JPH07307022A - 磁気記録媒体及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 耐酸化性や耐食性に優れており、しかも、磁
気ヘッドの磁気飽和を回避できる適当な保磁力を有する
垂直磁化膜からなる磁気記録媒体を提供する。 【構成】 （４００）面が基体の表面に平行に優先配向
したＣｏ含有マグヘマイト薄膜であり、該薄膜中のＣｏ
がＦｅに対してモル比で０．０１以上、０．１０未満で
あって、（４００）面の面間隔が２．０８２Å以下であ
る垂直磁化膜が、基体の表面上に作成されている（２０
０）面が基体の表面に平行に優先配向したＮｉＯ下地膜
上に形成されている磁気記録媒体。この磁気記録媒体
は、（４００）面が基体の表面に平行に優先配向したＣ
ｏ含有マグネタイトからなる単層膜又はマグネタイト層
とＣｏＯ層とからなる多層膜であって、該膜中ＣｏがＦ
ｅに対してモル比で０．０１以上、０．１０未満である
単層膜又は多層膜を、基体の表面上に作成されている
（２００）面が基体の表面に平行に優先配向したＮｉＯ
下地膜上に形成し、次いで、２４０〜４５０℃の温度範
囲で熱処理して得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高密度磁気記録媒体と
して好適である、耐酸化性や耐食性に優れており、しか
も現在広く普及している磁気ヘッドの磁気飽和を回避で
きる適当な保磁力、殊に３０００Ｏｅより小さい保磁力
を有すると共に大きな角型比（反磁場補正した値）を有
する垂直磁化膜からなる磁気記録媒体に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報機器、システムの小型化と高
信頼性の傾向が顕著であり、磁気記録媒体の高密度記録
化の要求が益々高まってきている。このような特性を満
たす磁気記録媒体として垂直磁化膜の開発がさかんであ
り実用化されている。即ち、垂直磁化膜は、膜面に垂直
な方向に磁化するため減磁作用がなく、高密度記録が可
能である。

【０００３】垂直磁化膜としては、従来からＣｏＣｒ合
金等の合金膜が提案されているが、該合金膜は酸化によ
る磁気特性の劣化を防ぐため１００〜２００Å程度の厚
みのカーボン膜を表面にコーティングする必要があり、
その結果、カーボン膜の厚み分だけ、スペーシング（磁
気ヘッドと媒体との距離）ロスが大きくなり、高密度記
録用として適さなくなる。その為、垂直磁化膜として
は、酸化に対して安定な酸化物であることが強く要求さ
れている。

【０００４】そして、垂直磁化膜の保磁力について言え
ば、現在広く普及しているヘッドの磁気飽和を回避でき
る適当な保磁力、殊に、３０００Ｏｅより低い保磁力で
あることが要求されている。

【０００５】磁気記録媒体の保磁力Ｈｃと磁気ヘッドの
性能とは密接な関係があり、磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ
があまりに高すぎて、殊に、３０００Ｏｅを越えると、
書込み電流が高くなる為、現在広く用いられている磁気
ヘッドではヘッドコアの飽和磁束密度Ｂｍ不足によりコ
アが磁気的に飽和してしまい、磁気記録媒体を十分磁化
することができなくなることが知られている。

【０００６】現在、保磁力が１０００Ｏｅ以下の磁気記
録媒体に対応する磁気記録再生用機器にはフェライトヘ
ッドが広く用いられており、保磁力が１０００Ｏｅを越
える磁気記録媒体に対応する磁気記録再生用機器にはセ
ンダストヘッド、アモルファスヘッド、薄膜ヘッドなど
ヘッドコアの飽和磁束密度が高い材質のものが使用され
ている。

【０００７】更に、磁気記録媒体は、高密度記録時の再
生出力ができるだけ大きいことが必要であり、その為に
は垂直磁化膜は、できるだけ角型比が大きいことが要求
される。

【０００８】従来、磁気記録用垂直磁化膜としては、Ｃ
ｏＣｒ合金、ＣｏＰｔ合金等の合金膜、コバルトフェラ
イト等のスピネル型酸化物薄膜（特開昭５１−１１９９
９９号公報、特開昭６３−４７３５９号公報、特開平３
−１７８１３号公報、特開平３−１８８６０４号公報、
特開平４−１０５０９号公報、特開平５−１２７６５号
公報）及びバリウムフェライト等のマグネトプランバイ
ト型酸化物薄膜（特開昭６２−２６７９４９号公報）等
が提案されている。

【０００９】上掲の垂直磁化膜のうち、スピネル型酸化
物として最も代表的なコバルトフェライト（Ｃｏ_X Ｆｅ
_3-X Ｏ₄ ）膜は酸化物であることによって酸化に対して
安定であり、しかも、結晶磁気異方性が大きいものであ
るから垂直磁気記録媒体として有望とされている。

【００１０】周知の通り、コバルトフェライト（Ｃｏ_X
Ｆｅ_3-X Ｏ₄ ）膜の製造法としては、スパッタ法、真空
蒸着法、ＭＯＣＶＤ法等各種方法が知られている。

【００１１】近時、垂直磁化膜の配向性を向上させるた
めに、基体として単結晶を用いたり、垂直磁化膜と基体
との間に各種下地層を形成させることが行われており、
基体としてＭｇＯ単結晶を使用するもの（ＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓ．Ｍａｇ．ＭＡＧ−１２，Ｎｏ．６，７７３
（１９７６）、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇ．ＭＡＧ
−１４，Ｎｏ．５，９０６（１９７８）、Ｃｚｅｈｃ
ｈ．Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｂ２１，５６３（１９７１））、基
体としてＮａＣｌを使用するもの（Ｊ．Ｃｒｙ．Ｇｒｏ
ｗｔｈ．５０，８０１（１９８０）），下地膜としてＮ
ｉＯを使用するもの（特開平５−１６６１６７号公報）
等がある。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】耐酸化性や耐食性に優
れており、しかも、現在広く普及しているヘッドの磁気
飽和を回避できる適当な保磁力を有する垂直磁化膜は、
現在最も要求されているところであるが、これら諸特性
を十分満たすものは未だ得られていない。

【００１３】即ち、前出公知のコバルトフェライト（Ｃ
ｏ_X Ｆｅ_3-X Ｏ₄ ）膜の製造法のうち主として採用され
ているスパッタ法による場合には、一般にコバルトフェ
ライト（Ｃｏ_X Ｆｅ_3-X Ｏ₄ ）膜の垂直磁化容易軸は
〔１００〕軸であるにもかかわらず、ランダム配向した
り、（１１１）面が基体に平行に配向しやすい為、垂直
磁化膜を作成し難いという欠点がある。（４００）面が
基体に平行に優先配向したコバルトフェライト（Ｃｏ_X
Ｆｅ_3-X Ｏ₄ ）膜を得る方法として、例えば、第９回
日本応用磁気学会学術講演概要集２９ＰＢ−１０に記載
の方法、第１３回日本応用磁気学会学術講演概要集第
２４６頁に記載の方法及び特開平４−１０５０９号公
報に記載の方法が知られている。

【００１４】前出の方法は、酸素プラズマ中でＦｅ及
びＣｏをイオン化し５００℃に加熱したＭｇＡｌ₂Ｏ₄
基体又は石英ガラスに蒸着する方法であり、成膜時に真
空中で基体温度を５００℃以上の高温に保持する必要が
ある為生産性が悪く、しかも、基体温度を５００℃以上
にする為には基体自体の耐熱性が要求されるが、垂直磁
気記録媒体用の基体材料として現在汎用されているガラ
ス等の耐熱性は不十分であり、基体材料が制限される
等、工業的、経済的ではない。

【００１５】前出の方法は、プラズマ励起ＭＯ−ＣＶ
Ｄ法であり、成膜時に真空中に基体温度を３００〜４０
０℃に保持する必要がある為、生産性が悪く、工業的、
経済的ではない。

【００１６】また、前出の方法は、ＣｏとＦｅを２層
以上積層して金属多層膜を形成した後、酸素を含む雰囲
気中５００℃以上で熱処理するものであり、上述した通
り、高温を必要とする為、基体の材料が制限され、工業
的、経済的ではない。

【００１７】前出公知の下地膜としてＭｇＯ単結晶やＮ
ａＣｌを使用すれば、垂直磁化膜であるフェライトの
（４００）面を形成しやすいものではあるが、単結晶基
体は高価で割れ易く、大面積のものを得ることは困難で
あるため、実用的ではない。

【００１８】下地膜としてのＮｉＯ（２００）配向膜
は、室温でガラス基体上にスパッタ法により容易に形成
できるため、下地膜として用いるには実用的である。し
かしながら、前出特開平５−１６６１６７号公報に記載
の垂直磁化膜は、ＮｉＯ下地膜上にＣｏフェライトを形
成させることによって、（４００）面の結晶配向が促進
されたものではあるが、ＮｉＯ下地膜の（２００）面間
隔（２．０９Å）がＣｏ_X Ｆｅ_3-X Ｏ₄ の（４００）面
間隔（２．１０Å）よりも小さいため、磁性膜面内に圧
縮応力が働き、垂直異方性を減少させるという問題があ
る。

【００１９】この事実は、特開平３−１７８１３号公報
に記載されている通り、下地層の格子定数がフェライト
層の格子定数より大きい方がフェライト層の垂直磁気異
方性が大きくなるという現象から明らかである。

【００２０】また、ヨーロッパ特許出願公開公報０５８
６１４２ＡＩには、基体の表面上に作成されている（１
００）面が基体に平行に優先配向したＮｉＯ下地膜上に
形成された（４００）面が基板に平行に優先配向したＣ
ｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 薄膜であり、該薄膜中のＣｏとＦ
ｅの割合が０．１０：１〜０．３２：１の範囲であっ
て、前記（４００）面の面間隔が２．０８５以下であっ
て、当該膜の７００ｎｍにおける光吸収係数が２．５μ
ｍ^-1以下である垂直磁化膜が開示されている。

【００２１】ヨーロッパ特許出願公開公報０５８６１４
２ＡＩに開示の垂直磁化膜は、４０００Ｏｅ以上の保磁
力を有するものであり、その技術的課題は、耐酸化性や
耐食性に優れているとともに、保磁力が大きく、例え
ば、保磁力が４０００Ｏｅ以上であって、角形比が大き
く、短波長領域で大きなファラデー回転角を有し、しか
も、光吸収係数が小さい垂直磁化膜を提供することであ
る。

【００２２】そこで、本発明は、耐酸化性や耐食性に優
れており、しかも、適当な保磁力、殊に３０００Ｏｅ未
満の保磁力を有すると共に大きな角形比（反磁場補正し
た値）を有するスピネル型酸化物からなる垂直磁化膜を
５００℃未満のできるだけ低温で工業的、経済的に製造
することを技術的課題にする。

【００２３】

【課題を解決する為の手段】前記技術的課題は、次の通
りの本発明によって達成できる。

【００２４】即ち、本発明は、（４００）面が基体の表
面に平行に優先配向したＣｏ含有マグヘマイト薄膜であ
り、該Ｃｏ含有マグヘマイト薄膜中のＣｏがＦｅに対し
てモル比で０．０１以上、０．１０未満であって、（４
００）面の面間隔が２．０８２Å以下である垂直磁化膜
が、基体の表面上に作成されている（２００）面が基体
の表面に平行に優先配向したＮｉＯ下地膜上に形成され
ていることからなる磁気記録媒体及び（４００）面が基
体の表面に平行に優先配向したＣｏ及びＭｎを含有する
マグヘマイト薄膜であり、該Ｃｏ及びＭｎ含有マグヘマ
イト薄膜中のＣｏがＦｅに対してモル比で０．０１以
上、０．１０未満、ＭｎがＣｏに対してモル比で０．０
７〜０．３０であって、（４００）面の面間隔が２．０
８２Å以下である垂直磁化膜が、基体の表面上に作成さ
れている（２００）面が基体の表面に平行に優先配向し
たＮｉＯ下地膜上に形成されていることからなる磁気記
録媒体である。

【００２５】また、本発明は、（４００）面が基体の表
面に平行に優先配向したＣｏ含有マグネタイトからなる
単層膜又はマグネタイト層とＣｏＯ層とからなる多層膜
であって、該膜中のＣｏがＦｅに対してモル比で０．０
１以上、０．１０未満である単層膜又は多層膜を、基体
の表面上に作成されている（２００）面が基体の表面に
平行に優先配向したＮｉＯ下地膜上に形成し、次いで、
２４０〜４５０℃の温度範囲で熱処理することからなる
磁気記録媒体の製造法及び（４００）面が基体の表面に
平行に優先配向したＣｏ及びＭｎを含有するマグネタイ
トからなる単層膜又はマグネタイト層とＣｏ及びＭｎを
含む酸化物層とからなる多層膜であって、該膜中のＣｏ
がＦｅに対してモル比で０．０１以上、０．１０未満で
あって、ＭｎがＣｏに対してモル比で０．０７〜０．３
０である単層膜又は多層膜を、基体の表面上に作成され
ている（２００）面が基体の表面に平行に優先配向した
ＮｉＯ下地膜上に形成し、次いで、２４０〜４５０℃の
温度範囲で熱処理することからなる磁気記録媒体の製造
法である。

【００２６】次に、本発明実施にあたっての諸条件につ
いて述べる。

【００２７】本発明に係る垂直磁化膜は、基体の表面上
にＮｉＯ下地膜を介して形成されたＣｏ含有マグヘマイ
ト薄膜（マグヘマイト中にコバルト成分を含有している
薄膜を意味する。以下、同じ）であり、該薄膜の（４０
０）面が基体の表面に平行に優先配向し、その面間隔が
２．０８２Å以下であって、当該薄膜中のＣｏがＦｅに
対してモル比で０．０１以上、０．１０未満、好ましく
は、０．０１５〜０．０７５、より好ましくは、０．０
２〜０．０６である。そして、この薄膜の保磁力は３０
００Ｏｅより小さいものである。

【００２８】本発明における”優先配向”とは、Ｘ線回
折装置で測定した各面のピークの面積比により定義す
る。即ち、ＮｉＯ下地層においては、（１１１）面ピー
ク面積（Ｓ₍₁₁₁₎ ）に対する（２００）面ピーク面積
（Ｓ₍₂₀₀₎ ）の比が２以上〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ ≧２〕
であることを意味し、Ｃｏ含有マグヘマイト膜、Ｃｏ含
有マグネタイト膜、マグネタイト層とＣｏＯ層とからな
る多層膜、マグネタイト層とＣｏ及びＭｎを含む酸化物
層とからなる多層膜においては、（３１１）面ピーク面
積（Ｓ₍₃₁₁₎ ）に対する（４００）面ピーク面積（Ｓ
₍₄₀₀₎ ）の比が２以上〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ ≧２〕であ
ることを意味する。

【００２９】本発明におけるＣｏ含有マグヘマイト薄膜
とは、面間隔が２．０８２Å以下、好ましくは、２．０
６５〜２．０８２Åのものをいい、多層膜又はＣｏ含有
マグネタイト膜を構成するマグネタイト中のＦｅ²⁺が完
全にＦｅ³⁺に酸化されてγ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ となっているも
のはもちろん若干のＦｅ²⁺が残っているものもいう。

【００３０】磁化膜の（４００）面が基体の表面に平行
に優先配向していない場合、磁化膜の（４００）面の面
間隔が２．０８２Åを越える場合のいずれも垂直磁化膜
にならない。ＣｏがＦｅに対してモル比で０．０１未満
である場合にも垂直磁化膜にならない。（４００）面が
基体の表面に平行に優先配向したマグヘマイト薄膜を容
易に得ようとすれば０．０２以上であることが好まし
い。ＣｏがＦｅに対して０．１０を越える場合には、保
磁力が３０００Ｏｅを越える。また、（４００）面の面
間隔が２．０６５未満の場合には、保磁力が３０００Ｏ
ｅを越えることがある。

【００３１】本発明に係る垂直磁化膜の角形比（反磁場
補正したもの）は、０．８８以上、好ましくは０．９２
以上、より好ましくは０．９４以上である。

【００３２】本発明に係る垂直磁化膜は、必要により、
Ｃｏ含有グヘマイト薄膜中にＭｎを含有していてもよ
く、Ｍｎを含有していることにより、角型比（反磁場補
正したもの）が優れた垂直磁化膜、殊に、角型比が０．
９５以上の垂直磁化膜を得ることができる。

【００３３】Ｍｎ含有量はＣｏに対してモルで０．０７
〜０．３０、好ましくは、０．１０〜０．２０である。
Ｍｎ含有量がＣｏに対してモル比で０．０７未満の場合
には、垂直磁化膜の角型比を向上させることができな
い。角型比の大きさを考慮すれば、Ｍｎ量の上限値はＣ
ｏに対してモル比で０．３０、好ましくは０．２０であ
る。

【００３４】本発明に係る垂直磁化膜の保磁力が３００
０Ｏｅより大きい場合には、現在広く普及している磁気
ヘッドの磁気飽和を回避できなくなる。磁気ヘッドの磁
気飽和を考慮すれば保磁力が２５００Ｏｅ以下であるこ
とがより好ましい。

【００３５】本発明に係る垂直磁化膜は、基体の表面上
に下地膜を介して形成されたマグネタイトＦｅＯｘ・Ｆ
ｅ₂ Ｏ₃ （０＜ｘ≦１）単層膜又はマグネタイトＦｅＯ
ｘ・Ｆｅ₂ Ｏ₃ （０＜ｘ≦１）層とＣｏＯ層とからなる
多層膜であり、該単層膜又は多層膜の（４００）面が基
体の表面に平行に優先配向し、当該多層膜中のＣｏがＦ
ｅに対しモル比で０．０１以上、０．１０未満である単
層膜又は多層膜を２４０〜４５０℃で熱処理することに
よって製造される。

【００３６】本発明に係る垂直磁化膜は、必要により、
Ｃｏ含有マグヘマイト薄膜中にＭｎを含有していてもよ
く、製造にあたっては、ＣｏＯ層に代えて、Ｃｏ及びＭ
ｎを含む酸化物層を生成させた多層膜を形成し、次い
で、同様に熱処理をすればよい。

【００３７】本発明におけるマグネタイトＦｅＯｘ・Ｆ
ｅ₂ Ｏ₃ （０＜ｘ≦１）層とＣｏＯ層とからなる多層膜
は、酸素雰囲気中で金属ターゲット（Ｆｅターゲットと
Ｃｏ金属ターゲット）をスパッタする反応スパッタ法、
マグネタイトＦｅＯｘ・Ｆｅ₂ Ｏ₃ （０＜ｘ≦１）の焼
結ターゲットとＣｏを含む酸化物の焼結ターゲットの各
ターゲットにより直接酸化膜を形成する直接法、並びに
酸素雰囲気中で金属（ＦｅとＣｏからなる金属や合金）
を蒸着する反応蒸着のいずれの方法によっても得ること
ができる。また、反応スパッタ法において付着速度を上
げて同じ生成物を作りたい時には、酸素分圧を上げてや
ればよい。

【００３８】本発明において、Ｃｏ含有マグネタイトか
らなる単層膜又はマグヘマイト層とＣｏＯ層とからなる
多層膜を作成する時の酸素分圧を下げる程、得られるＣ
ｏ含有マグヘマイト薄膜の（４００）面の面間隔は、小
さくなる傾向がある。

【００３９】本発明における単層膜又は多層膜は、Ｃｏ
がＦｅに対しモル比で０．０１以上、０．１０未満であ
る。ＣｏがＦｅに対しモル比で０．０１未満の場合、
０．１０以上の場合のいずれの単層膜又は多層膜を用い
ても本発明の目的とする垂直磁化膜を得ることができな
い。

【００４０】本発明における多層膜は、ＮｉＯ下地膜上
にエピタキシャル成長するため、一周期の厚みを１３０
Å以上でも（４００）面が基体に平行に配向するので、
積層の操作回数を減らせることができ、工業的、経済的
に有利である。尚、ＮｉＯ下地膜のない場合には、垂直
磁化膜を得ようとすれば、一周期の厚みは１３０Å以下
にする必要があることを実験により確認している。

【００４１】本発明に係る垂直磁化膜は、基体の表面上
に下地層を介して形成されたマグネタイト層とＣｏＯ層
からなる多層膜であり、該多層膜の（４００）面が基体
の表面に平行に配向し、当該多層膜中のＣｏがＦｅに対
してモル比で０．０１以上、０．１未満である多層膜を
２４０〜４５０℃で熱処理することにより、基体上に下
地層を介して形成されたＣｏ含有マグネタイト単層膜で
あり、該単層膜の（４００）面が基体の表面に平行に配
向し、当該単層膜中のＣｏがＦｅに対してモル比で０．
０１以上、０．１未満である単層膜を２４０〜４５０℃
で熱処理することによって製造される。

【００４２】本発明に係る垂直磁化膜は、Ｃｏ含有マグ
ネタイトを熱処理する方法、マグネタイト層とＣｏＯ層
からなる多層膜を熱処理する方法のいずれの方法でも得
られるが、後者の方が生成時にお互いの結晶による成長
抑制を受けずに、それぞれ独立して成長できるため、よ
り（４００）配向させやすく、好ましいものと考えられ
る。

【００４３】本発明における多層膜の一周期の構成単位
は、マグネタイト層−ＣｏＯ層の２層からなるもので
も、マグネタイト層−ＣｏＯ層−マグネタイト層あるい
はＣｏＯ層−マグネタイト層−ＣｏＯ層の３層からなる
ものでもよい。また、形成する順番は、マグネタイト層
−ＣｏＯ層の２層からなるものでは、ＣｏＯ層、マグネ
タイト層のどちらが先でもよい。

【００４４】多層膜の１周期の厚みをいくらにしても、
目的とする垂直磁化膜は得られる。本発明者は、１周期
の厚みが１５００Åでも目的とする膜が得られることを
確認している。

【００４５】周期の数は１周期以上のいくらでもよく、
垂直磁化膜の厚みは、実用上５００〜３０００Åである
から、所望の厚みになるように周期の数を決めればよ
い。例えば、１５００Åの膜厚の膜を作る場合、１周期
の厚さを１５００Åにすれば、周期の数は１となり、１
周期の厚さを７５０Åとすれば２になる。

【００４６】ヨーロッパ特許出願公開公報０５８６１４
２ＡＩによれば、熱処理温度が２８０℃より低いか、あ
るいは、多層膜の１周期の厚さが８００Åを越えるとＣ
ｏのγ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ への拡散が不十分となり、垂直磁化
膜が得られ難くなるという記載があるが、本発明におい
てはＣｏのＦｅに対するモル比が低いため、Ｃｏのγ−
Ｆｅ₂ Ｏ₃ 中への拡散が容易になり、熱処理温度が２８
０℃より低くても、また、多層膜の１周期の厚さが８０
０Åを越えても、目的とする垂直磁化膜が得られる。

【００４７】本発明におけるＣｏ及びＭｎを含む酸化物
層を作成する場合は、酸素雰囲気中で金属ターゲット
（Ｃｏ金属、Ｍｎ金属、Ｃｏ−Ｍｎ合金又はＣｏ及びＭ
ｎの複合ターゲット）をスパッタする反応スパッタ法、
Ｃｏ及びＭｎを含む酸化物の焼結ターゲットにより直接
酸化膜を形成する直接法、並びに酸素雰囲気中で金属
（ＣｏとＭｎからなる金属や合金）を蒸着する反応蒸着
のいずれの方法によってもよい。

【００４８】本発明におけるマグネタイト単層膜又は多
層膜の熱処理温度は２４０〜４５０℃である。２４０℃
未満の場合には、マグネタイトＦｅＯｘ・Ｆｅ₂ Ｏ
₃ （０＜ｘ≦１）の酸化（γ化）やマグヘマイト薄膜へ
のＣｏやＭｎの拡散が充分ではなく、本発明の目的とす
る垂直磁化膜が得られない。４５０℃を越える場合に
は、マグヘマイトのα化が生起し始め、本発明の目的と
する垂直磁化膜が得られない。

【００４９】熱処理にあたり、例えば特開昭５７−５４
３０９号に記載されている通り、膜中にＣｕを含有させ
てマグネタイトＦｅＯｘ・Ｆｅ₂ Ｏ₃ （０＜ｘ≦１）の
酸化（γ化）温度を下げることが行われているが、本発
明においてもこの方法を実施することができ、同様の効
果を得ることができる。また、熱処理は、あらかじめマ
グネタイトＦｅＯｘ・Ｆｅ₂ Ｏ₃ （０＜ｘ≦１）の酸化
（γ化）を２００〜３２０℃で行なった後、次いで、２
４０〜４５０℃でＣｏやＭｎの拡散を行うという２段階
で行うこともでき、この場合には酸化（γ化）の際に生
じやすいクラックの発生を抑えることができる。

【００５０】本発明におけるＮｉＯ下地膜は、磁化膜の
（４００）面配向が十分に促進するためには、膜厚が８
００〜３０００Åが好ましく、より好ましくは１２００
〜２４００Åである。

【００５１】ＮｉＯ下地膜は、温度１００℃以下に保持
した基体上に酸素雰囲気中で金属（Ｎｉ）ターゲットを
スパッタする反応スパッタ法、Ｎｉを含む酸化物の焼結
ターゲットにより直接酸化膜を作成する直接法、並びに
酸素雰囲気中で金属（Ｎｉ）を蒸着する反応蒸着法のい
ずれの方法によっても作成することができる。基体の温
度が１００℃を越えると（２００）面が基体の表面に平
行に配向しにくくなる。基体の温度は、１００℃以下で
あればよく、この範囲内であれば低い温度の方が好まし
い。

【００５２】本発明における基体は、ガラス等の汎用さ
れている基体材料を使用することができる。

【００５３】

【作用】本発明において最も重要な点は、本発明に係る
垂直磁化膜は、基体上に（２００）面が基体の表面に平
行に優先配向したＮｉＯ下地層を形成し、その上に（４
００）面が基体の表面に平行に優先配向したＣｏ含有マ
グネタイト単層膜、あるいは、マグネタイトＦｅＯｘ・
Ｆｅ₂ Ｏ₃ （０＜ｘ≦１）層とＣｏＯ層との多層膜であ
って、当該膜中のＣｏがＦｅに対しモル比で０．０１以
上、０．１０未満である単層膜又は多層膜を形成し、次
いで、得られた単層膜あるいは多層膜を２４０〜４５０
℃で熱処理することによって得られ、このようにして得
られた垂直磁化膜は、３０００Ｏｅ未満の保磁力を有す
るとともに、大きな角形比（反磁場補正した値）、例え
ば、０．８８以上を示し、且つ、耐酸化性や耐食性に優
れているという事実である。

【００５４】本発明に係る垂直磁化膜がＮｉＯ下地層を
使用しているにもかかわらず、垂直異方性が大きい理由
について、本発明者は、Ｃｏ含有マグヘマイト薄膜の
（４００）面の面間隔がＮｉＯ下地膜の（２００）面の
面間隔である２．０９Åに比べ、２．０８２Å以下、殊
に、２．０６５〜２．０８２Åと小さく、その結果、磁
性膜面内に引っ張り応力が働くためであると考えてい
る。

【００５５】本発明に係る垂直磁化膜が、適当な保磁
力、殊に３０００Ｏｅより小さい保磁力が得られる理由
について、本発明者は、Ｃｏ含有マグヘマイト薄膜中の
ＣｏがＦｅに対してモル比で０．０１以上、０．１０未
満であってもＮｉＯの下地膜がない場合、ＮｉＯ下地膜
を介して生成されたＣｏ含有マグヘマイト薄膜であって
も当該膜中のＣｏがＦｅに対してモル比で０．１０以上
の場合のいずれも保磁力が３０００Ｏｅ未満とならない
ことから、ＮｉＯ下地膜を介してＣｏ含有マグヘマイト
薄膜が生成されていることと磁性膜中のＣｏがＦｅに対
してモル比で０．０１以上、０．１０未満であることと
の相乗効果によるものと考えている。

【００５６】また、ＮｉＯ下地膜を介して生成されたＣ
ｏ含有マグヘマイト薄膜のＣｏがＦｅに対して０．０１
以上、０．１０未満である場合でも、当該薄膜の（４０
０）面の面間隔が２．０６５未満になると保磁力が３０
００Ｏｅ以上になることから、本発明者は、Ｃｏ含有マ
グヘマイト薄膜の（４００）面の面間隔も保磁力の値に
影響しているものと考えている。

【００５７】Ｆｅ₃ Ｏ₄ からγ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ へ変化する
際、結晶形態の変化はほとんど伴わない。即ち、Ｆｅ₃
Ｏ₄ は格子定数が８．３９６７Åのｃｕｂｉｃ ｓｐｉ
ｎｅｌであり（Ｒｅｆ．Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｒｅａ
ｕ ｏｆ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ，Ｍｏｎｏｇｒａｐｈ
２５，Ｓｅｃ．５，３１（１９６７）．）、γ−Ｆｅ₂
Ｏ₃ も格子定数が８．３５０Åのｃｕｂｉｃ ｓｐｉｎ
ｅｌである（Ｒｅｆ．Ｈａｕｌ ａｎｄ Ｓｈｏｏｎ，
Ｚ．ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍｉｅ，４４ ２１６−２２６
（１９３９）．）。Ｃｕｂｉｃの結晶形では（４００）
面と（０４０）面と（００４）面は等価であるため、Ｘ
線回折のスペクトルにおいてこれらの面のピークはすべ
て同じ位置に現れる。従って、本発明においては、これ
らの面は、すべて（４００）面と記載する。

【００５８】ＮｉＯの結晶もＣｕｂｉｃ型であり、従っ
て、（２００）面と（０２０）面と（００２）面とは等
価であるため、これらの面はいずれも（２００）面と記
載する。

【００５９】尚、本発明に係る垂直磁化膜の面間隔が小
さいのは、基体の収縮等によるものではなく、膜自体に
よるものであることは、本発明に係る垂直磁化膜と同じ
ガラス基体上に（２２２）面が基体に平行に配向したＦ
ｅ₃ Ｏ₄ 単層膜（２０００Å）を作成した後酸化（γ
化）した膜の（２２２）面の面間隔がバルクの値２．４
０８Åとほぼ同等の２．４０７Åであったことにより確
認している。

【００６０】本発明における多層膜は、基体上に（２０
０）面が基体の表面に平行に優先配向したＮｉＯ下地膜
を介して形成されることによって、一周期の厚みを厚く
することができる。

【００６１】この理由について、本発明者は、ＮｉＯ下
地膜に対してマグネタイト層とＣｏＯ層又はＣｏ及びＭ
ｎを含む酸化物層とがエピタキシャルな結晶成長をして
いる為と考えている。

【００６２】本発明の垂直磁化膜の磁気特性は、保磁力
が３０００Ｏｅ未満、好ましくは、２５００Ｏｅ以下、
より好ましくは、１０００Ｏｅ以上；飽和磁化値が２８
０ｅｍｕ／ｃｍ³ 以上、好ましくは３００ｅｍｕ／ｃｍ
³ 以上、より好ましくは３１０ｅｍｕ／ｃｍ³ 以上；角
形比が０．３３以上、好ましくは０．４０以上；反磁場
補正した角形比が０．８８以上、好ましくは０．９２以
上、より好ましくは０．９４以上；垂直異方性磁場が５
０００Ｏｅ以上、好ましくは６０００Ｏｅ以上である。

【００６３】

【実施例】次に、実施例並びに比較例により本発明を説
明する。

【００６４】尚、以下の実施例並びに比較例における垂
直磁化膜の磁気特性は、「振動試料型磁力計ＶＳＭ−３
Ｓ−１５」（東英工業（株）製）を用いて測定した値で
示した。

【００６５】薄膜のＸ線回折スペクトルは、Ｘ線回折装
置ＲＡＤ−２Ａ（理学電機（株）製）で測定した。測定
条件は、使用管球：Ｆｅ、管電圧：４０ｋＶ、管電流：
２０ｍＡ、ゴニオメーター：広角ゴニオメーター、サン
プリング幅：０．０１０°、走査速度：１．０００°／
ｍｉｎ、発散スリット：１°、散乱スリット：１°、受
光スリット：０．３０ｍｍで、回折角（２θ）が４０．
００°から６０．００°の領域を測定した。

【００６６】ＮｉＯ下地層とＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ か
らなる本発明の膜のＸ線回折スペクトルにおいて、Ｃｏ
含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ の（４００）面のピーク位置と、Ｎ
ｉＯの（２００）面のピーク位置とが非常に近いため、
この２つのピークが重なってしまう。従って、Ｃｏ含有
γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ の（４００）面のピークの面積を求める
ためには、本発明の膜のＸ線回折スペクトルのＣｏ含有
γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ の（４００）面とＮｉＯの（２００）面
からなるピークの面積からＮｉＯの（２００）面のピー
クの面積を引く必要がある。

【００６７】ここで、ＮｉＯの（２００）面のピークの
面積は、以下の２つの方法で求めたが、どちらの方法を
用いてもほぼ同じ値が得られた。

【００６８】方法１ ＮｉＯ層を作成した時点で、この層のＸ線回折スペクト
ルを測定し、（２００）面のピークの面積を求める。

【００６９】方法２ ＮｉＯ下地層とＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ からなる本発明
の膜を８０℃の濃塩酸に３０秒浸けた後、取り出し、水
洗、乾燥させる。Ｃｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ に比べＮｉＯ
が酸に溶け難いため、この処理でＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ
₃ のみを除去することができる。こうして得られた膜の
Ｘ線回折スペクトルを測定し、ＮｉＯの（２００）面の
ピークの面積を求める。

【００７０】また、Ｃｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ の（４０
０）面の面間隔は、本発明の膜のＸ線回折スペクトルか
ら、上記方法で測定したＮｉＯ下地層のＸ線回折スペク
トルを演算処理（ＲＩＮＴ製）により除去し、得られた
Ｃｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ のＸ線回折スペクトルの（４０
０）面のピーク位置から求めた。また、この方法で得ら
れたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ のＸ線回折スペクトルから
（４００）面のピークの面積を求めてもよい。

【００７１】実施例１ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
室温でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒｒ、
全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲気中
で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして４０
Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型ＮｉＯ膜
を１０００Åの厚みで形成した。

【００７２】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークの面積と（１１１）面の
ピークの面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は５であ
り、（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配向
していた。

【００７３】更に、この上に２００℃でスピネル型Ｆｅ
₃ Ｏ₄ 膜の厚みを１５８Å、ＮａＣｌ型ＣｏＯ膜の厚み
を２Å（ＣｏがＦｅに対してモル比で０．０２に該当す
る。）として１周期の厚みを１６０Åとし、この操作を
交互に２４回繰り返して、Ｆｅ₃ Ｏ₄ 層とＣｏＯ膜のそ
れぞれを１２層として多層膜を得た。

【００７４】得られた多層膜は、Ｘ線回折スペクトル測
定の結果、（４００）面のピークの面積と（３１１）面
のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ 〕の値は８で
あり、（４００）面が基体の表面に対して平行に優先配
向していた。

【００７５】得られた多層膜を３３０℃で２時間大気中
で熱処理をして、ＮｉＯ膜を下地層とするＣｏ含有γ−
Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成した。

【００７６】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピークの
面積と（３１１）面のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ
_{(311 )} 〕の値は５であり、（４００）面が基体の表面に
対して平行に優先配向しており、（４００）面の面間隔
は２．０７５Åであった。このＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃
膜の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜であることが
認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特性は、飽和
磁化値が３４０ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が１１５０Ｏ
ｅ、角型比が０．３７（反磁場補正した値は０．９
２）、垂直異方性磁場５２００Ｏｅであり、良好な垂直
磁化膜であることが認められる。

【００７７】実施例２ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
室温でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒｒ、
全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲気中
で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして４０
Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型ＮｉＯ膜
を２０００Åの厚みで形成した。

【００７８】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークの面積と（１１１）面の
ピークの面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は２０で
あり、（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配
向していた。

【００７９】更に、この上に２００℃でスピネル型Ｆｅ
₃ Ｏ₄ 膜の厚みを４００Å、ＮａＣｌ型ＣｏＯ膜の厚み
を８Å（ＣｏがＦｅに対してモル比で０．０３に該当す
る。）として１周期の厚みを４０８Åとし、この操作を
交互に１２回繰り返して、Ｆｅ₃ Ｏ₄ 層とＣｏＯ膜のそ
れぞれを６層として多層膜を得た。

【００８０】得られた多層膜は、Ｘ線回折スペクトル測
定の結果、（４００）面のピークの面積と（３１１）面
のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ 〕の値は８で
あり、（４００）面が基体の表面に対して平行に優先配
向していた。

【００８１】得られた多層膜を３３０℃で２時間大気中
で熱処理をして、ＮｉＯ膜を下地層とするＣｏ含有γ−
Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成した。

【００８２】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピークの
面積と（３１１）面のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ
₍₃₁₁₎ 〕の値は５であり、（４００）面が基体の表面に
対して平行に優先配向しており、（４００）面の面間隔
は２．０７２Åであった。このＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃
膜の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜であることが
認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特性は、飽和
磁化値が３３５ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が２０００Ｏ
ｅ、角型比が０．６５（反磁場補正した値は０．９
３）、垂直異方性磁場７８００Ｏｅであり、良好な垂直
磁化膜であることが認められる。

【００８３】実施例３ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
室温でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒｒ、
全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲気中
で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして４０
Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型ＮｉＯ膜
を２０００Åの厚みで形成した。

【００８４】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークの面積と（１１１）面の
ピークの面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は１０で
あり、（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配
向していた。

【００８５】更に、この上に２００℃でスピネル型Ｆｅ
₃ Ｏ₄ 膜の厚みを３００Å、ＮａＣｌ型ＣｏＯ膜の厚み
を１４Å（ＣｏがＦｅに対してモル比で０．０７に該当
する。）として１周期の厚みを３１４Åとし、この操作
を交互に８回繰り返して、Ｆｅ₃ Ｏ₄ 層とＣｏＯ膜のそ
れぞれを４層として多層膜を得た。

【００８６】得られた多層膜は、Ｘ線回折スペクトル測
定の結果、（４００）面のピークの面積と（３１１）面
のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ 〕の値は１４
であり、（４００）面が基体の表面に対して平行に優先
配向していた。

【００８７】得られた多層膜を３５０℃で２時間大気中
で熱処理をして、ＮｉＯ膜を下地層とするＣｏ含有γ−
Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成した。

【００８８】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピークの
面積と（３１１）面のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ
₍₃₁₁₎ 〕の値は１０であり、（４００）面が基体に対し
て平行に優先配向しており、（４００）面の面間隔は
２．０８２Åであった。このＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜
の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜であることが認
められた。また、この垂直磁化膜の磁気特性は、飽和磁
化値が３２５ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が２９００Ｏ
ｅ、角型比が０．８０（反磁場補正した値は０．９
４）、垂直異方性磁場１００００Ｏｅであり、良好な垂
直磁化膜であることが認められる。

【００８９】実施例４ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
室温でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒｒ、
全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲気中
で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして４０
Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型ＮｉＯ膜
を１０００Åの厚みで形成した。

【００９０】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークの面積と（１１１）面の
ピークの面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は１０で
あり、（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配
向していた。

【００９１】更に、この上に２５０℃でスピネル型Ｆｅ
₃ Ｏ₄ 膜の厚みを２６０Å、Ｃｏ及びＭｎを含む酸化物
（ＭｎがＣｏに対してモル比で０．２４に該当する。）
膜を４Åの厚みで１周期形成した。１周期の厚みは２６
４Åであり、ＣｏがＦｅに対してモル比で０．０２であ
った。この操作を交互に２０回繰り返して、２６０Åの
厚みのＦｅ₃ Ｏ₄ 層と４Åの厚みのＣｏ及びＭｎを含む
酸化物層のそれぞれを１０層として多層膜を得た。

【００９２】得られた多層膜は、Ｘ線回折スペクトル測
定の結果、（４００）面のピークの面積と（３１１）面
のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ 〕の値は６で
あり、（４００）面が基体の表面に対して平行に優先配
向していた。

【００９３】得られた多層膜を３５０℃で１時間大気中
で熱処理をして、ＮｉＯ膜を下地層とするＣｏ−Ｍｎ含
有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成した。

【００９４】得られたＣｏ−Ｍｎ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜
は、Ｘ線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピ
ークの面積と（３１１）面のピークの面積の比〔Ｓ
₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ 〕の値は４であり、（４００）面が基
体の表面に対して平行に優先配向しており、（４００）
面の面間隔は２．０７２Åであった。このＣｏ含有γ−
Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜で
あることが認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特
性は、飽和磁化値が３３０ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が
１４５０Ｏｅ、角型比が０．４７（反磁場補正した値は
０．９５）、垂直異方性磁場６２００Ｏｅであり、良好
な垂直磁化膜であることが認められる。

【００９５】実施例５ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
室温でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒｒ、
全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲気中
で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして４０
Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型ＮｉＯ膜
を１０００Åの厚みで形成した。

【００９６】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークの面積と（１１１）面の
ピークの面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は４であ
り、（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配向
していた。

【００９７】更に、この上に２００℃でスピネル型Ｆｅ
₃ Ｏ₄ 膜の厚みを３００Å、Ｃｏ及びＭｎを含む酸化物
（ＭｎがＣｏに対してモル比で０．１０に該当する。）
膜を４Åの厚みで形成し、１周期とした。１周期の厚み
は３０４Åであり、ＣｏがＦｅに対してモル比で０．０
２であった。この操作を交互に２０回繰り返して、３０
０Åの厚みのＦｅ₃ Ｏ₄ 層と４Åの厚みのＣｏ及びＭｎ
を含む酸化物層のそれぞれを１０層として多層膜を得
た。

【００９８】得られた多層膜は、Ｘ線回折スペクトル測
定の結果、（４００）面のピークの面積と（３１１）面
のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ 〕の値は９で
あり、（４００）面が基体の表面に対して平行に優先配
向していた。

【００９９】得られた多層膜を３５０℃で１時間大気中
で熱処理をして、ＮｉＯ膜を下地層とするＣｏ−Ｍｎ含
有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成した。

【０１００】得られたＣｏ−Ｍｎ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜
は、Ｘ線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピ
ークの面積と（３１１）面のピークの面積の比〔Ｓ
₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ 〕の値は７であり、（４００）面が基
体の表面に対して平行に優先配向しており、（４００）
面の面間隔は２．０６９Åであった。このＣｏ含有γ−
Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜で
あることが認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特
性は、飽和磁化値が３３５ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が
１５００Ｏｅ、角型比が０．４６（反磁場補正した値は
０．９６）、垂直異方性磁場６１００Ｏｅであり、良好
な垂直磁化膜であることが認められる。

【０１０１】実施例６ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
室温でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒｒ、
全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲気中
で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして４０
Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型ＮｉＯ膜
を１０００Åの厚みで形成した。

【０１０２】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークの面積と（１１１）面の
ピークの面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は６であ
り、（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配向
していた。

【０１０３】更に、この上に２００℃でスピネル型Ｆｅ
₃ Ｏ₄ 膜の厚みを２８０Å、ＮａＣｌ型ＣｏＯ膜の厚み
を４Å（ＣｏがＦｅに対してモル比で０．０２３に該当
する。）として１周期の厚みを２８４Åとし、この操作
を交互に６回繰り返して、Ｆｅ₃ Ｏ₄ 層とＣｏＯ膜のそ
れぞれを３層として多層膜を得た。

【０１０４】得られた多層膜は、Ｘ線回折スペクトル測
定の結果、（４００）面のピークの面積と（３１１）面
のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ 〕の値は４で
あり、（４００）面が基体の表面に対して平行に優先配
向していた。

【０１０５】得られた多層膜を３３０℃で２時間大気中
で熱処理をして、ＮｉＯ膜を下地層とするＣｏ含有γ−
Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成した。

【０１０６】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピークの
面積と（３１１）面のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ
₍₃₁₁₎ 〕の値は３であり、（４００）面が基体の表面に
対して平行に優先配向しており、（４００）面の面間隔
は２．０７０Åであった。このＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃
膜の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜であることが
認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特性は、飽和
磁化値が３３０ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が２９８０Ｏ
ｅ、角型比が０．７９（反磁場補正した値は０．９
０）、垂直異方性磁場１１０００Ｏｅであり、良好な垂
直磁化膜であることが認められる。

【０１０７】実施例７ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
室温でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒｒ、
全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲気中
で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして４０
Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型ＮｉＯ膜
を１０００Åの厚みで形成した。

【０１０８】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークの面積と（１１１）面の
ピークの面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は２０で
あり、（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配
向していた。

【０１０９】更に、この上に１５０℃でスピネル型Ｆｅ
₃ Ｏ₄ 膜の厚みを３００Å、ＮａＣｌ型ＣｏＯ膜の厚み
を４Å（ＣｏがＦｅに対してモル比で０．０２に該当す
る。）として１周期の厚みを３０４Åとし、この操作を
交互に８回繰り返して、Ｆｅ₃ Ｏ₄ 層とＣｏＯ膜のそれ
ぞれを４層として多層膜を得た。

【０１１０】得られた多層膜は、Ｘ線回折スペクトル測
定の結果、（４００）面のピークのみで（３１１）面の
ピークは無く、（４００）面が基体の表面に対して平行
に優先配向していた。

【０１１１】得られた多層膜を３００℃で２時間大気中
で熱処理をして、ＮｉＯ膜を下地層とするＣｏ含有γ−
Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成した。

【０１１２】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピークの
みで（３１１）面のピークは無く、（４００）面が基体
の表面に対して平行に優先配向しており、（４００）面
の面間隔は２．０７２Åであった。このＣｏ含有γ−Ｆ
ｅ₂ Ｏ₃ 膜の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜であ
ることが認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特性
は、飽和磁化値が３４０ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が１
７００Ｏｅ、角型比が０．５６（反磁場補正した値は
０．９５）、垂直異方性磁場７０００Ｏｅであり、良好
な垂直磁化膜であることが認められる。

【０１１３】実施例８ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
室温でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒｒ、
全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲気中
で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして４０
Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型ＮｉＯ膜
を１０００Åの厚みで形成した。

【０１１４】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークのみで（１１１）面は無
く、（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配向
していた。

【０１１５】更に、この上に２００℃でスピネル型Ｆｅ
₃ Ｏ₄ 膜の厚みを１３００Å、ＮａＣｌ型ＣｏＯ膜の厚
みを１６Å（ＣｏがＦｅに対してモル比で０．０１８に
該当する。）として１周期の厚みを１３１６Åとし、こ
の操作を交互に２回繰り返して、Ｆｅ₃ Ｏ₄ 層とＣｏＯ
膜のそれぞれを１層として多層膜を得た。

【０１１６】得られた多層膜は、Ｘ線回折スペクトル測
定の結果、（４００）面のピークの面積と（３１１）面
のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ 〕の値は９で
あり、（４００）面が基体の表面に対して平行に優先配
向していた。

【０１１７】得られた多層膜を３３０℃で２時間大気中
で熱処理をして、ＮｉＯ膜を下地層とするＣｏ含有γ−
Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成した。

