JPH0319622B2 - - Google Patents
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- JPH0319622B2 JPH0319622B2 JP56113955A JP11395581A JPH0319622B2 JP H0319622 B2 JPH0319622 B2 JP H0319622B2 JP 56113955 A JP56113955 A JP 56113955A JP 11395581 A JP11395581 A JP 11395581A JP H0319622 B2 JPH0319622 B2 JP H0319622B2
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- sputtering
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に用いる磁気記録媒体の
製造方法に関し、該媒体を連続して効率良く得る
ことのできる方法の提供を目的とするものであ
る。
製造方法に関し、該媒体を連続して効率良く得る
ことのできる方法の提供を目的とするものであ
る。
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、
垂直記録方式が注目され、実用化に向けて記録方
式、ヘツド、媒体等の技術改良が各方面で進めら
れている。
垂直記録方式が注目され、実用化に向けて記録方
式、ヘツド、媒体等の技術改良が各方面で進めら
れている。
現在用いられている媒体は、非磁性基板上に直
接に、或いは、パーマロイ等の軟磁性薄膜を介し
て、CoとCrを主成分とするスパツタ膜を設けた
ものが主である。
接に、或いは、パーマロイ等の軟磁性薄膜を介し
て、CoとCrを主成分とするスパツタ膜を設けた
ものが主である。
しかしスパツタリング法は、生産性が低いため
真空蒸着法、イオンプレーテイング法、イオンビ
ームデポジシヨン法等が検討され、垂直磁化膜を
得る条件が見出されてきている。
真空蒸着法、イオンプレーテイング法、イオンビ
ームデポジシヨン法等が検討され、垂直磁化膜を
得る条件が見出されてきている。
しかし、真空蒸着法を例にとつても、ほとんど
蒸気流の垂直入射に近い成分以外を用いることが
できないため高速化ににも限界があると共に、最
も重要とされる特性のｃ軸配向性に於て、スパツ
タリング法により得た膜に劣つていた。又性能向
上の為には、フイルム温度をTg以上（150〜200
℃）にあげる必要があり、シワの発生がテープ化
を阻んでいた。
蒸気流の垂直入射に近い成分以外を用いることが
できないため高速化ににも限界があると共に、最
も重要とされる特性のｃ軸配向性に於て、スパツ
タリング法により得た膜に劣つていた。又性能向
上の為には、フイルム温度をTg以上（150〜200
℃）にあげる必要があり、シワの発生がテープ化
を阻んでいた。
本発明は以上のような問題に鑑みなされたもの
で、磁性層の初期成長をスパツタリング法にて行
つた後、真空蒸着法により高速で、かつTg以下
の温度で垂直磁化膜を形成しようとするものであ
る。
で、磁性層の初期成長をスパツタリング法にて行
つた後、真空蒸着法により高速で、かつTg以下
の温度で垂直磁化膜を形成しようとするものであ
る。
以下に図面を用い本発明を説明する。
第１図は本発明により磁気記録媒体を製造する
ときの様子を示す。
ときの様子を示す。
第１図は２室構成にて実施した場合を示す。
図に示すように、可撓性基板１は送り出し軸８
よりフリローラ１２、エキスパンダローラ、ダン
サーローラ等（何れも図示せず）を介して、回転
キヤン２に沿つて移動し、捲き取り軸９にて捲き
取られる。１０，１１はスパツタリング部と蒸着
部とを仕切るための隔壁で、スパツタリング法が
安定に行なわれる真空度と、蒸着法が行なわれる
真空度が、およそ２桁異なることから、その差圧
を維持するために設けられたものである。回転キ
ヤン２は矢印Ａの方向に一定の速度で回転する。
７はスパツタリング装置である。複数のターゲツ
トはほぼ回転キヤン２の曲率に沿つて配設され、
同一電源又は個別の電源に接続される。蒸着は電
子ビーム蒸着が最も好ましい。蒸着材料３は容器
４に保持され、電子線源（図示せず）より得られ
る電子を加速集束し必要に応じて走査された電子
ビームによる衝撃により加熱されて気化し、マス
ク５，６により形成されるスリツトｓの範囲で基
板１に付着する。
よりフリローラ１２、エキスパンダローラ、ダン
サーローラ等（何れも図示せず）を介して、回転
キヤン２に沿つて移動し、捲き取り軸９にて捲き
取られる。１０，１１はスパツタリング部と蒸着
部とを仕切るための隔壁で、スパツタリング法が
安定に行なわれる真空度と、蒸着法が行なわれる
真空度が、およそ２桁異なることから、その差圧
を維持するために設けられたものである。回転キ
ヤン２は矢印Ａの方向に一定の速度で回転する。
７はスパツタリング装置である。複数のターゲツ
トはほぼ回転キヤン２の曲率に沿つて配設され、
同一電源又は個別の電源に接続される。蒸着は電
子ビーム蒸着が最も好ましい。蒸着材料３は容器
４に保持され、電子線源（図示せず）より得られ
る電子を加速集束し必要に応じて走査された電子
ビームによる衝撃により加熱されて気化し、マス
ク５，６により形成されるスリツトｓの範囲で基
板１に付着する。
蒸気流の開き角度αは、蒸発源と、キヤン、マ
スクの相対関係で決定するが、垂直磁化膜を得る
ためには制限があり、ｃ軸の配向性を良く保持す
るためには、従来磁性膜の形成にあずかつた蒸発
原子は蒸発源からの蒸発原子の数％に満たないの
が実状であつたが、後述するように、本発明によ
れば、10％〜20％の蒸着効率を容易に得るもので
ある。
スクの相対関係で決定するが、垂直磁化膜を得る
ためには制限があり、ｃ軸の配向性を良く保持す
るためには、従来磁性膜の形成にあずかつた蒸発
原子は蒸発源からの蒸発原子の数％に満たないの
が実状であつたが、後述するように、本発明によ
れば、10％〜20％の蒸着効率を容易に得るもので
ある。
次に具体的に本発明の実施例を説明する。
実施例 １
基板：ポリイミド30μ
回転キヤン：直径1m（キヤン温度、60℃）
スパツタリング作用域長：1m
スパツタターゲツト：Co80％ Cr20％ ６枚
スパツタ雰囲気：Ar、３×10-3Torr
基板移動速度：25m／min
蒸着源：Co80％ Cr20％
電子ビーム：30KV、30KW
蒸発源と回転キヤンの中心までの距離：750mm
蒸着雰囲気：1.5×10-5Torr
第２図に、スパツタ条件の一つであるスパツタ
リングパワーP0を横軸にして蒸着厚みを0.2μ一定
とした時のｃ軸配向性を示す（002）面に関する
ロツキングカーブの半値幅Δθ1/2を縦軸に示し
た。同図から明らかなように、垂直磁化膜の目安
であるΔθ1/2を10゜以下にするには、0.5KW以上
のパワーを投入する必要がある。
リングパワーP0を横軸にして蒸着厚みを0.2μ一定
とした時のｃ軸配向性を示す（002）面に関する
ロツキングカーブの半値幅Δθ1/2を縦軸に示し
た。同図から明らかなように、垂直磁化膜の目安
であるΔθ1/2を10゜以下にするには、0.5KW以上
のパワーを投入する必要がある。
パワーP0が０即ち従来法では垂直膜の得られ
ない条件でも、本発明によれば、同じ蒸着速度で
垂直磁化膜が出来る。
ない条件でも、本発明によれば、同じ蒸着速度で
垂直磁化膜が出来る。
単位ターゲツト当り0.5KWのパワーを投入し
て得られたCoCrの膜厚は、0.006μで、全体の厚
みに対して磁性層としては殆んど無視できる厚み
ではあるが、ｃ軸配向に重要な寄与をしているこ
とが伺い知れる。
て得られたCoCrの膜厚は、0.006μで、全体の厚
みに対して磁性層としては殆んど無視できる厚み
ではあるが、ｃ軸配向に重要な寄与をしているこ
とが伺い知れる。
この実施例での蒸着効率は17％であつた。
実施例 ２
基板ポリエチレンテレフタレート：8μ
回転キヤン：直径1m（キヤン温度、25℃）
スパツタリング作用域：0.5m
スパツタターゲツト：Co85％、Cr15％ ３枚
スパツタ雰囲気：Ar8×10-4Torr
基板移動速度：20m／min
基板上にあらかじめ、電子ビーム蒸着で80％
Ni20％Feの軟磁性層を0.3μ形成。
Ni20％Feの軟磁性層を0.3μ形成。
スパツタリングパワー：全ターゲツトで
3.3KWCo85％Cr15％を電子ビームで加熱して得
た蒸気流をスリツト幅を変化させて、即ち蒸着効
率をパラメータにして実施例１の場合と同様にＸ
線回折のロツキングカーブのデータをとりその結
果を第３図に示す。
3.3KWCo85％Cr15％を電子ビームで加熱して得
た蒸気流をスリツト幅を変化させて、即ち蒸着効
率をパラメータにして実施例１の場合と同様にＸ
線回折のロツキングカーブのデータをとりその結
果を第３図に示す。
この垂直配向の限界点は、基板温度、スパツタ
条件等でも変化するが、蒸着単独で、ｃ軸の配向
性を垂直膜の得られる範囲に保持することのでき
る蒸着効率の３倍以上の蒸着効率が得られること
がわかる。
条件等でも変化するが、蒸着単独で、ｃ軸の配向
性を垂直膜の得られる範囲に保持することのでき
る蒸着効率の３倍以上の蒸着効率が得られること
がわかる。
本発明は、磁性層を構成する材料に関し、Co
−Crに限定されず、Co−Crに他の元素を添加し
たもの、Co−Cr、Co−Ｗ、Co−Ｖ等についても
