JPH01307914A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は高密度記録に対応する垂直磁気記録媒体に関し
、特にＣｏ−〇系垂直磁化膜を記録層とする垂直磁気記
録媒体に関する。

（従来の技術〕 近年、磁気記録における短波長化と狭トラツク化による
記録密度の向」二は目覚ましく、光記録に匹敵する面記
録密度の達成がいわゆる垂直磁化膜を利用した垂直磁気
記録媒体を用いることで期待されている。このような状
況にあって、成膜の容易さ等の観点から、たとえば特開
昭６０−１９３１２３号公報に記載されるように垂直磁
化膜としてＣｏ−０系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録
媒体が提案されている。

このＣｏ−０系垂直磁化膜は、通常真空雰囲気中に若干
の酸素ガスを導入し、Ｃｏを蒸発源として真空蒸着を行
うことにより非磁性支持体上に成膜されるものであって
、磁気特性、成膜性１機械的強度等の点で数々の優れた
特徴を有している。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述のような特性を有する垂直磁気記録
媒体の電磁変換特性を調べてみると、短波長域および長
波長域における出力レヘルやＣ／Ｎ比が低く、特に短波
長域において問題がある。

したがって、Ｃｏ−〇光垂直磁気記録媒体では、高密度
記録を達成、するために短波長域における出力レベルお
よびＣ／Ｎ比を高めることは不可欠の要件である。

そこで本発明は、短波長域における電磁変換特性に優れ
る垂直磁気記録媒体の提供を目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

ところで、従来一般に垂直磁気記録媒体と言えば、磁化
容易軸を媒体面に垂直な方向に有していることが当然の
ように考えられていた。しかし、本発明者らは上述の目
的を達成するためにＣｏ−０系垂直磁化膜について検討
した結果、磁化容易軸が媒体面に対して垂直方向からや
や傾いているほうが、短波長域における出力レベルやＣ
／Ｎ比を高めることが可能であるとの知見を得た。この
事実は、次のような磁化測定から見出されたものである
。

いま、第４回に示すようなテープ等の媒体面（１１）を
考える。この媒体面（１１）上の点Ｏにおける法線Ｚを
中心として該法線Ｚを含む法面（１２）内で印加磁界（
Ｈ，、）方向の傾斜角（以下、磁界印加角度と称する。

）θを一９０°〜９０°の範囲で変化させながらヒステ
リシス曲線を記録する。次に、各ヒステリシス曲線から
抗磁力Ｈ，を求め、これを」二記磁界印加角度θに対し
てプロットすると、たとえば後述の第２図に示すような
１１ｃ−０曲線（以下、抗磁力曲線と称する。）が得ら
れる。

従来の一般的な垂直磁気記録媒体では、この抗磁力曲線
がθ＝０°のときに極大値をとり、かつθ−〇°を中心
として一９０°〜９０’の範囲で左右対称となることか
ら、磁化容易軸が媒体面に対して垂直であることがわか
る。このような垂直磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
できる限り垂直な方向から蒸着を行って垂直磁化膜を形
成することにより作成することができる。

これに対し、本発明において良好な電子変換特性を示し
た垂直磁気記録媒体は、抗磁力曲線の極大値がθ−〇°
から若干ずれており、かつその形が０″≦θ≦９０６の
範囲と一９０″≦θ≦Ｏａの範囲で互いに非対称であっ
た。したがって、磁化容易軸が媒体面に対して垂直では
ないことがわかった。

すなわち、本発明にかかる垂直磁気記録媒体は、非磁性
支持体上にＣ０−０系垂直磁化膜が形成されてなる垂直
磁気記録媒体であって、前記Ｃｏ−０系垂直磁化膜の抗
磁力を当該垂直磁化膜の法線方向に対する印加磁界方向
の傾斜角θを変化させながら測定したときに、０″≦θ
≦９０°における抗磁力曲線と一９０゜≦θ≦０″にお
ける抗磁力曲線が非対称であることを特徴とするもので
ある。

上記Ｃｏ−０系垂直磁化■りは、例えば後述の第１図に
示すような電子ビーム蒸着装置内の遮蔽板の位置を調節
し、金属蒸発源から発生する蒸気が非磁性支持体に対し
である入射角をもって当たるようになすことにより形成
される。ここで、本明細書において入射角とは、常に媒
体面の法線方向に対する蒸気の入射方向の傾斜角を指す
ものとする。この入射角は、通常０°〜６０°の範囲に
選ばれる。

上記電子ビーム茎着は、得られる垂直磁気記録媒体の磁
気特性や生産性等の観点からＣＯ−○系垂直磁化膜の作
成方法として有利な方法であるが、この他にもたとえば
抵抗加熱Ｖ着、誘導加熱蒸着。