【０１１８】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピークの
面積と（３１１）面のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ
₍₃₁₁₎ 〕の値は６であり、（４００）面が基体の表面に
対して平行に優先配向しており、（４００）面の面間隔
は２．０７２Åであった。このＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃
膜の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜であることが
認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特性は、飽和
磁化値が３３０ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が１６２０Ｏ
ｅ、角型比が０．５５（反磁場補正した値は０．９
２）、垂直異方性磁場６８００Ｏｅであり、良好な垂直
磁化膜であることが認められる。

【０１１９】実施例９ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
室温でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒｒ、
全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲気中
で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして４０
Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型ＮｉＯ膜
を１０００Åの厚みで形成した。

【０１２０】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークの面積と（１１１）面の
ピークの面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は４０で
あり、（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配
向していた。

【０１２１】更に、この上に２００℃でスピネル型Ｆｅ
₃ Ｏ₄ 膜の厚みを８０Å、ＮａＣｌ型ＣｏＯ膜の厚みを
１Å（ＣｏがＦｅに対してモル比で０．０２に該当す
る。）として１周期の厚みを８１Åとし、この操作を交
互に２０回繰り返して、Ｆｅ₃Ｏ₄ 層とＣｏＯ膜のそれ
ぞれを１０層として多層膜を得た。

【０１２２】得られた多層膜は、Ｘ線回折スペクトル測
定の結果、（４００）面のピークの面積と（３１１）面
のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ 〕の値は１０
であり、（４００）面が基体の表面に対して平行に優先
配向していた。

【０１２３】得られた多層膜を２４０℃で３時間大気中
で熱処理をして、ＮｉＯ膜を下地層とするＣｏ含有γ−
Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成した。

【０１２４】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピークの
面積と（３１１）面のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ
₍₃₁₁₎ 〕の値は８であり、（４００）面が基体の表面に
対して平行に優先配向しており、（４００）面の面間隔
は２．０７２Åであった。このＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃
膜の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜であることが
認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特性は、飽和
磁化値が３３０ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が１６２０Ｏ
ｅ、角型比が０．５１（反磁場補正した値は０．９
０）、垂直異方性磁場６０００Ｏｅであり、良好な垂直
磁化膜であることが認められる。

【０１２５】実施例１０ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
８０℃でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒ
ｒ、全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲
気中で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして
４０Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型Ｎｉ
Ｏ膜を１０００Åの厚みで形成した。

【０１２６】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークの面積と（１１１）面の
ピークの面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は３であ
り、（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配向
していた。

【０１２７】更に、２００℃でこの上に、酸素分圧０．
１０ｍＴｏｒｒ、全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素と
からなる雰囲気中で、Ｆｅ−Ｃｏ合金ターゲットをスパ
ッタリングして４０Å／分の付着速度で、１０００Åの
厚さのＣｏ含有Ｆｅ₃ Ｏ₄ 単層膜（組成分析の結果、Ｃ
ｏがＦｅに対してモル比で０．０２であった。）を形成
した。尚、成膜時の投入電力は３００Ｗとした。

【０１２８】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピークの
面積と（３１１）面のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ
₍₃₁₁₎ 〕の値は３であり、（４００）面が基体の表面に
対して平行に優先配向していた。

【０１２９】得られた上記単層層膜を３３０℃で２時間
大気中で熱処理をして、ＮｉＯ膜を下地層とするＣｏ含
有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成した。

【０１３０】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピークの
面積と（３１１）面のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ
₍₃₁₁₎ 〕の値は２．５であり、（４００）面が基体の表
面に対して平行に優先配向しており、（４００）面の面
間隔は２．０７２Åであった。このＣｏ含有γ−Ｆｅ₂
Ｏ₃ 膜の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜であるこ
とが認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特性は、
飽和磁化値が３００ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が１７０
０Ｏｅ、角型比が０．５５（反磁場補正した値は０．８
９）、垂直異方性磁場７０００Ｏｅであり、良好な垂直
磁化膜であることが認められる。

【０１３１】比較例１ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
２００℃に保持したガラス基体上に、酸素分圧０．１１
ｍＴｏｒｒ、全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とから
なる雰囲気中で、金属（Ｆｅ）ターゲットをスパッタリ
ングして４０Å／分の付着速度で、第１層としてスピネ
ル型Ｆｅ₃ Ｏ₄ 膜を６２Åの厚みで形成した。

【０１３２】次に、シャッターを回転し、金属（Ｃｏ）
ターゲットをスパッタリングして４２Å／分の付着速度
で第２層としてＮａＣｌ型ＣｏＯ膜を４Åの厚みで形成
して１周期とした。

【０１３３】１周期の厚みは、６６Åであり、ＣｏがＦ
ｅに対してモル比で０．０９であった。この操作を交互
に１００回繰り返して、Ｆｅ₃ Ｏ₄ 層とＣｏＯ膜のそれ
ぞれを５０層として多層膜を得た。

【０１３４】得られた多層膜は、Ｘ線回折スペクトル測
定の結果、（４００）面のピークの面積と（３１１）面
のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ 〕の値は５で
あり、（４００）面が基体に対して平行に優先配向して
いた。

【０１３５】得られた多層膜を３５０℃で２時間大気中
で熱処理をして、Ｃｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成し
た。

【０１３６】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面が基体に対
して平行に優先配向しており、（４００）面の面間隔は
２．０７７Åであった。このＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜
の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜であることが認
められた。また、この垂直磁化膜の磁気特性は、飽和磁
化値が３４０ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が５３００Ｏ
ｅ、角型比が０．８１（反磁場補正した値は０．９１）
であり、良好な垂直磁化膜であることが認められる。

【０１３７】比較例２ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
室温でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒｒ、
全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲気中
で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして４０
Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型ＮｉＯ膜
を２０００Åの厚みで形成した。

【０１３８】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピーク面積と（１１１）面のピ
ーク面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は８であり、
（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配向して
いた。

【０１３９】この上に４５０℃で膜厚０．１７μｍのコ
バルトフェライト単層膜を作成した。

【０１４０】得られたコバルトフェライト膜は、Ｘ線回
折スペクトル測定の結果、（４００）面が基体の表面に
対して平行に優先配向しており、（４００）面の面間隔
は２．１０６Åであった。このコバルトフェライト膜の
磁気特性は、飽和磁化値が２６０ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁
力値が１５００Ｏｅ、角型比が０．３０（反磁場補正し
た値は０．８４）、垂直異方性磁場４０００Ｏｅであっ
た。

【０１４１】比較例３ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
１２０℃でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒ
ｒ、全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲
気中で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして
４０Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型Ｎｉ
Ｏ膜を１０００Åの厚みで形成した。

【０１４２】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークの面積と（１１１）面の
ピークの面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は１であ
った。

【０１４３】更に、この上に２００℃でスピネル型Ｆｅ
₃ Ｏ₄ 膜の厚みを１５８Å、ＮａＣｌ型ＣｏＯ膜の厚み
を２Å（ＣｏがＦｅに対してモル比で０．０２に該当す
る。）として１周期の厚みを１６０Åとし、この操作を
交互に１６回繰り返して、Ｆｅ₃ Ｏ₄ 層とＣｏＯ膜のそ
れぞれを８層として多層膜を得た。

【０１４４】得られた多層膜は、Ｘ線回折スペクトル測
定の結果、（４００）面のピークの面積と（３１１）面
のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ 〕の値は１．
５であった。

【０１４５】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピークの
面積と（３１１）面のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ
₍₃₁₁₎ 〕の値は１であり、（４００）面の面間隔は２．
０７５Åであった。このＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜の磁
化曲線を観察した結果、保磁力及び残留磁化とも面内の
方が大きく、垂直磁化膜ではなかった。

【０１４６】比較例４ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
室温でガラス基体上に、酸素分圧０．１０ｍＴｏｒｒ、
全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲気中
で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして４０
Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型ＮｉＯ膜
を１０００Åの厚みで形成した。

【０１４７】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークの面積と（１１１）面の
ピークの面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は８であ
り、（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配向
していた。

