JPS61250827A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば磁気ディスク、磁気テープ等に使用さ
れる高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜を形成してな
る高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体において、窒素
（Ｎ）を含有させたＣｏ−Ｎ１−Ｐｔ−Ｎ又はＧｏ−Ｐ
ｔ−Ｎにて磁性薄膜を形成することによって、さらに高
い保磁力を得るようにしたものである。

〔従来の技術〕

近年、磁気記録の高密度化の目的で薄膜磁気記録媒体、
即ち非磁性支持体−ヒにメッキ、真空蒸着等の方法によ
り強磁性金属による磁性薄膜を形成させた磁気記録媒体
についての研究が盛んである。

このような薄膜磁気記録媒体として、磁性薄膜にＣｏ−
Ｐｔ膜を用いた磁気記録媒体が知られている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし乍ら、かかるＣｏ−Ｐｔ膜をメッキ法や真空蒸着
法で形成した磁気記録媒体においては高い保磁力が得ら
れない。

本発明は、かかる点に鑑み、高い保磁力を有する磁気記
録媒体を提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、組成を（（Ｃｏｘｏｏ−ｘ　Ｎｉｘ　）　１
（ｔｏ−３／　Ｐｔｙ　）　ｒｏｏ−ｚ　Ｎ　ｚと表し
たときに、Ｏ≦ｘ≦２０原子％、Ｑ＜ｙ≦４０原子％、
０＜ｚ≦４０原子％を満足するようなＣｏ−Ｐｔ−Ｎ又
はＧｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｎからなる磁性ａ膜を、非磁性支
持体上に形成して磁気記録媒体を構成する。

非磁性支持体としては、例えばポリエチレンテレフタレ
ート、ポリアミド、ポリアミドイミド。

ポリイミド等の高分子フィルム、　＾ｌ、　へｐ合金。

Ｃｕ等の金属基板、ガラス、セラミック、サファイア等
を用いることができる。

上記のＣｏ−Ｐｔ−Ｎ又はＧｏ−Ｎｉ−ＰＬ−Ｎからな
る磁性薄膜は、非磁性支持体上に真空蒸着法、スパッタ
リング法又はイオンレーティング法等によって形成する
ものである。この場合、Ｇｏ−Ｐｔ又はＧｏ−Ｎｉ−Ｐ
ｔを窒素ガス雰囲気中で蒸着１スパツタリング又はイオ
ンブレーティングすることによってＧｏ−Ｐｔ−Ｎ膜又
はＣｏ−Ｎ１−Ｐｔ−Ｎ膜を形成することができる。

（（ＣｏＩｏｏ−ｘ　Ｎｉｘ　）　１００−ｙ　Ｐｔｙ
　）　ｍ−ｚ　Ｎ　ｚの磁性薄膜において、Ｎの組成量
２が４０原子％を越えると保磁力が低下する。

またｐｔの組成量ｙが４０原子％を越えると保磁力の低
下が著しい。またＮｉの添加は角形比を向上させるが保
磁力の低下を招く。従って保磁力の点からＮｌの組成量
Ｘは２０原子％を限度とするのが好ましい。

〔作用〕

本発明の磁気記録媒体においては、窒素（Ｎ）を含有せ
しめたＣｏ−Ｐｔ−Ｎ又はＣｏ−Ｎ１−Ｐｔ−Ｎにて磁
性薄膜を構成することにより、Ｃｏ−Ｐｔ膜の磁気記録
媒体に比して高い保磁力が確保される。これは、Ｃｏ−
Ｐｔ膜又はＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ膜に窒素（Ｎ）を含有させ
ることによって、磁性膜の構造が変化し、即ち柱状構造
が明確になり、磁壁の移動が粒界によって妨げられ、こ
の結果、保磁力が増加するためと考えられる。

また、Ｎｉを添加したＣｏ−Ｎ１−Ｐｔ−Ｎ磁性薄膜と
した場合には、さらに角形比が向上する。

そして、製造に際しては、非磁性支持体に対して垂直方
向から蒸着、スパッタリング或はイオンブレーティング
することによってＣｏ−Ｐｔ−Ｎ磁性薄膜又はＣｏ−Ｎ
１−Ｐｔ−Ｎ磁性ＷＩｔ膜が形成されるので、磁性薄膜
に配向性が生ずることなく、従って磁気的に面内等方性
を有する。

〔実施例〕

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明に適用される真空蒸着装置である。この
真空蒸着装置（１）においては真空チャンバー（２）内
に非磁性支持体（３）が供給ロール（４）及び巻取ロー
ル（５）間に走行するように配され、非磁性支持体（３
）に対向してＧｏ又はＣｏ−Ｎｉの蒸着源（６）とｐｔ
の蒸着源（７）が配される。Ｇｏ又はＣｏ−Ｎｉと、ｐ
ｔとはその蒸気圧が大きく異なるために、この様な２つ
の蒸着源（６）及び（７）が配される。蒸着源（６）及
び（７）は例えば図示しないが電子銃からの電子ビーム
の衝撃によって蒸着材が蒸発するようになされる。（８
）は各蒸着源（６）及び（７）と非磁性支持体（３）と
の間に配された遮蔽板である。（９）は真空チャンバー
（２）内に窒素（Ｎ）ガスを導入するガス導入管、００
は膜厚モニターヘッド、（１１）は排気系である。

