JPH0799580B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0799580B2 JPH0799580B2 JP22316886A JP22316886A JPH0799580B2 JP H0799580 B2 JPH0799580 B2 JP H0799580B2 JP 22316886 A JP22316886 A JP 22316886A JP 22316886 A JP22316886 A JP 22316886A JP H0799580 B2 JPH0799580 B2 JP H0799580B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- recording medium
- max
- tape
- manufacturing
- Prior art date
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来の技術 近年、磁気記録の高密度化の要求の高まりと共に、高分
子フィルム上に斜め蒸着法により形成された部分酸化さ
れたCo−Ni膜を磁気記録層とした磁気テープにより、ビ
デオ信号の記録再生を0.8μｍの記録波長で行い注目さ
れ以後各方面で開発が進められている〔電子通信学会技
術報告MR81−５（1981）〕。
子フィルム上に斜め蒸着法により形成された部分酸化さ
れたCo−Ni膜を磁気記録層とした磁気テープにより、ビ
デオ信号の記録再生を0.8μｍの記録波長で行い注目さ
れ以後各方面で開発が進められている〔電子通信学会技
術報告MR81−５（1981）〕。
上記した磁気テープは、冷却された円筒キヤンに沿っ
て、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フ
ィルムを移動させながら、最大入射角（θmax）〔通常
積極的にθmaxを制限することはなく、接線入射として
いる〕から最小入射角（θmin）まで連続的に入射角が
変化する斜め蒸着を行うと共に、雰囲気を酸化性とする
ことで、磁気特性を改良するようにして製造される。酸
化性ガスとしては酸素ガスがよく用いられ、導入方法に
工夫がされ、θmax部に導入する場合、θminに導入する
場合の両者共にいくつかの提案がされている〔例えば特
開昭58−41442号，同58−41443号の公報〕。
て、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フ
ィルムを移動させながら、最大入射角（θmax）〔通常
積極的にθmaxを制限することはなく、接線入射として
いる〕から最小入射角（θmin）まで連続的に入射角が
変化する斜め蒸着を行うと共に、雰囲気を酸化性とする
ことで、磁気特性を改良するようにして製造される。酸
化性ガスとしては酸素ガスがよく用いられ、導入方法に
工夫がされ、θmax部に導入する場合、θminに導入する
場合の両者共にいくつかの提案がされている〔例えば特
開昭58−41442号，同58−41443号の公報〕。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記した構成では、飽和磁束密度を大きく
すると保磁力が小さくなる。面内磁化膜として、反磁界
の影響を出来る限り少なくするため、保磁力は、大きく
する必要があり、一定の磁気特性で信号対雑音比（以下
C/Nと記す）を改良するには表面のより平滑化で対応し
ようとすると耐久性の壁にぶつかるといった課題があ
り、改善が望まれていた。本発明は上記した事情に鑑み
なされたもので、C/Nを改良するため、保磁力と飽和磁
束密度の両方共を大きくできる磁気記録媒体の製造方法
を提供するものである。
すると保磁力が小さくなる。面内磁化膜として、反磁界
の影響を出来る限り少なくするため、保磁力は、大きく
する必要があり、一定の磁気特性で信号対雑音比（以下
C/Nと記す）を改良するには表面のより平滑化で対応し
ようとすると耐久性の壁にぶつかるといった課題があ
り、改善が望まれていた。本発明は上記した事情に鑑み
なされたもので、C/Nを改良するため、保磁力と飽和磁
束密度の両方共を大きくできる磁気記録媒体の製造方法
を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記した問題点を解決するため、本発明の磁気記録媒体
の製造方法は、移動する高分子フィルムに斜め蒸着する
磁気記録媒体の製法において、高入射角（θmax）から
低入射角（θmin）へと連続的に蒸着する際、θmin近く
