JPS61250827A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61250827A JPS61250827A JP9199385A JP9199385A JPS61250827A JP S61250827 A JPS61250827 A JP S61250827A JP 9199385 A JP9199385 A JP 9199385A JP 9199385 A JP9199385 A JP 9199385A JP S61250827 A JPS61250827 A JP S61250827A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- film
- recording medium
- coercive force
- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば磁気ディスク、磁気テープ等に使用さ
れる高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体に関する。
れる高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体に関する。
本発明は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜を形成してな
る高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体において、窒素
(N)を含有させたCo−N1−Pt−N又はGo−P
t−Nにて磁性薄膜を形成することによって、さらに高
い保磁力を得るようにしたものである。
る高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体において、窒素
(N)を含有させたCo−N1−Pt−N又はGo−P
t−Nにて磁性薄膜を形成することによって、さらに高
い保磁力を得るようにしたものである。
近年、磁気記録の高密度化の目的で薄膜磁気記録媒体、
即ち非磁性支持体−ヒにメッキ、真空蒸着等の方法によ
り強磁性金属による磁性薄膜を形成させた磁気記録媒体
についての研究が盛んである。
即ち非磁性支持体−ヒにメッキ、真空蒸着等の方法によ
り強磁性金属による磁性薄膜を形成させた磁気記録媒体
についての研究が盛んである。
このような薄膜磁気記録媒体として、磁性薄膜にCo−
Pt膜を用いた磁気記録媒体が知られている。
Pt膜を用いた磁気記録媒体が知られている。
しかし乍ら、かかるCo−Pt膜をメッキ法や真空蒸着
法で形成した磁気記録媒体においては高い保磁力が得ら
れない。
法で形成した磁気記録媒体においては高い保磁力が得ら
れない。
本発明は、かかる点に鑑み、高い保磁力を有する磁気記
録媒体を提供するものである。
録媒体を提供するものである。
本発明は、組成を((Coxoo−x Nix ) 1
(to−3/ Pty ) roo−z N zと表し
たときに、O≦x≦20原子%、Q<y≦40原子%、
0<z≦40原子%を満足するようなCo−Pt−N又
はGo−Ni−Pt−Nからなる磁性a膜を、非磁性支
持体上に形成して磁気記録媒体を構成する。
(to−3/ Pty ) roo−z N zと表し
たときに、O≦x≦20原子%、Q<y≦40原子%、
0<z≦40原子%を満足するようなCo−Pt−N又
はGo−Ni−Pt−Nからなる磁性a膜を、非磁性支
持体上に形成して磁気記録媒体を構成する。
非磁性支持体としては、例えばポリエチレンテレフタレ
ート、ポリアミド、ポリアミドイミド。
ート、ポリアミド、ポリアミドイミド。
ポリイミド等の高分子フィルム、 ^l、 へp合金。
Cu等の金属基板、ガラス、セラミック、サファイア等
を用いることができる。
を用いることができる。
上記のCo−Pt−N又はGo−Ni−PL−Nからな
る磁性薄膜は、非磁性支持体上に真空蒸着法、スパッタ
リング法又はイオンレーティング法等によって形成する
ものである。この場合、Go−Pt又はGo−Ni−P
tを窒素ガス雰囲気中で蒸着1スパツタリング又はイオ
ンブレーティングすることによってGo−Pt−N膜又
はCo−N1−Pt−N膜を形成することができる。
る磁性薄膜は、非磁性支持体上に真空蒸着法、スパッタ
リング法又はイオンレーティング法等によって形成する
ものである。この場合、Go−Pt又はGo−Ni−P
tを窒素ガス雰囲気中で蒸着1スパツタリング又はイオ
ンブレーティングすることによってGo−Pt−N膜又
はCo−N1−Pt−N膜を形成することができる。
((CoIoo−x Nix ) 100−y Pty
) m−z N zの磁性薄膜において、Nの組成量
2が40原子%を越えると保磁力が低下する。
) m−z N zの磁性薄膜において、Nの組成量