電子ビーム蒸着、イオンビーム蒸着１　イオンブレーテ
ィング、レーザービーム蒸着、アーク放電蒸着等の各種
の真空蒸着法が適用できる。

また本発明にかかる垂直磁気記録媒体は、ＣＯ−〇系垂
直磁化膜を非磁性支持体表面に成膜することにより作成
されるが、非磁性支持体の材料としては、通常の磁気記
録媒体の非磁性支持体として使用される材料であればい
ずれも使用可能である。特に、加工性、成形性等の点で
有機高分子体が通しており、なかでもポリエチレンテレ
フクレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステ
ル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィ
ン類、ポリメチルメタクリレート等のポリアクリレート
類、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリアミド、
芳香族ポリアミド、ポリフヱニレンスルフィド、ポリフ
ェニレンオキサイド、ポリアミドイミド、ポリイミド、
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニ
リデン、ポリテトラフルオロエチレン、酢酸セルロース
、メチルセルロース、エチルセルロース、エポキシ樹脂
、ウレタン樹脂、あるいはこれらの混合物や共重合体等
が適している。さらには、ＡｌＩＩＪ板。

へ！合金基板、ガラス基板、剛性プラスチック基板、セ
ラミンクス基板等を用いて、いわゆるハードディスクと
しても良い。

非磁性支持体の形状としては、ドラム状、ディスク状、
シート状、テープ状、カード状等のいずれでも良い。ま
た、これら非磁性支持体は、Ｃ０−０系垂直磁化膜を成
膜するに先立ち、接着性の向上、平面性の改良１着色、
帯電防止、耐摩耗性の付与等の目的で表面処理や前処理
が行われていても良い。

〔作用］ Ｃｏ−０系垂直磁化膜は、柱状結晶の長手方向に磁化容
易軸を有している。従来の一般的な垂直磁気記録媒体に
おいてはこの柱状結晶は非磁性支持体の表面に対して垂
直に配向されているので、抗磁力曲線ばθ−〇°におい
て極大となっていた。

しかし、本発明では蒸着が所定の傾斜角をもって行われ
ることにより、上記柱状結晶は非磁性支持体の表面に対
して所定の角度を保ちながら成長してゆ（。したがって
、磁化容易軸は垂直磁化膜の表面に対して所定の角度だ
け傾いたものとなる。

このことは、言い換えれば抗磁力曲線の極大点がθ＝０
°からずれた位置に存在し、かつθ＝０゜をはさんで非
対称であることを示すものである。

このような垂直磁化膜は、短波長域においても出力レベ
ルやＣ／Ｎ比を低下させることがない。

〔実施例〕

以下、本発明を適用した好適な実施例について図面を参
照しながら説明する。

まずこれらの実施例の説明に先立って、Ｇｏ−０系垂直
磁化膜を成膜する際に使用される電子ビーム蒸着装置の
構成について第１図を参照しながら説明する。

この電子ビーム蒸着装置は、排気系（５）と電子銃（８
）を備えたチャンバー（６）中に非磁性支持体（９）の
供給ローラー（２）、冷却キャン（１）、比磁性支持体
（９）の巻き取りローラー（３）からなる長尺状非磁性
支持体の走行系と、Ｃｏを入れたルツボ（４）および酸
素ガス導入管（７）からなる蒸着系とを備えてなるもの
である。

Ｃｏ−０系垂直磁化膜が蒸着形成される非磁性支持体（
９）は、非磁性支持体（９）の供給ローラー（２）から
供給され、冷却キャン（１）上でＣｏ−０系垂直磁化膜
が形成された後、巻き取りローラー（３）によって巻き
取られる。なお、Ｃ０−０系垂直磁化膜を蒸着形成する
冷却キャン（１）は、適当な冷却機能（図示せず。）に
よりその表面温度が０°Ｃ付近に制御されている。

上記Ｃ０−０系垂直磁化膜を蒸着形成する冷却キャン（
１）とＣｏを入れたルツボ（４）との間には遮蔽板（１
０）が備えられ、ルツボ（４）から発生するＣｏ蒸気や
酸素ガス導入管（７）から放出される酸素ガスと非磁性
支持体（９）との接触状態を制御するようになされてい
る。このとき、上記遮蔽板（１０）の開口部が冷却キャ
ン（１）の中心を通る垂線に対して非対称に設けられて
いれば、Ｃｏ蒸気を所定の角度をもって非磁性支持体（
９）に当てることが可能となる。

上記ルツボ（４）内のＣＯは、電子銃（８）から発生す
る電子ビームによって加熱され、蒸気となって冷却キャ
ン（１）上を走行する非磁性支持体（９）の表面に被着
する。その際、非磁性支持体（９）の移動方向の上流側
に設けられた酸素ガス導入管（７）から酸素ガスが同時
に導入され、Ｃｏ−０系垂直磁化膜が非磁性支持体（９
）上に蒸着形成される。

