JPS58121133A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS58121133A JPS58121133A JP198582A JP198582A JPS58121133A JP S58121133 A JPS58121133 A JP S58121133A JP 198582 A JP198582 A JP 198582A JP 198582 A JP198582 A JP 198582A JP S58121133 A JPS58121133 A JP S58121133A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- evaporating
- sources
- recording medium
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高分子成形物基板上にＣｒを含有する磁性層
を形成することで磁気記録媒体を製造する方法に係わり
、蒸発源の改良により、合金ｂｒの特注の同上を図る目
的を有している。
を形成することで磁気記録媒体を製造する方法に係わり
、蒸発源の改良により、合金ｂｒの特注の同上を図る目
的を有している。
近年、短波長記録に適した金属薄膜形の記録媒ギは一部
実用に供されるに至った蒸着テープ（これは、面内記録
媒体ともいうべきものである。）と、研究室規恨で検討
されている、基板面に垂直に磁化容易軸のある、いわゆ
る垂直ヨピ録用媒体とに分けられ、それぞｎ特長を生か
す開発がノ用められている。
実用に供されるに至った蒸着テープ（これは、面内記録
媒体ともいうべきものである。）と、研究室規恨で検討
されている、基板面に垂直に磁化容易軸のある、いわゆ
る垂直ヨピ録用媒体とに分けられ、それぞｎ特長を生か
す開発がノ用められている。
磁性材料としては、Ｃｅ、Ｆｅ、ＣｏｘＶｉ合ｇ 、
ＣｏＣｒ合金、ＣｏＮｉＣｒ合金等が検討さｎているが
、Ｃｒを含有する合金が耐蝕性に＝れ、イ望とさｎてい
るが、例えばＣｒとＣＯは蒸気圧が極端に異なるため、
いわゆる二元蒸着で処理する必要があるが安定な特性の
ｉＩａ性層柱層成にはスパッタリング技術がむしろ有利
であるといわれている。しかし、実用規模で媒体を作る
ためには成膜速度の極端に小さい、スパッタリング技術
よりも、二元蒸着の問題解決の方が工業り価凪が大きい
といえる。
ＣｏＣｒ合金、ＣｏＮｉＣｒ合金等が検討さｎているが
、Ｃｒを含有する合金が耐蝕性に＝れ、イ望とさｎてい
るが、例えばＣｒとＣＯは蒸気圧が極端に異なるため、
いわゆる二元蒸着で処理する必要があるが安定な特性の
ｉＩａ性層柱層成にはスパッタリング技術がむしろ有利
であるといわれている。しかし、実用規模で媒体を作る
ためには成膜速度の極端に小さい、スパッタリング技術
よりも、二元蒸着の問題解決の方が工業り価凪が大きい
といえる。
その問題点とは別々の位ｉより例えばＣｒとＣＯが蒸発
し基板に向うため、蒸発源と基板の距離全実現不可能な
程度に晶さないと、１直性層の深さ方向にＣｒとＣｏの
成分比が異なることが起るため抗磁力の側脚に不簀定性
が生じることが挙げらｎる。
し基板に向うため、蒸発源と基板の距離全実現不可能な
程度に晶さないと、１直性層の深さ方向にＣｒとＣｏの
成分比が異なることが起るため抗磁力の側脚に不簀定性
が生じることが挙げらｎる。
蒸発源として、電子ビーム蒸発源を用い、回転支持）に
ｒＲって移動する基板上に蒸着することのできる真空蒸
着装置ｔを基本の系とする。
ｒＲって移動する基板上に蒸着することのできる真空蒸
着装置ｔを基本の系とする。
蒸発源は、第１図に断面を示すように中央に例えば、Ｃ
ｏ 、 Ｃｏｘ？ｉ 、ＣｏＦｅ等の蒸発材＃＋１と蒸
発容器２を配し、蒸発源と平行に、ＣｒＳを配した水冷
銅ハース４，５を両仙ｊに配設する。
ｏ 、 Ｃｏｘ？ｉ 、ＣｏＦｅ等の蒸発材＃＋１と蒸
発容器２を配し、蒸発源と平行に、ＣｒＳを配した水冷
銅ハース４，５を両仙ｊに配設する。
成子ビーム６にて蒸発材料１とＣｒ３を蒸発せしめるよ