2が40原子%を越えると保磁力が低下する。
またptの組成量yが40原子%を越えると保磁力の低
下が著しい。またNiの添加は角形比を向上させるが保
磁力の低下を招く。従って保磁力の点からNlの組成量
Xは20原子%を限度とするのが好ましい。
下が著しい。またNiの添加は角形比を向上させるが保
磁力の低下を招く。従って保磁力の点からNlの組成量
Xは20原子%を限度とするのが好ましい。
本発明の磁気記録媒体においては、窒素(N)を含有せ
しめたCo−Pt−N又はCo−N1−Pt−Nにて磁
性薄膜を構成することにより、Co−Pt膜の磁気記録
媒体に比して高い保磁力が確保される。これは、Co−
Pt膜又はCo−Ni−Pt膜に窒素(N)を含有させ
ることによって、磁性膜の構造が変化し、即ち柱状構造
が明確になり、磁壁の移動が粒界によって妨げられ、こ
の結果、保磁力が増加するためと考えられる。
しめたCo−Pt−N又はCo−N1−Pt−Nにて磁
性薄膜を構成することにより、Co−Pt膜の磁気記録
媒体に比して高い保磁力が確保される。これは、Co−
Pt膜又はCo−Ni−Pt膜に窒素(N)を含有させ
ることによって、磁性膜の構造が変化し、即ち柱状構造
が明確になり、磁壁の移動が粒界によって妨げられ、こ
の結果、保磁力が増加するためと考えられる。
また、Niを添加したCo−N1−Pt−N磁性薄膜と
した場合には、さらに角形比が向上する。
した場合には、さらに角形比が向上する。
そして、製造に際しては、非磁性支持体に対して垂直方
向から蒸着、スパッタリング或はイオンブレーティング
することによってCo−Pt−N磁性薄膜又はCo−N
1−Pt−N磁性WIt膜が形成されるので、磁性薄膜
に配向性が生ずることなく、従って磁気的に面内等方性
を有する。
向から蒸着、スパッタリング或はイオンブレーティング
することによってCo−Pt−N磁性薄膜又はCo−N
1−Pt−N磁性WIt膜が形成されるので、磁性薄膜
に配向性が生ずることなく、従って磁気的に面内等方性
を有する。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明に適用される真空蒸着装置である。この
真空蒸着装置(1)においては真空チャンバー(2)内
に非磁性支持体(3)が供給ロール(4)及び巻取ロー
ル(5)間に走行するように配され、非磁性支持体(3
)に対向してGo又はCo−Niの蒸着源(6)とpt
の蒸着源(7)が配される。Go又はCo−Niと、p
tとはその蒸気圧が大きく異なるために、この様な2つ
の蒸着源(6)及び(7)が配される。蒸着源(6)及
び(7)は例えば図示しないが電子銃からの電子ビーム
の衝撃によって蒸着材が蒸発するようになされる。(8
)は各蒸着源(6)及び(7)と非磁性支持体(3)と
の間に配された遮蔽板である。(9)は真空チャンバー
(2)内に窒素(N)ガスを導入するガス導入管、00
は膜厚モニターヘッド、(11)は排気系である。
真空蒸着装置(1)においては真空チャンバー(2)内
に非磁性支持体(3)が供給ロール(4)及び巻取ロー
ル(5)間に走行するように配され、非磁性支持体(3
)に対向してGo又はCo−Niの蒸着源(6)とpt
の蒸着源(7)が配される。Go又はCo−Niと、p
tとはその蒸気圧が大きく異なるために、この様な2つ
の蒸着源(6)及び(7)が配される。蒸着源(6)及
び(7)は例えば図示しないが電子銃からの電子ビーム
の衝撃によって蒸着材が蒸発するようになされる。(8
)は各蒸着源(6)及び(7)と非磁性支持体(3)と
の間に配された遮蔽板である。(9)は真空チャンバー
(2)内に窒素(N)ガスを導入するガス導入管、00
は膜厚モニターヘッド、(11)は排気系である。
この装置では、ガス導入管(9)を通じて真空チャンバ
ー(2)内に窒素ガスを導入し、この窒素ガス雰囲気中
でCo又はCo−Niの蒸着源(6)及びptの蒸着源
(7)から同時にCo又はCo−Niと、ptを蒸発さ
せ、その混合蒸気流を遮蔽板(8)のスリン)(12)
を通して供給ロール(4)から巻取ロール(5)へ移送
させる非磁性支持体(3)上に堆積させて、Co−Pt
−N磁性薄膜又はGo−Ni−Pt−N磁性薄膜を被着
形成するようになされる。Go又はCo−Niと、pt
との蒸発量の制御は夫々の金属の蒸着源(6)及び(7
)の近傍にある膜厚モニターヘッドaωを通じて自動的
に行なわれ、これによって((C010Q−X Nix
) 100−)I Pty 〕、oo−z N z膜
組成が自由に変えられる。また非磁性支持体(3)上の
膜厚は蒸発量と非磁性支持体(3)の移送速度により変
えることができる。
ー(2)内に窒素ガスを導入し、この窒素ガス雰囲気中
でCo又はCo−Niの蒸着源(6)及びptの蒸着源
(7)から同時にCo又はCo−Niと、ptを蒸発さ
せ、その混合蒸気流を遮蔽板(8)のスリン)(12)