Ｃｏ蒸気の発生速度は、電子ビームによる加熱速度を調
節することにより制御することができる。

なお、本発明の製造方法に使用される装置は、上述の装
置に限定されるものではない。

ユ昌旧剋 上述の電子ビーム蒸着装置を使用して、垂直磁気記録媒
体を作成した。

まず、ルツボ（４）に純度９９．９％のＣＯを入れ、遮
蔽機（１０）は非磁性支持体（９）の進行方向の上流側
でＣｏ蒸気の入射角が１０〜５０°となるように開口部
を調節して設置し、酸素ガス導入管（７）は非磁性支持
体（９）の進行方向の上流側に酸素ガスの入射角ψが３
０°となるように設置した。この状態で、蒸着速度３５
００人／秒、非磁性支持体（９）の走行速度１６ｍ／分
、雲囲気ガス圧２　ＸＩＯ’　Ｔｏｒｒ、酸素ガス流量
３００ｍ　ｌ　７分の条件下で蒸着を行い、膜厚２００
０人のＣｏ−０系垂直磁化膜を成膜してサンプルテープ
を作成した。

一団 比較のために、Ｃｏｇ気の入射角が冷却キャン（１）の
中心を通る垂線に対して左右対称に一６〜６°となるよ
うに遮蔽板（１０）の開口部を調節して通常の蒸着を行
った以外は、実施例１に記載した方法にしたがってサン
プルテープを作成した。

このようにし°ζ作成された各サンプルテープについて
、飽和（イ杢束密度Ｂｓ、垂直方向抗磁力Ｈｃ、異方性
磁界ＩＩＫを測定した結果を第１表に示す。

第１表 この結果から、実施例にかかるサンプルテープは良好な
磁気特性を有しており、特に比較例のサンプルテープと
比べて保る■力Ｈ、に著しい改存効果が現れていること
がわかる。

次に、」−記各署ナンブルテープのミル５（変換特性を
調べるため、前述の第４図に示すように、テープ等の媒
体面（１１）内の点０における法線Ｚを中心して該法線
Ｚを含む法面（１２）内で磁界印加角度θを変化させな
がらヒステリシス曲線を記録し、該ヒステリシス曲線か
ら得られた抗磁力ｔｔｃを上記磁界印加角度θに対して
プロットした。このようにして得られた抗磁力曲線を第
２図に示す。図中、縦軸は抗磁力Ｈｃ（Ｏｅ）、横軸は
磁界印加角度θじ）をそれぞれ示す。また、実施例のサ
ンプルテープの特性は実線、比較例のサンプルテープの
特性は破線で示しである。この図から明らかなように、
実施例にかかるサンプルテープは磁化容易軸がＣｏ−０
系垂直磁化膜の膜面に対して垂直でないため、抗磁力曲
線の極大値もθ＝Ｏ°からずれた位置に存在する。これ
に対し、従来の一般的な蒸着法で作成された比較例のサ
ンプルテープは、θ−０°の線を中心として左右対称の
抗磁力曲線を与える。

さらに、上記各サンプルテープのＣｏ−０系垂直仔支化
膜の表面にリン酸エステル潤滑剤を塗布し、再生出力の
記録波長依存性を調べた。この結果を第３図に示す。こ
の図において、縦軸は再生出力（ｄＢｍ）、横軸は記録
波長（μｍ）を表し、実線と破線はそれぞれ実施例と比
較例に対応している。

この図より、実施例にかかるサンプルテープは、比較例
に比べて全体的に高い再生出力を有し、その極大値が短
波長側にシフトしてい名ことからもわかるとおり、短波
長域における再生特性に優れている。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明にかかる垂直
磁気記録媒体においては、Ｃ０−０系垂直磁化膜の磁化
容易軸が膜面に対して所定の傾きを持つようになされて
いる。このため、抗磁力が向上し、また短波長域におけ
る再生出力が向上する。

したがって、高密度記録に適した垂直磁気記録媒体の提
供が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に適用される電子ビーム薄着装置の構成
例を示す概略正面図である。第２図は木発明を適用した
実施例および比較例におけるＣ。 −〇光垂直磁化膜の抗磁力曲線を示す特性図である。第
３図は本発明を適用した実施例および比較例におけるＣ
ｏ−０系垂直磁化膜の再生出力め記録波長依存性を示す
特性図である。第４図は抗ｃｎ力曲線を求める際の磁界
印加角度を説明するための説明図である。 １　、・・　冷却キャン ４　・・・　ルツボ ７　・・・　酸素ガス導入管 ８　・・・　電子銃 ９　・・・　非磁性支持体 特許出願人　　　ソニー株式会社 代理人　弁理士　　　小　池　　見 回　　　田村榮− 同　　　佐藤　勝 第１図 第２図 配録波長　（ＪＪＩＴＩ） 第３図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 非磁性支持体上にＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜が形成されてな
   る垂直磁気記録媒体において、 前記Ｃｏ−Ｏ系垂直磁化膜の抗磁力を当該垂直磁化膜の
   法線方向に対する印加磁界方向の傾斜角θを変化させな
   がら測定したときに、０゜≦θ≦９０゜における抗磁力
   曲線と−９０゜≦θ≦０゜における抗磁力曲線が非対称
   であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。