JPH01144217A - 記録媒体膜製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜磁気記録媒体及び薄膜磁気記録媒体の製造
方法に関するものである。

金属薄膜は、従来のバインダー内に懸濁させたｉｎ酸化
物よりも記Ｒ密度が高いことは従来知られている。高配
Ｓ密度を得る為には、膜厚を例えば１．０００人未満の
厚さへ最小化させる必要がある。更に、保磁度Ｈｃは、
単位インチ当りの磁束反転の高密度を維持するのに十分
に高くなければならない。例えば１インチ当り１０．Ｏ
ｏ○乃至５０．０００磁束反転の集積密度を維持する為
には、保磁度は好適には６００と２，０００　（Ｏｅ）
の間である。保磁度が２，０００Ｏａを越えると、従来
の単一要素読取／書込ヘッドを使用して、膜からのデー
タの読取及びデータの書込の両方が困難となる。

媒体から良好な出力信号を与える為には５例えば、４０
０　ａ　ｍ　ｕ　／　ｃ　ｃを越えるか好適には８０Ｏ
ｅ　ｍ　ｕ　／　ｃ　ｃを越える様な高飽和磁化Ｍｓを
持つことが必要である。更に、高残留磁気Ｍｒ及び少な
くとも８０％のヒステリシス方形性Ｓ　（Ｓ＝Ｍ　ｒ　
／　Ｍ　ｓ　）を持つことが必要である。ディスク読取
ヘッドによって受は取られる磁界の強度は、膜厚Ｔと残
留磁気Ｍｒとの積に比例する。一般的に、Ｍｒ−Ｔは、
膜から十分に強い出力信号を得る為に、約２　Ｘ　１０
””ｍ　ｅ　ｕ　／ａｌよりも大きくなければならない
。

上述したパラメータは、　Ｊ、　Ｋ、”　Ｈｏｔ＋＋ａ
ｒｄ著の「磁気記録技術用薄膜ニレビュー　（Ｔｈｉｎ
　Ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｒｅｃｏｒ
ｄｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：　Ａ　Ｒｅｖｉｅｗ
）Ｊ、ジャーナルオブバキュームサイエンスアンドテク
ノロジー、１９８５、の文献に詳細に記載されている。

磁気記録媒体に使用される典型的な膜は、Ｃｏ−Ｎｉ、
Ｇｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ等のコバルト合金を含有
している。この様な膜の保磁度ＨＣ１飽和磁気Ｍｓ、残
留磁気Ｍｒを制御する為の多数のプロセスが提案されて
いる０例えば、０ｐｆｅｒ　ａｔ　ａｌ、著の「薄膜メ
モリディスク進展（丁ｈｉｎ−Ｆｉ１ｍ　Ｍｅｍｏｒｙ
　Ｄｉｓｃ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）Ｊ、ヒユーレッ
トツマツカ−ドジャーナル、１９８５、の文献では、ク
ロム下層上にＣｏ　−Ｐ　を膜を形成することによって
膜の保磁度を制御することが可能であることを提案して
いる。膜の保磁度はクロム下層の厚さに依存する。然し
乍ら、クロム下層を形成するステップを包含する製造プ
ロセスは比較的複雑であり且つ高価である。

０ｐｆｅｒの提案するところによれば、膜中のプラチナ
濃度を変化させることによって保磁度を制御することが
可能である。しかしながら、このことは、異なった保磁
度の膜を形成する為に同一のスパッタ装置を使用するこ
とが所望される場合には、スパッタターゲットを変える
ことが必要であることを示唆しており、そのことは一般
的には不便なことである。

１９８２年９月３０日に出願された、柳沢正弘の日本特
許呂願第１７１６９４／８２号１；よれば、膜中のニッ
ケルの量を変えることによってＧｏ−Ｐｔ−Ｎｉ膜の保
磁〜度を制御することが可能である。然し乍ら、この技
術も、膜の保磁度を変更することが所望される場合には
、スパッタターゲットを変えることを必要とする。

