化膜を蒸着形成する冷却キャン（１）は、
その表面温度が０℃付近に制御されるように図示しない
冷却機能を有している。
そして、上記冷却キャン（１）とルツボ（４）との間
には、遮蔽板（10），（10）が配設され、ルツボ（４）
からのCo蒸気流の蒸着状態や酸素ガス導入管（７）から
の酸素ガスの導入状態を制御するようになっている。
には、遮蔽板（10），（10）が配設され、ルツボ（４）
からのCo蒸気流の蒸着状態や酸素ガス導入管（７）から
の酸素ガスの導入状態を制御するようになっている。
なお、ルツボ（４）は電子銃（８）からの電子ビーム
によって加熱され、蒸発するCoの蒸着速度を任意に制御
して蒸着させることができるようになっている。また、
酸素ガス導入管（７）には酸素ガスの導入量を制御する
機構が設けられており、例えばCo−Ｏ系垂直磁化膜の酸
素濃度に濃度勾配を持たせることが可能となっている。
によって加熱され、蒸発するCoの蒸着速度を任意に制御
して蒸着させることができるようになっている。また、
酸素ガス導入管（７）には酸素ガスの導入量を制御する
機構が設けられており、例えばCo−Ｏ系垂直磁化膜の酸
素濃度に濃度勾配を持たせることが可能となっている。
実施例１ 前述の電子ビーム蒸着装置を使用して垂直磁気記録媒
体を作成した。
体を作成した。
このとき、ルツボ（４）には純度99.9％のCoを入れ、
蒸着速度3500Å，非磁性支持体（９）の走行速度16m/分
とし、膜厚2000ÅとなるようにCo−Ｏ系垂直磁化膜を成
膜した。なお、非磁性支持体（９）移動方向の下流側に
配置される遮蔽板（10）は、第１図中一点鎖線で示す位
置Ａまで延ばして蒸着を行った。
蒸着速度3500Å，非磁性支持体（９）の走行速度16m/分
とし、膜厚2000ÅとなるようにCo−Ｏ系垂直磁化膜を成
膜した。なお、非磁性支持体（９）移動方向の下流側に
配置される遮蔽板（10）は、第１図中一点鎖線で示す位
置Ａまで延ばして蒸着を行った。
また、酸素ガス導入管（７）は、非磁性支持体（９）
移動方向の上流側に設置し、非磁性支持体（９）までの
距離（開口部面積の中心位置までの距離）を5cmとし
た。導入酸素ガスの入射角φは30゜、酸素ガス流量は30
0cc/分に設定した。蒸着中の雰囲気ガス圧は２×10-4To
rrであった。
移動方向の上流側に設置し、非磁性支持体（９）までの
距離（開口部面積の中心位置までの距離）を5cmとし
た。導入酸素ガスの入射角φは30゜、酸素ガス流量は30
0cc/分に設定した。蒸着中の雰囲気ガス圧は２×10-4To
rrであった。
以上によりサンプルテープを作成した。
比較例１ 酸素ガス導入管（７）を非磁性支持体（９）移動方向
の下流側に設置し、他は実施例１に準じてサンプルテー
プを作成した。なお、非磁性支持体（９）移動方向の下
流側に配置される遮蔽板（10）は、図中実線で示す位置
Ｂまで後退させた。
の下流側に設置し、他は実施例１に準じてサンプルテー
プを作成した。なお、非磁性支持体（９）移動方向の下
流側に配置される遮蔽板（10）は、図中実線で示す位置
Ｂまで後退させた。
比較例２ 酸素ガス導入管（７）を非磁性支持体（９）移動方向
の下流側に設置し、非磁性支持体（９）までの距離（開
口部面積の中心位置までの距離）を5mmとし、他は実施
例１に準じてサンプルテープを作成した。なお、非磁性
支持体（９）移動方向の下流側に配置される遮蔽板（1
0）は、この例でも図中実線で示す位置Ｂまで後退させ
た。
の下流側に設置し、非磁性支持体（９）までの距離（開
口部面積の中心位置までの距離）を5mmとし、他は実施
例１に準じてサンプルテープを作成した。なお、非磁性
支持体（９）移動方向の下流側に配置される遮蔽板（1
0）は、この例でも図中実線で示す位置Ｂまで後退させ
た。
実施例１で作成したサンプルテープ並びに比較例１で
作成したサンプルテープについて、Co−Ｏ系垂直磁化膜
の膜厚方向のCo及びＯの濃度分布をオージェ電子分光法
により分析した。結果を第２図及び第３図に示す。
作成したサンプルテープについて、Co−Ｏ系垂直磁化膜
の膜厚方向のCo及びＯの濃度分布をオージェ電子分光法
により分析した。結果を第２図及び第３図に示す。
第２図は実施例１のデプスプロファイルを示すもの
で、表面層は非常に薄く、しかもこの表面層では最表面
に向かって次第に酸素濃度が大となっていることがわか
る。
で、表面層は非常に薄く、しかもこの表面層では最表面
に向かって次第に酸素濃度が大となっていることがわか
る。
これに対して、第３図に示す比較例１のデプスプロフ
ァイルでは、酸素濃度の高い表面層が非常に厚く、300
〜400Åにも達していることがわかる。また、この第３
図に示すものでは、酸素濃度の増加が緩慢である。
ァイルでは、酸素濃度の高い表面層が非常に厚く、300
〜400Åにも達していることがわかる。また、この第３
図に示すものでは、酸素濃度の増加が緩慢である。
さらに、実施例1,比較例１及び比較例２で得られた各
サンプルテープについて、表面層の厚さ（d/）、表面
層の酸素濃度、磁気特性、機械的耐久性を調べた。磁気
特性としては、飽和磁束密度Bs、垂直方向保磁力Hc、異
方性磁界Hkを測定した。機械的耐久性については、Co−
Ｏ系垂直磁化膜表面にリン酸エステル潤滑剤を塗布し、
スチル耐久性及びスチル耐久性測定後の目視観察による
表面状態を評価した。表面状態は、スチル耐久測定後の
垂直磁化膜表面に傷の発生がないものを○印で、傷の発
生があったものを×印で表した。
サンプルテープについて、表面層の厚さ（d/）、表面
層の酸素濃度、磁気特性、機械的耐久性を調べた。磁気
