JPH04129029A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04129029A JPH04129029A JP24981890A JP24981890A JPH04129029A JP H04129029 A JPH04129029 A JP H04129029A JP 24981890 A JP24981890 A JP 24981890A JP 24981890 A JP24981890 A JP 24981890A JP H04129029 A JPH04129029 A JP H04129029A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記録媒体
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
磁気記録媒体を用いた磁気記録技術において、現在実用
化されている長手磁気記録方式を越える高密度記録技術
として、垂直磁気記録方式が提案されており、精力的に
研究開発が進められている。
化されている長手磁気記録方式を越える高密度記録技術
として、垂直磁気記録方式が提案されており、精力的に
研究開発が進められている。
この垂直磁気記録を実現するには、磁気記録媒体におい
て、磁性膜面に対して垂直方向に記録された磁化を安定
に存在させることが必要である。
て、磁性膜面に対して垂直方向に記録された磁化を安定
に存在させることが必要である。
そこで、磁気記録媒体は、磁化を安定に存在させるため
に、垂直異方性を高めると共に、できるだけ垂直方向の
保磁力を高めなければならない。
に、垂直異方性を高めると共に、できるだけ垂直方向の
保磁力を高めなければならない。
一方、垂直磁気ヘッドの１つであるリング型磁気ヘッド
から発生される記録磁界の強度は、磁気記録媒体の表面
から膜厚深さ方向に従い減少する。
から発生される記録磁界の強度は、磁気記録媒体の表面
から膜厚深さ方向に従い減少する。
したがって、従来の磁気記録媒体のように、垂直方向の
保磁力が膜厚の方向に−様な場合、その保磁力の増加に
従い再生出力が増加するが、ある−定の保磁力で極大値
を示し、その後は減少する（「金属表面技術Ｊ 、ｐｐ
、２８〜３７． ｖｏｌ、３５＋ １９８４）これは前
述したように、磁気ヘッドから発生する記録磁界の強度
が磁気記録媒体の表面から膜厚方向に従い減少するので
、ある一定の保磁力までは膜全体が記録されるが、更に
高い保磁力になると磁気記録媒体の下層部では記録磁界
が低いので、十分記録できなかったことによる。したが
って、再生出力および記録密度を改善するために、磁気
記録媒体の下層部を低保磁力にする必要がある。
保磁力が膜厚の方向に−様な場合、その保磁力の増加に
従い再生出力が増加するが、ある−定の保磁力で極大値
を示し、その後は減少する（「金属表面技術Ｊ 、ｐｐ
、２８〜３７． ｖｏｌ、３５＋ １９８４）これは前
述したように、磁気ヘッドから発生する記録磁界の強度
が磁気記録媒体の表面から膜厚方向に従い減少するので
、ある一定の保磁力までは膜全体が記録されるが、更に
高い保磁力になると磁気記録媒体の下層部では記録磁界
が低いので、十分記録できなかったことによる。したが
って、再生出力および記録密度を改善するために、磁気
記録媒体の下層部を低保磁力にする必要がある。
本発明の目的は、このような欠点を除去するために、磁
気記録媒体の下層部が容易に低保磁力となるような磁気
記録媒体の製造方法を提供することにある。
気記録媒体の下層部が容易に低保磁力となるような磁気
記録媒体の製造方法を提供することにある。
本発明は、スパッタ法により磁気記録媒体を作製する磁
気記録媒体の製造方法において、基板上にスパッタ法に
より低保磁力の薄層と垂直磁化膜からなる磁気記録媒体
を作製する際に、前記低保磁力の薄層としてＡｒガスと
酸素ガスとの混合ガスの雰囲気でＣｒ下地膜を成膜後、
同様な混合ガスの雰囲気でＣｏＣｒＴａ膜を成膜して形
成し、 前記垂直磁化膜としてＡｒガスの雰囲気でＣｏＣｒＴａ
膜を成膜することを特徴としている。
気記録媒体の製造方法において、基板上にスパッタ法に
より低保磁力の薄層と垂直磁化膜からなる磁気記録媒体
を作製する際に、前記低保磁力の薄層としてＡｒガスと
酸素ガスとの混合ガスの雰囲気でＣｒ下地膜を成膜後、