１、Ｍａｅｄａ著のｒＣｏ−Ｎ　ｉ合金膜の高保磁度と
微細構造との間の相関（Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ　Ｂｅ
ｔｗｅｅｎ　ｔｈｅ　Ｈｉｇｈ　Ｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙ
　ａｎｄ　Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ｏｆ　Ｃ
ｏ−Ｎｉ　Ａ１１０ｙ　Ｆｉｌｍｓ）Ｊ　、ジャーナル
オブアプライドフィジックス、１９８２、の文献は、ア
ルゴンと窒素を含有する雰囲気内で膜をスパッタするこ
とによってＣｏ−Ｎｉ膜の保磁度を制御することを開示
している。　Ｍａｅｄａに拠れば、スパッタ室内の窒素
気体濃度を、例えば体積で約２４％の濃度へ増加させる
ことによって膜の保磁度を増加させている。然し乍ら、
これは膜飽和磁気Ｍｓを減少させている。

本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであって、上
述した如き従来技術の欠点を解消し、飽和磁気等の他の
パラメータに影響を与えること無しに、又スパッタター
ゲットを変更すること無しに制御した保磁度を持った磁
気媒体膜及びその製造方法を提供することを百的とする
。

本発明の記録媒体の１実施例においては、４膵記録媒体
を選択した気体のトレース量を含有する雰囲気中で適宜
の基板上にスパッタ形成させる。

該媒体は典型的にはコバルトとプラチナを含有する合金
である。該媒体の保磁度は、スパッタリング中にスパッ
タ室内の選択した気体のトレース量を変化させることに
よって制御される。トレース量が多ければ多い程、保磁
度はそれだけ低く、その逆も真である。

１実施例においては、アルゴンとトレース量の窒素とを
有する気体混合物をスパッタ室内［こ瀉入し、膜の保磁
度は、気体混合物内の窒素濃度を制御することによって
制御される。気体混合物は。

典型的には、窒素１％未満であり、且つその結果得られ
る膜の保磁度は窒素濃度が増加するにつれて減少する。

前述したＭａｅｄａのプロセスと異なり、本発明では、
例えばＣｏ　−Ｐ　ｔパー３合金の如く、固有的に保磁
度の高い合金を使用して磁気膜を形成する。

（本明細書においては、固有保磁度は、膜が窒素を含有
していない場合に持つであろうところの保磁度である。

）保磁度を制御する為に合金をドープすべくスパッタ室
内にトレース量のみの窒素を導入する。これと対照的に
、Ｍａｅｄａの場合には、窩濃度の窒素の存在下におい
て基板上に合金膜をスパッタ形成しており、その際に該
膜内に大量の窒素を導入させて該膜の微Ｐｆｉ構造を変
化させ且つ膜保磁度を増加させている。

本発明においては、窒素の存在下においてスパッタする
ことによって膜保磁度が（増加されるのではなく）減少
される。これらの結果は、膜飽和磁気を変化させること
無しに達成される０重要なことであるが、膜の保磁度は
飽和磁気を変化させること無しに制御されるので、該膜
は膜表面全体に渡って−様な高保磁度方形性及び高飽和
磁気を持っている。更に、該膜は、高磁気ヒステリシス
ループ方形性、従って高残留磁気を示し、従ってその膜
からは高信号対雑音比を得ることが可能である。これと
対照的に、Ｍａｅｄａはスパッタ室内において高窒素濃
度を使用しているので、飽和磁気を本発明で得られる飽
和磁気よりも低い値へ減少する。最後に、注意すべきこ
とであるが、スパッタリングの後、本発明に従って形成
された膜をアニールすることは必要ではない、これと対
照的に、飽和磁気を増加させる為に、Ｍａｅｄａの方法
を使用して形成された膜をアニールすることが必要であ
る。

本発明の別の実施例に拠れば、窒素（Ｎ２）の存在下で
スパッタする代わりに、窒素に分解するアンモニア（Ｎ
Ｈ３）の如き気体をスパッタリング中にスパッタ室内へ
導入させる。この様な気体のトレース量の存在下におけ
るスパッタリングは、膜保磁度を減少させる。

本発明の別の実施例に拠れば、スパッタ室内の酸素気体
のトレース量の濃度を変化させることによって膜の保磁
度を制御することが可能である。

以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
に付いて詳細に説明する。

本発明に基づくプロセス即ち方法は、例えばコバルト及
びプラチナをベースとした合金、例えばＣｏ−Ｐｔ、Ｃ
ｏ−Ｐｔ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ　、　Ｇ　ｏ　−Ｐ
　ｔ　−Ｐ　ｄ等の固有的に高い保磁度を有する薄膜磁
気媒体を提供する。膜の飽和磁気を減少させること無し
に、且つクロム下層を設ける必要性無しに、膜の保磁度
を容易に変化させることが可能である。

１実施例においては、ＲＦ又はＤＣマグネトロンスパッ
タ装置を使用して、基板上に膜をスパッタ形成させる。

スパッタはアルゴンと窒素とを含有する雰囲気中で行わ
れる。スパッタ室内に気体圧力は、典型的に、５乃至７
０ミリトールの間であり、一方スバッタ室内の窒素の分
圧は１０−４と１０−’トールの間である０重要なこと
であるが、スパッタ室内の窒素の濃度は、第１ａ図、第
１ｂ図、第２図、及び第３図のグラフに示した如く、結
果として得られる膜の保磁度に影響を与える。

（これらの図面中の窒素の濃度は、スパッタ室内の気体
圧力の体積％として表しである。）第１ｂ図、第２図、
及び第３図中のグラフに示したデータは、ＮｉＰで鍍金
したアルミニウムの基板上へＣｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｐ　を
合金の膜を約７００人の厚さにＲＦスパッタ形成するこ
とによって取ったものである。第１ａ図中のグラフに示
したデータは、ＮｉＰを鍍金したアルミニウム基板上に
Ｇｏ−Ｎｉ−ｐｔ金合金膜を約１，４００人の厚さにス
パッタすることによって取ったものである。膜保磁度Ｈ
ｃは、膜厚さが増加するに従い、減少する。従って、第
１ａ図中のグラフに示した保磁度は、第１ｂ図のグラフ
中の保磁度よりも低い。その理由の一部は、第１ａ図の
膜は第１ｂ図の膜よりも一層厚いからである。保磁度も
異なっているが、その理由は、第１ａ図の膜は第１ｂ図
の膜と異なった圧力でスパッタ形成されているからであ
る。圧力の保磁度に与える影響に付いて以下に説明する
。

第１ａ図及び第１ｂ図のグラフ内のデータは。

夫々、１０及び２０ミリトールの圧力でアルゴン及び窒
素雰囲気中において１．２ｋＷのパワーで基板上にＣｏ
、、Ｎｉ、Ｐｔ工。をスパッタ形成させることによって
取ったものである。第１ａ図から理解される如く、結果
的に得られる膜の保磁度は、気体混合物中の窒素濃度が
０％から０．５％へ増加するに従い、６５００　ｅから
３００Ｏｅへ減少する。第１ｂ図において、窒素気体濃
度が０％から０．５％へ増加するに従い、膜保磁度は約
８５０Ｑｅから２２０Ｏｅへ減少する。従って、膜を形
成する場合に、スパッタ室内に選択した量の窒素を導入
して、膜保磁度を所望の値へ減少させる。

例えば、６５０Ｏｅの保磁度を得ることが所望され且つ
スパッタ室内の全気体圧力が２０ミリトールである場合
、スパッタ室内の気体は約０．３％の窒素と９９．７％
のアルゴンを含有すべきである。

重要なことであるが、保磁度はスパッタ室内の全気体圧
力に関係している。特に、気体圧力が低いと保磁度は低
くなる。（この効果は、例えば、Ｙａｎａｇａｖａ　ｅ
ｔ　ａｌ、著の「高密度記録用の耐腐食性Ｃｏ−Ｐｔ１
膜媒体（Ｃｏｒｒｏｓｉｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｎｇ　Ｃｏ
−ＰｔＴｈ１ｎ　Ｆｉｌｍ　Ｍｅｄｉｕｍ　ｆｏｒ　Ｈ
ｉｇｈ　Ｄｅｎｓｉｔｙ　Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）ＪＩＥ
ＥＥ）−ランズアクショズオンマグネテイックス、１９
８　：ｌｌの文献に記載されている。）従って、第１ａ
図の膜の形成の為に使用する圧力よりも高い気体圧力を
使用して形成される第１ｂ図の膜の保磁度は、この理由
によっても、与えられた窒素濃度に対して第１ａ図の膜
の保磁度よりも一層高い、この効果も第３図に示しであ
る。

第２図のグラフにおけるデータは、Ｃｏ８□Ｎｉ、ｐｔ
、合金を基板上にスパッタ形成することによって得られ
たものである。スパッタ室内の気体圧力は２０ミリトー
ルであった。理解される如く。

第２図中の膜の保磁度は、窒素濃度が０％から０゜８％
へ増加するに従い、約１，１２０Ｏｅから６２０Ｏｅへ
減少している。

第３図はＣＯ１２−３Ｎ　ｉ＠＊　２Ｐ　ｊｅ−ｓ膜の
保磁度に与える窒素濃度の影響を示している。第３図の
２つの曲線は、より高い気体圧力（この場合には、４０
ミリトール）でスパッタ形成した膜は、より低い気体圧
力（３０ミリトール）でスパッタ形成した膜よりも保磁
度が一層大きいことを示している。４０ミリトールにお
いて、第３図の膜の保磁度は、窒素ａ度が０％から０．
６７％へ増加するに従い９９０Ｏｅから６８０Ｏｅへ減
少し、一方３０ミリトールにおいて、窒素濃度が０％か
ら０．６７％へ増加するに従い、保磁度ば９４０Ｏｅか
ら５０００　ｅへ減少している。

スパッタ形成した膜の固有保磁度も、膜中のプラチナの
％に依存する。特に、プラチナのより高い濃度を持った
膜は一般的に一層保磁度が窩い。

本発明に基づいて使用される典型的な膜は、モルで５％
を越えるプラチナを有している。（第２図の膜は、第１
ｂ図の膜よりもプラチナ含有量が低いが、第２図中のグ
ラフの保磁度は、与えられた窒素濃度に対して、第１ｂ
図中の保磁度よりも一層大きい、このことは、第１ｂ図
及び第２図の膜を形成する為に使用するスパッタ装置に
おける種々の差異に基づくものである。

本明細書を参考にすれば、スパッタ室内の選択した気体
、１実施例においては窒素、の濃度を変化させることに
よって、結果的に得られる膜の保磁度は、飽和磁気Ｍｓ
を変化させること無しに且つスパッタターゲントを変化
させる必要性無しに、変化させることが可能であること
は、当業者等に容易に理解される。第７図は、異なった
窒素濃度の存在下においてスパッタ形成したＣｏ８□Ｎ
ｉ。

Ｐｔ２゜膜に対する飽和磁気Ｍｓを示している。第７図
の膜は約７００人であり且つ２ｏミリトールの圧力でア
ルゴン−窒素雰囲気の存在下でスパッタ形成したもので
ある。理解される如く、該膜の飽和磁気は約１，２０Ｏ
ｅｍｕ／ｃｃであり、窒素濃度の有用な範囲内（例えば
１％未満）での窒素の存在によって著しく減少されてい
ることはない。

従来公知の如く、膜を評価する為に使用される重要な示
性数は、以下に定義する如く、ヒステリシスループ方形
性Ｓ及び保磁度方形性Ｓｔである。

Ｓ＝Ｍｒ／Ｍｓ ＳＬ１＝１−　（Ｍｒ／Ｈｅ）　・（１／ｄＭ／ｄＨ）
　ｌ　−、Ｍｅ理想的には、Ｓ＝Ｓ＄＝１である。高い
保磁度方形性Ｓ寧を持った膜は良好な信号対雑音比及び
良好な分解能を提供し、且つ高いヒステリシス方形性Ｓ
を持った膜は強い出力信号、従って高い信号対雑音比を
提供する。本発明者が知得したところに拠れば、ヒステ
リシスループ方形性Ｓ及び保磁度方形性Ｓ＊は窒素の存
在下においてスパッタ形成することによって著しく改良
される。第６ａ図及び第６ｂ図は、夫々、窒素の存在及
び不存在の下において７００人の厚さにスパッタ形成し
たＣ　ｏＢｌＮ　ｉ、Ｐ　ｔ工。膜に対するヒステリシ
スループを図示している。窒素が無ければ、Ｎ＝０．６
７及び５本＝Ｑ、７６であり、一方窒素の存在下ニｇ　
イテｌ：ｉ、Ｓ＝０．８４及びＳ本＝０．８９ｔ’ある
。従って、第６ａ図の膜は良好なヒステリシス方形性及
び保磁度方形性を示している。

本発明の別の実施例においては、スパッタリングの間、
窒素の代わりにスパッタ室内に酸素を導入する３本発明
者等の知得したところに拠れば、酸素も結果として得ら
れる膜の保磁度を減少させる。該酸素は、典型的に、ス
パッタ室内に１０−４ト一ル未満の分圧を持った水蒸気
を導入することによって供給される。第４図は、　Ｃｏ
ｓ、Ｎｉ、Ｐｔ１゜の７００人の厚さの膜の保磁度に与
える酸素の影響を示している。第４図の膜は約２０ミリ
トールの圧力を持った雰囲気中でスパッタしたものであ
る。第４図の膜の保磁度は、酸素濃度が０％から約０．
５％へ増加するに従い、９５０ＯｅからＯｅへ減少する
。従って、１実施例において、保磁度６５０Ｏｅを持っ
た膜を形成することが所望される場合、ＣｏｓｌＮ　ｉ
、Ｐ　ｔ工、の７００人の厚さの膜を０．３３％酸素で
９９．６７％アルゴンの雰囲気中において２０ミリトー
ルの圧力で基板上にスパッタされる。

注意すべきことであるが、酸素の存在下でスパッタする
ことによって膜保磁度を制御することが可能ではあるが
、酸素は窒素程ヒステリシス方形性を改善するものでは
ない。

別の実施例においては、酸素及び窒素の両方がスパッタ
中にスパッタ室内に存在する。この実施例において酸素
は典型的には水蒸気の分解によって提供される。第５図
の曲線１及び２は、スパッタリングの後にスパッタ室内
で検出される水蒸気と水素の夫々の濃度の関数として、
６５０Ｏｅの保磁度を示す膜を製造する為にスパッタ室
内に必要とされる窒素の量を示している。（スパッタ室
内で検出される水素は、スパッタリングの間水素と酸素
とに分解さハる水蒸気の部分から生成されたものである
。）第５図のグラフ中に示したデータは、２０ミリトー
ルにおいて、アルゴン−窒素−水蒸気の雰囲気中におい
て７００人の厚さのＣ０ａｔＮｌｑＰｔｌ。膜をスパッ
タすることによって取られたものである。第５図の膜に
おいて、水素濃度が０．５％と０．９５％の間で水蒸気
濃度が０．２％と０．２８％の間の場合、窒素濃度が０
０６６％と０．８７％の間で６５００ａの保磁度を得る
ことが可能である。水素と窒素の両方が結果的に得られ
る膜の保磁度を減少させることが可能であるから、スパ
ッタ室内により多くの酸素が存在すると、与えられた保
磁度を持った膜を形成するのに必要とされる窒素は一層
少なくなり、その逆も真である。従って、水素と水蒸気
の濃度が高い場合、６５０Ｏｅの保磁度を得る為に窒素
の少ない濃度（０，５５％）が必要とされ、一方水素と
水蒸気の濃度が低いと、より高い窒素濃度（０゜８７％
）が必要とされる。然し乍ら、本発明者等の知得したと
ころによれば、スパッタ室内の水蒸気濃度が１％を越え
ると、結果的に得られる膜の保磁度は窒素濃度を変える
ことによって制御することは不可能である。

