JPH0581967B2 - - Google Patents
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- JPH0581967B2 JPH0581967B2 JP12844884A JP12844884A JPH0581967B2 JP H0581967 B2 JPH0581967 B2 JP H0581967B2 JP 12844884 A JP12844884 A JP 12844884A JP 12844884 A JP12844884 A JP 12844884A JP H0581967 B2 JPH0581967 B2 JP H0581967B2
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- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は高密度垂直磁気記録に適する磁気記録
媒体に関するものである。 （従来例の構成とその問題点） 近年、短波長化と狭トラツク化による記録密度
の向上は目覚ましく、光記録に近い面記録密度の
実用化が、基板の垂直方向に磁化可能ないわゆる
垂直磁化膜を利用することで期待されている。現
状では、Co−Crのスパツタ膜以上に特性的に優
れたものは見出されていないので、周知のように
スパツタリング法の成膜速度の遅い点が問題にな
つており、Co−Cr、Co−Ｏ、Co−Ni−Ｏ等の
真空蒸着膜が成膜速度の大きさに着目され研究さ
れているが、公表されているデータを見る限り、
垂直配向の目安である六方稠密構造のＣ軸（002）
の分散を表わすＸ線回折像から得られるロツキン
グ曲線の半値幅であるΔθ50の値としてはスパツ
タ膜の５倍以上であり、改良が望まれている。 （発明の目的） 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、Co
−Ｏ、Co−Ni−Ｏ系の垂直磁化膜の改良された
Δθ50を有するＳ／Ｎの良好な磁気記録媒体を提
供することを目的とするものである。 （発明の構成） 本発明の磁気記録媒体は、垂直磁化膜が、非磁
性基板上に設けたCo−Cr膜の上に、Co−Ｏ膜若
しくはCo−Ni−Ｏ膜を積層した積層構造を有す
ることを特徴とし、Δθ50が改良され、雑音のす
くないものである。 （実施例の説明） 以下図面を参照しながら本発明を説明する。 第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図で
あり、１は高分子基板、２はCo−Cr層、３はCo
−Ｏ又はCo−Ni−Ｏの垂直磁化膜、４は保護膜
である。 第２図は本発明の磁気記録媒体を得るために用
いた蒸着装置であり、５は基板、６は円筒状キヤ
ンＩ、７は円筒状キヤン、８は送り出し軸、９
は巻取り軸、１０は真空室Ａ、１１は真空室Ｂ、
１２は真空室Ｃ、１３，１４，１５は排気系、１
６，１７はガス導入系、１８，１９はガス導入量
調節弁、２０はスパツタカソード、２１は蒸発源
容器、２２は蒸着材量、２３は遮蔽板である。 本発明に用いることの出来る高分子基板は、ポ
リエチレンテレフタレート等のポリエステル類、
ポリプロピレン等のポリオレフイン類、セルロー
ストリアセテート、ニトロセルロース等のセルロ
ース誘導体、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポ
リパラバニツク酸、ポリイミド等が挙げられる。 本発明に用いられるCo−Cr層は、スパツタリ
ング法により得られる垂直配向したものが好まし
い。 しかし、他の方法で得られる垂直配向した膜で
あつても本発明の効果は確かめうるものであり、
必要に応じ、また、要求される性能に応じ、生産
性の高い真空蒸着法によりかかる薄膜層を得ても
よいことは勿論である。 Cr含有量は16％から22％、Co−Crの厚みは
0.01から0.1μｍ、好ましくは0.02から0.05μｍであ
る。 Co−Cr薄膜の上に形成されるCo−Ｏ、Co−
Ni−Ｏ膜はスパツタリング法、真空蒸着法のい
ずれで形成してもよいが、真空蒸着法による方が
生産性からみて圧倒的に優位にある。 保護膜は公知の範囲で、スペーシング損失を勘
案し乍ら形成される。 又必要に応じ、Co−Cr層の形成に先立ち、軟
磁性層を形成することや、磁気記録層を両面に配
したり、或いは、磁気記録層の無い面に走行性補
助のために塗布層を配するものなども本発明の要
旨を逸脱しない範囲で適宜工夫できるものであ
る。 本発明の構成により、Co−Ｏ、Co−Ni−Ｏ膜
の垂直配向性が改良され、磁気記録媒体として好
ましく改質される点は、Co−Crの配向性が良好
なためその上に成長するCo−Ni−Ｏ、Co−Ｏ膜
の配向性がその影響を受けるのと、Co−CrとCo
−Ｏ、Co−Ni−Ｏとの界面にできるCrの酸化層
が配向性の改良に寄与していると考えられるが、
この点は、単にCrの酸化物を別工程で他の方法、
例えばスパツタリング法で形成したものでは得ら
れないもので、Crの酸化層の形成とCo−Ｏ、Co
−Ni−Ｏ膜の形成が同時過程であることが重要
なことであると推定されるが、更に詳細な点は未
だ明らかにされていない。 以下さらに具体的に本発明の一実施例について
説明する。 〔実施例〕 第２図の装置を用いて磁気テープを製造した。
円筒状キヤン，共に直径50cm、スパツタリン
グは高周波マグネトロンスパツタ法により、真空
蒸着は電子ビーム蒸着法によつた。条件と得られ
た特性を表にまとめて示した。
媒体に関するものである。 （従来例の構成とその問題点） 近年、短波長化と狭トラツク化による記録密度
の向上は目覚ましく、光記録に近い面記録密度の
実用化が、基板の垂直方向に磁化可能ないわゆる
垂直磁化膜を利用することで期待されている。現
状では、Co−Crのスパツタ膜以上に特性的に優
れたものは見出されていないので、周知のように
スパツタリング法の成膜速度の遅い点が問題にな
つており、Co−Cr、Co−Ｏ、Co−Ni−Ｏ等の
真空蒸着膜が成膜速度の大きさに着目され研究さ
れているが、公表されているデータを見る限り、
垂直配向の目安である六方稠密構造のＣ軸（002）
の分散を表わすＸ線回折像から得られるロツキン
グ曲線の半値幅であるΔθ50の値としてはスパツ
タ膜の５倍以上であり、改良が望まれている。 （発明の目的） 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、Co
−Ｏ、Co−Ni−Ｏ系の垂直磁化膜の改良された
Δθ50を有するＳ／Ｎの良好な磁気記録媒体を提
供することを目的とするものである。 （発明の構成） 本発明の磁気記録媒体は、垂直磁化膜が、非磁
