JPS58139338A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS58139338A JPS58139338A JP2000682A JP2000682A JPS58139338A JP S58139338 A JPS58139338 A JP S58139338A JP 2000682 A JP2000682 A JP 2000682A JP 2000682 A JP2000682 A JP 2000682A JP S58139338 A JPS58139338 A JP S58139338A
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- JP
- Japan
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- electron beams
- base
- substrate
- vessel
- high voltage
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方
法に関し、電子ビーム蒸着の生産性の大きさを有効に活
用し量産性を高めようとするものである。
法に関し、電子ビーム蒸着の生産性の大きさを有効に活
用し量産性を高めようとするものである。
垂直記録方式は短波長記録に適しており、媒体の製造技
術面、記録方式面に関して各方面で活発な開発が進めら
れている。
術面、記録方式面に関して各方面で活発な開発が進めら
れている。
現在までの所、高周波スパッタで得たＣＯをベースに、
Ｍｓの低下をはかり、かっり、ｃ、ｐ、構造のＣ軸が基
板面の垂直方向を向きやすい材料としてＯｒを添加した
膜が、性能的に優れているといわれ、基礎的な検討にも
っばら使われている。
Ｍｓの低下をはかり、かっり、ｃ、ｐ、構造のＣ軸が基
板面の垂直方向を向きやすい材料としてＯｒを添加した
膜が、性能的に優れているといわれ、基礎的な検討にも
っばら使われている。
しかし、この記録方式の普及の鍵を握るもののひとつは
、媒体の量産性にかかっている。
、媒体の量産性にかかっている。
本発明はこの点に鑑みなされたもので、更にＣ軸の配向
性の良好な膜を高速で得ることを可能にする方法で、円
筒状の回転キャンに沿って移動するポリエステル、ポリ
アミド、ポリイミド等の高分子成形物基板上に、Ｃｏと
Ｃｒを別々の蒸発源容器に配し、同一の加速電子ビーム
を偏向走査してそれぞれ気化せしめた蒸気を差し向ける
際、その蒸気流の成膜に寄与する部分がおおむね、電子
ビームにさらされるようにするとともに、高分子成形物
基板に電圧を印加するものである。
性の良好な膜を高速で得ることを可能にする方法で、円
筒状の回転キャンに沿って移動するポリエステル、ポリ
アミド、ポリイミド等の高分子成形物基板上に、Ｃｏと
Ｃｒを別々の蒸発源容器に配し、同一の加速電子ビーム
を偏向走査してそれぞれ気化せしめた蒸気を差し向ける
際、その蒸気流の成膜に寄与する部分がおおむね、電子
ビームにさらされるようにするとともに、高分子成形物
基板に電圧を印加するものである。
以下に図面を用い本発明の説明を行う。
第１図は本発明を実施するための装置の一例を示す。図
に示すように、高分子成形物基板１は、 −円筒状キャ
ン２の周側面に沿って送り出し軸３より巻き取り軸４へ
移動するよう構成された巻取り系により、定速で移動す
る。
に示すように、高分子成形物基板１は、 −円筒状キャ
ン２の周側面に沿って送り出し軸３より巻き取り軸４へ
移動するよう構成された巻取り系により、定速で移動す
る。
巻取り系は、巻取蒸着装置に準じ、適宜工夫されたもの
であるが、本図では、簡素化して示している。これら巻
取系は一点鎖線で示した中間プレートと真空槽の一部を
構成する壁面とで両持ちされるが、この系全体を真空槽
より絶縁し、負又は正の高電圧を印加できるよう構成し
ている。
であるが、本図では、簡素化して示している。これら巻
取系は一点鎖線で示した中間プレートと真空槽の一部を
構成する壁面とで両持ちされるが、この系全体を真空槽
より絶縁し、負又は正の高電圧を印加できるよう構成し
ている。
円筒状キャン２と対向して、蒸発源容器が配設される。
この場合は、Ｃｏ Ｂ用の容器６と、ＣｒＴ用の容器８
が隣接し、かつ、基板の移動方向と直交する方向に長軸
を有する広幅のＣｏ用容器を挾んで両側にＣｒの蒸発源
容器が配置される。
が隣接し、かつ、基板の移動方向と直交する方向に長軸
を有する広幅のＣｏ用容器を挾んで両側にＣｒの蒸発源
容器が配置される。
