JPH0411923B2 - - Google Patents
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- JPH0411923B2 JPH0411923B2 JP57003902A JP390282A JPH0411923B2 JP H0411923 B2 JPH0411923 B2 JP H0411923B2 JP 57003902 A JP57003902 A JP 57003902A JP 390282 A JP390282 A JP 390282A JP H0411923 B2 JPH0411923 B2 JP H0411923B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は短波長記録に適した金属薄膜形の記録
媒体で、磁化容易軸が、基板面に垂直方向にある
いわゆる垂直記録媒体と、通常の面内記録媒体の
両者の製造のいずれにも適用される製造方法に係
わり、蒸気圧の異なる２つ以上の元素から成るク
ロムを含有する合金の磁性層を安定にかつ、性能
を高めて製造する方法を提供しようとするもので
ある。
媒体で、磁化容易軸が、基板面に垂直方向にある
いわゆる垂直記録媒体と、通常の面内記録媒体の
両者の製造のいずれにも適用される製造方法に係
わり、蒸気圧の異なる２つ以上の元素から成るク
ロムを含有する合金の磁性層を安定にかつ、性能
を高めて製造する方法を提供しようとするもので
ある。
垂直記録用媒体の代表的な材料であるCo−Cr
合金、又はCo−Crに第３元素を添加した合金は、
角形比の良好な面内記録媒体としても有用である
ことは実験室規模で確かめられている。
合金、又はCo−Crに第３元素を添加した合金は、
角形比の良好な面内記録媒体としても有用である
ことは実験室規模で確かめられている。
一方その製造方法としては、高周波スパツタリ
ング等のスパツタリング法によるのが大半で、一
部真空蒸着によつても、垂直磁化膜の条件を満足
出来る製造方法の提案がみられる。
ング等のスパツタリング法によるのが大半で、一
部真空蒸着によつても、垂直磁化膜の条件を満足
出来る製造方法の提案がみられる。
しかし高速で基板を巻取りながらCo−Cr系合
金におけるように互いに蒸気圧の大幅に異なる元
素より成るクロムを含有する合金の磁性層の形成
を長時間安定に実施し得る技術についての開示は
いまだない。
金におけるように互いに蒸気圧の大幅に異なる元
素より成るクロムを含有する合金の磁性層の形成
を長時間安定に実施し得る技術についての開示は
いまだない。
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、磁化
容易軸が面内又は垂直方向の何れにあるかにかか
わりなく、又、媒体の形態がテープかデイスクか
シートか等の区別なく適合し得る製造方法の提供
を目指すものである。
容易軸が面内又は垂直方向の何れにあるかにかか
わりなく、又、媒体の形態がテープかデイスクか
シートか等の区別なく適合し得る製造方法の提供
を目指すものである。
以下に本発明の説明を行う。
本発明における基本的要件は２つの蒸発源の加
熱に電子ビームを利用すること、電子ビームが後
述するように互いに相向うエネルギーの異なるも
のであることである。
熱に電子ビームを利用すること、電子ビームが後
述するように互いに相向うエネルギーの異なるも
のであることである。
第１図、第２図に本発明を実施するための装置
の一例を示す。図に示すように、高分子成形物基
板１は、回転支持体２に沿つて送り出し軸３から
巻き取り軸４へ移動しながらマスク５の開孔部６
を通し蒸着される。
の一例を示す。図に示すように、高分子成形物基
板１は、回転支持体２に沿つて送り出し軸３から
巻き取り軸４へ移動しながらマスク５の開孔部６
を通し蒸着される。
開孔部６は垂直磁化膜形成のために、垂直に近
い蒸気成分のみを通すように設計される。
い蒸気成分のみを通すように設計される。
蒸発源７，８は互いに隣接して配設される二元
蒸発源であり、各々の加熱は、加速された電子ビ
ーム９，１０により行われる。電子ビームは、同
軸タイプのピアス形電子銃により得られるもの
で、互いに相向うよう配設される。
蒸発源であり、各々の加熱は、加速された電子ビ
ーム９，１０により行われる。電子ビームは、同
軸タイプのピアス形電子銃により得られるもの
で、互いに相向うよう配設される。
ここで相向うことの条件は模式的に電子ビーム
を単一の光線と想定し蒸発面を鏡面とみなした
時、夫々の反射光線が交わることである。
を単一の光線と想定し蒸発面を鏡面とみなした
時、夫々の反射光線が交わることである。
このことにより二次電子、反射電子の方向分布
によると考えられる、蒸発原子のイオン化、活性
化が促進され、結晶性の改良による磁気特性の向
上、磁性膜の高分子成形物基板との接着強度の向
上等の効果を生む。
によると考えられる、蒸発原子のイオン化、活性
化が促進され、結晶性の改良による磁気特性の向
上、磁性膜の高分子成形物基板との接着強度の向
上等の効果を生む。
第２図はもつぱら従来より広く利用されている
面内磁気記録媒体を製造するに適した構成を示
し、第１図と対応する要素には、同一記号を付し
てある。
面内磁気記録媒体を製造するに適した構成を示
し、第１図と対応する要素には、同一記号を付し
てある。
斜方蒸着を行えるようマスク５は配設され、相
向う電子ビームのうち一方のビーム１０は、磁界
１１で偏向されかつ必要に応じ走査される状態を
模式的に示したが、他方のビーム９も同様にして
も良いのは勿論であるし、第１図についても同じ
ことがいえる。
向う電子ビームのうち一方のビーム１０は、磁界
１１で偏向されかつ必要に応じ走査される状態を
模式的に示したが、他方のビーム９も同様にして
も良いのは勿論であるし、第１図についても同じ
ことがいえる。
必要な要件は相向うことであり、更に組み合わ
せ効果として一層の改良を得るための要件として
一方の蒸発源の電子ビームのエネルギーを低目に
（10〜20KeV）もう一方の電子ビームのエネルギ
ーを高目に（好ましくは15KV〜45KV）即ち相
異なるエネルギーに設定することである。低いエ
ネルギーは、前述した蒸発原子のイオン化、活性
化により有効に作用し、高いエネルギーは、基板
の帯電を促し、静電引力による回転支持体への基
板の密着度合を改良するに有効に作用するからで
ある。
せ効果として一層の改良を得るための要件として
一方の蒸発源の電子ビームのエネルギーを低目に
（10〜20KeV）もう一方の電子ビームのエネルギ
ーを高目に（好ましくは15KV〜45KV）即ち相
異なるエネルギーに設定することである。低いエ
ネルギーは、前述した蒸発原子のイオン化、活性
化により有効に作用し、高いエネルギーは、基板
の帯電を促し、静電引力による回転支持体への基
板の密着度合を改良するに有効に作用するからで
ある。
次に具体的に本発明の実施例を説明する。
実施例 １
（なお実施例１〜４は第１図に示した装置によ
る。） 基板：ポリエチレンテレフタレートフイルム（厚
さ10.5μｍ） 回転支持体：直径50cm、内部循環媒体温度20℃ 開孔部：基板移動方向に10cm 蒸発源１：Co、電子ビーム30KV、3A 〃 ２：Cr、 〃 30KV、0.5A 以上の条件により得られた磁性膜は厚み0.25μ
ｍで、Co86％Cr14％から成り、垂直方向に容易
軸がありその抗磁力は920〔O¨e〕であつた。
る。） 基板：ポリエチレンテレフタレートフイルム（厚
さ10.5μｍ） 回転支持体：直径50cm、内部循環媒体温度20℃ 開孔部：基板移動方向に10cm 蒸発源１：Co、電子ビーム30KV、3A 〃 ２：Cr、 〃 30KV、0.5A 以上の条件により得られた磁性膜は厚み0.25μ
ｍで、Co86％Cr14％から成り、垂直方向に容易
軸がありその抗磁力は920〔O¨e〕であつた。
実施例 ２
蒸発源１としてCo、電子ビーム35KV、2.5A、
同２としてCr、電子ビーム10KV、1.3Aとしてい
る他は実施例１の場合と同じである。
同２としてCr、電子ビーム10KV、1.3Aとしてい
る他は実施例１の場合と同じである。
以上の条件により得られた磁性膜は厚み0.25μ
ｍでCo86％Cr14％からなり、垂直方向の抗磁力
は990〔O¨e〕であつた。
ｍでCo86％Cr14％からなり、垂直方向の抗磁力
は990〔O¨e〕であつた。
（従来例）
Co89％Cr11％の合金を用いた単一蒸発源によ
り成膜し、Co86％Cr14％からなる厚み0.25μｍの
磁性膜を作成した。この磁性膜の垂直方向抗磁力
は760〔O¨e〕であつた。
り成膜し、Co86％Cr14％からなる厚み0.25μｍの
磁性膜を作成した。この磁性膜の垂直方向抗磁力
は760〔O¨e〕であつた。
また、特開昭55−12547号公報記載の方法によ
つて、Co86％、Cr14％からなる厚み0.25μｍの磁
性膜を作成した。この磁性膜の垂直方向抗磁力は
740〔O¨e〕であつた。
つて、Co86％、Cr14％からなる厚み0.25μｍの磁
性膜を作成した。この磁性膜の垂直方向抗磁力は
740〔O¨e〕であつた。
実施例 ３
基板：ポリアミドフイルム（厚さ8μｍ）
回転支持体：直径１ｍ、内部循環媒体温度０℃
開孔部：基板移動方向に14cm
蒸発源１：Co5％Rh、電子ビーム15KV、4A
蒸発源２：Cr、電子ビーム30KV、0.1A
以上の条件により得られた磁性膜は厚み0.3μｍ
でCo80％Cr16％Rh4％からなり、垂直抗磁力は
1060〔O¨e〕であつた。なお単一合金より膜の分は
810〔O¨e〕であつた。
でCo80％Cr16％Rh4％からなり、垂直抗磁力は
1060〔O¨e〕であつた。なお単一合金より膜の分は
810〔O¨e〕であつた。
実施例 ４
基板：ポリイミドフイルム（厚み25μｍ）
回転支持体：直径50cm、ヒータによる加熱、180
℃ 開孔部：基板移動方向に９cm 蒸発源１：Co、電子ビーム40KV、2A 〃 ２：Cr、 〃 15KV、1A 磁性層：Co84％Cr16％、厚み0.33μｍ、垂直抗磁
力1360〔O¨e〕 なお従来の単一蒸発法によるものの垂直抗磁力
は810〔O¨e〕であつた。
℃ 開孔部：基板移動方向に９cm 蒸発源１：Co、電子ビーム40KV、2A 〃 ２：Cr、 〃 15KV、1A 磁性層：Co84％Cr16％、厚み0.33μｍ、垂直抗磁
力1360〔O¨e〕 なお従来の単一蒸発法によるものの垂直抗磁力
は810〔O¨e〕であつた。
実施例 ５
（なお実施例５、６は第２図に示した装置によ
る。） 基板：ポリエチレンテレフタレートフイルム（厚
み9.5μｍ） 回転支持体：直径１ｍ、内部循環媒体温度10℃ 入射角：40°以上 蒸発源１：Co、電子ビーム25KV、3A 〃 ２：Cr、 〃 10KV、2A 磁性層：Co83％Cr17％、厚み0.25μｍ、面内抗磁
性950〔O¨e〕であつた。
る。） 基板：ポリエチレンテレフタレートフイルム（厚
み9.5μｍ） 回転支持体：直径１ｍ、内部循環媒体温度10℃ 入射角：40°以上 蒸発源１：Co、電子ビーム25KV、3A 〃 ２：Cr、 〃 10KV、2A 磁性層：Co83％Cr17％、厚み0.25μｍ、面内抗磁
性950〔O¨e〕であつた。
実施例 ６
基板：ポリアミドフイルム（厚み12μｍ）
回転支持体：直径１ｍ、内部循環媒体温度−５℃
入射角：50°以上
蒸発源１：Co88％−Ni12％、電子ビーム30KV、
3A 〃 ２：Cr電子ビーム10KV、3A 磁性層：Co78％Ni10.6％Cr11.4％、厚み0.2μｍ、
面内抗磁性1100〔O¨e〕 なお以上の各実施例は真空度５×10-5〜１×
10-5Torrの範囲で行つた。
3A 〃 ２：Cr電子ビーム10KV、3A 磁性層：Co78％Ni10.6％Cr11.4％、厚み0.2μｍ、