同様な混合ガスの雰囲気でＣｏＣｒＴａ膜を成膜して形
成し、 前記垂直磁化膜としてＡｒガスの雰囲気でＣｏＣｒＴａ
膜を成膜することを特徴としている。
また、本発明は、スパッタ法により磁気記録媒体を作製
する磁気記録媒体の製造方法において、基板上にスパッ
タ法により低保磁力の薄層と垂直磁化膜からなる磁気記
録媒体を作製する際に、前記低保磁力の薄層としてＡｒ
ガスと窒素ガスとの混合ガスの雰囲気でＣｒ下地膜を成
膜後、同様な混合ガスの雰囲気でＣｏＣｒＴａ膜を成膜
して形成し、 前記垂直磁化膜としてＡｒガスの雰囲気でＣｏＣｒＴａ
膜を成膜することを特徴としている。
する磁気記録媒体の製造方法において、基板上にスパッ
タ法により低保磁力の薄層と垂直磁化膜からなる磁気記
録媒体を作製する際に、前記低保磁力の薄層としてＡｒ
ガスと窒素ガスとの混合ガスの雰囲気でＣｒ下地膜を成
膜後、同様な混合ガスの雰囲気でＣｏＣｒＴａ膜を成膜
して形成し、 前記垂直磁化膜としてＡｒガスの雰囲気でＣｏＣｒＴａ
膜を成膜することを特徴としている。
本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、基板上にス
パッタ法によりＡｒガスと酸素ガスまたは窒素ガスとの
混合ガスの雰囲気でＣｒ下地膜を成膜後、同様な混合ガ
スの雰囲気でＣｏＣｒＴａ膜を成膜することにより低保
磁力の薄層が得られ、その後にＡｒガスの雰囲気でＣｏ
ＣｒＴａ膜を成膜することにより垂直磁化膜が得られる
。
パッタ法によりＡｒガスと酸素ガスまたは窒素ガスとの
混合ガスの雰囲気でＣｒ下地膜を成膜後、同様な混合ガ
スの雰囲気でＣｏＣｒＴａ膜を成膜することにより低保
磁力の薄層が得られ、その後にＡｒガスの雰囲気でＣｏ
ＣｒＴａ膜を成膜することにより垂直磁化膜が得られる
。
すなわち、Ｃｒ成膜中にＡｒガス以外の酸素ガスの導入
によりＣｒ膜を酸化させる。次に、このＣｒ酸化物の結
晶構造による影響を受けながら、ＣｏＣｒＴａ膜の結晶
構造を成膜中の同様なガスによる酸化の影響により変化
させ、低保磁力の薄層を得る。その後、従来と同様にＡ
ｒガスのみでＣｏＣｒＴａ膜を成膜することにより垂直
磁化膜を得る。
によりＣｒ膜を酸化させる。次に、このＣｒ酸化物の結
晶構造による影響を受けながら、ＣｏＣｒＴａ膜の結晶
構造を成膜中の同様なガスによる酸化の影響により変化
させ、低保磁力の薄層を得る。その後、従来と同様にＡ
ｒガスのみでＣｏＣｒＴａ膜を成膜することにより垂直
磁化膜を得る。
また、Ｃｒ成膜中にＡｒガス以外の窒素ガスの導入によ
りＣｒ膜を窒化させる。次に、このＣｒ窒化物の結晶構
造による影響を受けながら、Ｃ。
りＣｒ膜を窒化させる。次に、このＣｒ窒化物の結晶構
造による影響を受けながら、Ｃ。
ＣｒＴａ膜の結晶構造を成膜中の同様なガスによる窒化
の影響により変化させ、低保磁力の薄層を得る。その後
、従来と同様にＡｒガスのみでＣ。
の影響により変化させ、低保磁力の薄層を得る。その後
、従来と同様にＡｒガスのみでＣ。
ＣｒＴａ膜を成膜することにより垂直磁化膜を得る。
なお、本発明の製造方法による磁気記録媒体において、
低保磁力の薄層の存在により媒体に閉磁路が構成され、
記録時には磁気ヘッドの記録磁界を強めるように作用し
、垂直磁化膜が安定に記録される。また、再生時にはヘ
ッドと媒体との磁気的相互作用を高め、再生出力、記録
密度を改善する。
低保磁力の薄層の存在により媒体に閉磁路が構成され、
記録時には磁気ヘッドの記録磁界を強めるように作用し
、垂直磁化膜が安定に記録される。また、再生時にはヘ
ッドと媒体との磁気的相互作用を高め、再生出力、記録
密度を改善する。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
本実施例である磁気記録媒体の製造方法のうち、混合ガ
スがＡｒガス−と酸素ガスの場合について説明する。本
実施例に用いたスパッタ装置は、ＲＦマグネトロン方式
のものである。ターゲットは下地膜用として３ＮＣｒタ
ーゲツト、低保磁力の薄層用としてＣｏＣｒＴａ （１
２ａｔ％Ｃｒ、２ａｔ％Ｔａ）合金ターゲット、垂直磁
化膜用としてＣｏＣｒ Ｔ ａ （１９ａｔ％Ｃｒ、２
ａｔ％Ｔａ）合金ターゲットおよび保護膜用として４Ｎ
Ｃターゲツトをそれぞれ用いた。また、基板はテクスチ
ャ付ＮｉＰ／Ａ Ｉ （Ｒｍａｘ ＝４５０人）基板を
用いた。