を通して供給ロール(4)から巻取ロール(5)へ移送
させる非磁性支持体(3)上に堆積させて、Co−Pt
−N磁性薄膜又はGo−Ni−Pt−N磁性薄膜を被着
形成するようになされる。Go又はCo−Niと、pt
との蒸発量の制御は夫々の金属の蒸着源(6)及び(7
)の近傍にある膜厚モニターヘッドaωを通じて自動的
に行なわれ、これによって((C010Q−X Nix
) 100−)I Pty 〕、oo−z N z膜
組成が自由に変えられる。また非磁性支持体(3)上の
膜厚は蒸発量と非磁性支持体(3)の移送速度により変
えることができる。
実施例1
第1図の真空蒸着装置(1)を使用し、窒素ガスを導入
して(窒素ガス分圧I X 10−’ Torr) 、
高分子フィルムよりなる非磁性支持体(3)上にCo7
6 Pt26を蒸着して磁性薄膜を形成して磁気記録媒
体(これを試料Iとする)を作製した。
して(窒素ガス分圧I X 10−’ Torr) 、
高分子フィルムよりなる非磁性支持体(3)上にCo7
6 Pt26を蒸着して磁性薄膜を形成して磁気記録媒
体(これを試料Iとする)を作製した。
また、窒素ガスを導入せずに(真空度5 X 1O−5
Torr)同じように非磁性支持体(3)上にCo75
P t2sを蒸着して磁性薄膜を形成して磁気記録媒
体(これを試料■とする)を作製した。
Torr)同じように非磁性支持体(3)上にCo75
P t2sを蒸着して磁性薄膜を形成して磁気記録媒
体(これを試料■とする)を作製した。
夫々の磁性薄膜中の窒素成分を定量分析した結果、試料
■では窒素含有量が30原子%であり、試料■では窒素
含有量が5原子%以下であった。試料■と試料■の磁気
特性を測定した結果を次の表に示す。
■では窒素含有量が30原子%であり、試料■では窒素
含有量が5原子%以下であった。試料■と試料■の磁気
特性を測定した結果を次の表に示す。
表
この表から明らかなように蒸着時に窒素ガスを導入し、
Go−Pt膜中に窒素を含有せしめることにより、保磁
力が顕著に増大する。
Go−Pt膜中に窒素を含有せしめることにより、保磁
力が顕著に増大する。
実施例2
第1図の真空蒸着装置(1)を使用し、窒素ガスを導入
してCotoo−y Pty−tl−蒸着し、高分子フ
ィルムよりなる非磁性支持体に厚さ1000人の(:o
−PL−N磁性薄膜を形成して磁気記録媒体を作製した
。この磁気記録媒体についてptの組成量yを変えたと
きの保磁力の測定結果を第2図に示す。曲線■は窒素ガ
ス分圧PN2が7 X 10−’ Torrの窒素ガス
雰囲気中で蒸着した場合、曲線■は窒素ガス分圧PN2
が4 X 10” Torrの窒素ガス雰囲気中で蒸着
した場合、曲線■は比較例で窒素ガスを導入しないで蒸
着した場合である。
してCotoo−y Pty−tl−蒸着し、高分子フ
ィルムよりなる非磁性支持体に厚さ1000人の(:o
−PL−N磁性薄膜を形成して磁気記録媒体を作製した
。この磁気記録媒体についてptの組成量yを変えたと
きの保磁力の測定結果を第2図に示す。曲線■は窒素ガ
ス分圧PN2が7 X 10−’ Torrの窒素ガス
雰囲気中で蒸着した場合、曲線■は窒素ガス分圧PN2
が4 X 10” Torrの窒素ガス雰囲気中で蒸着
した場合、曲線■は比較例で窒素ガスを導入しないで蒸
着した場合である。
第2図から明らかなように、窒素ガスを導入しなければ
(曲線■参照)保磁力は3000e程度である。しかし
、窒素ガスを導入しその分圧PN2を4 X 10−’
Torr或は7 X 10−’ Torrとすると(
曲線I及び■参照)保磁力は、ptの組成量yが25原
子%で最大となり、前者で15000e 、後者で20
000eに達する。そして、この保磁力はy〉25原子
%で最大値より減少するもy≦40原子%の範囲では大
きい。
(曲線■参照)保磁力は3000e程度である。しかし
、窒素ガスを導入しその分圧PN2を4 X 10−’
Torr或は7 X 10−’ Torrとすると(
曲線I及び■参照)保磁力は、ptの組成量yが25原
子%で最大となり、前者で15000e 、後者で20
000eに達する。そして、この保磁力はy〉25原子
%で最大値より減少するもy≦40原子%の範囲では大
きい。
実施例3
第1図の真空蒸着装置(])を使用し、窒素ガスを導入
して高分子フィルムの非磁性支持体(3)上にCog、
) P t2oを蒸着して厚さ400人のCo−Pt−
N磁性薄膜を形成して磁気記録媒体を作製した。この磁
気記録媒体について窒素ガス分圧PN2を変えたときの
保磁力及び磁性薄膜に含有する窒素含有Nzを測定した
結果を第3図に示す。曲線■は保磁力、曲線Vは窒素含
有量である。
して高分子フィルムの非磁性支持体(3)上にCog、
) P t2oを蒸着して厚さ400人のCo−Pt−
N磁性薄膜を形成して磁気記録媒体を作製した。この磁
