JPS5814327A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5814327A JPS5814327A JP56113955A JP11395581A JPS5814327A JP S5814327 A JPS5814327 A JP S5814327A JP 56113955 A JP56113955 A JP 56113955A JP 11395581 A JP11395581 A JP 11395581A JP S5814327 A JPS5814327 A JP S5814327A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- vapor
- recording medium
- substrate
- magnetic layer
- Prior art date
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に用いる磁気記録媒体の製造方法
に関し、該媒体を連続して効率良く得ることのできる方
法の提供を目的とするものである。
に関し、該媒体を連続して効率良く得ることのできる方
法の提供を目的とするものである。
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直記録
方式が注目され、実用化に向けて記録方式、ヘッド、媒
体等の技術改良が各方面で進められている。
方式が注目され、実用化に向けて記録方式、ヘッド、媒
体等の技術改良が各方面で進められている。
現在用いられている媒体は、非磁性基板上に直接に、或
いは、パーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、ＣｏとＣ！
を主成分とするスノ（ツタ膜を設けたものが主である。
いは、パーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、ＣｏとＣ！
を主成分とするスノ（ツタ膜を設けたものが主である。
しかしスパッタリング法は、生産性が低いため真空蒸着
法、イオンブレーティング法、イオンビームデポジショ
ン法等が検討され、垂直磁化膜を得る条件が見出されて
きている。
法、イオンブレーティング法、イオンビームデポジショ
ン法等が検討され、垂直磁化膜を得る条件が見出されて
きている。
しかし、真空蒸着法を例にとっても、はとんど蒸気流の
垂直入射に近い成分以外を用いることができないため高
速化にも限界があると共に、最も重要とされる特性のＣ
軸配向性に於て、スパッタリング法により得た膜に劣っ
ていた。
垂直入射に近い成分以外を用いることができないため高
速化にも限界があると共に、最も重要とされる特性のＣ
軸配向性に於て、スパッタリング法により得た膜に劣っ
ていた。
本発明は以上のような問題に鑑みなされたもので、磁性
層の初期成長をスパッタリング法にて行った後、真空蒸
着法により高速で垂直磁化膜を形成しようとするもので
ある。
層の初期成長をスパッタリング法にて行った後、真空蒸
着法により高速で垂直磁化膜を形成しようとするもので
ある。
以下に図面を用い本発明を説明する。
第１図は本発明により磁気記録媒体を製造するときの様
子を示、す０ なおここで磁気記録媒体の製造において真空槽は、上下
２室に分割するか、スパッタリングと蒸着を別室にそれ
ぞれ設けた独立した回転キャンに沿わせて行うことが出
来るが、この選択は本質的問題ではない。
子を示、す０ なおここで磁気記録媒体の製造において真空槽は、上下
２室に分割するか、スパッタリングと蒸着を別室にそれ
ぞれ設けた独立した回転キャンに沿わせて行うことが出
来るが、この選択は本質的問題ではない。
第１図は２室構成にて実施した場合を示す。
図に示すように、可撓性基板１は送り出し軸８ヨリ７リ
ローラ１２、エキスパンダローラ、タンサーローラ等（
何れも図示せず）を介して、回転キャン２に沿って移動
し、捲き取り軸９にて捲き取られる。１０．１１はスパ
ッタリング部と蒸着部とを仕切るための隔壁で、スパッ
タリング法が安定に行なわれる真空度と、蒸着う２１が
行なわれる真空度が、およそ２桁異なることから、その
差圧を維持するために設けられたものである。回転キャ
ン２は矢印Ａの方向に一定の速度で回転する。
ローラ１２、エキスパンダローラ、タンサーローラ等（
何れも図示せず）を介して、回転キャン２に沿って移動
し、捲き取り軸９にて捲き取られる。１０．１１はスパ
ッタリング部と蒸着部とを仕切るための隔壁で、スパッ
タリング法が安定に行なわれる真空度と、蒸着う２１が
行なわれる真空度が、およそ２桁異なることから、その
差圧を維持するために設けられたものである。回転キャ
ン２は矢印Ａの方向に一定の速度で回転する。
７はスパッタリング装置である。複数ケのターゲットは