この装置では、ガス導入管（９）を通じて真空チャンバ
ー（２）内に窒素ガスを導入し、この窒素ガス雰囲気中
でＣｏ又はＣｏ−Ｎｉの蒸着源（６）及びｐｔの蒸着源
（７）から同時にＣｏ又はＣｏ−Ｎｉと、ｐｔを蒸発さ
せ、その混合蒸気流を遮蔽板（８）のスリン）（１２）
を通して供給ロール（４）から巻取ロール（５）へ移送
させる非磁性支持体（３）上に堆積させて、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｎ磁性薄膜又はＧｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｎ磁性薄膜を被着
形成するようになされる。Ｇｏ又はＣｏ−Ｎｉと、ｐｔ
との蒸発量の制御は夫々の金属の蒸着源（６）及び（７
）の近傍にある膜厚モニターヘッドａωを通じて自動的
に行なわれ、これによって（（Ｃ０１０Ｑ−Ｘ　Ｎｉｘ
　）　１００−）Ｉ　Ｐｔｙ　〕、ｏｏ−ｚ　Ｎ　ｚ膜
組成が自由に変えられる。また非磁性支持体（３）上の
膜厚は蒸発量と非磁性支持体（３）の移送速度により変
えることができる。

実施例１ 第１図の真空蒸着装置（１）を使用し、窒素ガスを導入
して（窒素ガス分圧Ｉ　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒ）　、
高分子フィルムよりなる非磁性支持体（３）上にＣｏ７
６　Ｐｔ２６を蒸着して磁性薄膜を形成して磁気記録媒
体（これを試料Ｉとする）を作製した。

また、窒素ガスを導入せずに（真空度５　Ｘ　１Ｏ−５
Ｔｏｒｒ）同じように非磁性支持体（３）上にＣｏ７５
　Ｐ　ｔ２ｓを蒸着して磁性薄膜を形成して磁気記録媒
体（これを試料■とする）を作製した。

夫々の磁性薄膜中の窒素成分を定量分析した結果、試料
■では窒素含有量が３０原子％であり、試料■では窒素
含有量が５原子％以下であった。試料■と試料■の磁気
特性を測定した結果を次の表に示す。

表 この表から明らかなように蒸着時に窒素ガスを導入し、
Ｇｏ−Ｐｔ膜中に窒素を含有せしめることにより、保磁
力が顕著に増大する。

実施例２ 第１図の真空蒸着装置（１）を使用し、窒素ガスを導入
してＣｏｔｏｏ−ｙ　Ｐｔｙ−ｔｌ−蒸着し、高分子フ
ィルムよりなる非磁性支持体に厚さ１０００人の（：ｏ
−ＰＬ−Ｎ磁性薄膜を形成して磁気記録媒体を作製した
。この磁気記録媒体についてｐｔの組成量ｙを変えたと
きの保磁力の測定結果を第２図に示す。曲線■は窒素ガ
ス分圧ＰＮ２が７　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒの窒素ガス
雰囲気中で蒸着した場合、曲線■は窒素ガス分圧ＰＮ２
が４　Ｘ　１０”　Ｔｏｒｒの窒素ガス雰囲気中で蒸着
した場合、曲線■は比較例で窒素ガスを導入しないで蒸
着した場合である。

第２図から明らかなように、窒素ガスを導入しなければ
（曲線■参照）保磁力は３０００ｅ程度である。しかし
、窒素ガスを導入しその分圧ＰＮ２を４　Ｘ　１０−’
　Ｔｏｒｒ或は７　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒとすると（
曲線Ｉ及び■参照）保磁力は、ｐｔの組成量ｙが２５原
子％で最大となり、前者で１５０００ｅ　、後者で２０
０００ｅに達する。そして、この保磁力はｙ〉２５原子
％で最大値より減少するもｙ≦４０原子％の範囲では大
きい。

実施例３ 第１図の真空蒸着装置（］）を使用し、窒素ガスを導入
して高分子フィルムの非磁性支持体（３）上にＣｏｇ、
）　Ｐ　ｔ２ｏを蒸着して厚さ４００人のＣｏ−Ｐｔ−
Ｎ磁性薄膜を形成して磁気記録媒体を作製した。この磁
気記録媒体について窒素ガス分圧ＰＮ２を変えたときの
保磁力及び磁性薄膜に含有する窒素含有Ｎｚを測定した
結果を第３図に示す。曲線■は保磁力、曲線Ｖは窒素含
有量である。