以上、本発明の具体的実施の態様に付いて詳細に説明し
たが１本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
では無く、本発明の技術的範囲を逸脱すること無しに種
々の変形が可能であることは勿論である。例えば、Ｎ１
Ｐｌ金したアルミニラム基板を使用する代わりに、クロ
ム又はその他の金属又は絶縁体等の非強磁性膜で被覆し
たＮｉＰ基板を包含するその他の基板を使用することも
可能である。ガラス、シリコン、ポリマー、又はセラミ
ック物質を有する基板も使用することが可能である。更
に、アルゴン以外の不活性気体をスパッタ室内に存在さ
せることが可能である。又、本方法を使用して、例えば
６００Ｏｅ乃至２，０００Ｏｅの保磁度の範囲を持った
膜を形成することも可能である。更に、幾つかの実施例
においては、基板上にコバルト−プラチナをベースとし
た合金を形成する代わりに、別の固有的に高い保磁度コ
バルト又は鉄をベースとした合金を窒素気体の存在下で
基板上にスパッタさせることも可能である。

【図面の簡単な説明】

第１ａ図及び第１ｂ図はＣｏ、、Ｎ　ｉ、　Ｐ　ｔｌＢ
、の瞑の保磁度に与えるスパッタ室内の窒素の濃度の影
響を示すグラフ図、第２図はＧ　ｏ、２Ｎ　ｉ、Ｐ　ｔ
。 の膜の保磁度に与えるスパッタ室内の窒素濃度の影響を
示したグラフ図、第３図はＣＯ□、３　Ｎ　ｌ　ｇ　。 ｚｐｔｓ、ｓの保磁度に与えるスパッタ室内の窒素濃度
の影響を示したグラフ図、第４図はＣｏ、ＩＮｉ、Ｐｔ
１゜の膜の保磁度に与えるスパッタ室内の酸素の濃度の
影響を示したグラフ図、第５図はスパッタ室内の水蒸気
の濃度の関数として６５０Ｏｅの保磁度を得るために必
要な窒素の量を示したグラフ図、第６ａ図及び第６ｂ図
はぞれぞれ窒素の存在と不存在においてスパッタされた
Ｃｏ、、Ｎｉ５Ｐｔ工。のヒステリシスループを示した
各グラフ図、第７図はＣＯａ、Ｎ　ｌ　ｇ　Ｐ　ｔ工。 の膜の飽和磁気に与えるスパッタ室内の窒素の濃度の影
響を示したグラフ図、である。 特許出願人　　　　コーマグ、インコーポレイテッド 侶５＆度　（工ＩＣスギ、、／ド） イ駈　爲武　（工・レーア、　”＋　、ｔ　ｌ”　）４
５Ｆ　ヌ；二月ｔ　（づｃＢｚ）！８−７μ゛）イＦｉ
；　　　ン’；Ｚｊｔ−ｆｉ　　　ＣｃＪし’２Ｔ、ｉ
Ｖ’）”７．ｔＸ’Ｉ々シク斤ム　１ Ｍ く八０、・〆石しレクぞム　ヱ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、記録媒体膜を製造する方法において、基板上に合金
   膜をスパッタ形成し、前記合金はプラチナとコバルトを
   有しており、第１及び第２選択気体を含有する雰囲気を
   スパッタ室内に導入し、前記第１気体は不活性であり、
   その結果得られる膜の保磁度が前記雰囲気中の前記第２
   選択気体の濃度に応答して変化することを特徴とする方
   法。 ２、記録媒体膜の製造方法において、基板上に合金膜を
   スパッタ形成し、前記合金はプラチナとコバルトを有し
   ており、窒素をスパッタ室内に導入し、その結果得られ
   る膜の保磁度が前記スパッタ室内に導入される窒素の量
   に応答して変化することを特徴とする方法。 ３、特許請求の範囲第２項において、前記スパッタ室内
   の窒素濃度が１％未満であることを特徴とする方法。 ４、磁気記録媒体膜の製造方法において、基板上に合金
   膜をスパッタ形成し、前記合金はプラチナとコバルトを
   有しており、酸素をスパッタ室内に導入し、その結果得
   られる膜の保磁度は前記スパッタ室内に導入される酸素
   の量に応答して変化することを特徴とする方法。 ５、特許請求の範囲第４項において、前記スパッタ室内
   の酸素濃度は１％未満であることを特徴とする方法。 ６、特許請求の範囲第２項又は第４項において、前記合
   金は別の金属を含有しており、前記合金は６５０Ｏｅを
   越える固有保磁度を持っていることを特徴とする方法。 ７、特許請求の範囲第２項又は第４項において、前記ス
   パッタ室内の前記気体は殆どアルゴンを含有しているこ
   とを特徴とする方法。 ８、特許請求の範囲第２項において、該スパッタ室内に
   酸素を導入するステップを有しており、該酸素もその結
   果得られる膜の保磁度を変化させることを特徴とする方
   法。 ９、特許請求の範囲第２項において、前記窒素は１０＾
   −＾４及び１０＾−＾７ｔｏｒｒの間の分圧を持ってい
   ることを特徴とする方法。 １０、特許請求の範囲第４項において、前記酸素は水蒸
   気の形態で該スパッタ室内に導入されることを特徴とす
   る方法。 １１、特許請求の範囲第１０項において、前記水蒸気は
   １０＾−＾４ｔｏｒｒ未満の分圧を持っていることを特
   徴とする方法。 １２、特許請求の範囲第２項又は第４項において、前記
   合金は少なくとも５％のプラチナであることを特徴とす
   る方法。 １３、特許請求の範囲第２項において、前記窒素を導入
   するステップは、窒素を含有する気体性化合物を導入す
   るステップを有しており、前記気体性化合物はスパッタ
   の過程中に分解することを特徴とする方法。 １４、特許請求の範囲第４項において、前記酸素を導入
   するステップが酸素を含有する気体性化合物を導入する
   ステップを有しており、前記気体性化合物がスパッタリ
   ング中に分解することを特徴とする方法。 １５、特許請求の範囲第２項又は第４項において、前記
   合金は非強磁性金属の層上にスパッタ形成されることを
   特徴とする方法。 １６、特許請求の範囲第２項又は第４項において、前記
   合金は電気的絶縁性物質の層上にスパッタ形成されるこ
   とを特徴とする方法。 １７、記録媒体膜を製造する方法において、基板上に合
   金膜をスパッタ形成し、前記合金は６５０Ｏｅを越える
   固有保磁度を持っており、選択した気体をスパッタ室内
   に導入し、前記膜の保磁度は前記スパッタ室内に導入し
   た前記選択した気体の量に応答して変化し、前記選択し
   た気体は酸素又は窒素を有していることを特徴とする方
   法。 １８、特許請求の範囲第１７項において、前記合金は鉄
   ベース又はコバルトベースであることを特徴とする方法
   。 １９、コバルト及びプラチナの合金を有する磁気記録媒
   体膜であって、前記膜が窒素でドープされていることを
   特徴とする磁気記録媒体膜。 ２０、特許請求の範囲第１９項において、前記膜は又酸
   素でドープされていることを特徴とする磁気記録媒体膜
   。 ２１、特許請求の範囲第１９項において、前記合金は少
   なくとも５％プラチナであることを特徴とする磁気記録
   媒体膜。 ２２、特許請求の範囲第１９項において、前記膜は６０
   ０と２，０００Ｏｅの間の保磁度を持っていることを特
   徴とする磁気記録媒体膜。 ２３、特許請求の範囲第１９項において、前記膜内の窒
   素の濃度はモルで１％未満であることを特徴とする磁気
   記録媒体膜。 ２４、コバルトとプラチナの合金を有する磁気記録媒体
   膜において、前記膜は酸素でドープされていることを特
   徴とする磁気記録媒体膜。 ２５、特許請求の範囲第２４項において、前記膜内にお
   ける酸素の濃度はモルで１％未満であることを特徴とす
   る磁気記録媒体膜。 ２６、固有保磁度が６５０Ｏｅを越える合金を有する磁
   気記録媒体膜において、前記膜は選択した気体でドープ
   されていることを特徴とする磁気記録媒体膜。 ２７、鉄ベース合金を有する磁気記録媒体膜において、
   前記膜は選択した気体でドープされていることを特徴と
   する磁気記録媒体膜。 ２８、特許請求の範囲第２８項において、前記選択した
   気体は酸素又は窒素であることを特徴とする磁気記録媒
   体膜。