【０１４８】更に、この上に２００℃でスピネル型Ｆｅ
₃ Ｏ₄ 膜の厚みを２４０Å、ＮａＣｌ型ＣｏＯ膜の厚み
を２Å（ＣｏがＦｅに対してモル比で０．０１２に該当
する。）として１周期の厚みを２４２Åとし、この操作
を交互に１０回繰り返して、Ｆｅ₃ Ｏ₄ 層とＣｏＯ膜の
それぞれを５層として多層膜を得た。

【０１４９】得られた多層膜を３３０℃で２時間大気中
で熱処理をして、ＮｉＯ膜を下地層とするＣｏ含有γ−
Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成した。

【０１５０】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピークの
面積と（３１１）面のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ
₍₃₁₁₎ 〕の値は５であり、（４００）面が基体の表面に
対して平行に優先配向しており、（４００）面の面間隔
は２．０６４Åであった。このＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃
膜の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜であることが
認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特性は、飽和
磁化値が３３０ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が３３００Ｏ
ｅ、角型比が０．８２（反磁場補正した値は０．９
２）、垂直異方性磁場１１０００Ｏｅであった。

【０１５１】比較例５ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
室温でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒｒ、
全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲気中
で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして４０
Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型ＮｉＯ膜
を１０００Åの厚みで形成した。

【０１５２】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークの面積と（１１１）面の
ピークの面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は６であ
り、（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配向
していた。

【０１５３】更に、この上に２００℃でスピネル型Ｆｅ
₃ Ｏ₄ 膜の厚みを２８０Å、ＮａＣｌ型ＣｏＯ膜の厚み
を２０Å（ＣｏがＦｅに対してモル比で０．１０７に該
当する。）として１周期の厚みを３００Åとし、この操
作を交互に６回繰り返して、Ｆｅ₃ Ｏ₄ 層とＣｏＯ膜の
それぞれを３層として多層膜を得た。

【０１５４】得られた多層膜は、Ｘ線回折スペクトル測
定の結果、（４００）面のピークの面積と（３１１）面
のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ₍₃₁₁₎ 〕の値は４で
あり、（４００）面が基体の表面に対して平行に優先配
向していた。

【０１５５】得られた多層膜を３３０℃で２時間大気中
で熱処理をして、ＮｉＯ膜を下地層とするＣｏ含有γ−
Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成した。

【０１５６】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピークの
面積と（３１１）面のピークの面積の比〔Ｓ₍₄₀₀₎ ／Ｓ
₍₃₁₁₎ 〕の値は３であり、（４００）面が基体の表面に
対して平行に優先配向しており、（４００）面の面間隔
は２．０７８Åであった。このＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃
膜の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜であることが
認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特性は、飽和
磁化値が３３０ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が４６００Ｏ
ｅ、角型比が０．８６（反磁場補正した値は０．９
４）、垂直異方性磁場１８０００Ｏｅであった。

【０１５７】比較例６ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基体とターゲットとの間の距離を８０ｍｍに設定して、
室温でガラス基体上に、酸素分圧０．１１ｍＴｏｒｒ、
全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素とからなる雰囲気中
で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリングして４０
Å／分の付着速度で、下地層としてＮａＣｌ型ＮｉＯ膜
を１０００Åの厚みで形成した。

【０１５８】このＮｉＯ膜は、Ｘ線回折スペクトル測定
の結果、（２００）面のピークの面積と（１１１）面の
ピークの面積の比〔Ｓ₍₂₀₀₎ ／Ｓ₍₁₁₁₎ 〕の値は２０で
あり、（２００）面が基体の表面に対して平行に優先配
向していた。

【０１５９】更に、この上に１５０℃でスピネル型Ｆｅ
₃ Ｏ₄ 膜の厚みを３２０Å、ＮａＣｌ型ＣｏＯ膜の厚み
を２Å（ＣｏがＦｅに対してモル比で０．００９に該当
する。）として１周期の厚みを３２２Åとし、この操作
を交互に８回繰り返して、Ｆｅ₃ Ｏ₄ 層とＣｏＯ膜のそ
れぞれを４層として多層膜を得た。

【０１６０】得られた多層膜は、Ｘ線回折スペクトル測
定の結果、（４００）面のピークのみで（３１１）面の
ピークは無く、（４００）面が基体の表面に対して平行
に優先配向していた。

【０１６１】得られた多層膜を３００℃で２時間大気中
で熱処理をして、ＮｉＯ膜を下地層とするＣｏ含有γ−
Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜を作成した。

【０１６２】得られたＣｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 膜は、Ｘ
線回折スペクトル測定の結果、（４００）面のピークの
みで（３１１）面のピークは無く、（４００）面が基体
の表面に対して平行に優先配向しており、（４００）面
の面間隔は２．０７２Åであった。このＣｏ含有γ−Ｆ
ｅ₂ Ｏ₃ 膜の磁化曲線を観察した結果、垂直磁化膜であ
ることが認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特性
は、飽和磁化値が３４０ｅｍｕ／ｃｍ³ 、保磁力値が１
０００Ｏｅ、角型比が０．２３（反磁場補正した値は
０．８０）、垂直異方性磁場３０００Ｏｅであった。

【０１６３】

【発明の効果】本発明に係る垂直磁化膜は、前出実施例
に示した通り、酸化物であることによって耐酸化性や耐
食性に優れており、しかも、適当な保磁力、殊に３００
０Ｏｅより小さい保磁力を有すると共に大きな角型比
（反磁場補正をした値）を有する磁気記録媒体であるの
で高密度磁気記録用磁気記録媒体として好適である。

【０１６４】更に、本発明に係る磁気記録媒体の製造法
によれば、多層膜の製造時の１周期の厚みを厚くするこ
とができるので工業的、経済的に極めて有利である。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （４００）面が基体の表面に平行に優先
   配向したＣｏ含有マグヘマイト薄膜であり、該Ｃｏ含有
   マグヘマイト薄膜中のＣｏがＦｅに対してモル比で０．
   ０１以上、０．１０未満であって、（４００）面の面間
   隔が２．０８２Å以下である垂直磁化膜が、基体の表面
   上に作成されている（２００）面が基体の表面に平行に
   優先配向したＮｉＯ下地膜上に形成されていることを特
   徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 （４００）面が基体の表面に平行に優先
   配向したＣｏ及びＭｎを含有するマグヘマイト薄膜であ
   り、該Ｃｏ及びＭｎ含有マグヘマイト薄膜中のＣｏがＦ
   ｅに対してモル比で０．０１以上、０．１０未満、Ｍｎ
   がＣｏに対してモル比で０．０７〜０．３０であって、
   （４００）面の面間隔が２．０８２Å以下である垂直磁
   化膜が、基体の表面上に作成されている（２００）面が
   基体の表面に平行に優先配向したＮｉＯ下地膜上に形成
   されていることを特徴とする磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 （４００）面が基体の表面に平行に優先
   配向したＣｏ含有マグネタイトからなる単層膜又はマグ
   ネタイト層とＣｏＯ層とからなる多層膜であって、該膜
   中のＣｏがＦｅに対してモル比で０．０１以上、０．１
   ０未満である単層膜又は多層膜を、基体の表面上に作成
   されている（２００）面が基体の表面に平行に優先配向
   したＮｉＯ下地膜上に形成し、次いで、２４０〜４５０
   ℃の温度範囲で熱処理することを特徴とする請求項１記
   載の磁気記録媒体の製造法。
4. 【請求項４】 （４００）面が基体の表面に平行に優先
   配向したＣｏ及びＭｎを含有するマグネタイトからなる
   単層膜又はマグネタイト層とＣｏ及びＭｎを含む酸化物
   層とからなる多層膜であって、該膜中のＣｏがＦｅに対
   してモル比で０．０１以上、０．１０未満であって、Ｍ
   ｎがＣｏに対してモル比で０．０７〜０．３０である単
   層膜又は多層膜を、基体の表面上に作成されている（２
   ００）面が基体の表面に平行に優先配向したＮｉＯ下地
   膜上に形成し、次いで、２４０〜４５０℃の温度範囲で
   熱処理することを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒
   体の製造法。