気記録媒体について窒素ガス分圧PN2を変えたときの
保磁力及び磁性薄膜に含有する窒素含有Nzを測定した
結果を第3図に示す。曲線■は保磁力、曲線Vは窒素含
有量である。
第3図から明らかなように窒素ガス分圧PN2が高くな
ると保磁力は急激に大きくなり、PH2が約8 X 1
0−’ Torrで最大となり、30000eにも達す
る。
ると保磁力は急激に大きくなり、PH2が約8 X 1
0−’ Torrで最大となり、30000eにも達す
る。
また磁性薄膜中の窒素含有量2は蒸着中の窒素ガス分圧
が増加すると増える傾向となる。そして、窒素含有量2
はθ〜40原子%、好ましくは3〜35原子%の範囲を
可とし、この範囲であれば大きな保磁力が得られる。
が増加すると増える傾向となる。そして、窒素含有量2
はθ〜40原子%、好ましくは3〜35原子%の範囲を
可とし、この範囲であれば大きな保磁力が得られる。
実施例4
第1図の真空蒸着装置(1)を使用し、窒素ガス雰囲気
中(分圧P N2 = 4 X 10−’ Torr)
中で(Cotoo−x Nix ) eo Pt2oを
蒸着して高分子フィルムの非磁性支持体(3)上にCo
−Nj−Pt−N磁性薄膜を形成して磁気記録媒体を作
製した。この磁気記録媒体について、旧の組成量Xを変
えたときの保磁力及び角形比の測定結果を第4図に示す
。曲線■は保磁力、曲線■は角形比である。
中(分圧P N2 = 4 X 10−’ Torr)
中で(Cotoo−x Nix ) eo Pt2oを
蒸着して高分子フィルムの非磁性支持体(3)上にCo
−Nj−Pt−N磁性薄膜を形成して磁気記録媒体を作
製した。この磁気記録媒体について、旧の組成量Xを変
えたときの保磁力及び角形比の測定結果を第4図に示す
。曲線■は保磁力、曲線■は角形比である。
第4図から明らかなように、Niが添加されると角形比
は向上する。但し、旧の添加で保磁力が減少するのでN
iの組成量XはCoに対してX≦20原子%の範囲とす
るのがよい。
は向上する。但し、旧の添加で保磁力が減少するのでN
iの組成量XはCoに対してX≦20原子%の範囲とす
るのがよい。
上記各実施例においては非磁性支持体(3)として高分
子フィルムを用いたが、その他i、 An合金、 C
uなどの金属基板、セラミック、ガラス等の基板を用い
る場合には、これらを高分子フィルムに貼付けて移送す
るようになすを可とする。
子フィルムを用いたが、その他i、 An合金、 C
uなどの金属基板、セラミック、ガラス等の基板を用い
る場合には、これらを高分子フィルムに貼付けて移送す
るようになすを可とする。
また、上記各実施例では真空蒸着法を用いて((C01
00−X Nix ) 100−y Pty 〕100
−2 N z磁性薄膜を形成したが、その他窒素雰囲気
中によるスパッタリング法、イオンブレーティング法を
用いて同様の磁性薄膜を形成することもできる。この場
合においても窒素含有による効果は上側と同じである。
00−X Nix ) 100−y Pty 〕100
−2 N z磁性薄膜を形成したが、その他窒素雰囲気
中によるスパッタリング法、イオンブレーティング法を
用いて同様の磁性薄膜を形成することもできる。この場
合においても窒素含有による効果は上側と同じである。
なお、Co−Pt膜又はGo−Ni−Pt膜に窒素N以
外のHe、 Ne、 Ar、 Kr、 Xe+ CO2
等の不活性物を含有せしめても保磁力の向上が期待でき
る。
外のHe、 Ne、 Ar、 Kr、 Xe+ CO2
等の不活性物を含有せしめても保磁力の向上が期待でき
る。
上述した本発明によれば、窒素(N)を含有させたCo
−Pt−N又はCo−N1−Pt−Nにて磁性薄膜を形
成することにより、高い保磁力を有し、高密度記録に通
した磁気記録媒体が得られる。そして、Niを含有する
場合にはさらに角形比が向上する。
−Pt−N又はCo−N1−Pt−Nにて磁性薄膜を形
成することにより、高い保磁力を有し、高密度記録に通
した磁気記録媒体が得られる。そして、Niを含有する
場合にはさらに角形比が向上する。
また、本発明の磁気記録媒体は磁性薄膜を非磁性支持体
に対して垂直方向からの真空蒸着、スパッタリング或は
イオンブレーティングにより形成するので、配向性が生
ずることはなく、磁気的に面内等方性を有する。特に磁
気ディスクの場合には、配向性があると出力のエンベロ
ープ波形のモジュレーションが大きく、使用が困難であ
るが、本発明の磁気記録媒体は配向性がないので、磁気
ディスクに適用して好適である。
に対して垂直方向からの真空蒸着、スパッタリング或は
イオンブレーティングにより形成するので、配向性が生
ずることはなく、磁気的に面内等方性を有する。特に磁
気ディスクの場合には、配向性があると出力のエンベロ
ープ波形のモジュレーションが大きく、使用が困難であ
るが、本発明の磁気記録媒体は配向性がないので、磁気
ディスクに適用して好適である。