に酸化性ガスを導入すると共にθmax近くに水素ガスを
導入するようにしたものである。
の製造方法は、移動する高分子フィルムに斜め蒸着する
磁気記録媒体の製法において、高入射角（θmax）から
低入射角（θmin）へと連続的に蒸着する際、θmin近く
に酸化性ガスを導入すると共にθmax近くに水素ガスを
導入するようにしたものである。
作用 本発明の磁気記録媒体の製法は上記した方法により、蒸
着速度の大きなθmin近くでは、酸化性ガスが主体とな
り、蒸着速度の小さいθmax近くでは酸化が水素ガスよ
り弱められるので、過剰に酸化が進まないようにできる
ので、飽和磁束密度を低下させずに十分高い保磁力を与
えることができるのである。
着速度の大きなθmin近くでは、酸化性ガスが主体とな
り、蒸着速度の小さいθmax近くでは酸化が水素ガスよ
り弱められるので、過剰に酸化が進まないようにできる
ので、飽和磁束密度を低下させずに十分高い保磁力を与
えることができるのである。
実 施 例 以下、図面を参照しながら本発明の実施例の磁気記録媒
体の製造方法について詳しく説明する。
体の製造方法について詳しく説明する。
図は、本発明の製造方法を実施するのに用いた蒸着装置
の要部構成図である。
の要部構成図である。
図で、１は電子ビーム加熱式の蒸発源で、２は限定され
た蒸気流を模式的に示したもので、３は高分子フィル
ム、４は回転支持体、５は送り出し軸、６は巻取り軸、
７は、入射角（θmin）を限定し、かつθmin近くに酸化
性ガスを吹き付けるガス導入機構付マスクで、８は、θ
max近くに水素ガスを導入するためのガス導入ポート、
９は真空槽、10は真空排気系、11,12はガス導入調節
弁、13はフリーローラーである。
た蒸気流を模式的に示したもので、３は高分子フィル
ム、４は回転支持体、５は送り出し軸、６は巻取り軸、
７は、入射角（θmin）を限定し、かつθmin近くに酸化
性ガスを吹き付けるガス導入機構付マスクで、８は、θ
max近くに水素ガスを導入するためのガス導入ポート、
９は真空槽、10は真空排気系、11,12はガス導入調節
弁、13はフリーローラーである。
図で回転支持体４の直径を50cmとし、θmin位置と７の
ガス導入位置の相対距離を10cm、θmaxの位置と８のガ
ス導入位置の相対距離を10cmとし、蒸発源１を回転支持
体４の直下37cmに配置し、本発明の実施例の製造方法に
より、磁気記録媒体を製造した。
ガス導入位置の相対距離を10cm、θmaxの位置と８のガ
ス導入位置の相対距離を10cmとし、蒸発源１を回転支持
体４の直下37cmに配置し、本発明の実施例の製造方法に
より、磁気記録媒体を製造した。
厚み、10μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、Coを電子ビーム蒸着により0.13μｍ蒸着した。その
際、酸化性ガスとして酸素を0.3/min,水素ガスを0.15
/min導入した。θmax≒90゜，θmin＝40゜としたもの
をＡ、θmax≒90゜，θmin＝30゜としたものをＢ、比較
例は、Ｃがθmin＝30゜,Dがθmin＝40゜で同じ保持力が
得られるように酸素導入量を調節した。それぞれを磁気
テープとして、記録波長0.7μｍを記録してC/Nを測定し
た。
に、Coを電子ビーム蒸着により0.13μｍ蒸着した。その
際、酸化性ガスとして酸素を0.3/min,水素ガスを0.15
/min導入した。θmax≒90゜，θmin＝40゜としたもの
をＡ、θmax≒90゜，θmin＝30゜としたものをＢ、比較
例は、Ｃがθmin＝30゜,Dがθmin＝40゜で同じ保持力が
得られるように酸素導入量を調節した。それぞれを磁気
テープとして、記録波長0.7μｍを記録してC/Nを測定し
た。
テープＡの磁気特性は保磁力HCが1300（Oe），飽和磁束
密度BSが7500（Ｇ），テープＢはHC＝1130（Oe）,BS＝8
460（Ｇ），テープＣはHC＝1150（Oe）,BS＝6050,テー
プＤはHC＝1330（Oe）,BS＝5005（Ｇ）であり、C/Nはテ
ープＡをＯ（dB）とすると、テープＢは−07（dB），テ
ープＣは−2.9（dB），テープＤは−1.9（dB）であっ
た。
密度BSが7500（Ｇ），テープＢはHC＝1130（Oe）,BS＝8
460（Ｇ），テープＣはHC＝1150（Oe）,BS＝6050,テー
プＤはHC＝1330（Oe）,BS＝5005（Ｇ）であり、C/Nはテ
ープＡをＯ（dB）とすると、テープＢは−07（dB），テ
ープＣは−2.9（dB），テープＤは−1.9（dB）であっ