適用できるとともに、スパツタリングにのみ、例
えばCo−CrにPtまたは、Rhを微量加えたものを
用い、その上にCo−Crを蒸着することで、さら
に効果を高めることもでき、その場合特に長尺の
ものを製造する上できわめて有利となる。又本発
明によれば、１つのキヤンで連続してスパツタリ
ングと電子ビーム蒸着が行われるので、巻取りロ
ーラ系による汚染もなく、Ｃ軸配向性を改善でき
ると共に、キヤン温度を特に高温にせず（Tg以
下にすることでシワがなくなる）とも良好な特性
が得られるといつた効果がある。
−Crに限定されず、Co−Crに他の元素を添加し
たもの、Co−Cr、Co−Ｗ、Co−Ｖ等についても
適用できるとともに、スパツタリングにのみ、例
えばCo−CrにPtまたは、Rhを微量加えたものを
用い、その上にCo−Crを蒸着することで、さら
に効果を高めることもでき、その場合特に長尺の
ものを製造する上できわめて有利となる。又本発
明によれば、１つのキヤンで連続してスパツタリ
ングと電子ビーム蒸着が行われるので、巻取りロ
ーラ系による汚染もなく、Ｃ軸配向性を改善でき
ると共に、キヤン温度を特に高温にせず（Tg以
下にすることでシワがなくなる）とも良好な特性
が得られるといつた効果がある。
さらに本発明は基板の両面に磁性層を形成する
場合にも適用できるなど、本発明の工業的価値は
大である。
場合にも適用できるなど、本発明の工業的価値は
大である。
第１図は本発明の方法により磁気記録媒体を製
造する様子を示す図、第２図、第３図はそれぞれ
本発明の方法における、スパツタ条件と垂直磁化
膜のｃ軸配向性との関係、および、蒸着効率と垂
直磁化膜のｃ軸配向性との関係を示す図である。 １……基板、２……回転キヤン、３……蒸着材
料、５，６……マスク、７……スパツタリング装
置、１０，１１……隔壁。
造する様子を示す図、第２図、第３図はそれぞれ
本発明の方法における、スパツタ条件と垂直磁化
膜のｃ軸配向性との関係、および、蒸着効率と垂
直磁化膜のｃ軸配向性との関係を示す図である。 １……基板、２……回転キヤン、３……蒸着材
料、５，６……マスク、７……スパツタリング装
置、１０，１１……隔壁。
Claims (1)
- １ 高分子フイルムのガラス転移温度Tg以下の
温度の１個の回転キヤンに沿つて移動する高分子
フイルム上にスパツタリングと電子ビーム蒸着に
より垂直磁化膜を形成することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113955A JPS5814327A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113955A JPS5814327A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814327A JPS5814327A (ja) | 1983-01-27 |
| JPH0319622B2 true JPH0319622B2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=14625389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56113955A Granted JPS5814327A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814327A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165933A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording body |
| JPS57200945A (en) * | 1981-06-03 | 1982-12-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP56113955A patent/JPS5814327A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165933A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording body |
| JPS57200945A (en) * | 1981-06-03 | 1982-12-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5814327A (ja) | 1983-01-27 |
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