スがＡｒガス−と酸素ガスの場合について説明する。本
実施例に用いたスパッタ装置は、ＲＦマグネトロン方式
のものである。ターゲットは下地膜用として３ＮＣｒタ
ーゲツト、低保磁力の薄層用としてＣｏＣｒＴａ （１
２ａｔ％Ｃｒ、２ａｔ％Ｔａ）合金ターゲット、垂直磁
化膜用としてＣｏＣｒ Ｔ ａ （１９ａｔ％Ｃｒ、２
ａｔ％Ｔａ）合金ターゲットおよび保護膜用として４Ｎ
Ｃターゲツトをそれぞれ用いた。また、基板はテクスチ
ャ付ＮｉＰ／Ａ Ｉ （Ｒｍａｘ ＝４５０人）基板を
用いた。
まず、本実施例によるスパッタ条件を第１表に示す。
第１表に示される条件で作製した媒体を記号Ａとする。
また、比較のために、従来と同様にＣ。
ＣｒＴａ膜の垂直磁化膜のみで作製した媒体（スパッタ
条件は第１表と同じ）を記号Ｂとする。これら２種類の
媒体についてＶＳＭによる磁気特性の測定結果を第２表
に示す。
条件は第１表と同じ）を記号Ｂとする。これら２種類の
媒体についてＶＳＭによる磁気特性の測定結果を第２表
に示す。
第２表
次に、これらＡ、Ｂの媒体をリング型垂直磁気ヘッドに
より、Ｒ（リード）／Ｗ（ライト）特性を調べた。その
結果を第１図に示す。本発明の媒体の垂直磁化膜の磁気
特性は第２表に示すように従来と同様にもかかわらず、
第１図に示すように本発明の媒体Ａは従来より再生出力
、記録密度が改善されている。
より、Ｒ（リード）／Ｗ（ライト）特性を調べた。その
結果を第１図に示す。本発明の媒体の垂直磁化膜の磁気
特性は第２表に示すように従来と同様にもかかわらず、
第１図に示すように本発明の媒体Ａは従来より再生出力
、記録密度が改善されている。
次に、他の実施例、すなわち、混合ガスがＡｒガスと窒
素ガスの場合について説明する。ここで使用したターゲ
ットおよび基板は前述の実施例と同様である。また、ス
パッタ条件も、Ｃｒ下地膜およびＣｏＣｒＴａ膜の低保
磁力の薄層の成膜時のガスの種類がＡｒ±５％Ｎ２以外
、第１表と同様である。このように作製した本実施例に
よる媒体を記号Ｃとし、ＶＳＭによる磁気特性の測定結
果を第３表に示す。
素ガスの場合について説明する。ここで使用したターゲ
ットおよび基板は前述の実施例と同様である。また、ス
パッタ条件も、Ｃｒ下地膜およびＣｏＣｒＴａ膜の低保
磁力の薄層の成膜時のガスの種類がＡｒ±５％Ｎ２以外
、第１表と同様である。このように作製した本実施例に
よる媒体を記号Ｃとし、ＶＳＭによる磁気特性の測定結
果を第３表に示す。
第３表
また、前述した実施例と同様にＲ／Ｗ評価した結果を前
述の第１図に示す。これから、本実施例の媒体Ｃも前述
の実施例と同様に垂直磁化膜の磁気特性は従来と同様に
もかかわらず、従来より再生出力、記録密度が改善され
ている。
述の第１図に示す。これから、本実施例の媒体Ｃも前述
の実施例と同様に垂直磁化膜の磁気特性は従来と同様に
もかかわらず、従来より再生出力、記録密度が改善され
ている。
以上説明したように、本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、基板上にスパッタ法により低保磁力の薄層と垂直磁
化膜からなる磁気記録媒体を作製する際に、低保磁力の
薄層としてＡｒガスと酸素ガスまたは窒素ガスとの混合
ガスの雰囲気でＣｒ下地膜を成膜後、同様な混合ガスの
雰囲気でＣｏＣｒＴａ膜を成膜して形成し、垂直磁化膜
としてＡｒガスの雰囲気でＣｏＣｒＴａ膜を成膜するの
で、磁気記録媒体の再生出力、記録密度等が更に改善さ
れる。
は、基板上にスパッタ法により低保磁力の薄層と垂直磁
化膜からなる磁気記録媒体を作製する際に、低保磁力の
薄層としてＡｒガスと酸素ガスまたは窒素ガスとの混合
ガスの雰囲気でＣｒ下地膜を成膜後、同様な混合ガスの
雰囲気でＣｏＣｒＴａ膜を成膜して形成し、垂直磁化膜
としてＡｒガスの雰囲気でＣｏＣｒＴａ膜を成膜するの
で、磁気記録媒体の再生出力、記録密度等が更に改善さ
れる。
第１図は本発明の一実施例である製造方法による媒体Ａ
および他の実施例である製造方法による媒体Ｃと比較と
して従来の製造方法による媒体Ｂについて再生出力■（
相対値）の記録密度り依存性を示した図である。 Ａ、Ｂ、Ｃ・・・媒体 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 Ｄ ［ＫＦＲＰＩ〕 第 図
および他の実施例である製造方法による媒体Ｃと比較と
して従来の製造方法による媒体Ｂについて再生出力■（
相対値）の記録密度り依存性を示した図である。 Ａ、Ｂ、Ｃ・・・媒体 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 Ｄ ［ＫＦＲＰＩ〕 第 図
Claims (2)
- （１）スパッタ法により磁気記録媒体を作製する磁気記
録媒体の製造方法において、 基板上にスパッタ法により低保磁力の薄層と垂直磁化膜
からなる磁気記録媒体を作製する際に、前記低保磁力の
薄層としてＡｒガスと酸素ガスとの混合ガスの雰囲気で
Ｃｒ下地膜を成膜後、同様な混合ガスの雰囲気でＣｏＣ
ｒＴａ膜を成膜して形成し、 前記垂直磁化膜としてＡｒガスの雰囲気でＣｏＣｒＴａ
膜を成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
。 - （２）スパッタ法により磁気記録媒体を作製する磁気記
録媒体の製造方法において、 基板上にスパッタ法により低保磁力の薄層と垂直磁化膜
からなる磁気記録媒体を作製する際に、前記低保磁力の
薄層としてＡｒガスと窒素ガスとの混合ガスの雰囲気で
Ｃｒ下地膜を成膜後、同様な混合ガスの雰囲気でＣｏＣ
ｒＴａ膜を成膜して形成し、 前記垂直磁化膜としてＡｒガスの雰囲気でＣｏＣｒＴａ
膜を成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24981890A JP2964596B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24981890A JP2964596B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04129029A true JPH04129029A (ja) | 1992-04-30 |
| JP2964596B2 JP2964596B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=17198650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24981890A Expired - Lifetime JP2964596B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2964596B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5834111A (en) * | 1994-05-31 | 1998-11-10 | Hmt Technology Corporation | Multilayered magnetic recording medium with coercivity gradient |
| US6436248B1 (en) | 1998-11-05 | 2002-08-20 | International Business Machines Corporation | Thin film disk with barrier layer |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP24981890A patent/JP2964596B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5834111A (en) * | 1994-05-31 | 1998-11-10 | Hmt Technology Corporation | Multilayered magnetic recording medium with coercivity gradient |
| US6436248B1 (en) | 1998-11-05 | 2002-08-20 | International Business Machines Corporation | Thin film disk with barrier layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2964596B2 (ja) | 1999-10-18 |
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