う設定する。７は受台である。成子ビームによる定配は
第２図にビームの軌跡の例を示すような走査にて行わ扛
る。第２図に示すように基板の移動方向（矢印Ｐ）に対
し、蒸発源の長袖が直交するよう配役さ扛、蒸発材料８
と両サイドのＣｒ蒸発源９ Ｋ軌跡１ｏで模式的に示さ
れる電子ビームにて走査（列えは点Ｓより出発して矢印
の向きに走査全続けＳに戻りそれをくり返す。）する。
う設定する。７は受台である。成子ビームによる定配は
第２図にビームの軌跡の例を示すような走査にて行わ扛
る。第２図に示すように基板の移動方向（矢印Ｐ）に対
し、蒸発源の長袖が直交するよう配役さ扛、蒸発材料８
と両サイドのＣｒ蒸発源９ Ｋ軌跡１ｏで模式的に示さ
れる電子ビームにて走査（列えは点Ｓより出発して矢印
の向きに走査全続けＳに戻りそれをくり返す。）する。
勿論、成分比全一定に保持するために、走査は時間配分
スポット径等全設計し行わ扛るのは当然である。
スポット径等全設計し行わ扛るのは当然である。
第３図喝は長尺の媒体の製造を目指す場合に工夫された
蒸発億の一例を示す。
蒸発億の一例を示す。
蒸発月利１１と両サイドのＣｒ蒸発源１２ Ｊ、：に照
射される［Ｉｆビームの軌跡２摸式的ｆｃ１３゜１４．
１５で示した。両サイトのＣｒ魚ｊｌ ｉ！ｉｊ １２
は昇傘性であるため、そ扛ぞれ両端（矢印へ、Ｂ方向に
みて。）Ｖζζ材料供給１調調矢印何で４Ａ村μ給を示
す。）を有し、かつ、予病的加熱（り兄ガスが主目的で
ある。）のための１洞向タイグの９子ビームガン１６．
１７，１８．１９金同・峠に瑞、−１ｆ！ ｃｃ配設す
る。勿論ＣＯ蒸発材料１１についても洪示占最構 必ｙ
、ｔ Ｆｅ応じて設けるべきである。
射される［Ｉｆビームの軌跡２摸式的ｆｃ１３゜１４．
１５で示した。両サイトのＣｒ魚ｊｌ ｉ！ｉｊ １２
は昇傘性であるため、そ扛ぞれ両端（矢印へ、Ｂ方向に
みて。）Ｖζζ材料供給１調調矢印何で４Ａ村μ給を示
す。）を有し、かつ、予病的加熱（り兄ガスが主目的で
ある。）のための１洞向タイグの９子ビームガン１６．
１７，１８．１９金同・峠に瑞、−１ｆ！ ｃｃ配設す
る。勿論ＣＯ蒸発材料１１についても洪示占最構 必ｙ
、ｔ Ｆｅ応じて設けるべきである。
又、予備加熱は、偏向タイプでなくて、回転タイプのピ
アスガンでもいいが、予備加熱による脱ガスは特性向上
に不可欠である。
アスガンでもいいが、予備加熱による脱ガスは特性向上
に不可欠である。
Ｃｒ蒸発源には夫々矢印Ａ、Ｂて示したようにゆっくり
往復運動できるよう構成され、性酔のすぐれた長尺媒体
の製造を達成するものである。
往復運動できるよう構成され、性酔のすぐれた長尺媒体
の製造を達成するものである。
次に具体的に本発明の実厖・列を説明する。
（実施・列１）
基板：ポリアミドフィルム（厚さ９．８１ｚｍ）Ｃｏ蒸
発源：短軸５ｃｍ、長軸８０ ” ｔ ｔｗｉｇ Ｏ容
器、Ｃｒｉ発源：短軸６ｃ、ｍ、長＠８ｏｃｍ、水冷銅
ハース。
発源：短軸５ｃｍ、長軸８０ ” ｔ ｔｗｉｇ Ｏ容
器、Ｃｒｉ発源：短軸６ｃ、ｍ、長＠８ｏｃｍ、水冷銅
ハース。
−子ビーム（３０ＫＶ、２．６Ａ、、ｚ、ポット径１゜
ＩＲ）をＣｏ照射の滞在平均時間Ｔ １＊ Ｃｒ照射の
滞在平均時間Ｔ２とするとＴに６Ｔ２に設定。
ＩＲ）をＣｏ照射の滞在平均時間Ｔ １＊ Ｃｒ照射の
滞在平均時間Ｔ２とするとＴに６Ｔ２に設定。
蒸着長さ１．０００ｍの範囲で、厚み０．２８μｍ。
垂直抗磁力は９１０±ｊ［：ｏｅ）に制御さ、ｆ′した
。
。
一方市販の２７ＣＰ偏向成子鏡による水冷鋼ハース全２
台準備して、同様に製、・漠したＣ ｏ Ｃｒ磁性層（
厚さ０．２８μｍ）の垂直抗磁力は４５０ｍ長内υ８３
０士了ＯＣＯｅ 〕で、本発明の効果は明らかである。
台準備して、同様に製、・漠したＣ ｏ Ｃｒ磁性層（
厚さ０．２８μｍ）の垂直抗磁力は４５０ｍ長内υ８３
０士了ＯＣＯｅ 〕で、本発明の効果は明らかである。
（実施例２）
、に＆：ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１
１．６ｔｍ）ＣｏＮｉ蒸発源（’Ｃｏ８０％Ｎｉ２Ｏ％