た。
又、８ミリビデオでカラーのC/Nを比較したところ、テ
ープＡをＯ（dB）とするとテープＢは＋1.3（dB），テ
ープＣは−2.3（dB），テープＤは−3.8（dB）であっ
た。
ープＡをＯ（dB）とするとテープＢは＋1.3（dB），テ
ープＣは−2.3（dB），テープＤは−3.8（dB）であっ
た。
又、本実施例のテープは、湿度の低い環境でのスチル特
性に於て、画面にノイズが発生するまでの耐久性が比較
例の２倍から４倍みられた。これは、水素ガスが結晶成
長の初期に関与して、結晶粒径をそろえるのに効果がで
ているためと思われるもので、この点も利点のひとつで
ある。
性に於て、画面にノイズが発生するまでの耐久性が比較
例の２倍から４倍みられた。これは、水素ガスが結晶成
長の初期に関与して、結晶粒径をそろえるのに効果がで
ているためと思われるもので、この点も利点のひとつで
ある。
本実施例に用いた高分子フィルムはポリエチレンテレフ
タレートとしたが他にポリフェニレンサルファイド，ポ
リサルフォン，ポリカーボーネート，等でもよく、θ
maxは90゜から70゜の範囲で適宜選択すればよく、θmin
の選択は自由で、θminに導入するガスは酸素の他にオ
ゾン，水を含む酸素，等でもよく、ガスを加熱したり、
イオン化するものも自由である。
タレートとしたが他にポリフェニレンサルファイド，ポ
リサルフォン，ポリカーボーネート，等でもよく、θ
maxは90゜から70゜の範囲で適宜選択すればよく、θmin
の選択は自由で、θminに導入するガスは酸素の他にオ
ゾン，水を含む酸素，等でもよく、ガスを加熱したり、
イオン化するものも自由である。
磁気記録層形成に用いられる蒸着材料はCoの他に、Co−
Fe,Co−Ni,Co−Ti,Co−Cu,Co−Mg,Co−Mo,Co−Pd,Co−P
t,Co−W,Co−Cr,Co−B,Co−Ｐ等が適している。
Fe,Co−Ni,Co−Ti,Co−Cu,Co−Mg,Co−Mo,Co−Pd,Co−P
t,Co−W,Co−Cr,Co−B,Co−Ｐ等が適している。
発明の効果 以上のように本発明によれば、C/Nの改良された高密度
磁気記録用の磁気記録媒体を大量に得ることができると
いったすぐれた効果がある。
磁気記録用の磁気記録媒体を大量に得ることができると
いったすぐれた効果がある。
図は本発明を実施するために用いた蒸着装置の一例の要
部構成図である。 １……蒸発源、３……高分子フィルム、４……回転支持
体、７……ガス導入機構付マスク、８……ガス導入ポー
ト。
部構成図である。 １……蒸発源、３……高分子フィルム、４……回転支持
体、７……ガス導入機構付マスク、８……ガス導入ポー
ト。
Claims (1)
- 【請求項１】移動する高分子フィルムに斜め蒸着する磁
気記録媒体の製法において、高入射角（θmax）から低
入射角（θmin）へと連続的に蒸着する際、θmin近くに
酸化性ガスを導入すると共にθmax近くに水素ガスを導
入することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22316886A JPH0799580B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22316886A JPH0799580B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378340A JPS6378340A (ja) | 1988-04-08 |
| JPH0799580B2 true JPH0799580B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=16793865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22316886A Expired - Lifetime JPH0799580B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799580B2 (ja) |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP22316886A patent/JPH0799580B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6378340A (ja) | 1988-04-08 |
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