第1図は本発明に適用される真空蒸着装置の例を示す構
成図、第2図は各窒素ガス分圧におけるpt組成量と保
磁力の関係を示す特性図、第3図は窒素ガス分圧と保磁
力及び窒素含有量との関係を示す特性図、第4図は(C
ozoo−xNix ) 8o Pt2oの保磁力及び
角形比とNi組成量Xの関係を示す特性図である。 (1)は真空蒸着装置、(2)は真空チャンバー、(3
)は非磁性支持体、(6)はCo又はCo−Ni蒸着源
、(7)はpt蒸着源である。 6釦+i(詩) 呼晃や(茗) 讐 区 イ 啼 i 煉
成図、第2図は各窒素ガス分圧におけるpt組成量と保
磁力の関係を示す特性図、第3図は窒素ガス分圧と保磁
力及び窒素含有量との関係を示す特性図、第4図は(C
ozoo−xNix ) 8o Pt2oの保磁力及び
角形比とNi組成量Xの関係を示す特性図である。 (1)は真空蒸着装置、(2)は真空チャンバー、(3
)は非磁性支持体、(6)はCo又はCo−Ni蒸着源
、(7)はpt蒸着源である。 6釦+i(詩) 呼晃や(茗) 讐 区 イ 啼 i 煉
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔(Co_1_0_0_−_xNi_x)_1_0_0
_−_yPt_y〕_1_0_0_−_zN_z(但し
x、y、zは原子%を表わし、0≦x≦20、0<y≦
40、0<z≦40を満足する)よりなる磁性薄膜を非
磁性支持体上に形成したことを特徴とする磁気記録媒体
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9199385A JPS61250827A (ja) | 1985-04-29 | 1985-04-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9199385A JPS61250827A (ja) | 1985-04-29 | 1985-04-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61250827A true JPS61250827A (ja) | 1986-11-07 |
Family
ID=14041961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9199385A Pending JPS61250827A (ja) | 1985-04-29 | 1985-04-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61250827A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01144217A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-06-06 | Komag Inc | 記録媒体膜製造方法 |
US5068158A (en) * | 1986-03-07 | 1991-11-26 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and process for preparing the same |
US5434014A (en) * | 1989-07-10 | 1995-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and method of manufacturing same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61142523A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-30 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-04-29 JP JP9199385A patent/JPS61250827A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|---|---|---|---|
US5068158A (en) * | 1986-03-07 | 1991-11-26 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and process for preparing the same |
JPH01144217A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-06-06 | Komag Inc | 記録媒体膜製造方法 |
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