）：短軸５Ｃｍ、長軸７０ ｃｍ ＭｇＯ容器Ｃｒ Ｍ
Ｑ ｙｆｆｉ ：短軸６ｃｍ、長軸７０ｔｍ、水冷ｄ
、ｉ］ハース、電子ビーム（３０ＫＶ、２．３Ａ、スポ
ット径８ｍ）をＣＯＡ（ｉ照射の滞在平均時間Ｔ１．Ｃ
ｒ照射の滞在平均時間Ｔ２としたとき、Ｔ１−７Ｔ２と
設定し、入射角４６０以上で斜方蒸着して得たＣ ｏ
Ｎ ｉ Ｃｒ層シ （厚み０．３３μｍ ）抗磁力は７８０±６（Ｏｓ：
］。
１．６ｔｍ）ＣｏＮｉ蒸発源（’Ｃｏ８０％Ｎｉ２Ｏ％
）：短軸５Ｃｍ、長軸７０ ｃｍ ＭｇＯ容器Ｃｒ Ｍ
Ｑ ｙｆｆｉ ：短軸６ｃｍ、長軸７０ｔｍ、水冷ｄ
、ｉ］ハース、電子ビーム（３０ＫＶ、２．３Ａ、スポ
ット径８ｍ）をＣＯＡ（ｉ照射の滞在平均時間Ｔ１．Ｃ
ｒ照射の滞在平均時間Ｔ２としたとき、Ｔ１−７Ｔ２と
設定し、入射角４６０以上で斜方蒸着して得たＣ ｏ
Ｎ ｉ Ｃｒ層シ （厚み０．３３μｍ ）抗磁力は７８０±６（Ｏｓ：
］。
角形比０．９７±０．０３であったのに対し、′天画ク
リ１において説明したのと同様の従来方式によるＣｏＮ
１）曽（厚みＱ、３３μｍ）の抗磁カンまγ２０±３５
［Ｏｅ］、角形比は０．９±０．１てあッ７ｊ。
リ１において説明したのと同様の従来方式によるＣｏＮ
１）曽（厚みＱ、３３μｍ）の抗磁カンまγ２０±３５
［Ｏｅ］、角形比は０．９±０．１てあッ７ｊ。
（実施例３）
基板：ポリアミドフィルム（厚み２５μｍ、長さ４ 、
０００ ｘＢ） Ｃｏ蒸発源：短軸６Ｃｍ、長軸９５ ｃｍ＋ ”ｑＯｊ
−ｐ 器Ｃｒ蒸発源：短軸５Ｃｍ、長Ｉｌ１１１３ｏｃ
ｍ、水冷銅ハース 予熱ガン： １０ＫＶ、５ＫＷ（２了００偏向）４式供
給速度４０ｇ／ｍ１ｎ（Ｏｒはフレーク状）電子ビーム
： ３０ＫＶ 、２．ｓＡ（スポノ）Ｍ９Ｍ）Ｃｏ照射
の滞在平均時間Ｔ １ｔ Ｃｒ照射の７帝在平均侍間Ｔ
２としたとき、Ｔ１．＝８Ｔ２ ８Ｔ２条件により得られたＣｏＣｒ増（厚み０．２μｍ
）の垂直抗磁力は、４．０００ｍの長さにわたって、
制御された。
０００ ｘＢ） Ｃｏ蒸発源：短軸６Ｃｍ、長軸９５ ｃｍ＋ ”ｑＯｊ
−ｐ 器Ｃｒ蒸発源：短軸５Ｃｍ、長Ｉｌ１１１３ｏｃ
ｍ、水冷銅ハース 予熱ガン： １０ＫＶ、５ＫＷ（２了００偏向）４式供
給速度４０ｇ／ｍ１ｎ（Ｏｒはフレーク状）電子ビーム
： ３０ＫＶ 、２．ｓＡ（スポノ）Ｍ９Ｍ）Ｃｏ照射
の滞在平均時間Ｔ １ｔ Ｃｒ照射の７帝在平均侍間Ｔ
２としたとき、Ｔ１．＝８Ｔ２ ８Ｔ２条件により得られたＣｏＣｒ増（厚み０．２μｍ
）の垂直抗磁力は、４．０００ｍの長さにわたって、
制御された。
一方実施例１で説明した従来方式に加えるに■の１．５
Ｍ径のワイヤを準備して供給し、Ｃｒをフレーク状（細
かく砕いて使用）で供給することで長尺蒸着を試みた。
Ｍ径のワイヤを準備して供給し、Ｃｒをフレーク状（細
かく砕いて使用）で供給することで長尺蒸着を試みた。
これにより２．５００ｍの長さにわたる蒸着を実姉した
。１与られたＣｏＣｒ層の垂直磁力は７２０士１９０
［Ｏｅ 〕であった。
。１与られたＣｏＣｒ層の垂直磁力は７２０士１９０
［Ｏｅ 〕であった。
なお媒体の形状はテープに限らず、ディスク。
シートでもよい。
本発明は、前記実施例の他にＣｒを含む他の合金、例え
ばＣｏ−Ｃｒ−１（ｈ 、 Ｆｅ−Ｃｒ等の磁性材料に
ついても類似の効果を確認している。又イオンブレーテ
ィングとの組み合わせについても有効であり、また必要
なガス導入を行いガス中蒸着を行う時にも有効であり、
さらには高分子基板上に直接磁性層を形成する場合に限
らず、非磁性層を介しても全く同様の効果を発揮できる
ものである。
ばＣｏ−Ｃｒ−１（ｈ 、 Ｆｅ−Ｃｒ等の磁性材料に
ついても類似の効果を確認している。又イオンブレーテ
ィングとの組み合わせについても有効であり、また必要
なガス導入を行いガス中蒸着を行う時にも有効であり、
さらには高分子基板上に直接磁性層を形成する場合に限
らず、非磁性層を介しても全く同様の効果を発揮できる
ものである。
以−ヒのように本発明によると抗磁轡力が大でしかもそ
の抗磁力の変動が小さいなど性能のすぐれた磁気縁媒体
を容易に得ることができ、その工業的有価値性は極めて