第３図から明らかなように窒素ガス分圧ＰＮ２が高くな
ると保磁力は急激に大きくなり、ＰＨ２が約８　Ｘ　１
０−’　Ｔｏｒｒで最大となり、３００００ｅにも達す
る。

また磁性薄膜中の窒素含有量２は蒸着中の窒素ガス分圧
が増加すると増える傾向となる。そして、窒素含有量２
はθ〜４０原子％、好ましくは３〜３５原子％の範囲を
可とし、この範囲であれば大きな保磁力が得られる。

実施例４ 第１図の真空蒸着装置（１）を使用し、窒素ガス雰囲気
中（分圧Ｐ　Ｎ２　＝　４　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒ）
中で（Ｃｏｔｏｏ−ｘ　Ｎｉｘ　）　ｅｏ　Ｐｔ２ｏを
蒸着して高分子フィルムの非磁性支持体（３）上にＣｏ
−Ｎｊ−Ｐｔ−Ｎ磁性薄膜を形成して磁気記録媒体を作
製した。この磁気記録媒体について、旧の組成量Ｘを変
えたときの保磁力及び角形比の測定結果を第４図に示す
。曲線■は保磁力、曲線■は角形比である。

第４図から明らかなように、Ｎｉが添加されると角形比
は向上する。但し、旧の添加で保磁力が減少するのでＮ
ｉの組成量ＸはＣｏに対してＸ≦２０原子％の範囲とす
るのがよい。

上記各実施例においては非磁性支持体（３）として高分
子フィルムを用いたが、その他ｉ、　　Ａｎ合金、　Ｃ
ｕなどの金属基板、セラミック、ガラス等の基板を用い
る場合には、これらを高分子フィルムに貼付けて移送す
るようになすを可とする。

また、上記各実施例では真空蒸着法を用いて（（Ｃ０１
００−Ｘ　Ｎｉｘ　）　１００−ｙ　Ｐｔｙ　〕１００
−２　Ｎ　ｚ磁性薄膜を形成したが、その他窒素雰囲気
中によるスパッタリング法、イオンブレーティング法を
用いて同様の磁性薄膜を形成することもできる。この場
合においても窒素含有による効果は上側と同じである。

なお、Ｃｏ−Ｐｔ膜又はＧｏ−Ｎｉ−Ｐｔ膜に窒素Ｎ以
外のＨｅ、　Ｎｅ、　Ａｒ、　Ｋｒ、　Ｘｅ＋　ＣＯ２
等の不活性物を含有せしめても保磁力の向上が期待でき
る。

〔発明の効果〕

上述した本発明によれば、窒素（Ｎ）を含有させたＣｏ
−Ｐｔ−Ｎ又はＣｏ−Ｎ１−Ｐｔ−Ｎにて磁性薄膜を形
成することにより、高い保磁力を有し、高密度記録に通
した磁気記録媒体が得られる。そして、Ｎｉを含有する
場合にはさらに角形比が向上する。

また、本発明の磁気記録媒体は磁性薄膜を非磁性支持体
に対して垂直方向からの真空蒸着、スパッタリング或は
イオンブレーティングにより形成するので、配向性が生
ずることはなく、磁気的に面内等方性を有する。特に磁
気ディスクの場合には、配向性があると出力のエンベロ
ープ波形のモジュレーションが大きく、使用が困難であ
るが、本発明の磁気記録媒体は配向性がないので、磁気
ディスクに適用して好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に適用される真空蒸着装置の例を示す構
成図、第２図は各窒素ガス分圧におけるｐｔ組成量と保
磁力の関係を示す特性図、第３図は窒素ガス分圧と保磁
力及び窒素含有量との関係を示す特性図、第４図は（Ｃ
ｏｚｏｏ−ｘＮｉｘ　）　８ｏ　Ｐｔ２ｏの保磁力及び
角形比とＮｉ組成量Ｘの関係を示す特性図である。 （１）は真空蒸着装置、（２）は真空チャンバー、（３
）は非磁性支持体、（６）はＣｏ又はＣｏ−Ｎｉ蒸着源
、（７）はｐｔ蒸着源である。 ６釦＋ｉ（詩） 呼晃や（茗） 讐　　区 イ　　　啼 ｉ　　煉

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 〔（Ｃｏ＿１＿０＿０＿−＿ｘＮｉ＿ｘ）＿１＿０＿０
   ＿−＿ｙＰｔ＿ｙ〕＿１＿０＿０＿−＿ｚＮ＿ｚ（但し
   ｘ、ｙ、ｚは原子％を表わし、０≦ｘ≦２０、０＜ｙ≦
   ４０、０＜ｚ≦４０を満足する）よりなる磁性薄膜を非
   磁性支持体上に形成したことを特徴とする磁気記録媒体
   。