特性としては、飽和磁束密度Bs、垂直方向保磁力Hc、異
方性磁界Hkを測定した。機械的耐久性については、Co−
Ｏ系垂直磁化膜表面にリン酸エステル潤滑剤を塗布し、
スチル耐久性及びスチル耐久性測定後の目視観察による
表面状態を評価した。表面状態は、スチル耐久測定後の
垂直磁化膜表面に傷の発生がないものを○印で、傷の発
生があったものを×印で表した。
表面層の厚さ及び酸素濃度を第１表に、磁気特性及び
機械的耐久性を第２表に示す。
機械的耐久性を第２表に示す。
また、各サンプルテープの再生出力の記録波長依存性
を調べた。その結果を第４図に示す。
を調べた。その結果を第４図に示す。
これら第１表、第２表並びに第４図により、本発明を
適用した実施例のサンプルテーフは、優れた磁気特性，
記録再生特性及び機械的耐久性を兼ね備えた垂直磁気記
録媒体であることがわかる。
適用した実施例のサンプルテーフは、優れた磁気特性，
記録再生特性及び機械的耐久性を兼ね備えた垂直磁気記
録媒体であることがわかる。
以上の説明からも明らかなように、本発明の垂直磁気
記録媒体の製造方法においては、Co−Ｏ系垂直磁化膜を
非磁性支持体走行方向の上流側より酸素を導入しながら
蒸着形成することにより、表面層の厚さ及び酸素濃度を
所定の範囲に設定しているので、記録再生時のスペーシ
ングロスが大幅に軽減され、電磁変換特性上特に短波長
域において高出力を得ることが可能である。
記録媒体の製造方法においては、Co−Ｏ系垂直磁化膜を
非磁性支持体走行方向の上流側より酸素を導入しながら
蒸着形成することにより、表面層の厚さ及び酸素濃度を
所定の範囲に設定しているので、記録再生時のスペーシ
ングロスが大幅に軽減され、電磁変換特性上特に短波長
域において高出力を得ることが可能である。
また、表面層の機械的強度も確保されることから、充
分な耐久性を有する垂直磁気記録媒体を提供することが
可能である。
分な耐久性を有する垂直磁気記録媒体を提供することが
可能である。
第１図は電子ビーム真空蒸着装置の構成例を示す概略正
面図である。 第２図は本発明を適用した実施例におけるCo−Ｏ系垂直
磁化膜の膜厚方向での原子濃度分布を示す特性図、第３
図は比較例におけるCo−Ｏ系垂直磁化膜の膜厚方向での
原子濃度分布を示す特性図である。 第４図は本発明を適用して作製した垂直磁気記録媒体の
再生出力の記録波長依存性を比較例のそれと比べて示す
特性図である。 １……冷却キャン ２……ルツボ ７……酸素ガス導入管 ８……電子銃 ９……非磁性支持体
面図である。 第２図は本発明を適用した実施例におけるCo−Ｏ系垂直
磁化膜の膜厚方向での原子濃度分布を示す特性図、第３
図は比較例におけるCo−Ｏ系垂直磁化膜の膜厚方向での
原子濃度分布を示す特性図である。 第４図は本発明を適用して作製した垂直磁気記録媒体の
再生出力の記録波長依存性を比較例のそれと比べて示す
特性図である。 １……冷却キャン ２……ルツボ ７……酸素ガス導入管 ８……電子銃 ９……非磁性支持体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 真弓 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソ ニー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−189622（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−223020（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−109531（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/66 G11B 5/72 G11B 5/85
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性支持体上にCo−Ｏ系垂直磁化膜を形
成する垂直磁気記録媒体の製造方法において、 前記Co−Ｏ系垂直磁化膜を非磁性支持体走行方向の上流
側より酸素を導入しながら蒸着形成することにより、 前記Co−Ｏ系垂直磁化膜の表面に、表面に向かって次第
に酸素濃度が大となるようなCo−Ｏ系垂直磁化膜表面層
を形成し、 前記Co−Ｏ系垂直磁化膜の膜厚を１、Co−Ｏ系垂直磁化
膜表面層の膜厚をｄとしたときに、これらが 0.015≦d/1≦0.1 なる関係を満足するとともに、 前記Co−Ｏ系垂直磁化膜表面層の最表面におけるCoのモ
ル数をNCo、酸素のモル数をNOとしたときに、これらが 0.05≦NO/（NCo＋NO）≦0.60 なる関係を満足するようにすることを特徴とする垂直磁
気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63108580A JP2785272B2 (ja) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63108580A JP2785272B2 (ja) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01279416A JPH01279416A (ja) | 1989-11-09 |
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1988
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