大きい。
の抗磁力の変動が小さいなど性能のすぐれた磁気縁媒体
を容易に得ることができ、その工業的有価値性は極めて
大きい。
第１図は本発明の実施例において用いられる蒸発源の断
面図、第２１１上記蒸発源を走査する！ｈ子ビームの軌
跡の例を示す図、第３図は本発明の実施例において用い
ら扛長尺の磁気記録媒体を製造するに適した蒸発源の構
成を示す図である。 １．９．１１・・・・蒸発材料、２・・・・蒸発容器、
４．５・・・・水冷銅ハース、６・・・・・重子ビーム
、９，１２・・・・・Ｃｒ蒸発源。
面図、第２１１上記蒸発源を走査する！ｈ子ビームの軌
跡の例を示す図、第３図は本発明の実施例において用い
ら扛長尺の磁気記録媒体を製造するに適した蒸発源の構
成を示す図である。 １．９．１１・・・・蒸発材料、２・・・・蒸発容器、
４．５・・・・水冷銅ハース、６・・・・・重子ビーム
、９，１２・・・・・Ｃｒ蒸発源。
Claims (1)
- 支持体に沿って移動する高分子成形物基板上にクロムを
含有する合孟磁柱層ｆ：蒸層にて形成する除、上記基板
の移動方向に平行な方向にクロム蒸発源とクロムと合金
を形成させるべき金属の蒸発源とを並べて配置ｔＬ、上
記両蒸発源を同一電子ビームで走査し加熱することを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP198582A JPS58121133A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP198582A JPS58121133A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58121133A true JPS58121133A (ja) | 1983-07-19 |
| JPH0334611B2 JPH0334611B2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=11516784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP198582A Granted JPS58121133A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58121133A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59148137A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US4950548A (en) * | 1988-05-27 | 1990-08-21 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and method of producing same |
-
1982
- 1982-01-08 JP JP198582A patent/JPS58121133A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59148137A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0418371B2 (ja) * | 1983-02-14 | 1992-03-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
| US4950548A (en) * | 1988-05-27 | 1990-08-21 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and method of producing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0334611B2 (ja) | 1991-05-23 |
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