性基板上に設けたCo−Cr膜の上に、Co−Ｏ膜若
しくはCo−Ni−Ｏ膜を積層した積層構造を有す
ることを特徴とし、Δθ50が改良され、雑音のす
くないものである。 （実施例の説明） 以下図面を参照しながら本発明を説明する。 第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図で
あり、１は高分子基板、２はCo−Cr層、３はCo
−Ｏ又はCo−Ni−Ｏの垂直磁化膜、４は保護膜
である。 第２図は本発明の磁気記録媒体を得るために用
いた蒸着装置であり、５は基板、６は円筒状キヤ
ンＩ、７は円筒状キヤン、８は送り出し軸、９
は巻取り軸、１０は真空室Ａ、１１は真空室Ｂ、
１２は真空室Ｃ、１３，１４，１５は排気系、１
６，１７はガス導入系、１８，１９はガス導入量
調節弁、２０はスパツタカソード、２１は蒸発源
容器、２２は蒸着材量、２３は遮蔽板である。 本発明に用いることの出来る高分子基板は、ポ
リエチレンテレフタレート等のポリエステル類、
ポリプロピレン等のポリオレフイン類、セルロー
ストリアセテート、ニトロセルロース等のセルロ
ース誘導体、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポ
リパラバニツク酸、ポリイミド等が挙げられる。 本発明に用いられるCo−Cr層は、スパツタリ
ング法により得られる垂直配向したものが好まし
い。 しかし、他の方法で得られる垂直配向した膜で
あつても本発明の効果は確かめうるものであり、
必要に応じ、また、要求される性能に応じ、生産
性の高い真空蒸着法によりかかる薄膜層を得ても
よいことは勿論である。 Cr含有量は16％から22％、Co−Crの厚みは
0.01から0.1μｍ、好ましくは0.02から0.05μｍであ
る。 Co−Cr薄膜の上に形成されるCo−Ｏ、Co−
Ni−Ｏ膜はスパツタリング法、真空蒸着法のい
ずれで形成してもよいが、真空蒸着法による方が
生産性からみて圧倒的に優位にある。 保護膜は公知の範囲で、スペーシング損失を勘
案し乍ら形成される。 又必要に応じ、Co−Cr層の形成に先立ち、軟
磁性層を形成することや、磁気記録層を両面に配
したり、或いは、磁気記録層の無い面に走行性補
助のために塗布層を配するものなども本発明の要
旨を逸脱しない範囲で適宜工夫できるものであ
る。 本発明の構成により、Co−Ｏ、Co−Ni−Ｏ膜
の垂直配向性が改良され、磁気記録媒体として好
ましく改質される点は、Co−Crの配向性が良好
なためその上に成長するCo−Ni−Ｏ、Co−Ｏ膜
の配向性がその影響を受けるのと、Co−CrとCo
−Ｏ、Co−Ni−Ｏとの界面にできるCrの酸化層
が配向性の改良に寄与していると考えられるが、
この点は、単にCrの酸化物を別工程で他の方法、
例えばスパツタリング法で形成したものでは得ら
れないもので、Crの酸化層の形成とCo−Ｏ、Co
−Ni−Ｏ膜の形成が同時過程であることが重要
なことであると推定されるが、更に詳細な点は未
だ明らかにされていない。 以下さらに具体的に本発明の一実施例について
説明する。 〔実施例〕 第２図の装置を用いて磁気テープを製造した。
円筒状キヤン，共に直径50cm、スパツタリン
グは高周波マグネトロンスパツタ法により、真空
蒸着は電子ビーム蒸着法によつた。条件と得られ
た特性を表にまとめて示した。
【表】
Claims (1)
- １ 非磁性基板上に垂直磁化膜を設けてなる磁気
記録媒体において、前記垂直磁化膜が、非磁性基
板上に設けたCo−Cr膜の上に、Co−Ｏ膜若しく
はCo−Ni−Ｏ膜を積層した積層構造を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12844884A JPS619821A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12844884A JPS619821A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619821A JPS619821A (ja) | 1986-01-17 |
| JPH0581967B2 true JPH0581967B2 (ja) | 1993-11-17 |
Family
ID=14984964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12844884A Granted JPS619821A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS619821A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10357195B4 (de) * | 2002-12-19 | 2010-09-23 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd., Yokkaichi | Verbinder und Verbinderanordnung |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2506813B2 (ja) * | 1987-08-31 | 1996-06-12 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP2728498B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体 |
| CN101001973B (zh) * | 2004-08-10 | 2010-07-14 | 日矿金属株式会社 | 柔性铜衬底用阻挡膜和用于形成阻挡膜的溅射靶 |
-
1984
- 1984-06-23 JP JP12844884A patent/JPS619821A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10357195B4 (de) * | 2002-12-19 | 2010-09-23 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd., Yokkaichi | Verbinder und Verbinderanordnung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS619821A (ja) | 1986-01-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |