JPH01227222A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH01227222A JPH01227222A JP5423188A JP5423188A JPH01227222A JP H01227222 A JPH01227222 A JP H01227222A JP 5423188 A JP5423188 A JP 5423188A JP 5423188 A JP5423188 A JP 5423188A JP H01227222 A JPH01227222 A JP H01227222A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する垂直磁気記録用の磁気
記録媒体の製造方法に関する。
記録媒体の製造方法に関する。
従来の技術
近年、垂直磁気記録は、長手記録にみられるような記録
減磁作用がないため、記録波長を短かぐすることが原理
的に有利なため、各方面で積極的に検討され、高分子フ
ィルム上に連続的にＣｏ−Ｃτ等の垂直磁化膜を良好な
特性で得るための各種の提案がなされている。大別する
とスパッタリング法（例えば、特開昭６２−２８３４２
３号公報）。
減磁作用がないため、記録波長を短かぐすることが原理
的に有利なため、各方面で積極的に検討され、高分子フ
ィルム上に連続的にＣｏ−Ｃτ等の垂直磁化膜を良好な
特性で得るための各種の提案がなされている。大別する
とスパッタリング法（例えば、特開昭６２−２８３４２
３号公報）。
真空蒸着法（例えば特開昭８２−２７５３２２号公報）
の２種類がそれぞれの長所、短所がお互いに逆の関係に
あり、現状では、確立した状態とはいえず検討が続けら
れている。
の２種類がそれぞれの長所、短所がお互いに逆の関係に
あり、現状では、確立した状態とはいえず検討が続けら
れている。
発明が解決しようとする課題
現在、蒸着速度の大きさから、生産方式としては、真空
蒸着法がスパッタリング法に比較して圧倒的に有利と考
えられているものの、得られる垂直磁化膜の特性が十分
といえないことから改善が望まれていた。
蒸着法がスパッタリング法に比較して圧倒的に有利と考
えられているものの、得られる垂直磁化膜の特性が十分
といえないことから改善が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、特性の良
好な垂直磁化膜を高速で得ることの出来る磁気記録゛媒
体の製造方法を提供するものである。
好な垂直磁化膜を高速で得ることの出来る磁気記録゛媒
体の製造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した問題点を
解決するため、酸化物容器内のＣｏ系合金を加熱蒸発さ
せるために用いる電子ビームが高集束部と半集束部とか
ら成るようにしたものであるＯ 作 用 本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成によシ
、酸化物容器から混入してくる高融点の酸化物や、Ｃｏ
系合金に含まれる微量の高融点酸化物が、電子ビームを
瞬間に尺射したり、時として高融点酸化物が分解して蒸
着膜にとシこまれたシして、蒸着膜の純度、均一性を低
下させることが、生葉束部のビームによシ、高融点酸化
物が高集束部から遠くへ排斥されることで防止できるの
で、高速で垂直磁化膜の形成ができることになる。
解決するため、酸化物容器内のＣｏ系合金を加熱蒸発さ
せるために用いる電子ビームが高集束部と半集束部とか
ら成るようにしたものであるＯ 作 用 本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成によシ
、酸化物容器から混入してくる高融点の酸化物や、Ｃｏ
系合金に含まれる微量の高融点酸化物が、電子ビームを
瞬間に尺射したり、時として高融点酸化物が分解して蒸
着膜にとシこまれたシして、蒸着膜の純度、均一性を低
下させることが、生葉束部のビームによシ、高融点酸化
物が高集束部から遠くへ排斥されることで防止できるの
で、高速で垂直磁化膜の形成ができることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について詳
しく説明する。
しく説明する。
第１図は、本発明を実施するのに用いた蒸着装置の要部