ほぼ回転キャン２の曲率に沿って配設され、同−電源又
は個別の電源に接続される。蒸着は電子ビーム蒸着が最
も好ましい。蒸着材料３は容器４に保持され、電子線源
（図示せず）より得られる電子を加速集束し必要に応じ
て走査された電子ビームによる衝撃により加熱されて気
化し、マスク６．６により形成されるスリット８の範囲
で基板１に付着する。
ほぼ回転キャン２の曲率に沿って配設され、同−電源又
は個別の電源に接続される。蒸着は電子ビーム蒸着が最
も好ましい。蒸着材料３は容器４に保持され、電子線源
（図示せず）より得られる電子を加速集束し必要に応じ
て走査された電子ビームによる衝撃により加熱されて気
化し、マスク６．６により形成されるスリット８の範囲
で基板１に付着する。
蒸気流の開き角度ａは、蒸発源と、キャン、マスクの相
対関係で決定するが、垂直磁化膜を得るためには制限が
あり、Ｃ軸の配向性を良く保持するためには、従来磁性
膜の形成にあずかった蒸発原子は蒸発源からの蒸発原子
の数チに満たないのが実状であったが、後述するように
、本発明によれば、１０チ〜２ｏ％の蒸着効率を容易に
得るものである。
対関係で決定するが、垂直磁化膜を得るためには制限が
あり、Ｃ軸の配向性を良く保持するためには、従来磁性
膜の形成にあずかった蒸発原子は蒸発源からの蒸発原子
の数チに満たないのが実状であったが、後述するように
、本発明によれば、１０チ〜２ｏ％の蒸着効率を容易に
得るものである。
次に具体的に本発明の詳細な説明する。
（実施例１） ゛
基板：ポリイミド３０μ
回転キャン：直径１ｍ
スパッタリング作用域長＝１ｍ
スパッタターゲット：Ｃｏ５ｏチ Ｃｒ ２０チロ枚ス
パッタ雰囲気：Ａｒ、 ５ｘ１ｏ Ｔｏｒｒ基板移動
速度： ２５ ｍ／ｍｉｎ 蒸着源： Ｃｏ８０％ Ｏｒ ２０％ 電子ビーム：３ｏＫＶ、３０．’ＫＷ 蒸発源と回転キャンの中心までの距離： ７５０＋ｍｌ
Ｉ蒸着雰囲気： １．ｓｘ １ｏ−” Ｔｏｒｒ第２図
に、スパッタ条件の一つであるスパッタリングパワーＰ
０を横軸にして蒸着厚みを０．２μ一定とした時のＣ軸
配向性を示す（００２）面に関するロッキングカーブの
半値幅Δθ１／２を縦軸に示した。同図から明らかなよ
うに、垂直磁化膜の目安であるΔθ１／２を１００以下
にするには、０．６ＫＷ以上のパワーを投入する必要が
ある。
パッタ雰囲気：Ａｒ、 ５ｘ１ｏ Ｔｏｒｒ基板移動
速度： ２５ ｍ／ｍｉｎ 蒸着源： Ｃｏ８０％ Ｏｒ ２０％ 電子ビーム：３ｏＫＶ、３０．’ＫＷ 蒸発源と回転キャンの中心までの距離： ７５０＋ｍｌ
Ｉ蒸着雰囲気： １．ｓｘ １ｏ−” Ｔｏｒｒ第２図
に、スパッタ条件の一つであるスパッタリングパワーＰ
０を横軸にして蒸着厚みを０．２μ一定とした時のＣ軸
配向性を示す（００２）面に関するロッキングカーブの
半値幅Δθ１／２を縦軸に示した。同図から明らかなよ
うに、垂直磁化膜の目安であるΔθ１／２を１００以下
にするには、０．６ＫＷ以上のパワーを投入する必要が
ある。
パワー Ｐｏが０即ち従来法では垂直膜の得られない条
件でも、本発明によれば、同じ蒸着速度で垂直磁化膜が
出来る。
件でも、本発明によれば、同じ蒸着速度で垂直磁化膜が
出来る。
単位ターゲット当り０．５ＫＷのパワーを投入して得ら
れたＣｏ Ｃｒの膜厚は、ｏ、ｏｏｅμで、全体の厚み
に対して磁性層としては殆んど無視できる厚みではある
が、Ｃ軸配向に重要な寄与をしていることが伺い知れる
。
れたＣｏ Ｃｒの膜厚は、ｏ、ｏｏｅμで、全体の厚み
に対して磁性層としては殆んど無視できる厚みではある
が、Ｃ軸配向に重要な寄与をしていることが伺い知れる
。
この実施例での蒸着効率は１７％であった。
（実施例２）
基板 ８μ
回転キャン：直径１ｍ
スパッタリング作用域：０．５ｍ
スパｙｐｐ−ゲット： Ｃｏ８６％ Ｃｒ１６％ ３枚
スパｙｐ雰囲気ｅ、 Ａｒ ８ Ｘ １０− ’ Ｔｏ
ｒ ｒ基板移動速度：２０ｍ／ｍｉｎ 基板上にあらかじめ、電子ビーム蒸着で８０％Ｎｉ ２
０％Ｆｅの軟磁性層を０．３μ形成。
スパｙｐ雰囲気ｅ、 Ａｒ ８ Ｘ １０− ’ Ｔｏ
ｒ ｒ基板移動速度：２０ｍ／ｍｉｎ 基板上にあらかじめ、電子ビーム蒸着で８０％Ｎｉ ２
０％Ｆｅの軟磁性層を０．３μ形成。
スパッタリングパワー：全ターゲットで３．３ＫＷＣｏ
８５％ Ｃｒ １５％を電子ビームで加熱して得た
蒸気流をスリット幅を変化させて、即ち蒸着効率をパラ
メータにして実施例１の場合と同様にＸ線回何のロッキ
ングカーブのデ〒りをとシその結果を第３図に示す。
８５％ Ｃｒ １５％を電子ビームで加熱して得た
蒸気流をスリット幅を変化させて、即ち蒸着効率をパラ
メータにして実施例１の場合と同様にＸ線回何のロッキ
ングカーブのデ〒りをとシその結果を第３図に示す。
この垂直配向の限界点は、基板温度、スパッタ条件等で
も変化するが、蒸着単独で、Ｃ軸の配向性を垂直膜の得
られ・る範囲に保持することのできる蒸着効率の３倍以
