JPS61194625A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度磁気記録に使用できる垂直磁気記録用
の磁気記録媒体に関するものである。

従来の技術 近年、垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体は量産性を考
慮した材料に開発が移ってきている。

以下、第３図及び第４図を参照しながら、従来の垂直磁
気記録用の磁気記録媒体について説明する。

第３図に示した磁気記録媒体において、（１）は高分子
フィルムから成る基板で、（２）はＣｏ　−Ｃｒスパッ
タ膜に代表される垂直磁化膜、（３）は保護膜である。

第４図に示した磁気記録媒体においては、（４）は高分
子フィルム基板、（５）は軟磁性層で、もっばらパーマ
ロイ薄膜が用いられており、（６）は垂直磁化膜、（７
）は保護膜で、かかる構成のものは、軟磁性層（５）を
介在させることで、第３図の構成のものより垂直磁化膜
（６）に課せられる条件がゆるく、量産時の再現性は良
好になるものと期待されており、特公昭５８−９１号公
報に於て詳しく記載されている。

以上の構成のいずれかの磁気記録媒体は、補助磁極励磁
型の垂直ヘッドを組み合わせることで、高密度記録時の
減磁の改良がなされ、記録ビット間隔が約０．２μｍに
於ても充分な飽和特性を示すことが確認されている〔例
えば、映像情報、第１５巻、第２号、第３３〜４０頁（
１９８３年）〕。

一方、垂直磁気記録に対する期待を現実のちのにするに
は、高品質な垂直磁気記録に適する磁気記録媒体の量産
化が重大な課題のひとつであることは、前記文献の映像
情報第４０頁にも記載されている通りであり、その点に
鑑みて、Ｃｏ−０系。

Ｇｏ−Ｎｉ−０系の垂直磁化膜の利用が最近提案されて
いる〔特開昭５９−１６２６２２号公報、特開昭５９−
１６３８１０号公報〕、これらの垂直磁化膜は、既に実
用に供されているＧｏ−０系、Ｇｏ−Ｎｉ−０系の斜め
蒸着膜に製法も極めて近く、Ｃｏ−Ｃｒ蒸着膜より低い
基板温度で大きな垂直方向の抗磁力が得られる点におい
て、量産性は現状では最も優れているものといえる。

発明が解決しようとする問題点 シカシながら、Ｇｏ−０系、Ｃｏ−Ｎｉ０系の垂直磁化
膜は、磁気特性をＣｏ　−Ｃｒスパッタ膜と比較した時
、垂直方向の抗磁力１反磁場補正したヒステリシス曲線
の垂直方向の角形性については、はぼ近い性能を有する
ものの、磁気記録媒体としての重要な記録再生特性につ
いて確かめた時、Ｃｏ−Ｃｒスパッタ膜、Ｃｏ　−Ｃｒ
蒸着膜で得られている性能〔例えば日本応用磁気学会誌
、第８巻、第１号、第２８〜３１頁（１９８４年）〕に
比較した時性能的しこは劣る。この原因については明確
ではなし）が、巨視的には磁気特性で把握できても、微
視的にはスペーシング損失となる酸化層が厚くなりすぎ
るものと推察されるものである。従って、Ｇ　ｏ　−０
系。

Ｃｏ−Ｎｉ−０系垂直磁化膜の製法上の利点を生かすに
は、媒体性能を改良する必要がある。

本発明は、上記問題点に鑑み、微視的な構造からくる酸
化層によるスペーシング損失を減少せしめる材料構成を
とることにより、量産性にも優れ、垂直磁気記録再生特
性にも優れた構成の垂直磁気記録に適した磁気記録媒体
を提供することを目的とする。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の磁気記録媒体は
、Ｃｏ−Ｍ−０系垂直磁化膜を備え、その組成において
、０がＣＯに対して１０〜３０原子％、ＭがＡｕ、　Ｃ
ｕ、Ｐｔ、　Ｎｉ−Ａｕ、　Ｎｉ−Ｃｕ、　Ｎｉ　−Ｐ
ｔの群より選ばれ、Ｃｏに対して５〜３０原子％の範囲
にある構成にした。

作用 上記構成において、Ａｕ又Ｃｕ又はＰｔの存在により垂
直磁化膜に形成される表面酸化層（Ｃｏｏ、Ｎｉ０１Ｃ
ｏ、○９等）が薄くなり、スペーシング損失を低減でき
るので、短波長、狭トラツクによる高密度記録において
も信号の再生出力を大きくすることができることとなる
。

実施例 以下１本発明の実施例について、第１図及び第２図に基
づき説明する。

第１図は本発明の一実施例にかかる磁気記録媒体を示し
ており、同図において、（１１）は高分子フィルムより
なる基板、（１２）は基板（１１）上に形成された軟磁
性層、（１３）は軟磁性層（１２）上に形成された本発
明構成の垂直磁化膜、（１４）は保護膜である。

第２図は本発明の磁気記録媒体を製造するのに用いた蒸
着装置の要部構成を示しており、同図において、（２１
）は基板（１１）に軟磁性層（１２）（第１図）に形成
してなる積層テープ、（２２）はテープ（２１）の送り
出し軸、（２３）はテープ（２１）の巻取り軸、（２４
）は円筒状キャン、（２５）はマスク、（２６）はスリ
ット状開口部、（２７）は高周波放電電極、（２８）は
蒸発源容器、（２９Ａ）（２９Ｂ）はそれぞれ第１及び
第２の蒸着材料、（３０Ａ）（３０Ｂ）はそれぞれ蒸着
材料（２９Ａ）（２９Ｂ）を蒸発させるための第１及び
第２の電子ビームである。

本発明の磁気記録媒体を製造するために、あらかじめＮ
ｉ−Ｆｅ軟磁性層（１２）（Ｎｉ　８０ｗｔ％、膜厚０
．４μｍ）を高周波スパッタリング法と電子ビーム蒸着
法によりそれぞれ厚み１２μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムからなる基板（１１）上に形成して得ら
れた積層テープ（２１）を用い、第２図の蒸着装置にて
、垂直磁化膜（１３）を高周波イオンブレーティング法
によって形成した。この際の製造条件の主なものを第１
表に示す。なお、蒸気の入射角は両蒸着材料（２９Ａ）
（２９Ｂ）ともに１２度以内に保った。

（以下余白） 第１表 次に、得られた本発明の磁気記録媒体（試料１〜５）及
び比較例の物性と記録再生特性を、磁気ヘッドとして、
厚み０．２μｍのＧｏ−Ｂ薄膜を主磁極とした補助磁極
励磁型垂直ヘッドを用いて測定した。

その結果を第２表に示す、なお、比較例は、高周波スパ
ッタ法にて得た最も性能のよいＧｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜
とＮｉ−Ｆｅ軟磁性膜（本発明実施例と同一条件のもの
である）の積層型である。

示しである。

ｓｏ上表の値は、保護膜のない状態で求めたものである
が、実際は公知の保護膜を用いるので、約１ｄＢ程度Ｓ
／Ｎが低下する。

以上とは別に、生産性においてほぼ同一と考えられるＣ
Ｏ−〇系、或イｌｔ、ｃｏ　−Ｎｉ　−０系垂直磁化膜
を用いた数例についても確認したが、Ｓ／Ｎは−１６〜
−１３ｄＢと極めて悪かったことから考えても、本発明
による媒体は、スパッタ法で得られるＧ。

−Ｃｒ系垂直磁化膜と性能は同等以上で、生産性は２０
倍以上であり、非常に優れていると言える。

また、電子ビーム蒸着法で得られるＣｏ−Ｃｒ垂直磁化
膜より、Ｓ／Ｎで２〜４ｄＢ良好であり、実施例より明
らかなように、キャン温度が２０〜３０℃と低くてよく
、電子ビーム蒸着法でＣｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜を得る時
のキャン温度より２００℃近く低くできることから、廉
価で表面性の良いポリエステルフィルムが基板として使
える等の利点がある。

なお、Ｃ−Ｍ−０系垂直磁化膜における原子比率の関係
は、垂直磁化膜となる条件と、　Ｓ／Ｎが良好となる条
件（その目安は、比較例に対して一１ｄＢ以上とした）
の双方から決る。本発明の媒体において、Ｓ／Ｎが良好
となる理由は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕに対してＣｏやＣｏ−
Ｎｉが優先的に酸化されて表面酸化層の形成にあずかる
際に、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕが、ＧｏやＧｏ−Ｎｉの飽和磁
化を下げて、容易軸を垂直に向ける作用をするため、表
面酸化層が薄くできるからである。

発明の効果 以上述べたごとく本発明によれば、生産性の優れた電子
ビーム蒸着法を基礎にして、低温基板上に、高密度記録
再生特性の優れた垂直磁化層を有する磁気記録媒体をう
ろことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る磁気記録媒体の拡大断
面図、第２図は磁気記録媒体製造装置の要部構成図、第
３図は従来の垂直磁気記録媒体で軟磁性層のない例の断
面図、第４図は従来の軟磁性層を有する垂直磁気記録用
の磁気記録媒体の断面図である。 （１１）・・・基板、（１２）・・・軟磁性層、（１３
）・・・Ｇｏ−Ｍ−〇系垂直磁化膜、（１４）・・・保
護膜代理人　　　森　　本　　義　　弘 第１図 ７４−保護俊 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、Ｃｏ−Ｍ−Ｏで表わされる組成を有し、ＯがＣｏに
   対して原子比率で１０％〜３０％の範囲で、ＭがＡｕ、
   Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ｐｔの群
   より選ばれ、Ｃｏに対し原子比率で５％〜３０％の範囲
   にあるＣｏ−Ｍ−Ｏ系垂直磁化膜を備えた磁気記録媒体
   。