構成図で、第１図で１はポリイミド、ポリアミド、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド
、ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィルムで、
必要であれば、微粒子塗布層、下地層等を配したものを
用いてもよい。
構成図で、第１図で１はポリイミド、ポリアミド、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド
、ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィルムで、
必要であれば、微粒子塗布層、下地層等を配したものを
用いてもよい。
２は回転支持体で、加熱、冷却可能な円筒状のキャンが
よく用いられる。３は巻出し軸、４は巻取シ軸、ｓｉＭ
ｑｏ、Ａｔ２０３．ＺｒＯ２等の酸化物泄の蒸発源容器
で６はＣｏ−Ｃｒ 、 Ｃｏ−’ｆ： ｉ 、 Ｃｏ−
Ｍｏ。
よく用いられる。３は巻出し軸、４は巻取シ軸、ｓｉＭ
ｑｏ、Ａｔ２０３．ＺｒＯ２等の酸化物泄の蒸発源容器
で６はＣｏ−Ｃｒ 、 Ｃｏ−’ｆ： ｉ 、 Ｃｏ−
Ｍｏ。
Ｃｏ−＝Ｒｕ、Ｃｏ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ”Ｃｒ 等の
Ｃｏ系合金から成る蒸着材料で、必要なら二元蒸発源と
し、一方を酸化物容器、一方を水冷銅ハースとしてもよ
くその場合、本発明の要件は酸化物容器に適用されるも
のである。７は電子ビームで、本発明は第２図に一例の
電流密度を示したように、第２図（−）のように高集束
部８と生葉束部９とからなる電子ビームてよシ加熱蒸発
させるものである。
Ｃｏ系合金から成る蒸着材料で、必要なら二元蒸発源と
し、一方を酸化物容器、一方を水冷銅ハースとしてもよ
くその場合、本発明の要件は酸化物容器に適用されるも
のである。７は電子ビームで、本発明は第２図に一例の
電流密度を示したように、第２図（−）のように高集束
部８と生葉束部９とからなる電子ビームてよシ加熱蒸発
させるものである。
第２図（ｂ）は比較例で従来用いられている高集束型の
電子ビームの例である。
電子ビームの例である。
第２図で゛縦軸は電流密度を規格化した値で、横軸はス
ポット径方向の位置を示している。第２図（ａ）に示し
た電子ビームの高集束部と生葉束部の形成は、電子銃の
カソード形状、又はカソードを衝撃する電子ビームのパ
ワー分布の形状により制御できるもので、高集束部の径
はこの場合Ｉ／Ｉ。が０．５としたが、Ｉ ／ Ｉ。が
０．６から０．２が好ましい。生葉束部の径は、高集束
部の径の倍以上が好ましいが、極端に電流密度が下がる
と、高融点酸化物を排斥する効果が弱まることから、径
は２倍から４倍が好ましい。
ポット径方向の位置を示している。第２図（ａ）に示し
た電子ビームの高集束部と生葉束部の形成は、電子銃の
カソード形状、又はカソードを衝撃する電子ビームのパ
ワー分布の形状により制御できるもので、高集束部の径
はこの場合Ｉ／Ｉ。が０．５としたが、Ｉ ／ Ｉ。が
０．６から０．２が好ましい。生葉束部の径は、高集束
部の径の倍以上が好ましいが、極端に電流密度が下がる
と、高融点酸化物を排斥する効果が弱まることから、径
は２倍から４倍が好ましい。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。厚み１０μｍのポリイミドフィルムを
用い、直径５０１７１１で２ｏｏ’ｃＫｆｆｌった円筒
キャンに沿わせて、入射角１ｏ度以内の垂直蒸着により
Ｃｏ−Ｃｒ、（Ｃｒ ２０，２ｗｔ％）垂直磁化膜を０
．１５μｍ形成し、更にその上にパーフルオロカルボン
酸として市販のデュポン社製のＫＲＹＴＯＸ １５７
ＦＳ−Ｍを６０人塗布し、８ミリ幅の磁気テープに加工
した。
対比で説明する。厚み１０μｍのポリイミドフィルムを
用い、直径５０１７１１で２ｏｏ’ｃＫｆｆｌった円筒
キャンに沿わせて、入射角１ｏ度以内の垂直蒸着により
Ｃｏ−Ｃｒ、（Ｃｒ ２０，２ｗｔ％）垂直磁化膜を０
．１５μｍ形成し、更にその上にパーフルオロカルボン
酸として市販のデュポン社製のＫＲＹＴＯＸ １５７
ＦＳ−Ｍを６０人塗布し、８ミリ幅の磁気テープに加工
した。
実施例、比咬例共６０α幅、２５００ｍ蒸着で行った。
実施例はＭｇｏ容器を用いＣｏ−Ｃｒを３゜ＫＶ 、６
５ＫＷの電子ビームで高集束部の径が９ｍｍ 、生葉束
部の径が３２ｍｍで走査し、比較例は３０ＫＶ 、６０
ＫＷの電子ビームでスポット径は９ｍｍである。
５ＫＷの電子ビームで高集束部の径が９ｍｍ 、生葉束
部の径が３２ｍｍで走査し、比較例は３０ＫＶ 、６０
ＫＷの電子ビームでスポット径は９ｍｍである。
得られたテープから任意の３０巻を選び、ギヤノア’長
０．１９μｍのアモルファスヘラドラ搭載した改造８ミ
リビデオによりホワイトピーク０．３３μｍ、帯域８（
ＭＨｚ）のＣ／Ｎを測定した。実施例の１巻をｏ（ｄＢ
）として相対比較した結果、実施例の３０巻は平均Ｃ／
Ｎが＋０．２ （ｄＢ）チー０．３〜＋ｏ、５（ｄＢ）
の範囲内に入っていたが、比較例は平均Ｃ／Ｎが−ｏ、
９（ｄＢ）で−１，９（ｄＢ） 〜−ｏ、１（ｄＢ）と
バラツキが大きかった。この傾向はＭＣｌ０容器の使用
回数が多くなる程顕著であった。
０．１９μｍのアモルファスヘラドラ搭載した改造８ミ
リビデオによりホワイトピーク０．３３μｍ、帯域８（
ＭＨｚ）のＣ／Ｎを測定した。実施例の１巻をｏ（ｄＢ
）として相対比較した結果、実施例の３０巻は平均Ｃ／
Ｎが＋０．２ （ｄＢ）チー０．３〜＋ｏ、５（ｄＢ）
の範囲内に入っていたが、比較例は平均Ｃ／Ｎが−ｏ、
９（ｄＢ）で−１，９（ｄＢ） 〜−ｏ、１（ｄＢ）と
バラツキが大きかった。この傾向はＭＣｌ０容器の使用
回数が多くなる程顕著であった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、性能の良い垂直磁化膜を
高速で製造できるといったすぐれた効果がある。
高速で製造できるといったすぐれた効果がある。
第１図は本発明の実施例に用いた蒸着装置の要部構成図
、第２図は本発明における電子ビームの条件説明図であ
る。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・回転支持
体、６・・・・・酸化物容器、６・・・・・・Ｃｏ系合
金材料、７・・・・・・電子ビーム、８・・・・・・高
集束部、９・・・・生葉束部。 Ｉ−一番分子フイルム ２− 回転支片体 ５− 酸化物８姦 ８°−島鼻束郁 篤２図 （Ｃ１３ 工／ｒ。 （ｂ） Ｉ／ｌ。
、第２図は本発明における電子ビームの条件説明図であ
る。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・回転支持
体、６・・・・・酸化物容器、６・・・・・・Ｃｏ系合
金材料、７・・・・・・電子ビーム、８・・・・・・高
集束部、９・・・・生葉束部。 Ｉ−一番分子フイルム ２− 回転支片体 ５− 酸化物８姦 ８°−島鼻束郁 篤２図 （Ｃ１３ 工／ｒ。 （ｂ） Ｉ／ｌ。
Claims (1)
- 移動する高分子フィルムにＣｏ系合金蒸気流を差し向け
て垂直磁化膜を形成する際、酸化物容器内のＣｏ系合金
を加熱蒸発させるために照射する電子ビームが高集束部
と半集速部から成ることを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054231A JP2563449B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054231A JP2563449B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01227222A true JPH01227222A (ja) | 1989-09-11 |
| JP2563449B2 JP2563449B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=12964767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63054231A Expired - Lifetime JP2563449B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2563449B2 (ja) |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP63054231A patent/JP2563449B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2563449B2 (ja) | 1996-12-11 |
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