これは拘束条件ではなく、場合によっては、各容器１個
ずつでもよい。
ずつでもよい。
容器への各蒸発材料の供給は、公知の方法のいずれかを
構造を含め検討し、：用いればよい。
構造を含め検討し、：用いればよい。
Ｃｏの溶解蒸発、Ｏｒの昇華には、電子銃９により発生
させた単一の電子ビーム１０を、偏向磁界１１の調整に
より偏向走査し、膜中のＣＯとＣｒの含有比が常に一定
になるよう、かつ幅方向にも一定になるよう、投入電力
密度を制御できるよう構成される。
させた単一の電子ビーム１０を、偏向磁界１１の調整に
より偏向走査し、膜中のＣＯとＣｒの含有比が常に一定
になるよう、かつ幅方向にも一定になるよう、投入電力
密度を制御できるよう構成される。
また蒸発した蒸気の一部が垂直磁化膜を得るために用い
られるようマスク１２が配設され、そして前面に、シャ
ッタ１３が配設される。電子ビームと蒸気流のうち垂直
磁化膜形成に寄与する成分とが相互作用するよう、マス
ク（或いは回転キャン）の開孔部に近い位置に偏向磁界
を設けるのが得策である。
られるようマスク１２が配設され、そして前面に、シャ
ッタ１３が配設される。電子ビームと蒸気流のうち垂直
磁化膜形成に寄与する成分とが相互作用するよう、マス
ク（或いは回転キャン）の開孔部に近い位置に偏向磁界
を設けるのが得策である。
真空槽１４は排気系１６により排気される。
次に具体的に本発明の詳細な説明する。
なおここで後出の〔実施例１〕〜〔実施例３〕の共通条
件を列記する。
件を列記する。
（１） 円筒状キャン ：直径６ｏｃｒｒＩ（２）偏
向磁界中心 ：キャン直下１２ｃｒｎ（３） Ｃｏ蒸
発源位置：キャン直下３７ｃ１ｎ（４）Ｃｒ蒸発源位置
： （５） 電子ビーム ： ５ｏＫＶ 最大４Ａ（膜
性能評価） （ロ） Ｃ軸分数 ：Ｘ線回折 （００２）面のロッ
キングカーブにより測定 ｆＪ Ｃｏ／Ｃｒ比 ：希硝酸で溶解し、原子吸光
分析にて測定 〔実施例１〕 ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ〜 １０μｍ）を用い、７０’Ｃの媒体を循環させだ円筒状
キャンに沿って、２２ ｍ／ｍｉｎで巻き取りながら、
ＣＯに平均６０ＫＷ、Ｃｒに３２ ＫＷ投入し、Ｃｏ８
４％Ｃｒ１６％からなる厚さ０．３μｍの薄膜を形成し
た。
向磁界中心 ：キャン直下１２ｃｒｎ（３） Ｃｏ蒸
発源位置：キャン直下３７ｃ１ｎ（４）Ｃｒ蒸発源位置
： （５） 電子ビーム ： ５ｏＫＶ 最大４Ａ（膜
性能評価） （ロ） Ｃ軸分数 ：Ｘ線回折 （００２）面のロッ
キングカーブにより測定 ｆＪ Ｃｏ／Ｃｒ比 ：希硝酸で溶解し、原子吸光
分析にて測定 〔実施例１〕 ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ〜 １０μｍ）を用い、７０’Ｃの媒体を循環させだ円筒状
キャンに沿って、２２ ｍ／ｍｉｎで巻き取りながら、
ＣＯに平均６０ＫＷ、Ｃｒに３２ ＫＷ投入し、Ｃｏ８
４％Ｃｒ１６％からなる厚さ０．３μｍの薄膜を形成し
た。
表１に電圧印加条件を変えた場合の薄膜特性を示す。
以下余白
表１
注：蒸発源は０■
〔実施例２〕
ポリアミドフィルム（厚さ９μｍ）を用い、２００℃の
円筒状キャンに沿って２５ ｍ／ｍｉｎ で巻き取りな
がら、Ｃｏに平均６３ＫＷ、Ｃｒに３８ＫＷ投入し、Ｃ
０８１％Ｃｒ１９チからなる厚さ０．２６μｍの薄膜を
形成した。
円筒状キャンに沿って２５ ｍ／ｍｉｎ で巻き取りな
がら、Ｃｏに平均６３ＫＷ、Ｃｒに３８ＫＷ投入し、Ｃ
０８１％Ｃｒ１９チからなる厚さ０．２６μｍの薄膜を
形成した。
表２に電圧、印加条件を変えた場合の薄膜の特性を示す
。
。
表２
〔実施例３〕
ポリイミドフィルム（商品名カプトン）（厚さ２５μｍ
）の基板を用い、２５０℃の円筒状キャンに沿わせて、
１８ｍ／ｒｎｉｎで巻き取りながら、し ＣＯに５９ ＫＷ＋ Ｃｒ ２９ ＫＷ投入し、厚さ０
．３μｍのＣｏ８２％Ｃｒ１８％からなる薄膜を形成し
た。
）の基板を用い、２５０℃の円筒状キャンに沿わせて、
１８ｍ／ｒｎｉｎで巻き取りながら、し ＣＯに５９ ＫＷ＋ Ｃｒ ２９ ＫＷ投入し、厚さ０
．３μｍのＣｏ８２％Ｃｒ１８％からなる薄膜を形成し
た。
薄膜の特性を表３に示す。
〔実施例４〕
キャン直径を１ｍとし、偏向磁界中心をキャン直下１２
信とし、蒸発源位置をキャン直下６５Ｃｍとし、電子ビ
ーム２０ＫＶ３Ａを加熱源として蒸着した。
信とし、蒸発源位置をキャン直下６５Ｃｍとし、電子ビ
ーム２０ＫＶ３Ａを加熱源として蒸着した。
〔実施例５〕
キャン直径３０Ｃｍとし、偏向磁界中心をキャン直下１
０ｃｍとし、蒸発源位置をキャン直下６＋７ｃｍとし、
電子ビーム１ｙ ＫＶ ３，３Ａ’を加熱源として蒸着
した。
０ｃｍとし、蒸発源位置をキャン直下６＋７ｃｍとし、
電子ビーム１ｙ ＫＶ ３，３Ａ’を加熱源として蒸着
した。
実施例４，５共、ポリエチレンテレフタレートフィルム
（厚さ６μｍ〜２１μｍ）、ポリアミドフィルム（厚さ
４μｍ〜１１．６μｍ）、ポリイミドフィルム（厚さ８
．６μｍ〜２．５μｍ）の基板を用いた。本発明による
ものは、電圧印加しない場合に比べ抗磁力の増加とＣ軸
分数の改良が、００８０％Ｃｒ２Ｏ％〜Ｃ０８６％０ｒ
１４％ 厚み０゜１μｍ〜０．６μｍの薄膜で確認され
た。
（厚さ６μｍ〜２１μｍ）、ポリアミドフィルム（厚さ
４μｍ〜１１．６μｍ）、ポリイミドフィルム（厚さ８
．６μｍ〜２．５μｍ）の基板を用いた。本発明による
ものは、電圧印加しない場合に比べ抗磁力の増加とＣ軸
分数の改良が、００８０％Ｃｒ２Ｏ％〜Ｃ０８６％０ｒ
１４％ 厚み０゜１μｍ〜０．６μｍの薄膜で確認され
た。
本発明は、基板上に、非磁性下地を配した場合、或いは
、パーマロイ薄膜を配した２層構成の場合は勿論、基板
の両面にこれらの膜形成を行う場合でも有効である。
、パーマロイ薄膜を配した２層構成の場合は勿論、基板
の両面にこれらの膜形成を行う場合でも有効である。
また本発明は、Ｃｏ、Ｃｒの組み合わせに限らず、垂直
磁化膜の組み合わせに共通して有効であり、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ 、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ等について有用性を確認し
た。
磁化膜の組み合わせに共通して有効であり、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ 、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ等について有用性を確認し
た。
以上に説明したことから明らかなように、本発明は、高
周波スパッタ膜と同程度の高性能の垂直磁化膜を、１０
０倍以上の高速で得ることを可能にするもので、その工
業的有価値性は大きい。
周波スパッタ膜と同程度の高性能の垂直磁化膜を、１０
０倍以上の高速で得ることを可能にするもので、その工
業的有価値性は大きい。
図は本発明を実施するだめの製造装置の一例を示す図で
ある。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、６
，８・・・・・・容器、９・・・・・・電子銃、１ｏ・
・・・・・電子ビーム １１・・・・・・偏向磁界、１
２・００００．マスク、１６・・・・・・真空排気系０
ある。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、６
，８・・・・・・容器、９・・・・・・電子銃、１ｏ・
・・・・・電子ビーム １１・・・・・・偏向磁界、１
２・００００．マスク、１６・・・・・・真空排気系０
Claims (1)
- 支持体に沿って移動する高分子成形物基板に、ＣｏとＯ
ｒを電子ビームで走査加熱して得た蒸気流を差し向け、
上記基板上にＣｏ とＣｒを含む磁性層を形成するに際
し、上記蒸気流の基板へ向う成分がおおむね上記電子ビ
ームにさらされるようにするとともに、上記基板に電圧
を印加することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000682A JPS58139338A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000682A JPS58139338A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139338A true JPS58139338A (ja) | 1983-08-18 |
Family
ID=12015035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000682A Pending JPS58139338A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139338A (ja) |
-
1982
- 1982-02-10 JP JP2000682A patent/JPS58139338A/ja active Pending
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