上の蒸着効率が得られることがわかる。
も変化するが、蒸着単独で、Ｃ軸の配向性を垂直膜の得
られ・る範囲に保持することのできる蒸着効率の３倍以
上の蒸着効率が得られることがわかる。
本発明は、磁性層を構成する材料に関し、Ｃ。
−Ｃｒ に限定されず’、Ｃｏ −Ｃｒに他の元素を添
加したもの、Ｃｏ −Ｃｒ 、 Ｃｏ −＝ Ｗ、 Ｃ
ｏ −Ｖ等にライても適用できるとともに、スパッタリ
ングにのみ、例えばＣｏ −Ｃｒ Ｋ Ｐｔ または、
Ｒｈを微量加えたものを用い、その上にＣｏ−０ｒを蒸
着することで、さらに効果を高めることもでき、その場
合特に長尺ものを製造する上できわめて有利となる。
加したもの、Ｃｏ −Ｃｒ 、 Ｃｏ −＝ Ｗ、 Ｃ
ｏ −Ｖ等にライても適用できるとともに、スパッタリ
ングにのみ、例えばＣｏ −Ｃｒ Ｋ Ｐｔ または、
Ｒｈを微量加えたものを用い、その上にＣｏ−０ｒを蒸
着することで、さらに効果を高めることもでき、その場
合特に長尺ものを製造する上できわめて有利となる。
さらに本発明は基板の両面に磁性層を形成する場合にも
適用できるなど、本発−〇工業的価値は大である。
適用できるなど、本発−〇工業的価値は大である。
第１図は本発明の方法により磁気記録媒体を製造する様
子を示す図、第２図、第３図はそれぞれ本発明の方法に
おける、スパッタ条件と垂直磁化膜のＣ軸配向性との関
係、および、蒸着効率と垂直磁化膜のＣ軸配向性との関
係を示す図である。 １・・・・・・基板・２・・・・・・回転キャン１３・
・・・・・蒸着材料、ｔｓ 、 ｅ 、、、、、・マス
ク、７・・・・・・スパッタリング装置、１０ 、１１
、、、、、、隔壁。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
子を示す図、第２図、第３図はそれぞれ本発明の方法に
おける、スパッタ条件と垂直磁化膜のＣ軸配向性との関
係、および、蒸着効率と垂直磁化膜のＣ軸配向性との関
係を示す図である。 １・・・・・・基板・２・・・・・・回転キャン１３・
・・・・・蒸着材料、ｔｓ 、 ｅ 、、、、、・マス
ク、７・・・・・・スパッタリング装置、１０ 、１１
、、、、、、隔壁。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (1)
- 連続して移動する基板に、磁化容易軸が膜面に対して垂
直方向にある磁性層を蒸着手段で形成するに先立ち、ス
パッタリング手段にて初期成長層を形成することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113955A JPS5814327A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113955A JPS5814327A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814327A true JPS5814327A (ja) | 1983-01-27 |
| JPH0319622B2 JPH0319622B2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=14625389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56113955A Granted JPS5814327A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814327A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165933A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording body |
| JPS57200945A (en) * | 1981-06-03 | 1982-12-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP56113955A patent/JPS5814327A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165933A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording body |
| JPS57200945A (en) * | 1981-06-03 | 1982-12-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0319622B2 (ja) | 1991-03-15 |
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