面内抗磁性1100〔O¨e〕 なお以上の各実施例は真空度５×10-5〜１×
10-5Torrの範囲で行つた。
又回転支持体として、エンドレスベルト構成の
支持体の場合も同様の効果の確認を行つた。
支持体の場合も同様の効果の確認を行つた。
以上述べたように、本発明によると抗磁力が大
で性能のすぐれたクロムを含有する磁気記録媒体
を容易に得ることができ、その工業的有価値性は
極めて大きい。
で性能のすぐれたクロムを含有する磁気記録媒体
を容易に得ることができ、その工業的有価値性は
極めて大きい。
第１図は本発明を実施するための装置の一例を
示す図、第２図は同装置の他の例を示す図であ
る。 １……基板、２……回転支持体、７，８……蒸
発源、９，１０……電子ビーム。
示す図、第２図は同装置の他の例を示す図であ
る。 １……基板、２……回転支持体、７，８……蒸
発源、９，１０……電子ビーム。
Claims (1)
- １ 回転支持体に沿つて移動する高分子成形物基
板上に、２つの蒸発源より放射される蒸気流にて
クロムを含有する強磁性層を形成する際、各々の
蒸発源の加熱が互いに相向うエネルギーの異なる
電子ビームにより行われることを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP390282A JPS58121134A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP390282A JPS58121134A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58121134A JPS58121134A (ja) | 1983-07-19 |
| JPH0411923B2 true JPH0411923B2 (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=11570118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP390282A Granted JPS58121134A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58121134A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029942A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体の製造法並に装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5417812A (en) * | 1977-07-11 | 1979-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording media |
| JPS5419200A (en) * | 1977-07-12 | 1979-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium process |
| JPS5512547A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for magnetic recording media |
| JPS55122232A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-19 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium |
| JPS567231A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-24 | Ulvac Corp | Vapor deposition film type magnetic recording material and its production |
-
1982
- 1982-01-12 JP JP390282A patent/JPS58121134A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5417812A (en) * | 1977-07-11 | 1979-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording media |
| JPS5419200A (en) * | 1977-07-12 | 1979-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium process |
| JPS5512547A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for magnetic recording media |
| JPS55122232A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-19 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium |
| JPS567231A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-24 | Ulvac Corp | Vapor deposition film type magnetic recording material and its production |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58121134A (ja) | 1983-07-19 |
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